IXDD409PI / 409SI / 409YI / 409CI IXDI409PI / 409SI / 409YI / 409CI
IXDN409PI / 409SI / 409YI / 409CI
9安培低端超快MOSFET驱动器
特点
使用的优点和兼容性内置
CMOS和IXYS HDMOS的
TM
流程。
闭锁保护
高峰值输出电流： 9A峰值
4.5V至25V
能够禁止在故障输出
高容性负载
驱动能力： 2500pF的在<15ns
匹配的上升和下降时间
低传播延迟时间
低输出阻抗
低电源电流
概述
该IXDD409 / IXDI409 / IXDN409是高速大电流
栅极驱动器设计用于驱动所述最大
MOSFET和IGBT为最小转换时间和
最大实际频率限制。该IXDD409 / IXDI409 /
IXDN409可以提供和吸收的峰值电流，同时9A
产生的电压上升和小于30ns的下降时间。该
司机的输入与TTL或CMOS兼容，
完全不受闭锁在整个工作范围内。
小内部延迟的设计，交叉传导/
目前贯通将在IXDD409几乎消除/
IXDI409 / IXDN409 。它们的功能和广泛的安全边际
工作电压和功率使驾驶者无以伦比
性能和价值。
该IXDD409采用禁用的独特能力
在故障条件下的输出。当一个逻辑低被强制
为使能输入，无论最终的输出级的MOSFET
（ NMOS和PMOS ）截止。其结果是，输出
在IXDD409进入三态模式，实现了软开启
断MOSFET / IGBT的当检测到短路。
这有助于防止可能出现在MOSFET的损坏/
IGBT如果它被关闭硬生生由于dv / dt的过
电压瞬变。
该IXDN409被配置作为一个非反相栅极驱动器，和
该IXDI409是一个反相栅极驱动器。
该IXDD409 / IXDI409 / IXDN409可用的标准8-
引脚P- DIP （ PI ） ， SOP - 8 （ SI ） ， 5引脚TO -220 （ CI ）和TO- 263
（ YI）表面贴装封装。
应用
驱动MOSFET和IGBT
电机控制
线路驱动器
脉冲发生器
本地电源ON / OFF开关
开关模式电源（ SMPS ）
DC到DC转换
脉冲变压器驱动器
限制的di / dt在短路
D类开关放大器
图1A - IXDD409功能框图
订购信息
产品型号
IXDD409PI
IXDD409SI
IXDD409YI
IXDD409CI
IXDI409PI
IXDI409SI
IXDI409YI
IXDI409CI
IXDN409PI
IXDN409SI
IXDN409YI
IXDN409CI
套餐类型
8引脚PDIP
8引脚SOIC
5引脚TO- 263
5引脚TO- 220
8引脚PDIP
8引脚SOIC
5引脚TO- 263
5引脚TO- 220
8引脚PDIP
8引脚SOIC
5引脚TO- 263
5引脚TO- 220
TEMP 。 RANGE
CON组fi guration
非反相
具有使能线
-40 ° C至+ 85°C
-40 ° C至+ 85°C
反相
图1b - IXDN409功能框图
-40 ° C至+ 85°C
非反相
图1C - IXDI409功能框图
版权所有 IXYS公司2002年申请专利
首次发行
IXDD409PI / 409SI / 409YI / 409CI IXDI409PI / 409SI / 409YI / 409CI
IXDN409PI / 409SI / 409YI / 409CI
绝对最大额定值
（注1 ）
参数
电源电压
所有其他引脚
功耗，T
环境
≤25
oC
8引脚PDIP （ PI ）
8引脚SOIC （ SI ）
TO220 （ CI ） ， TO263 （ YI）
降额因子（到环境）
8引脚PDIP （ PI ）
8引脚SOIC （ SI ）
TO220 （ CI ） ， TO263 （ YI）
储存温度
焊接温度（ 10秒）
工作额定值
参数
最高结温
工作温度范围
热阻抗（结到外壳）
TO220 （ CI ） ， TO263 （ YI） （ θ
JC
)
价值
25 V
-0.3 V至VCC + 0.3 V
975mW
1055mW
17W
7.6mW/oC
8.2mW/oC
0.14W/oC
-65摄氏度到150摄氏度
300摄氏度
价值
150摄氏度
-40摄氏度至85摄氏度
0.95摄氏度/ W
电气特性
除非另有说明，T
A
= 25
o
C， 4.5V
≤
V
CC
≤
25V .
所有电压测量相对于GND 。 IXDD409配置为在所述的
测试条件。
符号
V
IH
V
IL
V
IN
I
IN
V
OH
V
OL
R
OH
R
OL
I
PEAK
I
DC
V
EN
V
ENH
V
ENL
t
R
t
F
t
ONDLY
t
OFFDLY
t
ENOH
t
多尔德
V
CC
I
CC
参数
高输入电压
低输入电压
输入电压范围
输入电流
高输出电压
低输出电压
输出电阻
@输出高
输出电阻
@输出低
峰值输出电流
连续输出
当前
开启电压范围
恩高输入电压
低EN输入电压
上升时间
下降时间
导通时间的传播
延迟
关断时间的传播
延迟
能到输出高
延迟时间
禁止输出低电平
关闭延迟时间
电源电压
电源电流
测试条件
民
3.5
典型值
最大
0.8
单位
V
V
V
A
V
-5
0V
≤
V
IN
≤
V
CC
-10
V
CC
- 0.025
V
CC
+ 0.3
10
0.025
I
OUT
= 10毫安，V
CC
= 18V
I
OUT
= 10毫安，V
CC
= 18V
V
CC
为18V
通过封装功率的限制
耗散
IXDD409只有
IXDD409只有
IXDD409只有
C
L
= 2500pF的VCC = 18V
C
L
= 2500pF的VCC = 18V
C
L
= 2500pF的VCC = 18V
C
L
= 2500pF的VCC = 18V
IXDD409只， VCC = 18V
IXDD409只， VCC = 18V
4.5
V
IN
= 3.5V
V
IN
= 0V
V
IN
= + V
CC
18
1
0
8
8
33
31
10
10
36
33
0.8
0.8
9
2
- .3
2/3的Vcc
1/3的Vcc
15
15
40
36
52
30
25
3
10
10
VCC + 0.3
1.5
1.5
V
A
A
V
V
V
ns
ns
ns
ns
ns
ns
V
mA
A
A
特定网络阳离子如有更改，恕不另行通知。
2
IXDD409PI / 409SI / 409YI / 409CI IXDI409PI / 409SI / 409YI / 409CI
IXDN409PI / 409SI / 409YI / 409CI
销刀豆网络gurations
1 VCC
2年
3 EN *
4 GND
VCC 8
出7
出6
GND 5
1
2
3
4
5
VCC
OUT
GND
IN
EN *
8引脚DIP （ PI ）
SO8 （ SI ）
TO220 （ CI ）
TO263 （ YI）
引脚说明
符号
VCC
IN
EN *
OUT
功能
电源电压
输入
启用
产量
描述
正电源电压输入。该引脚提供电源
整个芯片。范围此电压为4.5V至25V 。
输入信号TTL或CMOS兼容。
该系统使能引脚。该引脚，当驱动为低电平，禁止芯片，
（仅IXDD409 ）迫使高阻抗状态的输出。
驱动器输出。对于应用程序而言，此引脚连接，
通过一个电阻器，在MOSFET / IGBT的栅极。
系统接地引脚。内部连接到所有的电路，该引脚
提供了整个芯片的接地参考。该引脚应
连接到低噪声模拟地平面，以获得最佳
性能。
GND
地
*此引脚用于仅在IXDD409 ，并且是N / C上的IXDI409和IXDN409 。
注1 ：
超越经营与上市的“绝对最大额定值”参数，该设备可能会造成永久性的
损坏设备。典型的值将指示该设备被拟功能的条件下，但不
保证特定的性能限制。保证规格仅适用于列出的测试条件。
长期在绝对最大额定条件下工作会影响器件的可靠性。
注意：这些器件对静电放电敏感;遵循正确的ESD程序
搬运和装配组件时。
图2 - 特性测试图
V
IN
3
IXDD409PI / 409SI / 409YI / 409CI IXDI409PI / 409SI / 409YI / 409CI
IXDN409PI / 409SI / 409YI / 409CI
典型性能特性
图。 3
40
35
25
30
上升时间（纳秒）
11900 pF的
8900 pF的
5860 pF的
2950 pF的
1500 pF的
5
0
8
9
10
11
12
13
14
15
16
17
18
电源电压（ V）
5
下降时间（ NS ）
25
20
15
10
20
11900 pF的
8900 pF的
5860 pF的
10
2950 pF的
1500 pF的
提姆崛起与电源电压
es
图。 4
30
下降时间与电源电压
15
0
8
9
10
11
12
13
14
15
16
17
18
电源电压（ V）
图。五
12
上升和下降时间与温度的关系
CL = 2500pF的， VCC = 18V
图。 6
35
上升时间与负载电容
8V
10
RI吨我
SE我
30
10V
12V
14V
16V
18V
8
FAL吨我
li
25
上升时间（纳秒）
25
tem温度
40
60
85
6
20
4
15
2
10
0
-40
-20
0
5
1.35
2.7
5.4
负载电容
8.1
10.8
图。 7
25
下降时间与负载电容
图。 8
3.5
最大/最小输入与温度的关系
8V
23
10V
21
19
下降时间（纳秒）
17
15
13
11
9
7
5
1.35
3最大输入高
2.5
最大/最小输入电压（V ）
2
1.5
最小输入低
1
0.5
0
-40
12V
14V
16V
18V
2.7
5.4
负载电容（ NF）
8.1
10.8
-20
0
25
温度
40
60
85
4
IXDD409PI / 409SI / 409YI / 409CI IXDI409PI / 409SI / 409YI / 409CI
IXDN409PI / 409SI / 409YI / 409CI
图。 9
1000
电源电流与负载电容
VCC = 18V
图。 10
1000
S upply光凭目前与F Characteristic低频
V CC = 18V
10800 pF的
8100 pF的
5400 pF的
2700 pF的
100
100
2M
H
电源电流（mA ）
1350 pF的
电源电流（mA ）
1M
H
500kH
z
10
100kH
z
50kH
z
1
10
10kH
z
1
0.1
1000
0.1
10000
1
10
100
1000
载荷C
apacitance （PF ）
FREQUENC Y（千赫）
图。 11
1000
SupplyCurrent与负载电容
VCC = 12V
图。 12
1000
电源电流与频率的关系
VCC = 12V
10800 pF的
8100 pF的
5400 pF的
2700 pF的
1350 pF的
100
100
电源电流（mA ）
电源电流（mA ）
2M
H
1M
H
10
500kH
z
10
1
100kH
z
50kH
z
1
10kH
z
0.1
0.1
1000
0.01
10000
1
10
100
1000
10000
载荷C
apacitance （PF ）
频率（kHz ）
图。 13
1000
SupplyCurrent与负载电容
VCC = 8V
图。 14
1000
电源电流与频率的关系
VCC = 8V
100
100
10800 pF的
8100 pF的
5400 pF的
2700 pF的
1350 pF的
电源电流（mA ）
2M
H
1M
H
10
500kH
z
电源电流（mA ）
10000
10
1
100kH
z
1
50kH
z
0.1
10kH
z
0.1
1000
0.01
1
10
100
1000
10000
负载电容（PF ）
频率（kHz ）
5
IXDD409PI / 409SI / 409YI / 409CI IXDI409PI / 409SI / 409YI / 409CI
IXDN409PI / 409SI / 409YI / 409CI
9安培低端超快MOSFET驱动器
特点
使用的优点和兼容性内置
CMOS和IXYS HDMOS的
TM
流程。
闭锁保护
高峰值输出电流： 9A峰值
4.5V至25V
能够禁止在故障输出
高容性负载
驱动能力： 2500pF的在<15ns
匹配的上升和下降时间
低传播延迟时间
低输出阻抗
低电源电流
概述
该IXDD409 / IXDI409 / IXDN409是高速大电流
栅极驱动器设计用于驱动所述最大
MOSFET和IGBT为最小转换时间和
最大实际频率限制。该IXDD409 / IXDI409 /
IXDN409可以提供和吸收的峰值电流，同时9A
产生的电压上升和小于30ns的下降时间。该
司机的输入与TTL或CMOS兼容，
完全不受闭锁在整个工作范围内。
小内部延迟的设计，交叉传导/
目前贯通将在IXDD409几乎消除/
IXDI409 / IXDN409 。它们的功能和广泛的安全边际
工作电压和功率使驾驶者无以伦比
性能和价值。
该IXDD409采用禁用的独特能力
在故障条件下的输出。当一个逻辑低被强制
为使能输入，无论最终的输出级的MOSFET
（ NMOS和PMOS ）截止。其结果是，输出
在IXDD409进入三态模式，实现了软开启
断MOSFET / IGBT的当检测到短路。
这有助于防止可能出现在MOSFET的损坏/
IGBT如果它被关闭硬生生由于dv / dt的过
电压瞬变。
该IXDN409被配置作为一个非反相栅极驱动器，和
该IXDI409是一个反相栅极驱动器。
该IXDD409 / IXDI409 / IXDN409可用的标准8-
引脚P- DIP （ PI ） ， SOP - 8 （ SI ） ， 5引脚TO -220 （ CI ）和TO- 263
（ YI）表面贴装封装。
应用
驱动MOSFET和IGBT
电机控制
线路驱动器
脉冲发生器
本地电源ON / OFF开关
开关模式电源（ SMPS ）
DC到DC转换
脉冲变压器驱动器
限制的di / dt在短路
D类开关放大器
图1A - IXDD409功能框图
订购信息
产品型号
IXDD409PI
IXDD409SI
IXDD409YI
IXDD409CI
IXDI409PI
IXDI409SI
IXDI409YI
IXDI409CI
IXDN409PI
IXDN409SI
IXDN409YI
IXDN409CI
套餐类型
8引脚PDIP
8引脚SOIC
5引脚TO- 263
5引脚TO- 220
8引脚PDIP
8引脚SOIC
5引脚TO- 263
5引脚TO- 220
8引脚PDIP
8引脚SOIC
5引脚TO- 263
5引脚TO- 220
TEMP 。 RANGE
CON组fi guration
非反相
具有使能线
-40 ° C至+ 85°C
-40 ° C至+ 85°C
反相
图1b - IXDN409功能框图
-40 ° C至+ 85°C
非反相
图1C - IXDI409功能框图
版权所有 IXYS公司2002年申请专利
首次发行
IXDD409PI / 409SI / 409YI / 409CI IXDI409PI / 409SI / 409YI / 409CI
IXDN409PI / 409SI / 409YI / 409CI
绝对最大额定值
（注1 ）
参数
电源电压
所有其他引脚
功耗，T
环境
≤25
oC
8引脚PDIP （ PI ）
8引脚SOIC （ SI ）
TO220 （ CI ） ， TO263 （ YI）
降额因子（到环境）
8引脚PDIP （ PI ）
8引脚SOIC （ SI ）
TO220 （ CI ） ， TO263 （ YI）
储存温度
焊接温度（ 10秒）
工作额定值
参数
最高结温
工作温度范围
热阻抗（结到外壳）
TO220 （ CI ） ， TO263 （ YI） （ θ
JC
)
价值
25 V
-0.3 V至VCC + 0.3 V
975mW
1055mW
17W
7.6mW/oC
8.2mW/oC
0.14W/oC
-65摄氏度到150摄氏度
300摄氏度
价值
150摄氏度
-40摄氏度至85摄氏度
0.95摄氏度/ W
电气特性
除非另有说明，T
A
= 25
o
C， 4.5V
≤
V
CC
≤
25V .
所有电压测量相对于GND 。 IXDD409配置为在所述的
测试条件。
符号
V
IH
V
IL
V
IN
I
IN
V
OH
V
OL
R
OH
R
OL
I
PEAK
I
DC
V
EN
V
ENH
V
ENL
t
R
t
F
t
ONDLY
t
OFFDLY
t
ENOH
t
多尔德
V
CC
I
CC
参数
高输入电压
低输入电压
输入电压范围
输入电流
高输出电压
低输出电压
输出电阻
@输出高
输出电阻
@输出低
峰值输出电流
连续输出
当前
开启电压范围
恩高输入电压
低EN输入电压
上升时间
下降时间
导通时间的传播
延迟
关断时间的传播
延迟
能到输出高
延迟时间
禁止输出低电平
关闭延迟时间
电源电压
电源电流
测试条件
民
3.5
典型值
最大
0.8
单位
V
V
V
A
V
-5
0V
≤
V
IN
≤
V
CC
-10
V
CC
- 0.025
V
CC
+ 0.3
10
0.025
I
OUT
= 10毫安，V
CC
= 18V
I
OUT
= 10毫安，V
CC
= 18V
V
CC
为18V
通过封装功率的限制
耗散
IXDD409只有
IXDD409只有
IXDD409只有
C
L
= 2500pF的VCC = 18V
C
L
= 2500pF的VCC = 18V
C
L
= 2500pF的VCC = 18V
C
L
= 2500pF的VCC = 18V
IXDD409只， VCC = 18V
IXDD409只， VCC = 18V
4.5
V
IN
= 3.5V
V
IN
= 0V
V
IN
= + V
CC
18
1
0
8
8
33
31
10
10
36
33
0.8
0.8
9
2
- .3
2/3的Vcc
1/3的Vcc
15
15
40
36
52
30
25
3
10
10
VCC + 0.3
1.5
1.5
V
A
A
V
V
V
ns
ns
ns
ns
ns
ns
V
mA
A
A
特定网络阳离子如有更改，恕不另行通知。
2
IXDD409PI / 409SI / 409YI / 409CI IXDI409PI / 409SI / 409YI / 409CI
IXDN409PI / 409SI / 409YI / 409CI
销刀豆网络gurations
1 VCC
2年
3 EN *
4 GND
VCC 8
出7
出6
GND 5
1
2
3
4
5
VCC
OUT
GND
IN
EN *
8引脚DIP （ PI ）
SO8 （ SI ）
TO220 （ CI ）
TO263 （ YI）
引脚说明
符号
VCC
IN
EN *
OUT
功能
电源电压
输入
启用
产量
描述
正电源电压输入。该引脚提供电源
整个芯片。范围此电压为4.5V至25V 。
输入信号TTL或CMOS兼容。
该系统使能引脚。该引脚，当驱动为低电平，禁止芯片，
（仅IXDD409 ）迫使高阻抗状态的输出。
驱动器输出。对于应用程序而言，此引脚连接，
通过一个电阻器，在MOSFET / IGBT的栅极。
系统接地引脚。内部连接到所有的电路，该引脚
提供了整个芯片的接地参考。该引脚应
连接到低噪声模拟地平面，以获得最佳
性能。
GND
地
*此引脚用于仅在IXDD409 ，并且是N / C上的IXDI409和IXDN409 。
注1 ：
超越经营与上市的“绝对最大额定值”参数，该设备可能会造成永久性的
损坏设备。典型的值将指示该设备被拟功能的条件下，但不
保证特定的性能限制。保证规格仅适用于列出的测试条件。
长期在绝对最大额定条件下工作会影响器件的可靠性。
注意：这些器件对静电放电敏感;遵循正确的ESD程序
搬运和装配组件时。
图2 - 特性测试图
V
IN
3
IXDD409PI / 409SI / 409YI / 409CI IXDI409PI / 409SI / 409YI / 409CI
IXDN409PI / 409SI / 409YI / 409CI
典型性能特性
图。 3
40
35
25
30
上升时间（纳秒）
11900 pF的
8900 pF的
5860 pF的
2950 pF的
1500 pF的
5
0
8
9
10
11
12
13
14
15
16
17
18
电源电压（ V）
5
下降时间（ NS ）
25
20
15
10
20
11900 pF的
8900 pF的
5860 pF的
10
2950 pF的
1500 pF的
提姆崛起与电源电压
es
图。 4
30
下降时间与电源电压
15
0
8
9
10
11
12
13
14
15
16
17
18
电源电压（ V）
图。五
12
上升和下降时间与温度的关系
CL = 2500pF的， VCC = 18V
图。 6
35
上升时间与负载电容
8V
10
RI吨我
SE我
30
10V
12V
14V
16V
18V
8
FAL吨我
li
25
上升时间（纳秒）
25
tem温度
40
60
85
6
20
4
15
2
10
0
-40
-20
0
5
1.35
2.7
5.4
负载电容
8.1
10.8
图。 7
25
下降时间与负载电容
图。 8
3.5
最大/最小输入与温度的关系
8V
23
10V
21
19
下降时间（纳秒）
17
15
13
11
9
7
5
1.35
3最大输入高
2.5
最大/最小输入电压（V ）
2
1.5
最小输入低
1
0.5
0
-40
12V
14V
16V
18V
2.7
5.4
负载电容（ NF）
8.1
10.8
-20
0
25
温度
40
60
85
4
IXDD409PI / 409SI / 409YI / 409CI IXDI409PI / 409SI / 409YI / 409CI
IXDN409PI / 409SI / 409YI / 409CI
图。 9
1000
电源电流与负载电容
VCC = 18V
图。 10
1000
S upply光凭目前与F Characteristic低频
V CC = 18V
10800 pF的
8100 pF的
5400 pF的
2700 pF的
100
100
2M
H
电源电流（mA ）
1350 pF的
电源电流（mA ）
1M
H
500kH
z
10
100kH
z
50kH
z
1
10
10kH
z
1
0.1
1000
0.1
10000
1
10
100
1000
载荷C
apacitance （PF ）
FREQUENC Y（千赫）
图。 11
1000
SupplyCurrent与负载电容
VCC = 12V
图。 12
1000
电源电流与频率的关系
VCC = 12V
10800 pF的
8100 pF的
5400 pF的
2700 pF的
1350 pF的
100
100
电源电流（mA ）
电源电流（mA ）
2M
H
1M
H
10
500kH
z
10
1
100kH
z
50kH
z
1
10kH
z
0.1
0.1
1000
0.01
10000
1
10
100
1000
10000
载荷C
apacitance （PF ）
频率（kHz ）
图。 13
1000
SupplyCurrent与负载电容
VCC = 8V
图。 14
1000
电源电流与频率的关系
VCC = 8V
100
100
10800 pF的
8100 pF的
5400 pF的
2700 pF的
1350 pF的
电源电流（mA ）
2M
H
1M
H
10
500kH
z
电源电流（mA ）
10000
10
1
100kH
z
1
50kH
z
0.1
10kH
z
0.1
1000
0.01
1
10
100
1000
10000
负载电容（PF ）
频率（kHz ）
5
QQ：2880707522 复制
