技术参数
IW4516B
预置UP / DOWN COUNTER
高压硅栅CMOS
该IW4516B可预置二进制加/减计数器组成
4同步时钟D型触发器（与门控结构
提供的T型触发器的能力），连接作为计数器。这
计数器可以由一个高级别上的RESET线被清除，而且可
由一个高级别预置的果酱输入任何二进制数本
在可以预设路线。
如果进位输入为低电平时，计数器前进或
倒在每个正向时钟过渡。同步级联
通过连接所有的时钟输入并行完成，
搬出不太显著阶段的连接到
搬入一个更显著的舞台。
该IW4516B可以通过连接级联中的脉动模式
的进位输出到下一级的时钟。如果向上/向下
在终端计数输入的变化，进位必须是
门控时钟，并且向上/向下输入必须改变，而
时钟为高。这种方法提供了一个干净的时钟信号提供给
随后的计数阶段。
工作电压范围： 3.0 18 V
1最大输入电流
A
在18 V以上全包 -
温度范围内100 nA的在18 V和25℃
噪声容限（在整个封装温度范围） ：
1.0 V分钟@ 5.0 V电源
2.0 V分钟@ 10.0 V电源
2.5 V分钟@ 15.0 V电源
订购信息
IW4516BN塑料
IW4516BD SOIC
T
A
= -55 °至125°C的所有软件包
引脚分配
逻辑图
功能表
输入
CL
X
CI
H
L
L
X
PIN 16 = V
CC
PIN 8 = GND
X
X
X
U / D
X
H
L
X
X
PE
L
L
L
H
X
L
L
L
L
H
输出
模式
无计数
计数
算
下
预设
RESET
X =无关
157
IW4516B
最大额定值
*
符号
V
CC
V
IN
V
OUT
I
IN
P
D
P
D
TSTG
T
L
*
参数
直流电源电压（参考GND）
DC输入电压（参考GND）
DC输出电压（参考GND）
DC输入电流，每个引脚
在静止空气中，塑料DIP功耗+
SOIC封装+
每个输出晶体管功耗
储存温度
焊接温度1毫米的表壳，持续10秒
（塑料DIP或SOIC封装）
价值
-0.5至+20
-0.5到V
CC
+0.5
-0.5到V
CC
+0.5
±10
750
500
100
-65到+150
260
单位
V
V
V
mA
mW
mW
°C
°C
最大额定值超出这可能会损坏设备的价值。
功能操作应仅限于推荐工作条件。
+降额 - 塑料DIP ： - 10毫瓦/°C， 65 °至125°C
SOIC封装： - 7毫瓦/°C， 65 °至125°C
推荐工作条件
符号
V
CC
V
IN
, V
OUT
T
A
参数
直流电源电压（参考GND）
直流输入电压，输出电压（参考GND）
工作温度，所有封装类型
民
3.0
0
-55
最大
18
V
CC
+125
单位
V
V
°C
该器件包含保护电路，以防止损坏，由于高静电压或电
场。但是，必须采取预防措施，以避免超过最大额定更高的任何电压的应用
电压为这个高阻抗电路。为了正常工作，V
IN
和V
OUT
应限制到范围
GND≤ （V
IN
或V
OUT
)≤V
CC
.
未使用的输入必须始终连接到一个适当的逻辑电平（例如， GND或V
CC
).
未使用的输出必须悬空。
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技术参数
IW4516B
预置UP / DOWN COUNTER
高压硅栅CMOS
该IW4516B可预置二进制加/减计数器组成
4同步时钟D型触发器（与门控结构
提供的T型触发器的能力），连接作为计数器。这
计数器可以由一个高级别上的RESET线被清除，而且可
由一个高级别预置的果酱输入任何二进制数本
在可以预设路线。
如果进位输入为低电平时，计数器前进或
倒在每个正向时钟过渡。同步级联
通过连接所有的时钟输入并行完成，
搬出不太显著阶段的连接到
搬入一个更显著的舞台。
该IW4516B可以通过连接级联中的脉动模式
的进位输出到下一级的时钟。如果向上/向下
在终端计数输入的变化，进位必须是
门控时钟，并且向上/向下输入必须改变，而
时钟为高。这种方法提供了一个干净的时钟信号提供给
随后的计数阶段。
工作电压范围： 3.0 18 V
1最大输入电流
A
在18 V以上全包 -
温度范围内100 nA的在18 V和25℃
噪声容限（在整个封装温度范围） ：
1.0 V分钟@ 5.0 V电源
2.0 V分钟@ 10.0 V电源
2.5 V分钟@ 15.0 V电源
订购信息
IW4516BN塑料
IW4516BD SOIC
T
A
= -55 °至125°C的所有软件包
引脚分配
逻辑图
功能表
输入
CL
X
CI
H
L
L
X
PIN 16 = V
CC
PIN 8 = GND
X
X
X
U / D
X
H
L
X
X
PE
L
L
L
H
X
L
L
L
L
H
输出
模式
无计数
计数
算
下
预设
RESET
X =无关
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IW4516B
最大额定值
*
符号
V
CC
V
IN
V
OUT
I
IN
P
D
P
D
TSTG
T
L
*
参数
直流电源电压（参考GND）
DC输入电压（参考GND）
DC输出电压（参考GND）
DC输入电流，每个引脚
在静止空气中，塑料DIP功耗+
SOIC封装+
每个输出晶体管功耗
储存温度
焊接温度1毫米的表壳，持续10秒
（塑料DIP或SOIC封装）
价值
-0.5至+20
-0.5到V
CC
+0.5
-0.5到V
CC
+0.5
±10
750
500
100
-65到+150
260
单位
V
V
V
mA
mW
mW
°C
°C
最大额定值超出这可能会损坏设备的价值。
功能操作应仅限于推荐工作条件。
+降额 - 塑料DIP ： - 10毫瓦/°C， 65 °至125°C
SOIC封装： - 7毫瓦/°C， 65 °至125°C
推荐工作条件
符号
V
CC
V
IN
, V
OUT
T
A
参数
直流电源电压（参考GND）
直流输入电压，输出电压（参考GND）
工作温度，所有封装类型
民
3.0
0
-55
最大
18
V
CC
+125
单位
V
V
°C
该器件包含保护电路，以防止损坏，由于高静电压或电
场。但是，必须采取预防措施，以避免超过最大额定更高的任何电压的应用
电压为这个高阻抗电路。为了正常工作，V
IN
和V
OUT
应限制到范围
GND≤ （V
IN
或V
OUT
)≤V
CC
.
未使用的输入必须始终连接到一个适当的逻辑电平（例如， GND或V
CC
).
未使用的输出必须悬空。
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