IXDN402 / IXDI402 / IXDF402
2安培双低侧超快MOSFET驱动器
特点
使用的优点和兼容性内置
CMOS和IXYS HDMOS的
TM
过程的
闭锁保护在整个
工作范围
高峰值输出电流： 2A峰值
宽工作电压范围： 4.5V至25V
高容性负载
驱动能力： 1000pF的在<10ns
匹配的上升和下降时间
低传播延迟时间
低输出阻抗
低电源电流
在单芯片双驱动
概述
该IXDN402 / IXDI402 / IXDF402由两个2安培
CMOS高速MOSFET驱动器。可以在每个输出
峰值电流而产生的电压源和信宿2A
上升和下降小于15ns的时间来驱动的最新IXYS
的MOSFET &的IGBT 。驱动器的输入是TTL或CMOS
兼容，并且完全不受闭锁在整个
工作范围。正在申请专利的电路实际上消除
交叉传导电流直通。改进
速度和驱动能力由极进一步增强
低，匹配的上升和下降时间。
该IXDN402被配置为双非反相门
驱动程序， IXDI402作为双反相栅极驱动器，以及
IXDF402作为双反相+非反相栅极驱动器。
该IXDN402 / IXDI402 / IXDF402家庭都可以在
标准的8引线P -DIP （PI）， SOP-8 （SIA）和SOP- 16（ SIA-
16 ）封装。为了提高散热性能，该
SOP -8和SOP -16还提供带有裸
接地backmetal封装的SI和SI- 16 respec-
tively 。
应用
驱动MOSFET和IGBT
电机控制
线路驱动器
脉冲发生器
本地电源ON / OFF开关
开关模式电源（ SMPS ）
DC到DC转换
脉冲变压器驱动器
D类开关放大器
订购信息
产品型号
套餐类型
TEMP 。 RANGE
IXDN402PI
8引脚PDIP
IXDN402SI
8引脚SOIC与接地Backmetal
-55°C至
IXDN402SIA
8引脚SOIC
+125°C
IXDN402SI-16
16引脚SOIC与接地Backmetal
IXDN402SIA-16
16引脚SOIC
IXDI402PI
8引脚PDIP
IXDI402SI
8引脚SOIC与接地Backmetal
-55°C至
IXDI402SIA
8引脚SOIC
+125°C
IXDI402SI-16
16引脚SOIC与接地Backmetal
IXDI402SIA-16
16引脚SOIC
IXDF402PI
8引脚PDIP
IXDF402SI
8引脚SOIC与接地Backmetal
-55°C至
IXDF402SIA
8引脚SOIC
+125°C
IXDF402SI-16
16引脚SOIC与接地Backmetal
IXDF402SIA-16
16引脚SOIC
注意：
安装或所有包焊片被连接到地
CON组fi guration
双非
反相
双反相
反相+非
反相
版权所有 IXYS公司2002年
首次发行
IXDN402 / IXDI402 / IXDF402
图1 - IXDN402 2A双非反相栅极驱动器功能框图
VCC
IN A
防跨
传导
电路*
P
OUT A
N
IN B
防跨
传导
电路*
P
OUT B
N
GND
图2 - IXDI402双反相2A栅极驱动器功能框图
VCC
IN A
防跨
传导
电路*
P
OUT A
N
IN B
防跨
传导
电路*
P
OUT B
N
GND
图3 - IXDF402反相+非反相2A栅极驱动器功能框图
VCC
IN A
防跨
传导
电路*
P
OUT A
N
IN B
防跨
传导
电路*
P
OUT B
N
GND
*专利申请中
2
IXDN402 / IXDI402 / IXDF402
绝对最大额定值
（注1 ）
参数
电源电压
所有其他引脚
结温
储存温度
焊接温度（ 10秒）
价值
25 V
-0.3 V至VCC + 0.3 V
150摄氏度
-65摄氏度到150摄氏度
300摄氏度
工作额定值
参数
工作温度范围
热阻抗（对环境）
8引脚PDIP （ PI ） （ θ
JA
)
8引脚SOIC （ SIA ） （ θ
JA
)
16引脚SOIC （ SIA - 16 ） （ θ
JA
)
价值
-55摄氏度至125摄氏度
130摄氏度/ W
120摄氏度/ W
120摄氏度/ W
电气特性
除非另有说明，T
A
= 25
o
C， 4.5V
≤
V
CC
≤
25V .
所有电压测量相对于GND 。 IXDD402配置为在所述的
测试条件。
所有规格的一个通道。
符号
V
IH
参数
测试条件
民
3
典型值
最大
2.4
单位
V
V
V
A
V
高输入电压
低输入电压
输入电压范围
输入电流
高输出电压
低输出电压
输出电阻
@输出高
输出电阻
@输出低
峰值输出电流
连续输出
当前
上升时间
下降时间
导通时间的传播
延迟
关断时间的传播
延迟
电源电压
电源电流
V
CC
= 18V
V
CC
= 18V
V
CC
为18V
0V
≤
V
IN
≤
V
CC
V
IL
V
IN
I
IN
V
OH
V
OL
R
OH
R
OL
I
PEAK
I
DC
t
R
t
F
t
ONDLY
t
OFFDLY
V
CC
I
CC
-5
-10
V
CC
- 0.025
V
CC
+ 0.3
10
0.025
3.7
2.5
2
1
C
L
= 1000pF的VCC = 18V
C
L
= 1000pF的VCC = 18V
C
L
= 1000pF的VCC = 18V
C
L
= 1000pF的VCC = 18V
7
7
27
25
4.5
V
IN
= 3.5V
V
IN
= 0V
V
IN
= + V
CC
8
8
28
26
18
1
0
10
9
32
30
25
3
10
10
4
3
V
A
A
ns
ns
ns
ns
V
mA
A
A
特定网络阳离子如有更改，恕不另行通知。
3
IXDN402 / IXDI402 / IXDF402
引脚说明
符号
IN A
GND
IN B
OUT B
VCC
OUT A
功能
通道的输入
地
B通道输入
B通道输出
电源电压
A声道输出
描述
通道的输入信号TTL或CMOS兼容。
系统接地引脚。内部连接到所有的电路，该引脚提供
对于整个芯片的接地参考。该引脚应连接到低
噪声模拟地平面，以获得最佳的性能。
B通道输入信号TTL或CMOS兼容。
B通道驱动器输出。对于应用程序而言，这个引脚通过连接
一个电阻的MOSFET / IGBT的栅极。
正电源电压输入。该引脚提供电源给整个
芯片。范围此电压为4.5V至25V 。
一个通道驱动器输出。对于应用程序而言，这个引脚通过连接
一个电阻的MOSFET / IGBT的栅极。
注意：这些器件对静电放电敏感;遵循正确的ESD过程时
搬运和装配组件。
注1 ：
超越经营列为“绝对最大额定值”参数设备可能会造成永久性
损坏设备。典型的值将指示该设备被拟功能的条件下，但不
保证特定的性能限制。保证规格仅适用于列出的测试条件。
长期在绝对最大额定条件下工作会影响器件的可靠性。
图4 - 特性测试图
VCC
10uF
25V
1
NC
2
IN A
3
GND
4
IN B
NC
8
7
OUT A
VCC
6
OUT B
5
安捷伦1147A
电流探头
1000 pF的
安捷伦1147A
电流探头
1000 pF的
4
IXDN402 / IXDI402 / IXDF402
典型性能特性
图。 3
90
80
50
输出上升时间与电源电压
CL = 100pF的到6800pF
图。 4
60
输出下降时间与电源电压
CL = 100pF的到6800pF
70
60
6800 pF的
50
40
30
20
10
0
8
10
12
14
16
18
上升时间（纳秒）
下降时间（纳秒）
40
6800 pF的
30
20
3900 pF的
2200 pF的
3900 pF的
2200 pF的
1000 pF的
470 pF的
100 pF的
10
1000 pF的
470 pF的
100 pF的
8
10
12
14
16
18
0
电源电压（ V）
图。五
12
电源电压（ V）
图。 6
输出上升和下降时间与外壳温度
CL = 1000pF的， VCC = 18V
输出上升时间与负载电容
90
80
10
8V
10V
12V
14V
16V
18V
t
R
70
时间（纳秒）
t
F
6
上升时间（纳秒）
8
60
50
40
30
20
4
2
10
0
0
-60
-40
-20
0
20
40
60
80
100
120
140
0
1000
2000
3000
4000
5000
6000
7000
温度（℃）
图。 7
50
45
40
35
负载电容（PF ）
输出下降时间与负载电容
8V
10V
12V
14V
16V
18V
图。 8
3.5
3.3
最大/最小输入与温度的关系
CL = 1000 pF的VCC = 18V
最大/最小输入电压
3.1
2.9
2.7
2.5
2.3
2.1
1.9
1.7
1.5
-60
M umInput
尼加拉瓜妇女协会
室内运动场
下降时间（ NS ）
30
25
20
15
10
5
0
0
1000
2000
3000
4000
5000
6000
7000
M umInput低
的Axim
-40
-20
0
20
40
60
80
100
120
140
负载电容（PF ）
温度（℃）
5
IXDN402PI / N402SI / N402SI -16
IXDF402PI / F402SI / F402SI -16
IXDI402PI / I402SI / I402SI -16
2安培双低侧超快MOSFET驱动器
特点
使用的优点和兼容性内置
CMOS和IXYS HDMOS的
TM
过程的
闭锁保护在整个
工作范围
高峰值输出电流： 2A峰值
宽工作电压范围： 4.5V至25V
高容性负载
驱动能力： 1000pF的在<10ns
匹配的上升和下降时间
低传播延迟时间
低输出阻抗
低电源电流
在单芯片双驱动
概述
该IXDN402 / IXDI402 / IXDF402由两个2安培
CMOS高速MOSFET驱动器。可以在每个输出
峰值电流而产生的电压源和信宿2A
上升和下降小于15ns的时间来驱动的最新IXYS
的MOSFET &的IGBT 。驱动器的输入是TTL或CMOS
兼容，并且完全不受闭锁在整个
工作范围。正在申请专利的电路实际上消除
交叉传导电流直通。改进
速度和驱动能力由极进一步增强
低，匹配的上升和下降时间。
该IXDN402被配置为双非反相门
驱动程序， IXDI402作为双反相栅极驱动器，以及
IXDF402作为双反相+非反相栅极驱动器。
该IXDN402 / IXDI402 / IXDF402家庭都可以在
标准的8引线P -DIP （PI）， SOP-8 （SI）和SOP- 16 （SI -16）
分别包。
应用
驱动MOSFET和IGBT
电机控制
线路驱动器
脉冲发生器
本地电源ON / OFF开关
开关模式电源（ SMPS ）
DC到DC转换
脉冲变压器驱动器
D类开关放大器
订购信息
产品型号
IXDN402PI
IXDN402SI
IXDN402SI-16
IXDI402PI
IXDI402SI
IXDI402SI-16
IXDF402PI
IXDF402SI
IXDF402SI-16
套餐类型
8引脚PDIP
8引脚SOIC
16引脚SOIC
8引脚PDIP
8引脚SOIC
16引脚SOIC
8引脚PDIP
8引脚SOIC
16引脚SOIC
TEMP 。 RANGE
-40 ° C至+ 85°C
CON组fi guration
双非反相
-40 ° C至+ 85°C
双反相
-40 ° C至+ 85°C
反相+非反相
注意：
安装或所有包焊片被连接到地
版权所有 IXYS公司2002年
首次发行
IXDN402PI / N402SI / N402SI -16
IXDF402PI / F402SI / F402SI -16
IXDN402PI / N402SI / N402SI -16
图1 - IXDN402 2A双非反相栅极驱动器功能框图
VCC
P
IN A
防跨
传导
电路*
OUT A
N
P
IN B
防跨
传导
电路*
OUT B
N
GND
图2 - IXDI402双反相2A栅极驱动器功能框图
VCC
P
IN A
防跨
传导
电路*
OUT A
N
P
IN B
防跨
传导
电路*
OUT B
N
GND
图3 - IXDF402反相+非反相2A栅极驱动器功能框图
VCC
P
IN A
防跨
传导
电路*
OUT A
N
P
IN B
防跨
传导
电路*
OUT B
N
GND
*专利申请中
2
IXDN402PI / N402SI / N402SI -16
IXDF402PI / F402SI / F402SI -16
IXDN402PI / N402SI / N402SI -16
绝对最大额定值
（注1 ）
参数
电源电压
所有其他引脚
结温
储存温度
焊接温度（ 10秒）
价值
25 V
-0.3 V至VCC + 0.3 V
150摄氏度
-65摄氏度到150摄氏度
300摄氏度
工作额定值
参数
工作温度范围
热阻抗（对环境）
8引脚PDIP （ PI ） （ θ
JA
)
8引脚SOIC （ SI ） （ θ
JA
)
16引脚SOIC （ SI - 16 ） （ θ
JA
)
价值
-40摄氏度至85摄氏度
210摄氏度/ W
190摄氏度/ W
190摄氏度/ W
电气特性
除非另有说明，T
A
= 25
o
C， 4.5V
≤
V
CC
≤
25V .
所有电压测量相对于GND 。 IXDD402配置为在所述的
测试条件。
所有规格的一个通道。
符号
V
IH
V
IL
V
IN
I
IN
V
OH
V
OL
R
OH
R
OL
I
PEAK
I
DC
t
R
t
F
t
ONDLY
t
OFFDLY
V
CC
I
CC
参数
高输入电压
低输入电压
输入电压范围
输入电流
高输出电压
低输出电压
输出电阻
@输出高
输出电阻
@输出低
峰值输出电流
连续输出
当前
上升时间
下降时间
导通时间的传播
延迟
关断时间的传播
延迟
电源电压
电源电流
测试条件
民
3
典型值
最大
2.4
单位
V
V
V
A
V
-5
0V
≤
V
IN
≤
V
CC
-10
V
CC
- 0.025
V
CC
+ 0.3
10
0.025
V
CC
= 18V
V
CC
= 18V
V
CC
为18V
3.7
2.5
2
1
C
L
= 1000pF的VCC = 18V
C
L
= 1000pF的VCC = 18V
C
L
= 1000pF的VCC = 18V
C
L
= 1000pF的VCC = 18V
7
7
27
25
4.5
V
IN
= 3.5V
V
IN
= 0V
V
IN
= + V
CC
8
8
28
26
18
1
0
10
9
32
30
25
3
10
10
4
3
V
A
A
ns
ns
ns
ns
V
mA
A
A
特定网络阳离子如有更改，恕不另行通知。
3
IXDN402PI / N402SI / N402SI -16
IXDF402PI / F402SI / F402SI -16
引脚说明
符号
IN A
GND
IN B
OUT B
VCC
OUT A
功能
通道的输入
地
B通道输入
B通道输出
电源电压
A声道输出
IXDN402PI / N402SI / N402SI -16
描述
通道的输入信号TTL或CMOS兼容。
系统接地引脚。内部连接到所有的电路，该引脚提供
对于整个芯片的接地参考。该引脚应连接到低
噪声模拟地平面，以获得最佳的性能。
B通道输入信号TTL或CMOS兼容。
B通道驱动器输出。对于应用程序而言，这个引脚通过连接
一个电阻的MOSFET / IGBT的栅极。
正电源电压输入。该引脚提供电源给整个
芯片。范围此电压为4.5V至25V 。
一个通道驱动器输出。对于应用程序而言，这个引脚通过连接
一个电阻的MOSFET / IGBT的栅极。
注意：这些器件对静电放电敏感;遵循正确的ESD过程时
搬运和装配组件。
注1 ：
超越经营列为“绝对最大额定值”参数设备可能会造成永久性
损坏设备。典型的值将指示该设备被拟功能的条件下，但不
保证特定的性能限制。保证规格仅适用于列出的测试条件。
长期在绝对最大额定条件下工作会影响器件的可靠性。
图4 - 特性测试图
VCC
10uF
25V
1
NC
2
IN A
3
GND
4
IN B
NC
8
7
OUT A
VCC
6
OUT B
5
安捷伦1147A
电流探头
1000 pF的
安捷伦1147A
电流探头
1000 pF的
4
IXDN402PI / N402SI / N402SI -16
IXDF402PI / F402SI / F402SI -16
图。 3
90
80
50
IXDN402PI / N402SI / N402SI -16
典型性能特性
输出上升时间与电源电压
CL = 100pF的到6800pF
图。 4
60
输出下降时间与电源电压
CL = 100pF的到6800pF
70
下降时间（纳秒）
上升时间（纳秒）
60
6800 pF的
50
40
30
20
10
0
8
10
12
14
16
18
40
6800 pF的
30
20
3900 pF的
2200 pF的
3900 pF的
2200 pF的
1000 pF的
470 pF的
100 pF的
10
1000 pF的
470 pF的
100 pF的
0
8
10
12
14
16
18
电源电压（ V）
图。五
12
电源电压（ V）
图。 6
输出上升和下降时间与外壳温度
CL = 1000pF的， VCC = 18V
输出上升时间与负载电容
90
80
10
t
R
70
8V
10V
12V
14V
16V
18V
t
F
6
上升时间（纳秒）
8
60
50
40
30
20
时间（纳秒）
4
2
10
0
-60
0
-40
-20
0
20
40
60
80
100
120
140
0
1000
2000
3000
4000
5000
6000
7000
温度（℃）
图。 7
图。 8
负载电容（PF ）
输出下降时间与负载电容
50
45
40
35
8V
10V
12V
14V
16V
18V
最大/最小输入与温度的关系
CL = 1000 pF的VCC = 18V
3.5
3.3
3.1
2.9
2.7
2.5
2.3
2.1
1.9
1.7
1.5
-60
M umInput
尼加拉瓜妇女协会
室内运动场
30
25
20
15
10
5
0
0
1000
2000
3000
4000
5000
6000
7000
最大/最小输入电压
下降时间（ NS ）
M umInput低
的Axim
-40
-20
0
20
40
60
80
100
120
140
负载电容（PF ）
温度（℃）
5
QQ：2881677436 复制
