IXFA5N100P IXFH5N100P
IXFP5N100P
符号
测试条件
(T
J
= 25 ° C，除非另有规定编）
g
fs
R
Gi
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
Q
G（ ON）的
Q
gs
Q
gd
R
thJC
R
乡镇卫生院
R
乡镇卫生院
(TO-220)
(TO-247)
0.50
0.25
V
GS
= 10V, V
DS
= 0.5
V
DSS
, I
D
=
0.5
I
D25
电阻开关时间
V
GS
= 10V, V
DS
= 0.5
V
DSS
, I
D
= 0.5
I
D25
R
G
= 5Ω （外部）
V
GS
= 0V, V
DS
= 25V ， F = 1MHz的
V
DS
= 20V ，我
D
=
0.5
I
D25
注意1
门输入电阻
特征值
分钟。
典型值。
最大
2.4
4.0
1.6
1830
113
20
12
13
30
37
33.4
10.6
14.4
S
Ω
pF
pF
pF
ns
ns
ns
ns
nC
nC
nC
0.50
° C / W
° C / W
° C / W
DIM 。
毫米
分钟。马克斯。
A
4.7
5.3
2.2
2.54
A
1
A
2
2.2
2.6
b
1.0
1.4
b
1
1.65
2.13
b
2
2.87
3.12
C
.4
.8
D
20.80 21.46
E
15.75 16.26
e
5.20
5.72
L
19.81 20.32
L1
4.50
P
3.55
3.65
Q
5.89
6.40
R
4.32
5.49
S
6.15 BSC
英寸
分钟。马克斯。
.185 .209
.087 .102
.059 .098
.040 .055
.065 .084
.113 .123
.016 .031
.819 .845
.610 .640
0.205 0.225
.780 .800
.177
.140 .144
0.232 0.252
.170 .216
242 BSC
e
P
TO- 247 （ IXFH ）大纲
源极 - 漏极二极管
符号
I
S
I
SM
V
SD
t
rr
I
RM
Q
RM
测试条件
V
GS
= 0V
特征值
(T
J
= 25 ° C，除非另有规定编）
分钟。
典型值。
马克斯。
5
20
1.3
200
7.4
0.43
A
A
V
ns
A
μC
重复，脉冲宽度为T有限公司
JM
I
F
= I
S
, V
GS
= 0V ，说明1
I
F
= 5A ，V
GS
= 0V
-di / DT = 100A / μs的
V
R
= 100V
TO- 220 （ IXFP ）大纲
注1 ：脉冲检验，t
≤
300μS ;占空比D
≤
2%.
TO- 263 （ IXFA ）大纲
引脚：
1 - GATE
2 - 漏极
初步技术信息
本文中所呈现的产品正在开发中。所提供的技术规格衍生
从过程的初步工程很多客观的刻画收集的数据;但也可能还
包含在预生产设计评价提供了一些信息。 IXYS保留权利
更改限制，试验条件和尺寸，恕不另行通知。
IXYS保留更改限制，试验条件和尺寸的权利。
IXYS MOSFET和IGBT覆盖
4,835,592
通过以下一种或多项美国专利： 4850072
4,881,106
4,931,844
5,017,508
5,034,796
5,049,961
5,063,307
5,187,117
5,237,481
5,381,025
5,486,715
6,162,665
6,259,123B1
6,306,728B1
6,404,065B1
6,534,343
6,583,505
6,683,344
6,710,405B2
6,710,463
6,727,585
7,005,734B2
6,759,692
7,063,975B2
6,771,478B2 7,071,537
7,157,338B2
IXFA5N100P IXFH5N100P
IXFP5N100P
图。 7.输入导纳
4.5
4.0
3.5
T
J
= 125C
25C
- 40C
6.0
5.5
5.0
4.5
25C
125C
T
J
= - 40C
图。 8.跨导
g
F小号
- 西门子
4.0
4.5
5.0
5.5
6.0
6.5
7.0
7.5
I
D
- 安培
3.0
2.5
2.0
1.5
1.0
0.5
0.0
4.0
3.5
3.0
2.5
2.0
1.5
1.0
0.5
0.0
0.0
0.5
1.0
1.5
2.0
2.5
3.0
3.5
4.0
4.5
V
GS
- 伏特
I
D
- 安培
图。 9.正向电压降
征二极管
16
14
12
7
10
9
8
V
DS
= 500V
I
D
= 2.5A
I
G
= 10毫安
图。 10.栅极电荷
I
S
- 安培
V
GS
- 伏特
T
J
= 125C
T
J
= 25C
10
8
6
4
2
0
0.4
0.5
0.6
0.7
0.8
0.9
1.0
1.1
1.2
6
5
4
3
2
1
0
0
4
8
12
16
20
24
28
32
V
SD
- 伏特
Q
G
- nanocoulombs
图。 11.电容
10,000
1.00
图。 12.最大瞬态热
阻抗
f
= 1兆赫
电容 - 皮法
西塞
Z
（日） JC
- C / W
25
30
35
40
1,000
科斯
100
CRSS
0.10
10
0
5
10
15
20
0.01
0.00001
0.0001
0.001
0.01
0.1
1
10
V
DS
- 伏特
脉冲宽度 - 秒
IXYS保留更改限制，试验条件和尺寸的权利。
IXYS REF ： F_5N100P （ 55-744 ） 08年6月27日
QQ：2881677436 复制
