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位置:首页 > IC型号导航 > 首字符I型号页 > 首字符I的型号第104页 > IXFA5N100P
初步技术信息
POLAR
TM
功率MOSFET
HiPerFET
TM
N沟道增强模式
额定雪崩
快速内在二极管
IXFA5N100P
IXFH5N100P
IXFP5N100P
V
DSS
I
D25
R
DS ( ON)
= 1000V
= 5A
2.8Ω
Ω
TO- 263 ( IXFA )
G
符号
V
DSS
V
DGR
V
GSS
V
GSM
I
D25
I
DM
I
A
E
AS
dv / dt的
P
D
T
J
T
JM
T
英镑
T
L
T
出售
M
d
重量
测试条件
T
J
= 25 ℃至150 ℃的
T
J
= 25° C到150° C,R
GS
= 1MΩ
连续
短暂
T
C
= 25°C
T
C
= 25 ° C,脉冲宽度限制T
JM
T
C
= 25°C
T
C
= 25°C
I
S
I
DM
, V
DD
V
DSS
, T
J
150°C
T
C
= 25°C
最大额定值
1000
1000
±30
±40
5
10
5
300
10
250
-55 ... +150
150
-55 ... +150
V
V
V
V
A
A
A
mJ
V / ns的
W
°C
°C
°C
°C
°C
纳米/ lb.in 。
g
g
g
G =门
S =源
G
G
D
S
S
( TAB )
TO- 247 ( IXFH )
( TAB )
的TO-220 ( IXFP )
DS
( TAB )
从案例10秒1.6毫米( 0.062 )
塑料机身10秒
安装力矩
TO-263
TO-220
TO-247
(TO-220,TO-247)
300
260
1.13 / 10
2.5
3.0
6.0
D =漏
TAB =漏
特点
国际标准封装
动态的dv / dt额定值
额定雪崩
低R
DS ( ON)
,坚固极地
TM
过程
低Q
G
低漏 - 标签电容
低封装电感
优势
符号
测试条件
(T
J
= 25 ° C,除非另有规定编)
BV
DSS
V
GS ( TH)
I
GSS
I
DSS
R
DS ( ON)
V
GS
= 0V时,我
D
= 250μA
V
DS
= V
GS
, I
D
= 250μA
V
GS
=
±30V,
V
DS
= 0V
V
DS
= V
DSS
V
GS
= 0V
T
J
= 125°C
特征值
MIN 。 TYP 。
马克斯。
1000
3.0
6.0
V
V
易于安装
节省空间
应用范围:
DC- DC转换器
电池充电器
开关模式和谐振模
电源
不间断电源
交流电动机的控制
高速电源开关
应用
DS99923(07/08)
±100
nA
10
μA
750
μA
2.8
Ω
V
GS
= 10V ,我
D
=
0.5
I
D25
注意1
2008 IXYS公司,保留所有权利。
IXFA5N100P IXFH5N100P
IXFP5N100P
符号
测试条件
(T
J
= 25 ° C,除非另有规定编)
g
fs
R
Gi
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
t
D(上)
t
r
t
D(关闭)
t
f
Q
G( ON)的
Q
gs
Q
gd
R
thJC
R
乡镇卫生院
R
乡镇卫生院
(TO-220)
(TO-247)
0.50
0.25
V
GS
= 10V, V
DS
= 0.5
V
DSS
, I
D
=
0.5
I
D25
电阻开关时间
V
GS
= 10V, V
DS
= 0.5
V
DSS
, I
D
= 0.5
I
D25
R
G
= 5Ω (外部)
V
GS
= 0V, V
DS
= 25V , F = 1MHz的
V
DS
= 20V ,我
D
=
0.5
I
D25
注意1
门输入电阻
特征值
分钟。
典型值。
最大
2.4
4.0
1.6
1830
113
20
12
13
30
37
33.4
10.6
14.4
S
Ω
pF
pF
pF
ns
ns
ns
ns
nC
nC
nC
0.50
° C / W
° C / W
° C / W
DIM 。
毫米
分钟。马克斯。
A
4.7
5.3
2.2
2.54
A
1
A
2
2.2
2.6
b
1.0
1.4
b
1
1.65
2.13
b
2
2.87
3.12
C
.4
.8
D
20.80 21.46
E
15.75 16.26
e
5.20
5.72
L
19.81 20.32
L1
4.50
P
3.55
3.65
Q
5.89
6.40
R
4.32
5.49
S
6.15 BSC
英寸
分钟。马克斯。
.185 .209
.087 .102
.059 .098
.040 .055
.065 .084
.113 .123
.016 .031
.819 .845
.610 .640
0.205 0.225
.780 .800
.177
.140 .144
0.232 0.252
.170 .216
242 BSC
e
P
TO- 247 ( IXFH )大纲
源极 - 漏极二极管
符号
I
S
I
SM
V
SD
t
rr
I
RM
Q
RM
测试条件
V
GS
= 0V
特征值
(T
J
= 25 ° C,除非另有规定编)
分钟。
典型值。
马克斯。
5
20
1.3
200
7.4
0.43
A
A
V
ns
A
μC
重复,脉冲宽度为T有限公司
JM
I
F
= I
S
, V
GS
= 0V ,说明1
I
F
= 5A ,V
GS
= 0V
-di / DT = 100A / μs的
V
R
= 100V
TO- 220 ( IXFP )大纲
注1 :脉冲检验,t
300μS ;占空比D
2%.
TO- 263 ( IXFA )大纲
引脚:
1 - GATE
2 - 漏极
初步技术信息
本文中所呈现的产品正在开发中。所提供的技术规格衍生
从过程的初步工程很多客观的刻画收集的数据;但也可能还
包含在预生产设计评价提供了一些信息。 IXYS保留权利
更改限制,试验条件和尺寸,恕不另行通知。
IXYS保留更改限制,试验条件和尺寸的权利。
IXYS MOSFET和IGBT覆盖
4,835,592
通过以下一种或多项美国专利: 4850072
4,881,106
4,931,844
5,017,508
5,034,796
5,049,961
5,063,307
5,187,117
5,237,481
5,381,025
5,486,715
6,162,665
6,259,123B1
6,306,728B1
6,404,065B1
6,534,343
6,583,505
6,683,344
6,710,405B2
6,710,463
6,727,585
7,005,734B2
6,759,692
7,063,975B2
6,771,478B2 7,071,537
7,157,338B2
IXFA5N100P IXFH5N100P
IXFP5N100P
图。 1.输出特性
@ 25C
5.0
4.5
4.0
6
3.5
7V
V
GS
= 10V
8V
8
7
V
GS
= 10V
9V
8V
图。 2.扩展的输出特性
@ 25C
I
D
- 安培
I
D
- 安培
3.0
2.5
2.0
1.5
1.0
0.5
0.0
0
2
4
6
8
10
12
14
6V
5
4
3
2
6V
1
7V
5V
0
0
5
10
15
20
25
30
V
DS
- 伏特
V
DS
- 伏特
图。 3.输出特性
@ 125C
5.0
4.5
4.0
3.5
7V
V
GS
= 10V
8V
2.4
2.8
图。 4.
DS ( ON)
归到我
D
= 2.5A价值
- 结温
V
GS
= 10V
R
DS ( ON)
- 归
I
D
- 安培
2.0
I
D
= 5A
I
D
= 2.5A
3.0
2.5
2.0
1.5
1.0
0.5
0.0
0
3
6
9
12
15
18
21
24
27
30
5V
6V
1.6
1.2
0.8
0.4
-50
-25
0
25
50
75
100
125
150
V
DS
- 伏特
T
J
- 摄氏
图。 5.
DS ( ON)
归到我
D
= 2.5A价值
与漏电流
2.6
2.4
2.2
V
GS
= 10V
T
J
= 125C
5.5
5.0
4.5
4.0
图。 6,最大漏极电流与
外壳温度
R
DS ( ON)
- 归
I
D
- 安培
T
J
= 25C
0
1
2
3
4
5
6
7
8
2.0
1.8
1.6
1.4
1.2
3.5
3.0
2.5
2.0
1.5
1.0
0.5
0.0
-50
-25
0
25
50
75
100
125
150
1.0
0.8
I
D
- 安培
T
C
- 摄氏
2008 IXYS公司,保留所有权利。
IXFA5N100P IXFH5N100P
IXFP5N100P
图。 7.输入导纳
4.5
4.0
3.5
T
J
= 125C
25C
- 40C
6.0
5.5
5.0
4.5
25C
125C
T
J
= - 40C
图。 8.跨导
g
F小号
- 西门子
4.0
4.5
5.0
5.5
6.0
6.5
7.0
7.5
I
D
- 安培
3.0
2.5
2.0
1.5
1.0
0.5
0.0
4.0
3.5
3.0
2.5
2.0
1.5
1.0
0.5
0.0
0.0
0.5
1.0
1.5
2.0
2.5
3.0
3.5
4.0
4.5
V
GS
- 伏特
I
D
- 安培
图。 9.正向电压降
征二极管
16
14
12
7
10
9
8
V
DS
= 500V
I
D
= 2.5A
I
G
= 10毫安
图。 10.栅极电荷
I
S
- 安培
V
GS
- 伏特
T
J
= 125C
T
J
= 25C
10
8
6
4
2
0
0.4
0.5
0.6
0.7
0.8
0.9
1.0
1.1
1.2
6
5
4
3
2
1
0
0
4
8
12
16
20
24
28
32
V
SD
- 伏特
Q
G
- nanocoulombs
图。 11.电容
10,000
1.00
图。 12.最大瞬态热
阻抗
f
= 1兆赫
电容 - 皮法
西塞
Z
(日) JC
- C / W
25
30
35
40
1,000
科斯
100
CRSS
0.10
10
0
5
10
15
20
0.01
0.00001
0.0001
0.001
0.01
0.1
1
10
V
DS
- 伏特
脉冲宽度 - 秒
IXYS保留更改限制,试验条件和尺寸的权利。
IXYS REF : F_5N100P ( 55-744 ) 08年6月27日
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    电话:0755-82780082
    联系人:杨小姐
    地址:深圳市福田区振兴路156号上步工业区405栋3层

    IXFA5N100P
    -
    -
    -
    -
    终端采购配单精选

QQ: 点击这里给我发消息 QQ:2885615943 复制
电话:0512-82613006
联系人:曾小姐
地址:昆山市朝阳东路99号4楼
IXFA5N100P
IXYS
19+
355
标准封装
一级授权代理IGBT模块 可控硅模块 二极管 晶闸管 熔断器 保证全新原装正品
QQ: 点击这里给我发消息 QQ:2881501652 复制 点击这里给我发消息 QQ:2881501653 复制

电话:0755-83223003
联系人:朱
地址:福田区红荔路上步工业区201栋西座316
IXFA5N100P
IXYS/艾赛斯
24+
8640
TO-263
全新原装现货,原厂代理。
QQ: 点击这里给我发消息 QQ:2881147140 复制

电话:0755-89697985
联系人:李
地址:深圳市龙岗区平湖街道平湖社区平安大道3号铁东物流区11栋1822
IXFA5N100P
Littelfuse Inc.
24+
10000
TO-263AA(IXFA)
原厂一级代理,原装现货
QQ: 点击这里给我发消息 QQ:2885615943 复制
电话:0512-82613006
联系人:曾小姐
地址:昆山市朝阳东路99号4楼
IXFA5N100P
IXYS
19+
8800
标准封装
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电话:0512-82613006
联系人:曾小姐
地址:昆山市朝阳东路99号4楼
IXFA5N100P
IXYS
8800
原厂授权代理商主营IGBT模块 可控硅模块 二极管 晶闸管 熔断器 欢迎咨询
QQ: 点击这里给我发消息 QQ:2881793588 复制

电话:0755-88291559
联系人:陈泽强
地址:深圳市福田区华强北深南中路2068号华能大厦23楼2312-2313-2318
IXFA5N100P
IXYS/艾赛斯
2443+
23000
TO-263
一级代理专营,原装现货,价格优势
QQ: 点击这里给我发消息 QQ:1139848500 复制

电话:0755-83798683
联系人:许先生
地址:深圳市前海深港合作区前湾一路 1 号 A 栋 201 室
IXFA5N100P
IXYS/艾赛斯
23+
56230
TO-263
原装正品 华强现货
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电话:010-62962871、62104931、 62106431、62104891、62104791
联系人:刘经理
地址:北京市海淀区中关村大街32号和盛嘉业大厦10层1008
IXFA5N100P
IXYS/艾赛斯
21+22+
15800
TO-263
全新原装正品/质量有保证
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电话:0755-83376489 83376282 83376549 83600718
联系人:销售部
地址:广东省深圳市深圳南山区科技园产学研楼706
IXFA5N100P
IXYS/艾赛斯
25+
C0603
只做原装
普通
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电话:010-62962871、62104931、 62106431、62104891、62104791
联系人:何小姐
地址:海淀区中关村大街32号和盛嘉业大厦10层1008室
IXFA5N100P
IXYS/艾赛斯
21+
15360
TO-263
全新原装正品/质量有保证
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