初步技术信息
IXDI514 / IXDN514
14安培低端超快MOSFET驱动器
特点
使用的优点和兼容性内置
CMOS和IXYS HDMOS的
TM
过程的
闭锁保护在整个工作范围内
高峰值输出电流： 14A峰值
宽工作电压范围： 4.5V至30V
-55°C
至+ 125 °C扩展工作
温度
高容性负载
驱动能力： 15nF的<30ns
匹配的上升和下降时间
低传播延迟时间
低输出阻抗
低电源电流
在单芯片双驱动
概述
该IXDI514和IXDN514是高速大电流门
司机专门设计用于驱动最大IXYS
的MOSFET &的IGBT为最小转换时间和
最大parctical频率限制。该IXDI514和
IXDN514可源出或吸入14安培峰值电流
同时产生小于电压的上升和下降时间
为30ns 。该驱动器的输入与TTL兼容或
CMOS和几乎不受闭锁在整个
工作范围！ *专利的创新设计消除
交叉传导电流"shoot - through" 。改进
速度和驱动能力由极进一步增强
快速&匹配的上升和下降时间。
该IXDI514被配置为反相门驱动器，而
IXDN514被配置为一个非反相栅极驱动器。
该IXDI514和IXDN514分别在8引脚P-可用
拨码（PI）的封装， 8引脚SOIC （ SIA）的包，并且
6引脚DFN （D1）的包装， （它占据不到65％的
8引脚SOIC封装的电路板面积） 。
应用
驱动MOSFET和IGBT
电机控制
线路驱动器
脉冲发生器
本地电源ON / OFF开关
开关模式电源（ SMPS ）
DC到DC转换
脉冲变压器驱动器
D类开关放大器
功率电荷泵
*美国专利6917227
订购信息
产品型号
IXDI514PI
IXDI514SIA
IXDI514SIAT/R
IXDI514D1
IXDI514D1T/R
IXDN514PI
IXDN514SIA
IXDN514SIAT/R
IXDN514D1
IXDN514D1T/R
描述
14A低侧栅极驱动器I.C.
14A低侧栅极驱动器I.C.
14A低侧栅极驱动器I.C.
14A低侧栅极驱动器I.C.
14A低侧栅极驱动器I.C.
14A低侧栅极驱动器I.C.
14A低侧栅极驱动器I.C.
14A低侧栅极驱动器I.C.
14A低侧栅极驱动器I.C.
14A低侧栅极驱动器I.C.
包
TYPE
8引脚PDIP
8引脚SOIC
8引脚SOIC
6引线DFN
6引线DFN
8引脚PDIP
8引脚SOIC
8引脚SOIC
6引线DFN
6引线DFN
包装方式
管
管
13 “磁带和卷轴
2 “×2”华夫格包
13 “磁带和卷轴
管
管
13 “磁带和卷轴
2 “×2”华夫格包
13 “磁带和卷轴
PACK
数量
50
94
2500
56
2500
50
94
2500
56
2500
CON组fi guration
反相
非反相
注意：
所有部件均采用无铅设计并符合RoHS标准
2006 IXYS公司保留所有权利
DS99672(01/07)
首次发行
IXDI514 / IXDN514
图1 - IXDI514反相14A栅极驱动器功能框图
VCC
VCC
P
IN
防跨
传导
电路*
OUT
N
GND
GND
图2 - IXDN514 14A非反向栅极驱动器功能框图
VCC
VCC
P
IN
防跨
传导
电路
*
*
OUT
N
GND
GND
*
美国专利6917227
2006 IXYS公司保留所有权利
2
IXDI514 / IXDN514
绝对最大额定值
(1)
参数
电源电压
所有其他引脚
结温
储存温度
焊接温度（ 10秒）
价值
35 V
0.3 V到V
CC
+ 0.3V
150
°
C
-65
°
C至150
°
C
300
°
C
工作额定值
(2)
参数
价值
工作电源电压
4.5V至30V
工作温度范围
-55
°
C至125
°
C
封装热阻
*
θ
J- á
（典型值） 125
°
C / W
8-PinPDIP
（PI）的
8引脚SOIC
（ SIA ）
θ
J- á
（典型值） 200
°
C / W
6引线DFN
(D1)
θ
J- á
（典型值）， 125-200
°
C / W
θ
J-
（最大值） 1.5
°
C / W
6引线DFN
(D1)
6引线DFN
(D1)
θ
-S
（典型值）
5.8 °
C / W
电气特性@ T
A
= 25
o
C
(3)
除非另有说明， 4.5V
≤
V
CC
≤
30V .
所有电压测量相对于GND 。 IXD_514配置为在所述的
测试条件。
符号
V
IH
V
IL
V
IN
I
IN
V
OH
V
OL
R
OH
R
OL
I
PEAK
I
DC
t
R
t
F
t
ONDLY
t
OFFDLY
V
CC
I
CC
参数
高输入电压
低输入电压
输入电压范围
输入电流
高输出电压
低输出电压
输出电阻
@输出高
输出电阻
@输出低
峰值输出电流
连续输出
当前
上升时间
下降时间
导通时间的传播
延迟
关断时间的传播
延迟
电源电压
电源电流
测试条件
4.5V
≤
V
CC
≤
18V
4.5V
≤
V
CC
≤
18V
民
2.5
典型值
(4)
最大
1.0
单位
V
V
V
A
V
V
m
m
A
-5
0V
≤
V
IN
≤
V
CC
-10
V
CC
- 0.025
V
CC
+ 0.3
10
0.025
I
OUT
= 10毫安，V
CC
= 18V
I
OUT
= 10毫安，V
CC
= 18V
V
CC
为18V
通过封装功率的限制
耗散
C
L
= 15nF VCC = 18V
C
L
= 15nF VCC = 18V
C
L
= 15nF VCC = 18V
C
L
= 15nF VCC = 18V
600
600
14
1000
1000
4
23
21
29
29
4.5
25
22
30
31
18
1
0
40
50
30
50
30
3
10
10
A
ns
ns
ns
ns
V
mA
A
A
V
IN
= 3.5V
V
IN
= 0V
V
IN
= + V
CC
IXYS保留更改限制，试验条件和尺寸的权利。
3
IXDI514 / IXDN514
电气特性@温度超过-55
o
C至125
o
C
(3)
除非另有说明， 4.5V
≤
V
CC
≤
30V ， TJ < 150
o
C
所有电压测量相对于GND 。 IXD_502配置为在所述的
测试条件。
所有规格的一个通道。
符号
V
IH
V
IL
V
IN
I
IN
V
OH
V
OL
R
OH
R
OL
I
DC
t
R
t
F
t
ONDLY
t
OFFDLY
V
CC
I
CC
参数
高输入电压
低输入电压
输入电压范围
输入电流
高输出电压
低输出电压
输出电阻
@输出高
输出电阻
@输出低
连续输出
当前
上升时间
下降时间
导通时间的传播
延迟
关断时间的传播
延迟
电源电压
电源电流
测试条件
4.5V
≤
V
CC
≤
18V
4.5V
≤
V
CC
≤
18V
民
2.7
典型值
(4)
最大
0.8
单位
V
V
V
A
V
V
A
ns
ns
ns
ns
V
mA
A
A
-5
0V
≤
V
IN
≤
V
CC
-10
V
CC
- 0.025
V
CC
+ 0.3
10
0.025
V
CC
= 18V
V
CC
= 18V
1.25
1.25
1
C
L
= 10,000pF VCC = 18V
C
L
= 10,000pF VCC = 18V
C
L
= 10,000pF VCC = 18V
C
L
= 10,000pF VCC = 18V
4.5
V
IN
= 3.5V
V
IN
= 0V
V
IN
= + V
CC
23
30
20
40
18
1
0
100
100
60
60
30
3
10
10
注意事项：
1.经营超出列为“绝对最大额定值”参数中的设备可能会造成永久性
损坏设备。长期在绝对最大额定条件下长时间工作会影响器件
可靠性。
2.该设备不是要的工作额定值以外运行。
提供3电气特性与规定的测试条件有关。
4.典型的值在以通信设备如何被预期执行，但不一定
突出于该装置所保证的功能的任何具体的性能极限。
2006 IXYS公司保留所有权利
4
IXDI514 / IXDN514
1）
θ
J- á
（典型值）被定义为结点到环境。该
θ
J- á
标准的单芯片8引脚PDIP和8引脚SOIC都是由占主导地位
封装的电阻，并且IXD_5XX是典型的。这些包的值是自然对流数值与垂直板
和的值将是较低的自然对流。对于6引脚DFN封装，
θ
J- á
值设DFN封装焊接
在PCB上。该
θ
J- á
（典型值） 200
°
下用PCB上没有特别规定/ W ，但由于中心垫提供了低热阻
至模，很容易降低
θ
J- á
通过在PCB上增加连接的铜焊盘或迹线。这些可以减少
θ
J- á
（典型值） 125
°
C / W
容易，并且可能甚至更低。该
θ
J- á
对于DFN PCB上没有散热片或散热管理与规模显著变化，
建设，设计，材料等这种典型的范围内告诉用户什么，他很可能会得到，如果他不无热管理。
2)
θ
J-
（最大）被定义为juction到外壳，其中，壳体是DFN封装背面的大垫。该
θ
J-
值通常是不
公布了PDIP和SOIC封装。该
θ
J-
为DFN封装是很重要的，以显示从连接处的热阻低，以
管芯附着焊盘上的DFN的后面， - 和一个保护频带已被添加到安全。
3）
θ
-S
（典型值）被定义为结到散热片，其中， DFN封装焊接到被安装在散热片的热衬底。
因为存在着多种热基底的值必须是典型的。基于容易获得IMS在此值计算
美国或欧洲，而不是一个高级日本的IMS 。一个4密耳dialectric用2.2W / MC的热导率被假定。其结果是
作为典型，并指示用户所期望的一个典型的IMS基板上，并显示了潜在的低热阻
DFN封装。
*
下列注意事项是为了定义的条件
θ
J- á
,
θ
J-
和
θ
-S
价值观：
引脚说明
符号
VCC
IN
OUT
功能
电源电压
输入
产量
描述
正电源电压输入。该引脚提供电源
整个芯片。范围此电压为4.5V至30V 。
输入信号TTL或CMOS兼容。
驱动器输出。对于应用程序而言，此引脚连接，
通过一个电阻器，在MOSFET / IGBT的栅极。
系统接地引脚。内部连接到所有的电路，该引脚
提供了整个芯片的接地参考。该引脚应
连接到低噪声模拟地平面，以获得最佳
性能。
GND
地
注意：处理和装配组件时，请按照正确的ESD程序。
图3 - 特性测试图
5.0V
0V
10uF
25V
VCC
0V
IXDI414
IXDI514
VCC
0V
IXDN414
IXDN514
2500 pF的
15nF
IXD_514
安捷伦1147A
电流探头
5
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