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位置:首页 > IC型号导航 > 首字符I型号页 > 首字符I的型号第331页 > IXDH20N120D1
高压IGBT
可选二极管
短路SOA能力
广场RBSOA
IXDH 20N120
V
CES
= 1200 V
= 38 A
IXDH 20N120 D1我
C25
V
CE ( sat)的典型值
= 2.4 V
C
G
G
C
的TO- 247的AD
G
C
E
IXDH 20N120
E
IXDH 20N120 D1
E
C( TAB )
G =门,
C =收藏家,
E =发射器
TAB =收藏家
符号
V
CES
V
CGR
V
GES
V
创业板
I
C25
I
C90
I
CM
RBSOA
t
SC
( SCSOA )
P
C
T
J
T
英镑
条件
T
J
= 25 ℃至150 ℃的
T
J
= 25 ℃至150 ℃;
GE
= 20千瓦
连续
短暂
T
C
= 25°C
T
C
= 90°C
T
C
= 90℃ ,T
p
= 1毫秒
V
GE
= -15 V,T
J
= 125 ° C,R
G
= 82
W
钳位感性负载, L = 30 μH
V
GE
= ±15 V, V
CE
= V
CES
, T
J
= 125°C
R
G
= 82
W,
不重复
T
C
= 25°C
IGBT
二极管
最大额定值
1200
1200
±20
±30
38
25
50
I
CM
= 35
V
CEK
& LT ; V
CES
10
200
75
-55 ... +150
-55 ... +150
300
0.8 - 1.2
6
V
V
V
V
A
A
A
A
特点
q
q
q
q
q
q
q
q
q
NPT IGBT技术
低饱和电压
低开关损耗
广场RBSOA ,无闩锁
高抗短路能力强
正温度系数为
简单的并联
MOS输入,压控
可选的超高速二极管
国际标准套餐
优势
s
W
W
典型应用
°C
q
q
q
节省空间
高功率密度
°C
°C
Nm
g
q
q
q
q
最大无铅焊接温度的
从案例10秒1.6毫米( 0.062英寸)
M
d
重量
安装力矩
交流电机调速
直流伺服和机器人的驱动器
直流斩波器
不间断电源(UPS )
开关模式和谐振模
电源
符号
条件
特征值
(T
J
= 25 ° C,除非另有规定编)
分钟。典型值。马克斯。
1200
4.5
2
6.5
V
V
V
( BR ) CES
V
GE (日)
I
CES
I
GES
V
CE ( SAT )
V
GE
= 0 V
I
C
= 0.6毫安, V
CE
= V
GE
V
CE
= V
CES
T
J
= 25°C
T
J
= 125°C
1毫安
mA
±500 nA的
V
CE
= 0 V, V
GE
= ± 20 V
I
C
= 20 A,V
GE
= 15 V
2.4
3
V
031
版权所有2000 IXYS所有权利。
1-4
IXDH 20N120
IXDH 20N120 D1
符号
条件
特征值
(T
J
= 25 ° C,除非另有规定编)
分钟。典型值。马克斯。
1000
V
CE
= 25 V, V
GE
= 0 V , F = 1兆赫
I
C
= 20 A,V
GE
= 15 V, V
CE
= 0.5 V
CES
150
70
70
100
感性负载,T
J
= 125°C
I
C
= 20 A,V
GE
= ±15 V,
V
CE
= 600 V ,R
G
= 82
W
75
500
70
3.1
2.4
pF
pF
pF
nC
ns
ns
ns
ns
mJ
mJ
0.63 K / W
与散热片复合包装
0.25
K / W
DIM 。
毫米
分钟。马克斯。
A
4.7
5.3
A
1
2.2
2.54
A
2
2.2
2.6
b
1.0
1.4
1.65
2.13
b
1
b
2
2.87
3.12
C
.4
.8
D
20.80 21.46
E
15.75 16.26
e
5.20
5.72
L
19.81 20.32
L1
4.50
P
3.55
3.65
Q
5.89
6.40
R
4.32
5.49
S
6.15 BSC
英寸
分钟。马克斯。
.185 .209
.087 .102
.059 .098
.040 .055
.065 .084
.113 .123
.016 .031
.819 .845
.610 .640
0.205 0.225
.780 .800
.177
.140 .144
0.232 0.252
.170 .216
242 BSC
的TO- 247的AD概要
C
IES
C
OES
C
水库
Q
g
t
D(上)
t
r
t
D(关闭)
t
f
E
on
E
关闭
R
thJC
R
thCH
反向二极管( FRED )
[ D1版只]
符号
V
F
I
F
I
RM
t
rr
t
rr
R
thJC
条件
特征值
(T
J
= 25 ° C,除非另有规定编)
分钟。典型值。马克斯。
2.6
2.1
2.8
V
V
A
A
A
ns
ns
1.6 K / W
I
F
= 20 A,V
GE
= 0 V
I
F
= 20 A,V
GE
= 0 V ,T
J
= 125°C
T
C
= 25°C
T
C
= 90°C
I
F
= 20 A, - 二
F
/ DT = 400 A / μs的,V
R
= 600 V
V
GE
= 0 V ,T
J
= 125°C
I
F
= 1 A, - 二
F
/ DT = 100 A / μs的,V
R
= 30 V, V
GE
= 0 V
33
20
15
200
40
版权所有2000 IXYS所有权利。
2-4
IXDH 20N120
IXDH 20N120 D1
40
35
A
I
C
T
J
= 25°C
V
GE
=17V
15V
13V
11V
40
A
35
I
C
30
25
20
15
T
J
= 125°C
V
GE
=17V
15V
13V
11V
30
25
20
15
10
5
0
0.0
0.5
1.0
1.5
2.0
2.5
V
CE
9V
9V
10
5
3.0
V
0
0.0
0.5
1.0
1.5
2.0
2.5 3.0
V
CE
3.5
V
图。 1典型值。输出特性
图。 2典型。输出特性
40
35
A
I
C
V
CE
= 20V
T
J
= 25°C
45
A
40
35
I
F
30
25
30
25
20
15
10
5
0
5
6
7
8
9
10
V
GE
20
15
10
5
T
J
= 125°C
T
J
= 25°C
11
V
0
0.0
0.5
1.0
1.5
2.0
V
F
2.5
3.0
V
图。 3典型。传输特性
图。 4典型。正向特性
续流二极管( D1版本)
20
A
I
RM
15
t
rr
20
V
V
CE
= 600V
I
C
= 20A
400
ns
V
GE
15
300
t
rr
10
10
T
J
= 125°C
V
R
= 600V
I
F
= 20A
IXDH20N120D1
200
5
5
I
RM
100
0
0
10
20
30
40
50
60
70
Q
G
0
80
nC
0
100
200
300
400
A/
m
s
-di / dt的
0
图。 5典型。打开栅极电荷
图。 6典型。关闭的特点
续流二极管( D1版本)
版权所有2000 IXYS所有权利。
3-4
IXDH 20N120
IXDH 20N120 D1
7
6
mJ
E
on
140
ns
120
100
t
D(上)
t
r
E
on
80
V
CE
= 600V
V
GE
= ±15V
60
R
G
= 82
W
T
J
= 125°C
40
5
mJ
E
关闭
t
D(关闭)
E
关闭
500
ns
400
t
300
4
3
2
1
5
4
3
2
1
0
0
10
20
I
C
t
V
CE
= 600V
V
GE
= ±15V
200
R
G
= 82
W
T
J
= 125°C
100
t
f
0
40
20
A
0
40
0
0
10
20
I
C
30
A
30
图。 7典型。开启能量和交换
时间与集电极电流
12
mJ
E
on
240
t
D(上)
t
r
E
on
160
ns
t
E
关闭
图。 8典型。关闭能源和开关
时间与集电极电流
4
mJ
V
CE
= 600V
V
GE
= ±15V
I
C
= 20A
T
J
= 125°C
8
V
CE
= 600V
V
GE
= ±15V
I
C
= 20A
T
J
= 125°C
E
关闭
t
D(关闭)
1600
ns
1200
t
3
2
4
80
800
1
t
f
400
0
0
50
100
150
200
250
R
G
300
W
0
350
0
0
50
100
150
200
250
R
G
300
W
350
0
图。 9典型。开启能量和交换
时间与栅极电阻
40
A
35
I
CM
10
K / W
1
R
G
= 82
W
T
J
= 125°C
V
CEK
& LT ; V
CES
图10典型。关闭能源和开关
时间与栅极电阻
30
25
20
15
10
5
0
0
200
400
600
800 1000 1200
V
V
CE
Z
thJC
0.1
0.01
0.001
二极管
IGBT
单脉冲
IXDH20N120D1
0.0001
0.00001 0.0001
0.001
0.01
t
0.1
s
1
图。 11反向偏置安全工作区
RBSOA
图。 12典型。瞬态热阻抗
版权所有2000 IXYS所有权利。
4-4
高压IGBT
可选二极管
短路SOA能力
广场RBSOA
IXDH 20N120
V
CES
= 1200 V
= 38 A
IXDH 20N120 D1我
C25
V
CE ( sat)的典型值
= 2.4 V
C
G
G
C
的TO- 247的AD
G
C
E
IXDH 20N120
E
IXDH 20N120 D1
E
C( TAB )
G =门,
C =收藏家,
E =发射器
TAB =收藏家
符号
V
CES
V
CGR
V
GES
V
创业板
I
C25
I
C90
I
CM
RBSOA
t
SC
( SCSOA )
P
C
T
J
T
英镑
条件
T
J
= 25 ℃至150 ℃的
T
J
= 25 ℃至150 ℃;
GE
= 20千瓦
连续
短暂
T
C
= 25°C
T
C
= 90°C
T
C
= 90℃ ,T
p
= 1毫秒
V
GE
= -15 V,T
J
= 125 ° C,R
G
= 82
W
钳位感性负载, L = 30 μH
V
GE
= ±15 V, V
CE
= V
CES
, T
J
= 125°C
R
G
= 82
W,
不重复
T
C
= 25°C
IGBT
二极管
最大额定值
1200
1200
±20
±30
38
25
50
I
CM
= 35
V
CEK
& LT ; V
CES
10
200
75
-55 ... +150
-55 ... +150
300
0.8 - 1.2
6
V
V
V
V
A
A
A
A
特点
q
q
q
q
q
q
q
q
q
NPT IGBT技术
低饱和电压
低开关损耗
广场RBSOA ,无闩锁
高抗短路能力强
正温度系数为
简单的并联
MOS输入,压控
可选的超高速二极管
国际标准套餐
优势
s
W
W
典型应用
°C
q
q
q
节省空间
高功率密度
°C
°C
Nm
g
q
q
q
q
最大无铅焊接温度的
从案例10秒1.6毫米( 0.062英寸)
M
d
重量
安装力矩
交流电机调速
直流伺服和机器人的驱动器
直流斩波器
不间断电源(UPS )
开关模式和谐振模
电源
符号
条件
特征值
(T
J
= 25 ° C,除非另有规定编)
分钟。典型值。马克斯。
1200
4.5
2
6.5
V
V
V
( BR ) CES
V
GE (日)
I
CES
I
GES
V
CE ( SAT )
V
GE
= 0 V
I
C
= 0.6毫安, V
CE
= V
GE
V
CE
= V
CES
T
J
= 25°C
T
J
= 125°C
1毫安
mA
±500 nA的
V
CE
= 0 V, V
GE
= ± 20 V
I
C
= 20 A,V
GE
= 15 V
2.4
3
V
031
版权所有2000 IXYS所有权利。
1-4
IXDH 20N120
IXDH 20N120 D1
符号
条件
特征值
(T
J
= 25 ° C,除非另有规定编)
分钟。典型值。马克斯。
1000
V
CE
= 25 V, V
GE
= 0 V , F = 1兆赫
I
C
= 20 A,V
GE
= 15 V, V
CE
= 0.5 V
CES
150
70
70
100
感性负载,T
J
= 125°C
I
C
= 20 A,V
GE
= ±15 V,
V
CE
= 600 V ,R
G
= 82
W
75
500
70
3.1
2.4
pF
pF
pF
nC
ns
ns
ns
ns
mJ
mJ
0.63 K / W
与散热片复合包装
0.25
K / W
DIM 。
毫米
分钟。马克斯。
A
4.7
5.3
A
1
2.2
2.54
A
2
2.2
2.6
b
1.0
1.4
1.65
2.13
b
1
b
2
2.87
3.12
C
.4
.8
D
20.80 21.46
E
15.75 16.26
e
5.20
5.72
L
19.81 20.32
L1
4.50
P
3.55
3.65
Q
5.89
6.40
R
4.32
5.49
S
6.15 BSC
英寸
分钟。马克斯。
.185 .209
.087 .102
.059 .098
.040 .055
.065 .084
.113 .123
.016 .031
.819 .845
.610 .640
0.205 0.225
.780 .800
.177
.140 .144
0.232 0.252
.170 .216
242 BSC
的TO- 247的AD概要
C
IES
C
OES
C
水库
Q
g
t
D(上)
t
r
t
D(关闭)
t
f
E
on
E
关闭
R
thJC
R
thCH
反向二极管( FRED )
[ D1版只]
符号
V
F
I
F
I
RM
t
rr
t
rr
R
thJC
条件
特征值
(T
J
= 25 ° C,除非另有规定编)
分钟。典型值。马克斯。
2.6
2.1
2.8
V
V
A
A
A
ns
ns
1.6 K / W
I
F
= 20 A,V
GE
= 0 V
I
F
= 20 A,V
GE
= 0 V ,T
J
= 125°C
T
C
= 25°C
T
C
= 90°C
I
F
= 20 A, - 二
F
/ DT = 400 A / μs的,V
R
= 600 V
V
GE
= 0 V ,T
J
= 125°C
I
F
= 1 A, - 二
F
/ DT = 100 A / μs的,V
R
= 30 V, V
GE
= 0 V
33
20
15
200
40
版权所有2000 IXYS所有权利。
2-4
IXDH 20N120
IXDH 20N120 D1
40
35
A
I
C
T
J
= 25°C
V
GE
=17V
15V
13V
11V
40
A
35
I
C
30
25
20
15
T
J
= 125°C
V
GE
=17V
15V
13V
11V
30
25
20
15
10
5
0
0.0
0.5
1.0
1.5
2.0
2.5
V
CE
9V
9V
10
5
3.0
V
0
0.0
0.5
1.0
1.5
2.0
2.5 3.0
V
CE
3.5
V
图。 1典型值。输出特性
图。 2典型。输出特性
40
35
A
I
C
V
CE
= 20V
T
J
= 25°C
45
A
40
35
I
F
30
25
30
25
20
15
10
5
0
5
6
7
8
9
10
V
GE
20
15
10
5
T
J
= 125°C
T
J
= 25°C
11
V
0
0.0
0.5
1.0
1.5
2.0
V
F
2.5
3.0
V
图。 3典型。传输特性
图。 4典型。正向特性
续流二极管( D1版本)
20
A
I
RM
15
t
rr
20
V
V
CE
= 600V
I
C
= 20A
400
ns
V
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t
rr
10
10
T
J
= 125°C
V
R
= 600V
I
F
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IXDH20N120D1
200
5
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I
RM
100
0
0
10
20
30
40
50
60
70
Q
G
0
80
nC
0
100
200
300
400
A/
m
s
-di / dt的
0
图。 5典型。打开栅极电荷
图。 6典型。关闭的特点
续流二极管( D1版本)
版权所有2000 IXYS所有权利。
3-4
IXDH 20N120
IXDH 20N120 D1
7
6
mJ
E
on
140
ns
120
100
t
D(上)
t
r
E
on
80
V
CE
= 600V
V
GE
= ±15V
60
R
G
= 82
W
T
J
= 125°C
40
5
mJ
E
关闭
t
D(关闭)
E
关闭
500
ns
400
t
300
4
3
2
1
5
4
3
2
1
0
0
10
20
I
C
t
V
CE
= 600V
V
GE
= ±15V
200
R
G
= 82
W
T
J
= 125°C
100
t
f
0
40
20
A
0
40
0
0
10
20
I
C
30
A
30
图。 7典型。开启能量和交换
时间与集电极电流
12
mJ
E
on
240
t
D(上)
t
r
E
on
160
ns
t
E
关闭
图。 8典型。关闭能源和开关
时间与集电极电流
4
mJ
V
CE
= 600V
V
GE
= ±15V
I
C
= 20A
T
J
= 125°C
8
V
CE
= 600V
V
GE
= ±15V
I
C
= 20A
T
J
= 125°C
E
关闭
t
D(关闭)
1600
ns
1200
t
3
2
4
80
800
1
t
f
400
0
0
50
100
150
200
250
R
G
300
W
0
350
0
0
50
100
150
200
250
R
G
300
W
350
0
图。 9典型。开启能量和交换
时间与栅极电阻
40
A
35
I
CM
10
K / W
1
R
G
= 82
W
T
J
= 125°C
V
CEK
& LT ; V
CES
图10典型。关闭能源和开关
时间与栅极电阻
30
25
20
15
10
5
0
0
200
400
600
800 1000 1200
V
V
CE
Z
thJC
0.1
0.01
0.001
二极管
IGBT
单脉冲
IXDH20N120D1
0.0001
0.00001 0.0001
0.001
0.01
t
0.1
s
1
图。 11反向偏置安全工作区
RBSOA
图。 12典型。瞬态热阻抗
版权所有2000 IXYS所有权利。
4-4
高压IGBT
可选二极管
短路SOA能力
广场RBSOA
IXDH 20N120
V
CES
= 1200 V
= 38 A
IXDH 20N120 D1我
C25
V
CE ( sat)的典型值
= 2.4 V
C
G
G
C
的TO- 247的AD
G
C
E
IXDH 20N120
E
IXDH 20N120 D1
E
C( TAB )
G =门,
C =收藏家,
E =发射器
TAB =收藏家
符号
V
CES
V
CGR
V
GES
V
创业板
I
C25
I
C90
I
CM
RBSOA
t
SC
( SCSOA )
P
C
T
J
T
英镑
条件
T
J
= 25 ℃至150 ℃的
T
J
= 25 ℃至150 ℃;
GE
= 20千瓦
连续
短暂
T
C
= 25°C
T
C
= 90°C
T
C
= 90℃ ,T
p
= 1毫秒
V
GE
= -15 V,T
J
= 125 ° C,R
G
= 82
W
钳位感性负载, L = 30 μH
V
GE
= ±15 V, V
CE
= V
CES
, T
J
= 125°C
R
G
= 82
W,
不重复
T
C
= 25°C
IGBT
二极管
最大额定值
1200
1200
±20
±30
38
25
50
I
CM
= 35
V
CEK
& LT ; V
CES
10
200
75
-55 ... +150
-55 ... +150
300
0.8 - 1.2
6
V
V
V
V
A
A
A
A
特点
q
q
q
q
q
q
q
q
q
NPT IGBT技术
低饱和电压
低开关损耗
广场RBSOA ,无闩锁
高抗短路能力强
正温度系数为
简单的并联
MOS输入,压控
可选的超高速二极管
国际标准套餐
优势
s
W
W
典型应用
°C
q
q
q
节省空间
高功率密度
°C
°C
Nm
g
q
q
q
q
最大无铅焊接温度的
从案例10秒1.6毫米( 0.062英寸)
M
d
重量
安装力矩
交流电机调速
直流伺服和机器人的驱动器
直流斩波器
不间断电源(UPS )
开关模式和谐振模
电源
符号
条件
特征值
(T
J
= 25 ° C,除非另有规定编)
分钟。典型值。马克斯。
1200
4.5
2
6.5
V
V
V
( BR ) CES
V
GE (日)
I
CES
I
GES
V
CE ( SAT )
V
GE
= 0 V
I
C
= 0.6毫安, V
CE
= V
GE
V
CE
= V
CES
T
J
= 25°C
T
J
= 125°C
1毫安
mA
±500 nA的
V
CE
= 0 V, V
GE
= ± 20 V
I
C
= 20 A,V
GE
= 15 V
2.4
3
V
031
版权所有2000 IXYS所有权利。
1-4
IXDH 20N120
IXDH 20N120 D1
符号
条件
特征值
(T
J
= 25 ° C,除非另有规定编)
分钟。典型值。马克斯。
1000
V
CE
= 25 V, V
GE
= 0 V , F = 1兆赫
I
C
= 20 A,V
GE
= 15 V, V
CE
= 0.5 V
CES
150
70
70
100
感性负载,T
J
= 125°C
I
C
= 20 A,V
GE
= ±15 V,
V
CE
= 600 V ,R
G
= 82
W
75
500
70
3.1
2.4
pF
pF
pF
nC
ns
ns
ns
ns
mJ
mJ
0.63 K / W
与散热片复合包装
0.25
K / W
DIM 。
毫米
分钟。马克斯。
A
4.7
5.3
A
1
2.2
2.54
A
2
2.2
2.6
b
1.0
1.4
1.65
2.13
b
1
b
2
2.87
3.12
C
.4
.8
D
20.80 21.46
E
15.75 16.26
e
5.20
5.72
L
19.81 20.32
L1
4.50
P
3.55
3.65
Q
5.89
6.40
R
4.32
5.49
S
6.15 BSC
英寸
分钟。马克斯。
.185 .209
.087 .102
.059 .098
.040 .055
.065 .084
.113 .123
.016 .031
.819 .845
.610 .640
0.205 0.225
.780 .800
.177
.140 .144
0.232 0.252
.170 .216
242 BSC
的TO- 247的AD概要
C
IES
C
OES
C
水库
Q
g
t
D(上)
t
r
t
D(关闭)
t
f
E
on
E
关闭
R
thJC
R
thCH
反向二极管( FRED )
[ D1版只]
符号
V
F
I
F
I
RM
t
rr
t
rr
R
thJC
条件
特征值
(T
J
= 25 ° C,除非另有规定编)
分钟。典型值。马克斯。
2.6
2.1
2.8
V
V
A
A
A
ns
ns
1.6 K / W
I
F
= 20 A,V
GE
= 0 V
I
F
= 20 A,V
GE
= 0 V ,T
J
= 125°C
T
C
= 25°C
T
C
= 90°C
I
F
= 20 A, - 二
F
/ DT = 400 A / μs的,V
R
= 600 V
V
GE
= 0 V ,T
J
= 125°C
I
F
= 1 A, - 二
F
/ DT = 100 A / μs的,V
R
= 30 V, V
GE
= 0 V
33
20
15
200
40
版权所有2000 IXYS所有权利。
2-4
IXDH 20N120
IXDH 20N120 D1
40
35
A
I
C
T
J
= 25°C
V
GE
=17V
15V
13V
11V
40
A
35
I
C
30
25
20
15
T
J
= 125°C
V
GE
=17V
15V
13V
11V
30
25
20
15
10
5
0
0.0
0.5
1.0
1.5
2.0
2.5
V
CE
9V
9V
10
5
3.0
V
0
0.0
0.5
1.0
1.5
2.0
2.5 3.0
V
CE
3.5
V
图。 1典型值。输出特性
图。 2典型。输出特性
40
35
A
I
C
V
CE
= 20V
T
J
= 25°C
45
A
40
35
I
F
30
25
30
25
20
15
10
5
0
5
6
7
8
9
10
V
GE
20
15
10
5
T
J
= 125°C
T
J
= 25°C
11
V
0
0.0
0.5
1.0
1.5
2.0
V
F
2.5
3.0
V
图。 3典型。传输特性
图。 4典型。正向特性
续流二极管( D1版本)
20
A
I
RM
15
t
rr
20
V
V
CE
= 600V
I
C
= 20A
400
ns
V
GE
15
300
t
rr
10
10
T
J
= 125°C
V
R
= 600V
I
F
= 20A
IXDH20N120D1
200
5
5
I
RM
100
0
0
10
20
30
40
50
60
70
Q
G
0
80
nC
0
100
200
300
400
A/
m
s
-di / dt的
0
图。 5典型。打开栅极电荷
图。 6典型。关闭的特点
续流二极管( D1版本)
版权所有2000 IXYS所有权利。
3-4
IXDH 20N120
IXDH 20N120 D1
7
6
mJ
E
on
140
ns
120
100
t
D(上)
t
r
E
on
80
V
CE
= 600V
V
GE
= ±15V
60
R
G
= 82
W
T
J
= 125°C
40
5
mJ
E
关闭
t
D(关闭)
E
关闭
500
ns
400
t
300
4
3
2
1
5
4
3
2
1
0
0
10
20
I
C
t
V
CE
= 600V
V
GE
= ±15V
200
R
G
= 82
W
T
J
= 125°C
100
t
f
0
40
20
A
0
40
0
0
10
20
I
C
30
A
30
图。 7典型。开启能量和交换
时间与集电极电流
12
mJ
E
on
240
t
D(上)
t
r
E
on
160
ns
t
E
关闭
图。 8典型。关闭能源和开关
时间与集电极电流
4
mJ
V
CE
= 600V
V
GE
= ±15V
I
C
= 20A
T
J
= 125°C
8
V
CE
= 600V
V
GE
= ±15V
I
C
= 20A
T
J
= 125°C
E
关闭
t
D(关闭)
1600
ns
1200
t
3
2
4
80
800
1
t
f
400
0
0
50
100
150
200
250
R
G
300
W
0
350
0
0
50
100
150
200
250
R
G
300
W
350
0
图。 9典型。开启能量和交换
时间与栅极电阻
40
A
35
I
CM
10
K / W
1
R
G
= 82
W
T
J
= 125°C
V
CEK
& LT ; V
CES
图10典型。关闭能源和开关
时间与栅极电阻
30
25
20
15
10
5
0
0
200
400
600
800 1000 1200
V
V
CE
Z
thJC
0.1
0.01
0.001
二极管
IGBT
单脉冲
IXDH20N120D1
0.0001
0.00001 0.0001
0.001
0.01
t
0.1
s
1
图。 11反向偏置安全工作区
RBSOA
图。 12典型。瞬态热阻抗
版权所有2000 IXYS所有权利。
4-4
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    联系人:杨小姐
    地址:深圳市福田区振兴路156号上步工业区405栋3层

    IXDH20N120D1
    -
    -
    -
    -
    终端采购配单精选

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电话:0512-82613006
联系人:曾小姐
地址:昆山市朝阳东路99号4楼
IXDH20N120D1
IXYS
19+
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标准封装
一级授权代理IGBT模块 可控硅模块 二极管 晶闸管 熔断器 保证全新原装正品
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电话:0755-83777708/83777607/82799993
联系人:朱咸华
地址:美驻深办公室:深圳市福田区华强北上步工业区201栋4楼A18室/ 分公司:深圳华强北深纺大厦C座西7楼/ 市场部:华强北新亚洲电子市场3B047展销柜
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IXDH20N120D1
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联系人:李
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