IXA33IF1200HB
XPT IGBT
V
CES
I
C25
=
=
1200 V
58 A
1.8 V
V
CE （ SAT ）
=
Copack
产品型号
IXA33IF1200HB
背面：收藏家
2 (C)
(G) 1
3 (E)
特点/优势：
●
由于正温度易于并联
导通状态的电压的系数
●
坚固耐用的设计XPT （复刻光透过）
结果：
- 短路额定值为10微秒。
- 极低的栅极电荷
- 低EMI
- 方RBSOA @ 3X IC
●
薄晶圆技术相结合的设计XPT
结果在有竞争力的低VCE （ sat）的
●
SONIC 二极管
- 快速软反向恢复
- 低运行正向电压
应用范围：
●
交流马达驱动器
●
太阳能逆变器
●
医疗设备
●
不间断电源
●
空调系统
●
焊接设备
●
开关模式和谐振模
电源
●
感应加热，电饭锅
●
水泵，风机
包装：
TO-247
●
行业标准大纲
●
符合RoHS
●
环氧符合UL 94V- 0
IXYS保留更改的限制，条件和尺寸的权利。
数据按每个半导体IEC 60747and除非另有规定
20100702b
版权所有 2010 IXYS所有权利
IXA33IF1200HB
IGBT
符号
V
CES
V
GES
V
创业板
I
C25
I
C80
P
合计
V
CE （ SAT ）
V
GE （日）
I
CES
I
GES
Q
G（ ON）的
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
E
on
E
关闭
RBSOA
I
CM
SCSOA
t
SC
I
SC
R
thJC
R
thCH
短路安全工作区
短路持续时间
短路电流
热阻结到外壳
热电阻的情况下到散热器
总功耗
集电极 - 发射极饱和电压
评级
德网络nition
集电极 - 发射极电压
最大。直流栅极电压
最大。瞬态栅射极电压
集电极电流
条件
T
VJ
=
25°C
分钟。
典型值。
马克斯。
1200
±20
±30
单位
V
V
V
A
A
W
V
V
V
mA
mA
nA
nC
ns
ns
ns
ns
mJ
mJ
T
C
= 25°C
T
C
= 80 °C
T
C
= 25°C
I
C
=
I
C
=
25 A; V
GE
= 15 V
1毫安; V
GE
= V
CE
T
VJ
= 25°C
T
VJ
= 125 °C
T
VJ
= 25°C
T
VJ
= 25°C
T
VJ
= 125 °C
0.1
5.4
1.8
2.1
5.9
58
34
250
2.1
6.5
0.1
500
门射阈值电压
集电极 - 发射极漏电流
V
CE
= V
CES
; V
GE
= 0 V
V
GE
= ±20 V
V
CE
= 600 V; V
GE
= 15 V ;我
C
=
栅射极漏电流
总栅极电荷
导通延迟时间
电流上升时间
打开-O FF延迟时间
电流下降时间
开启每个脉冲能量
关断能源每脉冲
反向偏置安全工作区
25 A
76
70
40
250
100
2.5
3
感性负载
V
CE
=
600 V ;我
C
=
25 A
V
GE
= ±15 V ;
G
= 39
T
VJ
= 125 °C
V
GE
= ±15 V ;
G
= 39
V
CEmax
= 1200 V
V
CEmax
= 900 V
V
CE
= 900 V; V
GE
= ±15 V
R
G
= 39
;
不重复
T
VJ
= 125 °C
75
T
VJ
= 125 °C
100
0.25
10
A
s
A
0.5 K / W
K / W
二极管
V
RRM
I
F25
I
F 80
V
F
I
R
Q
rr
I
RM
t
rr
E
REC
R
thJC
R
thCH
正向电压
最大。重复反向电压
正向电流
T
VJ
= 25°C
T
C
= 25°C
T
C
= 80 °C
I
F
=
30 A
T
VJ
= 25°C
T
VJ
= 125°C
1.95
T
VJ
= 25°C
T
VJ
= 125°C
V
R
= 600 V
- 二
F
/ DT = -600 A / μs的
I
F
=
30 A; V
GE
= 0 V
T
VJ
= 125°C
*
3.5
30
350
0.9
0.25
1200
60
33
2.20
*
V
A
A
V
V
mA
mA
C
A
ns
mJ
反向电流
*不适用，见上面冰块值
反向恢复电荷
最大。反向恢复电流
反向恢复时间
反向恢复能量
热阻结到外壳
热电阻的情况下到散热器
V
R
= V
RRM
0.7 K / W
K / W
IXYS保留更改的限制，条件和尺寸的权利。
数据按每个半导体IEC 60747and除非另有规定
20100702b
版权所有 2010 IXYS所有权利
IXA33IF1200HB
包
符号
I
RMS
T
VJ
T
op
T
英镑
重量
M
D
F
C
安装力矩
用夹子固定力
TO-247
德网络nition
RMS电流
虚拟结温
工作温度
储存温度
评级
条件
每个终端
分钟。
-40
-40
-40
典型值。
马克斯。
70
150
125
150
单位
A
°C
°C
°C
g
Nm
N
6
0.8
20
1.2
120
产品标识
产品型号
I
X
A
33
IF
1200
HB
=
=
=
=
=
=
=
IGBT
XPT IGBT
创1 / STD
额定电流[ A]
Copack
反向电压[ V]的
TO- 247AD （3）
标志
产品型号
流水线
汇编代码
日期代码
IXYS
XXXXXXXXX
Zyyww
ABCD
订购
标准
产品型号
IXA33IF1200HB
对产品标识
IXA33IF1200HB
配送方式
管
QUANTITY
30
码号
508562
等效电路的仿真
I
V
0
R
0
阈值电压
斜率电阻*
*在芯片级
T
VJ
= 150 °C
IGBT
二极管
V
0最大
R
0最大
1.1
55
1.25
28.3
V
m
IXYS保留更改的限制，条件和尺寸的权利。
数据按每个半导体IEC 60747and除非另有规定
20100702b
版权所有 2010 IXYS所有权利
IXA33IF1200HB
概述TO- 247
E
Q
A
A2
S
D1
D
2x
E2
P
P1
D2
符号。
英寸
分钟。
马克斯。
毫米
分钟。
马克斯。
4
1
L1
L
2
3
E1
2x
b2
b4
2x
e
3x
b
C
A1
A
A1
A2
D
E
E2
e
L
L1
P
Q
S
b
b2
b4
c
D1
D2
E1
P1
0.185 0.209
0.087 0.102
0.059 0.098
0.819 0.845
0.610 0.640
0.170 0.216
0.215 BSC
0.780 0.800
-
0.177
0.140 0.144
0.212 0.244
0.242 BSC
0.039 0.055
0.065 0.094
0.102 0.135
0.015 0.035
0.515
-
0.020 0.053
0.530
-
-
0.29
4.70
5.30
2.21
2.59
1.50
2.49
20.79 21.45
15.48 16.24
4.31
5.48
5.46 BSC
19.80 20.30
-
4.49
3.55
3.65
5.38
6.19
6.14 BSC
0.99
1.40
1.65
2.39
2.59
3.43
0.38
0.89
13.07
-
0.51
1.35
13.45
-
-
7.39
2 (C)
(G) 1
3 (E)
IXYS保留更改的限制，条件和尺寸的权利。
数据按每个半导体IEC 60747and除非另有规定
20100702b
版权所有 2010 IXYS所有权利
IXA33IF1200HB
IGBT
50
V
GE
= 15 V
50
V
GE
= 15 V
17 V
19 V
13 V
11 V
40
40
I
C
[A]
30
T
VJ
= 25°C
T
VJ
= 125°C
I
C
[A]
30
T
VJ
= 125°C
20
20
9V
10
10
0
0
1
2
V
CE
[V]
图。 1典型值。输出特性
0
3
0
1
2
3
V
CE
[V]
图。 2典型。输出特性
20
I
C
= 25 A
V
CE
= 600 V
15
4
5
50
40
I
C
30
[A]
V
GE
[V]
10
20
10
5
T
VJ
= 125°C
T
VJ
= 25°C
0
5
6
7
8
9
V
GE
[V]
图。 3典型。转院特点
E
on
0
10
11
12
13
0
20
40
60
Q
G
[ NC ]
80
100
图。 4典型。导通栅极电荷
4
I
C
=
25 A
V
CE
= 600 V
V
GE
= ±15 V
T
VJ
= 125°C
6
5
4
E
[兆焦耳]
R
G
= 39
V
CE
= 600 V
V
GE
= ±15 V
T
VJ
= 125°C
E
on
E
关闭
E
关闭
E
3
3
2
1
0
0
10
20
30
I
C
[A]
图。 5典型。开关能量与集电极电流
[兆焦耳]
2
40
50
1
40
60
80
100
120
140
R
G
[ ]
图。 6典型。开关能量与门极电阻
数据按每个半导体IEC 60747and除非另有规定
20100702b
IXYS保留更改的限制，条件和尺寸的权利。
版权所有 2010 IXYS所有权利
QQ：2880707522 复制
