IXDN404 / IXDI404 / IXDF404
4安培双低侧超快MOSFET驱动器
特点
使用的优点和兼容性内置
CMOS和IXYS HDMOS的
TM
过程的
闭锁保护高达0.5A
高峰值输出电流： 4A峰值
宽工作电压范围： 4.5V至35V
高容性负载
驱动能力： 1800pF的<15ns
匹配的上升和下降时间
低传播延迟时间
低输出阻抗
低电源电流
在单芯片双驱动
概述
该IXDN404 / IXDI404 / IXDF404由两个4安培
CMOS高速MOSFET驱动器。每个输出可源
和吸收峰值电流4A ，同时产生的电压上升，
落入小于15ns的时间，以驱动最新IXYS MOSFET的
和IGBT的。驱动器的输入是带有TTL或兼容
CMOS是完全免疫的闩锁在整个工作
范围内。正在申请专利的电路实际上消除了CMOS
电源交叉传导电流直通。
提高速度和驱动能力都进一步提高
非常低的，匹配的上升和下降时间。
该IXDN404被配置为双非反相栅极驱动器，
该IXDI404是双反相栅极驱动器和所述IXDF404是一个
双反相+非反相栅极驱动器。
该IXDN404 / IXDI404 / IXDF404家庭都可以在
标准的8引线P -DIP （PI）， SOIC-8 （SIA）和SOIC -16 （SIA -16）
包。为了提高散热性能，在SOP -8和
SOP -16 ，可以在一个封装，带有裸
接地的金属背为SI和SI - 16 repectively 。
应用
驱动MOSFET和IGBT
电机控制
线路驱动器
脉冲发生器
本地电源ON / OFF开关
开关模式电源（ SMPS ）
DC到DC转换
脉冲变压器驱动器
D类开关放大器
限制的di / dt在短路
订购信息
产品型号
IXDN404PI
IXDN404SI
IXDN404SIA
IXDN404SI-16
IXDN404SIA-16
IXDI404PI
IXDI404SI
IXDI404SIA
IXDI404SI-16
IXDI404SIA-16
IXDF404PI
IXDF404SI
IXDF404SIA
IXDF404SI-16
IXDF404SIA-16
套餐类型
8引脚PDIP
8引脚SOIC与接地的金属回
8引脚SOIC
16引脚SOIC与接地的金属回
16引脚SOIC
8引脚PDIP
8引脚SOIC与接地的金属回
8引脚SOIC
16引脚SOIC与接地的金属回
16引脚SOIC
8引脚PDIP
8引脚SOIC与接地的金属回
8引脚SOIC
16引脚SOIC与接地的金属回
16引脚SOIC
TEMP 。 RANGE
-55°C至
+125°C
CON组fi guration
双非
反相
-55°C至
+125°C
双反相
-55°C至
+125°C
反相+
非反相
注意：
安装或所有包焊片被连接到地
版权所有 IXYS公司2004年
DS99018B(08/04)
首次发行
IXDN404 / IXDI404 / IXDF404
图1 - IXDN404 4A双非反相栅极驱动器功能框图
VCC
IN A
防跨
传导
电路*
P
OUT A
N
IN B
防跨
传导
电路*
P
OUT B
N
GND
图2 - IXDI404双反相4A栅极驱动器功能框图
VCC
IN A
防跨
传导
电路*
P
OUT A
N
IN B
防跨
传导
电路*
P
OUT B
N
GND
图3 - IXDF404反相+非反相4A栅极驱动器功能框图
VCC
IN A
防跨
传导
电路*
P
OUT A
N
IN B
防跨
传导
电路*
P
OUT B
N
*专利申请中
GND
2
IXDN404 / IXDI404 / IXDF404
绝对最大额定值
（注1 ）
参数
电源电压
所有其他引脚
结温
储存温度
价值
40V
-0.3V到VCC + 0.3V
150oC
-65oC至150℃
300oC
工作额定值
参数
工作温度范围
-55摄氏度至125摄氏度
价值
焊接焊接温度
（最多10秒）
热阻（结到管壳）
(
θ
JC
)
8引脚SOIC （ SI ）
10 K / W
16引脚SOIC （ SI -16 ）
10 K / W
电气特性
符号
V
IH
V
IL
V
IN
I
IN
V
OH
V
OL
R
OH
R
OL
I
PEAK
I
DC
t
R
t
F
t
ONDLY
t
OFFDLY
V
CC
I
CC
参数
高输入电压
低输入电压
输入电压范围
输入电流
高输出电压
低输出电压
输出电阻
@输出高
输出电阻
@输出低
峰值输出电流
连续输出
当前
上升时间
下降时间
导通时间的传播
延迟
关断时间的传播
延迟
电源电压
电源电流
V
CC
= 18V
V
CC
= 18V
V
CC
= 18V
0V
≤
V
IN
≤
V
CC
热阻（到环境）
8引脚PDIP （ PI ） （ θ
JA
)
120 K / W
8引脚SOIC （ SIA ）
110 K / W
110 K / W
16引脚SOIC （ SIA - 16 ） （ θ
JA
)
θ
JA
带散热片**
为1厘米散热区
2
8引脚SOIC
95 K / W
16引脚SOIC -CT
95 K / W
2
为3厘米的散热区
8引脚SOIC
85 K / W
16引脚SOIC -CT
85 K / W
**
器件焊接到金属背面窗格。散热区是1盎司
铜对0.06"厚的FR4印刷电路板1侧。
除非另有说明，T
A
= 25
o
C， 4.5V
≤
V
CC
≤
35V .
所有电压测量相对于GND 。设备配置为在所述的
测试条件。
所有规格的一个通道。
测试条件
4.5V
≤
V
CC
≤
18V
4.5V
≤
V
CC
≤
18V
民
2.5
典型值
最大
0.8
单位
V
V
V
A
V
-5
-10
V
CC
- 0.025
V
CC
+ 0.3
10
0.025
2
1.5
4
1
C
L
= 1800pF VCC = 18V
C
L
= 1800pF VCC = 18V
C
L
= 1800pF VCC = 18V
C
L
= 1800pF VCC = 18V
4.5
V
IN
= 3.5V
V
IN
= 0V
V
IN
= + V
CC
16
13
36
35
18
1
0
18
17
40
39
35
3
10
10
2.5
2
V
A
A
ns
ns
ns
ns
V
mA
A
A
特定网络阳离子如有更改，恕不另行通知。
注1 ：
超越经营与上市的“绝对最大额定值”参数，该设备可能会造成永久性的
损坏设备。典型的值将指示该设备被拟功能的条件下，但不
保证特定的性能限制。保证规格仅适用于列出的测试条件。
长期在绝对最大额定条件下工作会影响器件的可靠性。
3
IXDN404 / IXDI404 / IXDF404
电气特性
除非另有说明，温度超过-55
o
C至150
o
C， 4.5V
≤
V
CC
≤
35V .
所有电压测量相对于GND 。设备配置为在所述的
测试条件。
所有规格的一个通道。
符号
V
IH
V
IL
V
IN
I
IN
V
OH
V
OL
R
OH
R
OL
I
PEAK
I
DC
t
R
t
F
t
ONDLY
t
OFFDLY
V
CC
I
CC
参数
高输入电压
低输入电压
输入电压范围
输入电流
高输出电压
低输出电压
输出电阻
@输出高
输出电阻
@输出低
峰值输出电流
连续输出
当前
上升时间
下降时间
导通时间的传播
延迟
关断时间的传播
延迟
电源电压
电源电流
测试条件
4.5V
≤
V
CC
≤
18V
4.5V
≤
V
CC
≤
18V
民
2.4
典型值
最大
0.8
单位
V
V
V
A
V
-5
0V
≤
V
IN
≤
V
CC
-10
V
CC
- 0.025
V
CC
+ 0.3
10
0.025
V
CC
= 18V
V
CC
= 18V
V
CC
= 18V
3.2
1
C
L
= 1000pF的VCC = 18V
C
L
= 1000pF的VCC = 18V
C
L
= 1000pF的VCC = 18V
C
L
= 1000pF的VCC = 18V
4.5
V
IN
= 3.5V
V
IN
= 0V
V
IN
= + V
CC
18
1
0
11
13
60
59
35
3
10
10
3.4
2
V
A
A
ns
ns
ns
ns
V
mA
A
A
特定网络阳离子如有更改，恕不另行通知。
4
IXDN404 / IXDI404 / IXDF404
引脚说明
符号
IN A
GND
IN B
OUT B
VCC
OUT A
功能
通道的输入
地
B通道输入
B通道输出
电源电压
A声道输出
描述
通道的输入信号TTL或CMOS兼容。
系统接地引脚。内部连接到所有的电路，该引脚提供
对于整个芯片的接地参考。该引脚应连接到低
噪声模拟地平面，以获得最佳的性能。
B通道输入信号TTL或CMOS兼容。
B通道驱动器输出。对于应用程序而言，这个引脚通过连接
一个电阻的MOSFET / IGBT的栅极。
正电源电压输入。该引脚提供电源给整个
芯片。范围此电压为4.5V至35V 。
一个通道驱动器输出。对于应用程序而言，这个引脚通过连接
一个电阻的MOSFET / IGBT的栅极。
注意：这些器件对静电放电敏感;遵循正确的ESD过程时
搬运和装配组件。
图4 - 特性测试图
VCC
10uF
25V
4
1 NC
2在
3 GND
IN B
NC 8
7
OUT A
VCC 6
OUT B 5
安捷伦1147A
电流探头
1800 pF的
安捷伦1147A
电流探头
1800 pF的
5
QQ：2880707522 复制
