IXDD408PI / 408SI / 408YI / 408CI
8安培低端超快MOSFET驱动器
特点
使用的优点和兼容性内置
CMOS和IXYS HDMOS的
TM
流程。
闭锁保护
高峰值输出电流： 8A峰值
4.5V至25V
能够禁止在故障输出
高容性负载
驱动能力： 2500pF的在<15ns
匹配的上升和下降时间
低传播延迟时间
低输出阻抗
低电源电流
概述
该IXDD408是一种高速高电流的栅极驱动器
专门设计用于驱动的最大MOSFET和
IGBT的，以它们的最小转换时间和最大
实际的频率范围。该IXDD480可以输出和
沉峰值电流8A ，同时产生的电压上升，
落入小于30ns的时间。驱动器的输入是
与TTL或CMOS兼容，完全免疫
闩锁在整个工作范围内。与设计
小的内部延迟，交叉传导/当前拍摄
通过将在IXDD408几乎消除。它的特点
和较宽的安全范围的工作电压和功率
使IXDD408无与伦比的性能和价值。
该IXDD408采用禁用的独特能力
在故障条件下的输出。当一个逻辑低是
压入使能输入端，这两个最终的输出级
的MOSFET （ NMOS和PMOS ）截止。作为
结果， IXDD408的输出进入三态模式
并实现软关断MOSFET / IGBT时
当检测到短路。这有助于防止损坏
这可能发生在MOSFET / IGBT的，如果它是为
关掉突然由于dv / dt的过电压转录
过性。
该IXDD408可在标准的8引脚P- DIP （ PI ） ，
SOP- 8 （ SI ） ， 5引脚TO -220 （ CI ）和TO- 263 （ YI）
表面贴装封装。
应用
驱动MOSFET和IGBT
限制的di / dt在短路
电机控制
线路驱动器
脉冲发生器
本地电源ON / OFF开关
开关模式电源（ SMPS ）
DC到DC转换
脉冲变压器驱动器
D类开关放大器
图1 - 功能框图
版权所有 IXYS公司2001年申请专利
首次发行
IXDD408PI/408SI//408YI/408CI
绝对最大额定值
（注1 ）
参数
电源电压
所有其他引脚
功耗，T
环境
≤25
oC
8引脚PDIP （ PI ）
8引脚SOIC （ SI ）
TO220 （ CI ） ， TO263 （ YI）
降额因子（到环境）
8引脚PDIP （ PI ）
8引脚SOIC （ SI ）
TO220 （ CI ） ， TO263 （ YI）
储存温度
焊接温度（ 10秒）
工作额定值
参数
最高结温
工作温度范围
热阻抗（结到外壳）
TO220 （ CI ） ， TO263 （ YI） （ θ
JC
)
价值
25 V
-0.3 V至VCC + 0.3 V
975mW
1055mW
17W
7.6mW/oC
8.2mW/oC
0.14W/oC
-65摄氏度到150摄氏度
300摄氏度
价值
150摄氏度
-40摄氏度至85摄氏度
0.95摄氏度/ W
电气特性
除非另有说明，T
A
= 25
o
C， 4.5V
≤
V
CC
≤
25V .
所有电压测量相对于GND 。 IXDD408配置为在所述的
测试条件。
符号
V
IH
V
IL
V
IN
I
IN
V
OH
V
OL
R
OH
R
OL
I
PEAK
I
DC
V
EN
V
ENH
V
ENL
t
R
t
F
t
ONDLY
t
OFFDLY
t
ENOH
t
多尔德
V
CC
I
CC
参数
高输入电压
低输入电压
输入电压范围
输入电流
高输出电压
低输出电压
输出电阻
@输出高
输出电阻
@输出低
峰值输出电流
连续输出
当前
开启电压范围
恩高输入电压
低EN输入电压
上升时间
下降时间
导通时间的传播
延迟
关断时间的传播
延迟
能到输出高
延迟时间
禁止输出低电平
关闭延迟时间
电源电压
电源电流
测试条件
民
3.5
典型值
最大
0.8
单位
V
V
V
A
V
-5
0V
≤
V
IN
≤
V
CC
-10
V
CC
- 0.025
V
CC
+ 0.3
10
0.025
I
OUT
= 10毫安，V
CC
= 18V
I
OUT
= 10毫安，V
CC
= 18V
V
CC
为18V
通过封装功率的限制
耗散
- .3
2/3的Vcc
1/3的Vcc
C
L
= 2500pF的VCC = 18V
C
L
= 2500pF的VCC = 18V
C
L
= 2500pF的VCC = 18V
C
L
= 2500pF的VCC = 18V
Vcc=18V
Vcc=18V
4.5
V
IN
= 3.5V
V
IN
= 0V
V
IN
= + V
CC
18
1
0
12
13
37
32
14
15
38
34
18
19
42
38
52
30
25
3
10
10
0.8
0.8
8
2
VCC + 0.3
1.5
1.5
V
A
A
V
V
V
ns
ns
ns
ns
ns
ns
V
mA
A
A
特定网络阳离子如有更改，恕不另行通知。
2
IXDD408PI/408SI/408YI/408CI
销刀豆网络gurations
九D D 4 0 8 Y I
九D D 4 0 8 C I
1 VCC
2年
3 EN
4 GND
I
X
D
D
4
0
8
VCC 8
出7
出6
GND 5
1
2
3
4
5
VCC
OUT
GND
IN
EN
8引脚DIP （ PI ）
SO8 （ SI ）
TO220 （ CI ）
TO263 （ YI）
引脚说明
符号
VCC
IN
EN
OUT
功能
电源电压
输入
启用
产量
描述
正电源电压输入。该引脚提供电源
整个芯片。范围此电压为4.5V至25V 。
输入信号TTL或CMOS兼容。
该系统使能引脚。该引脚，当驱动为低电平，禁止芯片，
迫使高阻抗状态的输出。
驱动器输出。对于应用程序而言，此引脚连接，
通过一个电阻器，在MOSFET / IGBT的栅极。
系统接地引脚。内部连接到所有的电路，该引脚
提供了整个芯片的接地参考。该引脚应
连接到低噪声模拟地平面，以获得最佳
性能。
GND
地
注1 ：
超越经营与上市的“绝对最大额定值”参数，该设备可能会造成永久性的
损坏设备。典型的值将指示该设备被拟功能的条件下，但不
保证特定的性能限制。保证规格仅适用于列出的测试条件。
长期在绝对最大额定条件下工作会影响器件的可靠性。
注意：这些器件对静电放电敏感;遵循正确的ESD程序
搬运和装配组件时。
图2 - 特性测试图
V
IN
3
IXDD408PI/408SI//408YI/408CI
典型性能特性
图。 3
50
上升时间与电源电压
图。 4
100
下降时间与电源电压
40
80
上升时间（纳秒）
4700 pF的
下降时间（纳秒）
30
CL = 10,000 pF的
60
20
2200 pF的
10
40
CL = 10,000 pF的
4700 pF的
20
2200 pF的
0
8
10
12
14
16
18
0
8
10
12
14
16
18
电源电压（ V）
图。五
上升和下降时间与结温
电源电压（ V）
图。 6
50
8V
C
L
= 2500pF的，V
CC
= 18V
25
上升时间与负载电容
20
40
10V
15
时间（纳秒）
t
F
t
R
上升时间（纳秒）
30
12V
18V
14V
16V
10
20
5
10
0
-40
0
2k
4k
6k
8k
10k
-20
0
20
40
60
80
100
120
负载电容（PF ）
图。 8
3.2
温度（℃）
图。 7
90
8V
80
70
3.0
2.8
下降时间与负载电容
最大/最小输入与结温
C
L
= 2500pF的V
CC
= 18V
最小输入高电平
下降时间（纳秒）
10V
最大/最小输入电压（V ）
60
50
40
30
2.6
2.4
2.2
最大输入低电平
2.0
1.8
1.6
-60
12V
18V
14V 16V
20
10
0
2k
4k
6k
8k
10k
-40
-20
0
20
40
60
80
100
负载电容（PF ）
温度（
o
C)
4
IXDD408PI/408SI/408YI/408CI
图。 9
100
电源电流与负载电容
Vcc=18V
图。 10
100
电源电流与频率的关系
Vcc=18V
CL = 5000 pF的
1兆赫
10
2500 pF的
1000 pF的
电源电流（mA ）
500千赫
电源电流（mA ）
10
1
100千赫
1
50千赫
10千赫
0.1
0.1
0.1k
1.0k
10.0k
1
10
100
1000
负载电容（PF ）
图。 11
频率（kHz ）
图。 12
100
电源电流与负载电容
Vcc=12V
电源电流与频率的关系
Vcc=12V
100
CL = 5000 pF的
10
电源电流（mA ）
10
1兆赫
500千赫
电源电流（mA ）
2500 pF的
1000 pF的
1
1
100千赫
50千赫
0.1
10千赫
0.1
0.1k
1.0k
10.0k
1
10
100
1000
负载电容（PF ）
频率（kHz ）
图。 14
100
图。 13
100
电源电流与负载电容
Vcc=8V
电源电流与频率的关系
Vcc=8V
CL = 5000 pF的
10
2兆赫
10
电源电流（mA ）
电源电流（mA ）
2500 pF的
1000 pF的
1兆赫
500千赫
1
100千赫
50千赫
0.1
10千赫
0.1k
1.0k
10.0k
1
0.1
1
10
100
1000
负载电容（PF ）
5
频率（kHz ）
IXDD408PI / 408SI / 408YI / 408CI
8安培低端超快MOSFET驱动器
特点
使用的优点和兼容性内置
CMOS和IXYS HDMOS的
TM
流程。
闭锁保护
高峰值输出电流： 8A峰值
4.5V至25V
能够禁止在故障输出
高容性负载
驱动能力： 2500pF的在<15ns
匹配的上升和下降时间
低传播延迟时间
低输出阻抗
低电源电流
概述
该IXDD408是一种高速高电流的栅极驱动器
专门设计用于驱动的最大MOSFET和
IGBT的，以它们的最小转换时间和最大
实际的频率范围。该IXDD480可以输出和
沉峰值电流8A ，同时产生的电压上升，
落入小于30ns的时间。驱动器的输入是
与TTL或CMOS兼容，完全免疫
闩锁在整个工作范围内。与设计
小的内部延迟，交叉传导/当前拍摄
通过将在IXDD408几乎消除。它的特点
和较宽的安全范围的工作电压和功率
使IXDD408无与伦比的性能和价值。
该IXDD408采用禁用的独特能力
在故障条件下的输出。当一个逻辑低是
压入使能输入端，这两个最终的输出级
的MOSFET （ NMOS和PMOS ）截止。作为
结果， IXDD408的输出进入三态模式
并实现软关断MOSFET / IGBT时
当检测到短路。这有助于防止损坏
这可能发生在MOSFET / IGBT的，如果它是为
关掉突然由于dv / dt的过电压转录
过性。
该IXDD408可在标准的8引脚P- DIP （ PI ） ，
SOP- 8 （ SI ） ， 5引脚TO -220 （ CI ）和TO- 263 （ YI）
表面贴装封装。
应用
驱动MOSFET和IGBT
限制的di / dt在短路
电机控制
线路驱动器
脉冲发生器
本地电源ON / OFF开关
开关模式电源（ SMPS ）
DC到DC转换
脉冲变压器驱动器
D类开关放大器
图1 - 功能框图
版权所有 IXYS公司2001年申请专利
首次发行
IXDD408PI/408SI//408YI/408CI
绝对最大额定值
（注1 ）
参数
电源电压
所有其他引脚
功耗，T
环境
≤25
oC
8引脚PDIP （ PI ）
8引脚SOIC （ SI ）
TO220 （ CI ） ， TO263 （ YI）
降额因子（到环境）
8引脚PDIP （ PI ）
8引脚SOIC （ SI ）
TO220 （ CI ） ， TO263 （ YI）
储存温度
焊接温度（ 10秒）
工作额定值
参数
最高结温
工作温度范围
热阻抗（结到外壳）
TO220 （ CI ） ， TO263 （ YI） （ θ
JC
)
价值
25 V
-0.3 V至VCC + 0.3 V
975mW
1055mW
17W
7.6mW/oC
8.2mW/oC
0.14W/oC
-65摄氏度到150摄氏度
300摄氏度
价值
150摄氏度
-40摄氏度至85摄氏度
0.95摄氏度/ W
电气特性
除非另有说明，T
A
= 25
o
C， 4.5V
≤
V
CC
≤
25V .
所有电压测量相对于GND 。 IXDD408配置为在所述的
测试条件。
符号
V
IH
V
IL
V
IN
I
IN
V
OH
V
OL
R
OH
R
OL
I
PEAK
I
DC
V
EN
V
ENH
V
ENL
t
R
t
F
t
ONDLY
t
OFFDLY
t
ENOH
t
多尔德
V
CC
I
CC
参数
高输入电压
低输入电压
输入电压范围
输入电流
高输出电压
低输出电压
输出电阻
@输出高
输出电阻
@输出低
峰值输出电流
连续输出
当前
开启电压范围
恩高输入电压
低EN输入电压
上升时间
下降时间
导通时间的传播
延迟
关断时间的传播
延迟
能到输出高
延迟时间
禁止输出低电平
关闭延迟时间
电源电压
电源电流
测试条件
民
3.5
典型值
最大
0.8
单位
V
V
V
A
V
-5
0V
≤
V
IN
≤
V
CC
-10
V
CC
- 0.025
V
CC
+ 0.3
10
0.025
I
OUT
= 10毫安，V
CC
= 18V
I
OUT
= 10毫安，V
CC
= 18V
V
CC
为18V
通过封装功率的限制
耗散
- .3
2/3的Vcc
1/3的Vcc
C
L
= 2500pF的VCC = 18V
C
L
= 2500pF的VCC = 18V
C
L
= 2500pF的VCC = 18V
C
L
= 2500pF的VCC = 18V
Vcc=18V
Vcc=18V
4.5
V
IN
= 3.5V
V
IN
= 0V
V
IN
= + V
CC
18
1
0
12
13
37
32
14
15
38
34
18
19
42
38
52
30
25
3
10
10
0.8
0.8
8
2
VCC + 0.3
1.5
1.5
V
A
A
V
V
V
ns
ns
ns
ns
ns
ns
V
mA
A
A
特定网络阳离子如有更改，恕不另行通知。
2
IXDD408PI/408SI/408YI/408CI
销刀豆网络gurations
九D D 4 0 8 Y I
九D D 4 0 8 C I
1 VCC
2年
3 EN
4 GND
I
X
D
D
4
0
8
VCC 8
出7
出6
GND 5
1
2
3
4
5
VCC
OUT
GND
IN
EN
8引脚DIP （ PI ）
SO8 （ SI ）
TO220 （ CI ）
TO263 （ YI）
引脚说明
符号
VCC
IN
EN
OUT
功能
电源电压
输入
启用
产量
描述
正电源电压输入。该引脚提供电源
整个芯片。范围此电压为4.5V至25V 。
输入信号TTL或CMOS兼容。
该系统使能引脚。该引脚，当驱动为低电平，禁止芯片，
迫使高阻抗状态的输出。
驱动器输出。对于应用程序而言，此引脚连接，
通过一个电阻器，在MOSFET / IGBT的栅极。
系统接地引脚。内部连接到所有的电路，该引脚
提供了整个芯片的接地参考。该引脚应
连接到低噪声模拟地平面，以获得最佳
性能。
GND
地
注1 ：
超越经营与上市的“绝对最大额定值”参数，该设备可能会造成永久性的
损坏设备。典型的值将指示该设备被拟功能的条件下，但不
保证特定的性能限制。保证规格仅适用于列出的测试条件。
长期在绝对最大额定条件下工作会影响器件的可靠性。
注意：这些器件对静电放电敏感;遵循正确的ESD程序
搬运和装配组件时。
图2 - 特性测试图
V
IN
3
IXDD408PI/408SI//408YI/408CI
典型性能特性
图。 3
50
上升时间与电源电压
图。 4
100
下降时间与电源电压
40
80
上升时间（纳秒）
4700 pF的
下降时间（纳秒）
30
CL = 10,000 pF的
60
20
2200 pF的
10
40
CL = 10,000 pF的
4700 pF的
20
2200 pF的
0
8
10
12
14
16
18
0
8
10
12
14
16
18
电源电压（ V）
图。五
上升和下降时间与结温
电源电压（ V）
图。 6
50
8V
C
L
= 2500pF的，V
CC
= 18V
25
上升时间与负载电容
20
40
10V
15
时间（纳秒）
t
F
t
R
上升时间（纳秒）
30
12V
18V
14V
16V
10
20
5
10
0
-40
0
2k
4k
6k
8k
10k
-20
0
20
40
60
80
100
120
负载电容（PF ）
图。 8
3.2
温度（℃）
图。 7
90
8V
80
70
3.0
2.8
下降时间与负载电容
最大/最小输入与结温
C
L
= 2500pF的V
CC
= 18V
最小输入高电平
下降时间（纳秒）
10V
最大/最小输入电压（V ）
60
50
40
30
2.6
2.4
2.2
最大输入低电平
2.0
1.8
1.6
-60
12V
18V
14V 16V
20
10
0
2k
4k
6k
8k
10k
-40
-20
0
20
40
60
80
100
负载电容（PF ）
温度（
o
C)
4
IXDD408PI/408SI/408YI/408CI
图。 9
100
电源电流与负载电容
Vcc=18V
图。 10
100
电源电流与频率的关系
Vcc=18V
CL = 5000 pF的
1兆赫
10
2500 pF的
1000 pF的
电源电流（mA ）
500千赫
电源电流（mA ）
10
1
100千赫
1
50千赫
10千赫
0.1
0.1
0.1k
1.0k
10.0k
1
10
100
1000
负载电容（PF ）
图。 11
频率（kHz ）
图。 12
100
电源电流与负载电容
Vcc=12V
电源电流与频率的关系
Vcc=12V
100
CL = 5000 pF的
10
电源电流（mA ）
10
1兆赫
500千赫
电源电流（mA ）
2500 pF的
1000 pF的
1
1
100千赫
50千赫
0.1
10千赫
0.1
0.1k
1.0k
10.0k
1
10
100
1000
负载电容（PF ）
频率（kHz ）
图。 14
100
图。 13
100
电源电流与负载电容
Vcc=8V
电源电流与频率的关系
Vcc=8V
CL = 5000 pF的
10
2兆赫
10
电源电流（mA ）
电源电流（mA ）
2500 pF的
1000 pF的
1兆赫
500千赫
1
100千赫
50千赫
0.1
10千赫
0.1k
1.0k
10.0k
1
0.1
1
10
100
1000
负载电容（PF ）
5
频率（kHz ）
QQ：2881677436 复制
