IXBH32N300
IXBT32N300
符号测试条件
(
T
J
= 25 ° C除非另有规定编）
g
fS
C
IES
C
OES
C
水库
Q
g
Q
ge
Q
gc
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
R
thJC
R
乡镇卫生院
(TO-247)
0.21
电阻开关时间，T
J
= 25°C
I
C
= 32A ，V
GE
= 15V
V
CE
= 1250V ，R
G
= 2
Ω
电阻开关时间，T
J
= 125°C
I
C
= 32A ，V
GE
= 15V
V
CE
= 1250V ，R
G
= 2
Ω
I
C
= 32A ，V
GE
= 15V, V
CE
= 1000V
V
CE
= 25V, V
GE
= 0V ， F = 1MHz的
I
C
= 32A ，V
CE
= 10V ，注1
特征值
分钟。
典型值。
马克斯。
16
26
3140
124
40
142
20
57
50
185
160
720
58
515
165
630
0.31
S
pF
pF
pF
nC
nC
nC
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
° C / W
° C / W
e
1
2
3
TO- 247 （ IXBH ）大纲
P
端子： 1 - 门
3 - 来源
2 - 漏极
标签 - 漏
DIM 。
毫米
分钟。马克斯。
A
4.7
5.3
2.2
2.54
A
1
2.2
2.6
A
2
b
1.0
1.4
1.65
2.13
b
1
b
2
2.87
3.12
C
.4
.8
D
20.80 21.46
E
15.75 16.26
e
5.20
5.72
L
19.81 20.32
L1
4.50
P
3.55
3.65
Q
5.89
6.40
R
4.32
5.49
S
6.15 BSC
英寸
分钟。马克斯。
.185 .209
.087 .102
.059 .098
.040 .055
.065 .084
.113 .123
.016 .031
.819 .845
.610 .640
0.205 0.225
.780 .800
.177
.140 .144
0.232 0.252
.170 .216
242 BSC
反向二极管
符号测试条件
(T
J
= 25 ° C除非另有规定编）
V
F
t
rr
I
RM
I
F
= 32A ，V
GE
= 0V
I
F
= 16A ，V
GE
= 0V ， - 二
F
/ DT = 100A / μs的
V
R
= 100V, V
GE
= 0V
1.5
33
特征值
分钟。
典型值。
马克斯。
2.1
V
μs
A
TO- 268 （ IXBT ）大纲
注1 ：脉冲检验，t
≤
300μS ，占空比D
≤
2%.
初步技术信息
本文中所呈现的产品正在开发中。所提供的技术规格衍生
从过程的初步工程很多客观的刻画收集的数据;但也可能还
包含在预生产设计评价提供了一些信息。 IXYS保留权利
更改限制，试验条件和尺寸，恕不另行通知。
IXYS保留更改限制，试验条件和尺寸的权利。
IXYS MOSFET和IGBT覆盖
4,835,592
通过以下一种或多项美国专利： 4850072
4,881,106
4,931,844
5,017,508
5,034,796
5,049,961
5,063,307
5,187,117
5,237,481
5,381,025
5,486,715
6,162,665
6,259,123 B1
6,306,728 B1
6,404,065 B1
6,534,343
6,583,505
6,683,344
6,727,585
7,005,734 B2
6,710,405 B2 6,759,692
7,063,975 B2
6,710,463
6,771,478 B2 7,071,537
7,157,338B2
IXBH32N300
IXBT32N300
图。 1.输出特性
@ 25C
65
60
55
50
45
40
35
30
25
20
15
10
5
0
0.0
0.5
1.0
1.5
2.0
2.5
3.0
3.5
4.0
5V
10V
V
GE
= 25V
20V
15V
500
450
400
350
15V
V
GE
= 25V
20V
图。 2.扩展的输出特性
@ 25C
I
C
-
安培
I
C
- 安培
300
250
200
150
100
50
0
0
2
4
6
8
10
12
14
16
18
20
5V
10V
V
CE
- 伏特
V
CE
- 伏特
图。 3.输出特性
@ 125C
65
60
55
50
45
V
GE
= 25V
20V
15V
1.9
1.8
1.7
1.6
图。 4.依赖的V
CE （ SAT ）
on
结温
V
GE
= 15V
V
CE （ SAT ）
- 归
1.5
1.4
1.3
1.2
1.1
1.0
0.9
I
C
= 64A
I
C
- 安培
40
35
30
25
20
15
10
5
0
0.0
0.5
1.0
1.5
2.0
2.5
3.0
3.5
4.0
4.5
5.0
5V
10V
I
C
= 32A
I
C
= 16A
0.8
0.7
0.6
-50
-25
0
25
50
75
100
125
150
V
CE
- 伏特
T
J
- 摄氏
图。 5.集电极 - 发射极电压
与门极 - 发射极电压
6.0
5.5
5.0
60
T
J
= 25C
90
80
70
图。 6.输入导纳
V
CE
- 伏特
4.5
4.0
3.5
3.0
2.5
16A
2.0
5
7
9
11
13
15
17
19
21
23
25
32A
I
C
I
C
-
安培
50
40
30
20
10
0
3.5
4.0
4.5
5.0
5.5
6.0
6.5
7.0
7.5
8.0
8.5
9.0
T
J
= 125C
25C
- 40C
= 64A
V
GE
- 伏特
V
GE
- 伏特
2009 IXYS公司，版权所有
IXYS REF ： B_32N300 （ 8P ） 09年3月2日
IXBH32N300
IXBT32N300
图。 13.电阻导通
上升时间与结温
800
700
600
R
G
= 2
V
GE
= 15V
V
CE
= 1250V
I
C
图。 14.电阻导通
上升时间与漏极电流
800
700
600
R
G
= 2
V
GE
= 15V
V
CE
= 1250V
T
J
= 125C
500
400
300
200
T
J
= 25C
100
0
t
r
- 纳秒
500
400
300
200
100
0
25
35
45
55
65
75
85
95
= 32A
I
C
= 64A
t
r
- 纳秒
105
115
125
15
20
25
30
35
40
45
50
55
60
65
T
J
- 摄氏
I
C
- 安培
图。 15.电阻导通
开关时间与栅极电阻
650
80
1000
900
800
图。 16.电阻关断
开关时间与结温
200
t
r
600
t
D（上）
- - - -
75
t
f
t
D（关闭）
- - - -
T
J
= 125°C ，V
GE
= 15V
V
CE
= 1250V
R
G
= 2, V
GE
= 15V
V
CE
= 1250V
190
180
170
I
C
= 32A
160
150
140
I
C
= 64A
130
120
125
t
D（关闭）
- 纳秒
t
D（上）
- 纳秒
t
r
- 纳秒
550
70
t
f
- 纳秒
700
600
500
400
300
200
25
35
45
55
65
75
85
95
105
115
500
I
C
= 32A
450
I
C
= 64A
400
65
60
55
350
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
50
R
G
- 欧姆
T
J
- 摄氏
图。 17.电阻关断
开关时间与漏电流
1400
1300
1200
1100
230
1000
900
800
图。 18.电阻关断
开关时间与栅极电阻
450
220
210
200
190
180
170
160
150
140
t
f
V
CE
= 1250V
t
D（关闭）
- - - -
t
f
t
D（关
)
- - - -
R
G
= 2, V
GE
= 15V
T
J
= 125°C ，V
GE
= 15V
V
CE
= 1250V
400
350
300
t
D（关闭）
- 纳秒
t
D（关闭）
- 纳秒
t
f
- 纳秒
1000
900
800
700
600
500
400
300
200
15
20
25
30
35
40
45
50
55
60
65
T
J
= 125C, 25C
t
f
- 纳秒
700
600
500
I
400
300
200
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
C
I
C
= 32A
= 64A
250
200
150
100
50
130
120
110
I
C
- 安培
R
G
- 欧姆
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IXYS REF ： B_32N300 （ 8P ） 09年3月2日
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