【IX6R116A半桥驱动器特点使用自举电源浮动高压侧驱动器与低边驱动器电源一起。充分运作，以650V】,IC型号IX6R11S3,IX6R11S3 PDF资料,IX6R11S3经销商,ic,电子元器件-51电子网

IX6R11

6A半桥驱动器

特点

使用自举电源浮动高压侧驱动器

与低边驱动器电源一起。

充分运作，以650V

±

50V / ns的的dV / dt抗扰性

栅极驱动电源电压范围： 10 - 35V

欠压锁定为输出驱动器

独立的逻辑电源电压范围： 3.3V至V

CL

使用的优点和兼容性内置

CMOS和IXYS HDMOS的

TM

过程的

闭锁保护在整个

工作范围

高峰值输出电流： 6A

匹配的传播延迟为两个输出

低输出阻抗

低电源电流

免疫负电压瞬变

概述

该IX6R11桥驱动N沟道MOSFET和IGBT

具有高压侧和低压侧输出，其输入信号

引用偏低。高侧驱动器可控制

MOSFET或IGBT连接到正母线电压达

650V 。逻辑输入级与TTL兼容或

CMOS ，具有内置的滞后，而且完全不受锁

向上在整个工作范围内。该IX6R11能承受

在输出侧的dV / dt可达

±

50V/ns.

该IX6R11来无论是在14脚DIP封装

（ IX6R11P7 ），采用16引脚SOIC封装（ IX6R11S3 ）或18-

PIN码，热量可沉没， SOIC封装（ IX6R11S6 ）。

应用

驱动MOSFET和IGBT的半桥电路

高电压，高侧和低侧驱动器

电机控制

开关模式电源（ SMPS ）

DC到DC转换

D类开关放大器

警告： IX6R11是ESD敏感。

图1.典型的电路连接

IX6R11S6

99037C(08/04)

首次发行

IX6R11

图2 - IX6R11功能框图

VDD

VCH

低

HIN

DG

高

OUT

RST

IN

UVCC

检测

HS

隔离式高边

VCL

HS

VCH

HIN

4A栅极

司机

HGO

VDD

VCL

LIN

从低到高

方延迟

均衡器

和

关闭

逻辑

UVCC

检测

4A栅极

司机

LGO

ENB

DG

1

W

LS

引脚说明与配置

符号

VDD

HIN

LIN

ENB

DG

VCH

HGO

HS

VCL

LGO

LS

14引脚DIP

功能

逻辑电源

HS输入

LS输入

不启用

地

电源电压

产量

回报

电源电压

产量

地

描述

对于CMOS芯片的功能正电源

高侧输入信号， TTL或CMOS兼容; HGO相

低端输入信号， TTL或CMOS兼容; LGO相

芯片使能。当驱动为高电平，则两个输出变为低电平。

逻辑参考地

高端电源

高边驱动器输出

高压侧电压回销

低端电源。该电源提供电源

两路输出。电压范围为4.5 25V 。

低端驱动器输出

偏低的回报

18引脚的SOIC -CT

16引脚SOIC

IX6R11P7

IX6R11S6

2

IX6R11S3

IX6R11

绝对最大额定值

符号

V

CH

V

HS

V

HGO

V

CL

V

LGO

V

DD

V

DG

V

IN

dV

S

/ DT

P

D

P

D

R

thJA

R

thJC

T

J

T

S

T

L

德网络nition

高侧浮动电源电压

高侧浮动电源偏置电压

高侧浮动输出电压

低压侧电源电压

低侧输出电压

逻辑电源电压

逻辑电源电压偏移

逻辑输入电压（ HIN & LIN ）

允许的偏移电压瞬变

包装功耗@ T

A

≤

25C

(IX6R11S3/P7)

(IX6R11S6)

包装功耗@ T

C

≤

25℃ （ IX6R11S3 / P7 ）

(IX6R11S6)

热阻，结到环境（ IX6R11S3 / P7 ）

(IX6R11S6)

热阻，结到外壳

(IX6R11S3/P7)

(IX6R11S6)

结温

储存温度

焊接温度（焊接， 10秒）

-55

民

-25

V

CH

-200

V

HS

-.3

-0.3

V

LS

-3.8

V

SS

-.3

最大

650

V

CH

+.3

V

CH

+.3

35

V

CL

+.3

V

DG

+35

V

LS

+3.8

V

DD

+.3

50

1.25

1.4

2.5

31

100

90

50

4

150

300

单位

V

V / ns的

W

K / W

o

C

推荐工作条件

符号

V

CH

V

HS

V

HGO

V

CL

V

LGO

V

DD

V

DG

V

IN

T

A

德网络nition

民

高侧浮动电源绝对电压V

HS

+10

高侧浮动电源偏置电压

高侧浮动输出电压

低压侧电源电压

低侧输出电压

逻辑电源电压

逻辑电源电压VOFFSET

逻辑输入电压（ HIN ， LIN ，易霸）

环境温度

-20

V

HS

10

0

V

DG

+3

V

LS

-1

V

DG

-40

最大

V

HS

+20

650

V

CH

+20

20

V

CC

V

DG

+20

V

LS

+1

V

DD

125

单位

V

o

C

订购信息

产品型号

IX6R11P7

IX6R11S3

IX6R11S6

套餐类型

14引脚DIP

16引脚SOIC

18引脚的SOIC -CT

3

IX6R11

动态电气特性

符号

t

on

t

关闭

t

ENB

t

r

t

f

t

dm

符号

V

INH

V

INL

V

INH

V

INL

德网络nition

导通传播延迟

关断传播延迟

设备未启用延迟

开启上升时间

关断下降时间

延时匹配，HS & LS的开启/关闭

C

负载

=指2nF

C

负载

=指2nF

C

负载

=指2nF

测试条件

V

DD

= V

CL

= 15V

V

DD

= V

CL

= 15V

V

CL

= 15V

V

CL

= 15V

I

O

= 0A

I

O

= 0A

V

HS

= V

CH

= 600V

V

IN

= 0V或V

DD

V

IN

= 0V或V

DD

V

IN

= 0V或V

DD

V

IN

= V

DD

V

IN

= 0V

7.5

7

7.4

7

6

8.6

8.2

8.5

8.2

7

-7

-6

170

1

15

20

3

30

40

1

9.7

9.4

9.6

9.4

A

民

9.5

0

9.5

0

6

0.1

6

测试条件

V

HS

= 0V ，C

负载

=指2nF

V

HS

= 600V ，C

负载

=指2nF

民

典型值

120

94

110

25

17

10

最大

170

125

140

35

25

20

单位

ns

静态电气特性

德网络nition

逻辑“1”输入电压，显

逻辑“0”输入电压， LIN

不启用， ENB

NOTENABLE ， ENB

V

CH

-V

HGO

或V

CL

-V

LGO

V

LLGO /

/ V

LHGO

高电平输出电压

V

HGO

或V

LGO

I

HL

I

QHS

I

QLS

I

检疫侦缉犬

I

IN

+

I

IN

-

V

CHUV

+

V

CHUV

-

V

CLUV

+

V

CLUV

-

I

GO

+

I

GO

-

HS与LS偏置电流。

静态V

CH

电源电流

静态V

CL

电源电流

静态V

DD

电源电流

逻辑“1”的输入偏置电流

逻辑“0”输入电压

A

mA

uA

V

典型值

最大

单位

V

HLGO /

/ V

HHGO

高电平输出电压

V

CH

电源欠压正向阈值。

V

CH

电源欠压负门槛。

V

CL

电源欠压积极门槛

V

CL

电源欠压负门槛。

HS和LS低输出短路电流; V

GO

= 15V, V

IN

= 0V ， PW<10us

HS和LS低输出短路电流; V

GO

= 15V, V

IN

= 0V ， PW<10us

时序波形定义

ENB

HIN / LIN

ENB

LGO / HGO

图3.输入/ OUPUT时序图

4

LGO / HGO

50%

TENB

10%

图4.启用波形定义

IX6R11

时序波形定义

50%

HIN

LIN

50%

输入信号

90%

LGO

HGO

10%

TDM

LGO

HGO

开关时间Waforms图5.定义

输出信号

延迟匹配波形图6.定义

15V

U1

10

11

12

13

14

15

16

17

18

U2

15V

1

V1

18V

VIN

VOUT

3

HS

NC

VDD

HIN

ENB

LIN

DG

LS

VCH

HGO

HS

NC

LS

VCL

LGO

LS

9

8

7

6

5

4

3

2

1

+ C2

10uF

C5

0.1uF

HGO

HS

输出监视器

高压示波器探头

GND2

L1

200uH

+ C3

10uF

D1

DSEI12-10A

GND2

100uF/250V

+

C1

C6

0.1uF

GND1

DVS / DT > 50V / ns的

HV

600V

GND

GND1

15V

V3

电池

2

C8

0.1uF

C9

10uF

Q1

测量DVDT （ HV示波器探头）

D2

DSEI12-10A

BNC

脉冲

2

U3

VCC

16

OUT

2

U2

1,8

6,7

3

GND2

IXDD414

4,5

-600V

IXFP4N100Q

GND3

HCPL-314J

1/2

14

VEE

15

GND3

图7.测试电路允许的偏移电压瞬变。

5

IX6R11

6A半桥驱动器

特点

使用自举电源浮动高压侧驱动器

与低边驱动器电源一起。

充分运作，以650V

±

50V / ns的的dV / dt抗扰性

栅极驱动电源电压范围： 10 - 35V

欠压锁定为输出驱动器

独立的逻辑电源电压范围： 3.3V至V

CL

使用的优点和兼容性内置

CMOS和IXYS HDMOS的

TM

过程的

闭锁保护在整个

工作范围

高峰值输出电流： 6A

匹配的传播延迟为两个输出

低输出阻抗

低电源电流

免疫负电压瞬变

概述

该IX6R11桥驱动N沟道MOSFET和IGBT

具有高压侧和低压侧输出，其输入信号

引用偏低。高侧驱动器可控制

MOSFET或IGBT连接到正母线电压达

650V 。逻辑输入级与TTL兼容或

CMOS ，具有内置的滞后，而且完全不受锁

向上在整个工作范围内。该IX6R11能承受

在输出侧的dV / dt可达

±

50V/ns.

该IX6R11来无论是在14脚DIP封装

（ IX6R11P7 ），采用16引脚SOIC封装（ IX6R11S3 ）或18-

PIN码，热量可沉没， SOIC封装（ IX6R11S6 ）。

应用

驱动MOSFET和IGBT的半桥电路

高电压，高侧和低侧驱动器

电机控制

开关模式电源（ SMPS ）

DC到DC转换

D类开关放大器

警告： IX6R11是ESD敏感。

图1.典型的电路连接

IX6R11S6

99037C(08/04)

首次发行

IX6R11

图2 - IX6R11功能框图

VDD

VCH

低

HIN

DG

高

OUT

RST

IN

UVCC

检测

HS

隔离式高边

VCL

HS

VCH

HIN

4A栅极

司机

HGO

VDD

VCL

LIN

从低到高

方延迟

均衡器

和

关闭

逻辑

UVCC

检测

4A栅极

司机

LGO

ENB

DG

1

W

LS

引脚说明与配置

符号

VDD

HIN

LIN

ENB

DG

VCH

HGO

HS

VCL

LGO

LS

14引脚DIP

功能

逻辑电源

HS输入

LS输入

不启用

地

电源电压

产量

回报

电源电压

产量

地

描述

对于CMOS芯片的功能正电源

高侧输入信号， TTL或CMOS兼容; HGO相

低端输入信号， TTL或CMOS兼容; LGO相

芯片使能。当驱动为高电平，则两个输出变为低电平。

逻辑参考地

高端电源

高边驱动器输出

高压侧电压回销

低端电源。该电源提供电源

两路输出。电压范围为4.5 25V 。

低端驱动器输出

偏低的回报

18引脚的SOIC -CT

16引脚SOIC

IX6R11P7

IX6R11S6

2

IX6R11S3

IX6R11

绝对最大额定值

符号

V

CH

V

HS

V

HGO

V

CL

V

LGO

V

DD

V

DG

V

IN

dV

S

/ DT

P

D

P

D

R

thJA

R

thJC

T

J

T

S

T

L

德网络nition

高侧浮动电源电压

高侧浮动电源偏置电压

高侧浮动输出电压

低压侧电源电压

低侧输出电压

逻辑电源电压

逻辑电源电压偏移

逻辑输入电压（ HIN & LIN ）

允许的偏移电压瞬变

包装功耗@ T

A

≤

25C

(IX6R11S3/P7)

(IX6R11S6)

包装功耗@ T

C

≤

25℃ （ IX6R11S3 / P7 ）

(IX6R11S6)

热阻，结到环境（ IX6R11S3 / P7 ）

(IX6R11S6)

热阻，结到外壳

(IX6R11S3/P7)

(IX6R11S6)

结温

储存温度

焊接温度（焊接， 10秒）

-55

民

-25

V

CH

-200

V

HS

-.3

-0.3

V

LS

-3.8

V

SS

-.3

最大

650

V

CH

+.3

V

CH

+.3

35

V

CL

+.3

V

DG

+35

V

LS

+3.8

V

DD

+.3

50

1.25

1.4

2.5

31

100

90

50

4

150

300

单位

V

V / ns的

W

K / W

o

C

推荐工作条件

符号

V

CH

V

HS

V

HGO

V

CL

V

LGO

V

DD

V

DG

V

IN

T

A

德网络nition

民

高侧浮动电源绝对电压V

HS

+10

高侧浮动电源偏置电压

高侧浮动输出电压

低压侧电源电压

低侧输出电压

逻辑电源电压

逻辑电源电压VOFFSET

逻辑输入电压（ HIN ， LIN ，易霸）

环境温度

-20

V

HS

10

0

V

DG

+3

V

LS

-1

V

DG

-40

最大

V

HS

+20

650

V

CH

+20

20

V

CC

V

DG

+20

V

LS

+1

V

DD

125

单位

V

o

C

订购信息

产品型号

IX6R11P7

IX6R11S3

IX6R11S6

套餐类型

14引脚DIP

16引脚SOIC

18引脚的SOIC -CT

3

IX6R11

动态电气特性

符号

t

on

t

关闭

t

ENB

t

r

t

f

t

dm

符号

V

INH

V

INL

V

INH

V

INL

德网络nition

导通传播延迟

关断传播延迟

设备未启用延迟

开启上升时间

关断下降时间

延时匹配，HS & LS的开启/关闭

C

负载

=指2nF

C

负载

=指2nF

C

负载

=指2nF

测试条件

V

DD

= V

CL

= 15V

V

DD

= V

CL

= 15V

V

CL

= 15V

V

CL

= 15V

I

O

= 0A

I

O

= 0A

V

HS

= V

CH

= 600V

V

IN

= 0V或V

DD

V

IN

= 0V或V

DD

V

IN

= 0V或V

DD

V

IN

= V

DD

V

IN

= 0V

7.5

7

7.4

7

6

8.6

8.2

8.5

8.2

7

-7

-6

170

1

15

20

3

30

40

1

9.7

9.4

9.6

9.4

A

民

9.5

0

9.5

0

6

0.1

6

测试条件

V

HS

= 0V ，C

负载

=指2nF

V

HS

= 600V ，C

负载

=指2nF

民

典型值

120

94

110

25

17

10

最大

170

125

140

35

25

20

单位

ns

静态电气特性

德网络nition

逻辑“1”输入电压，显

逻辑“0”输入电压， LIN

不启用， ENB

NOTENABLE ， ENB

V

CH

-V

HGO

或V

CL

-V

LGO

V

LLGO /

/ V

LHGO

高电平输出电压

V

HGO

或V

LGO

I

HL

I

QHS

I

QLS

I

检疫侦缉犬

I

IN

+

I

IN

-

V

CHUV

+

V

CHUV

-

V

CLUV

+

V

CLUV

-

I

GO

+

I

GO

-

HS与LS偏置电流。

静态V

CH

电源电流

静态V

CL

电源电流

静态V

DD

电源电流

逻辑“1”的输入偏置电流

逻辑“0”输入电压

A

mA

uA

V

典型值

最大

单位

V

HLGO /

/ V

HHGO

高电平输出电压

V

CH

电源欠压正向阈值。

V

CH

电源欠压负门槛。

V

CL

电源欠压积极门槛

V

CL

电源欠压负门槛。

HS和LS低输出短路电流; V

GO

= 15V, V

IN

= 0V ， PW<10us

HS和LS低输出短路电流; V

GO

= 15V, V

IN

= 0V ， PW<10us

时序波形定义

ENB

HIN / LIN

ENB

LGO / HGO

图3.输入/ OUPUT时序图

4

LGO / HGO

50%

TENB

10%

图4.启用波形定义

IX6R11

时序波形定义

50%

HIN

LIN

50%

输入信号

90%

LGO

HGO

10%

TDM

LGO

HGO

开关时间Waforms图5.定义

输出信号

延迟匹配波形图6.定义

15V

U1

10

11

12

13

14

15

16

17

18

U2

15V

1

V1

18V

VIN

VOUT

3

HS

NC

VDD

HIN

ENB

LIN

DG

LS

VCH

HGO

HS

NC

LS

VCL

LGO

LS

9

8

7

6

5

4

3

2

1

+ C2

10uF

C5

0.1uF

HGO

HS

输出监视器

高压示波器探头

GND2

L1

200uH

+ C3

10uF

D1

DSEI12-10A

GND2

100uF/250V

+

C1

C6

0.1uF

GND1

DVS / DT > 50V / ns的

HV

600V

GND

GND1

15V

V3

电池

2

C8

0.1uF

C9

10uF

Q1

测量DVDT （ HV示波器探头）

D2

DSEI12-10A

BNC

脉冲

2

U3

VCC

16

OUT

2

U2

1,8

6,7

3

GND2

IXDD414

4,5

-600V

IXFP4N100Q

GND3

HCPL-314J

1/2

14

VEE

15

GND3

图7.测试电路允许的偏移电压瞬变。

5