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位置:首页 > IC型号导航 > 首字符I型号页 > 首字符I的型号第32页 > IW4069UBN
技术参数
IW4069UB
六反相器
高压硅栅CMOS
该IW4069UB类型包含六反相器电路。这些设备是
适用于所有通用变频器应用中的中
这种电路的功率TTL驱动和逻辑电平转换功能
作为IW4049UB六反相器/缓冲器不是必需的。每个六
逆变器是一个单级
工作电压范围: 3.0 18 V
1最大输入电流
μA
在18 V以上全包温
范围; 100 nA的18 V 25℃
噪声容限(在整个封装温度范围) :
0.5 V分钟@ 5.0 V电源
1.0 V分钟@ 10.0 V电源
1.5 V分钟@ 15.0 V电源
订购信息
IW4069UBN塑料
IW4069UBD SOIC
T
A
= -55 °至125°C的所有软件包
逻辑图
引脚分配
功能表
输入
A
L
H
引脚14 = V
CC
PIN 7 = GND
产量
Y
H
L
L =低电压等级
H =高电压等级
启示录00
IW4069UB
最大额定值
*
符号
V
CC
V
IN
I
IN
P
D
P合计
TSTG
T
L
*
参数
直流电源电压(参考GND)
DC输入电压(参考GND)
DC输入电流,每个引脚
在静止空气中,塑料DIP功耗+
SOIC封装+
每个输出晶体管功耗
储存温度
焊接温度1毫米的表壳,持续10秒
(塑料DIP或SOIC封装)
价值
-0.5至+20
-0.5到V
CC
+0.5
±10
500
500
100
-65到+150
260
单位
V
V
mA
mW
mW
°C
°C
最大额定值超出这可能会损坏设备的价值。
功能操作应仅限于推荐工作条件。
+降额 - 塑料DIP : - 12毫瓦/°C, 100°至125°C
SOIC封装: - 7毫瓦/°C, 65 °至125°C
推荐工作条件
符号
V
CC
V
IN
, V
OUT
T
A
参数
直流电源电压(参考GND)
直流输入电压,输出电压(参考GND)
工作温度,所有封装类型
3.0
0
-55
最大
18
V
CC
+125
单位
V
V
°C
该器件包含保护电路,以防止损坏防范因高静态电压或电场。
然而,必须采取预防措施,以避免任何电压的应用中高于最大额定电压至该
高阻抗电路。为了正常工作,V
IN
和V
OUT
应限制到范围GND≤ (Ⅴ
IN
or
V
OUT
)≤V
CC
.
未使用的输入必须始终连接到一个适当的逻辑电平(例如, GND或V
CC
) 。未使用
输出必须保持打开状态。
启示录00
IW4069UB
DC电气特性
(电压参考GND)
V
CC
符号
V
IH
参数
最小高级别
输入电压
最大的低 -
电平输入电压
最小高级别
输出电压
最底层
输出电压
最大输入
漏电流
最大静态
电源电流
(每包)
最小输出
低(漏)电流
测试条件
V
OUT
=0.5V
V
OUT
=1.0 V
V
OUT
=1.5V
V
OUT
= V
CC
- 0.5 V
V
OUT
= V
CC
- 1 V
V
OUT
= V
CC
- 1.5 V
V
IN
= GND
V
5.0
10
15
5.0
10
15
5.0
10
15
5.0
10
15
18
5.0
10
15
20
5.0
10
15
5.0
5.0
10
15
保证限额
≥-55°C
4.0
8.0
12.5
1.0
2.0
2.5
4.95
9.95
14.95
0.05
0.05
0.05
±0.1
0.25
0.5
1.0
5.0
0.64
1.6
4.2
-2.0
-0.64
-1.6
-4.2
25°C
4.0
8.0
12.5
1.0
2.0
2.5
4.95
9.95
14.95
0.05
0.05
0.05
±0.1
0.25
0.5
1.0
5.0
0.51
1.3
3.4
-1.6
-0.51
-1.3
-3.4
≤125
°C
4.0
8.0
12.5
1.0
2.0
2.5
4.95
9.95
14.95
0.05
0.05
0.05
±1.0
7.5
15
30
150
0.36
0.9
2.4
mA
-1.15
-0.36
-0.9
-2.4
单位
V
V
IL
V
V
OH
V
V
OL
V
IN
= V
CC
V
I
IN
I
CC
V
IN
= GND或V
CC
V
IN
= GND或V
CC
μA
μA
I
OL
V
IN
= GND或V
CC
U
OL
=0.4 V
U
OL
=0.5 V
U
OL
=1.5 V
mA
I
OH
最小输出
V
IN
= GND或V
CC
高(资料来源)流U
OH
=2.5 V
U
OH
=4.6 V
U
OH
=9.5 V
U
OH
=13.5 V
启示录00
IW4069UB
AC电气特性
(C
L
= 50pF的,R
L
= 200kΩ的,输入吨
r
=t
f
= 20纳秒)
V
CC
符号
t
PLH
, t
PHL
参数
最大传输延迟,输入A的
输出Y (图1)
最大输出转换时间,任何输出
(图1)
最大输入电容
V
5.0
10
15
5.0
10
15
-
110
60
50
200
100
80
保证限额
≥-55°C
25°C
110
60
50
200
100
80
15
≤125°C
110
80
80
200
100
80
单位
ns
t
TLH
, t
THL
ns
C
IN
pF
图1.开关波形
膨胀逻辑图
(该设备的1/6 )
启示录00
IW4069UB
后缀塑料DIP
( MS - 001AA )
A
14
8
B
1
7
外形尺寸,毫米
符号
A
B
C
18.67
6.1
最大
19.69
7.11
5.33
0.36
1.14
2.54
7.62
2.92
7.62
0.2
0.38
10°
3.81
8.26
0.36
0.56
1.78
F
L
D
F
C
-T-
座位
N
G
D
0.25 ( 0.010 )M牛逼
K
飞机
G
H
H
J
M
J
K
L
M
N
注意事项:
1.尺寸“A” , “B”不包括塑模毛边或突起。
最大塑模毛边或每边突起0.25毫米( 0.010 ) 。
后缀SOIC
( MS - 012AB )
外形尺寸,毫米
8
A
14
符号
A
8.55
3.8
1.35
0.33
0.4
1.27
5.27
0.1
0.19
5.8
0.25
最大
8.75
4
1.75
0.51
1.27
H
B
P
B
C
1
G
7
C
×45
D
F
G
-T-
D
0.25 ( 0.010 )M牛逼C M
K
座位
飞机
H
J
F
M
J
K
M
P
R
0.25
0.25
6.2
0.5
注意事项:
1.尺寸A和B不包括塑模毛边或突起。
2.最大塑模毛边或突起0.15每边毫米( 0.006 )
为A;对于B
0.25毫米( 0.010 ),每边。
启示录00
IW4069UB
H
EX
I
NVERTER
高压硅栅CMOS
该IW4069UB类型包含六反相器电路。这些
设备适用于所有通用型变频器的应用
其中,中功率TTL驱动器和逻辑电平转换
电路,诸如IW4049UB六角反相器/缓冲器的功能
不是必需的。每六个反相器是一个单级
工作电压范围: 3.0 18 V
1最大输入电流
A
在18 V以上全包 -
温度范围内100 nA的在18 V和25℃
噪声容限(在整个封装温度范围) :
0.5 V分钟@ 5.0 V电源
1.0 V分钟@ 10.0 V电源
1.0 V分钟@ 15.0 V电源
订购信息
IW4069UBN塑料
IW4069UBD SOIC
T
A
= -55 °至125 ℃下进行所有
套餐
逻辑图
引脚分配
引脚14 = V
CC
PIN 7 = GND
功能表
输入
产量
A
Y
L
H
H
L
1
IW4069UB
最大额定值
*
符号
参数
价值
单位
V
CC
直流电源电压(参考GND)
-0.5至+20
V
V
IN
DC输入电压(参考GND)
-0.5到V
CC
+0.5
V
V
OUT
DC输出电压(参考GND)
-0.5到V
CC
+0.5
V
I
IN
DC输入电流,每个引脚
mA
±10
P
D
在静止空气中,塑料DIP功耗+
750
mW
SOIC封装+
500
P
D
每1输出晶体管R耗散
100
mW
TSTG
储存温度
-65到+150
°C
260
T
L
焊接温度1毫米案例10
°C
(塑料DIP或SOIC封装)
*
最大额定值超出这可能会损坏设备的价值。
功能操作应仅限于推荐工作条件。
+降额 - 塑料DIP : - 10毫瓦/°C, 65 °至125°C
SOIC封装: - 7毫瓦/°C, 65 °至125°C
推荐工作条件
符号
参数
V
CC
直流电源电压(参考GND)
V
IN
, V
OUT
直流输入电压,输出电压(参照
GND )
T
A
工作温度,所有封装类型
3.0
0
-55
最大
18
V
CC
+125
单位
V
V
°C
该器件包含保护电路,以防止损坏,由于高静
电压或电场。然而,必须采取预防措施,以避免任何电压的应用
超过最大额定电压,这个高阻抗电路更高。为了正常工作,V
IN
V
OUT
应限制到范围GND≤ (Ⅴ
IN
或V
OUT
)≤V
CC
.
未使用的输入必须始终连接到一个适当的逻辑电平(例如, GND或
V
CC
) 。未使用的输出必须悬空。
2
IW4069UB
DC电气特性(电压
参考GND )
保证限额
V
CC
符号
参数
测试条件
V
≥-55°C
25°C
≤125
°C
4
4
4
5.0
V
IH
最低
高V
OUT
=0.5V
8
8
8
10
水平
输入V
OUT
=1.0 V
12.5 12.5
12.5
15
电压
V
OUT
=1.5V
1
1
1
5.0
V
IL
最大低 - V
OUT
= V
CC
- 0.5 V
2
2
2
10
水平
输入V
OUT
= V
CC
- 1 V
2.5
2.5
2.5
15
电压
V
OUT
= V
CC
- 1.5 V
4.95 4.95
4.95
V
OH
最低
高V
IN
= GND
5.0
9.95 9.95
9.95
水平
产量
10
电压
15 14.95 14.95 14.9
5
0.05 0.05
0.05
V
OL
最大
低V
IN
= V
CC
5.0
0.05 0.05
0.05
水平
产量
10
0.05 0.05
0.05
电压
15
I
IN
最大
输入V
IN
= GND或V
CC
18
±0.1
±0.1 ±1.0
漏电流
7.5
0.25
V
IN
= GND或V
CC
0.25
I
CC
最大
5.0
15
0.5
0.5
静态电源
10
30
1.0
1.0
当前
15
150
5.0
5.0
(每包)
20
I
OL
最小输出V
IN
= GND或V
CC
0.51 0.36
0.64
(水槽)U
OL
=0.4 V
5.0
0.9
1.3
1.6
当前
10
U
OL
=0.5 V
2.4
3.4
4.2
15
U
OL
=1.5 V
I
OH
最小输出V
IN
= GND或V
CC
-1.6 -1.15
-2.0
5.0
(来源)U
OH
=2.5 V
5.0 -0.64 -0.51 -0.36
当前
U
OH
=4.6 V
-0.9
-1.3
-1.6
10
U
OH
=9.5 V
-2.4
-3.4
-4.2
15
U
OH
=13.5 V
单位
V
V
V
V
A
A
mA
mA
3
IW4069UB
AC电气特性(C
L
= 50pF的,R
L
= 200kΩ的,输入吨
r
=t
f
= 20纳秒)
保证限额
V
CC
符号
参数
V
≥-55
25°C
≤125
°C
°C
220
110
110
t
PLH
,
最大传输延迟,输入A至5.0
120
60
60
t
PHL
输出Y (图1)
10
100
50
50
15
400
200
200
t
TLH
, t
THL
最大输出转换时间,任何5.0
200
100
100
输出(图1)
10
160
80
80
15
C
IN
最大输入电容
-
15
单位
ns
ns
pF
图1.开关波形
膨胀逻辑图
(该设备的1/6 )
4
技术参数
IW4069UB
六反相器
高压硅栅CMOS
该IW4069UB类型包含六反相器电路。这些设备
适用于所有的通用逆变器应用中的
中功率TTL驱动和逻辑电平转换功能
电路如IW4049UB六反相器/缓冲器不是必需的。
每六个反相器是一个单级
工作电压范围: 3.0 18 V
1最大输入电流
A
在18 V以上全包 -
温度范围内100 nA的在18 V和25℃
噪声容限(在整个封装温度范围) :
0.5 V分钟@ 5.0 V电源
1.0 V分钟@ 10.0 V电源
1.0 V分钟@ 15.0 V电源
订购信息
IW4069UBN塑料
IW4069UBD SOIC
T
A
= -55 °至125°C的所有软件包
逻辑图
引脚分配
功能表
输入
A
L
H
引脚14 = V
CC
PIN 7 = GND
产量
Y
H
L
126
IW4069UB
最大额定值
*
符号
V
CC
V
IN
V
OUT
I
IN
P
D
P
D
TSTG
T
L
*
参数
直流电源电压(参考GND)
DC输入电压(参考GND)
DC输出电压(参考GND)
DC输入电流,每个引脚
在静止空气中,塑料DIP功耗+
SOIC封装+
每个输出晶体管功耗
储存温度
焊接温度1毫米的表壳,持续10秒
(塑料DIP或SOIC封装)
价值
-0.5至+20
-0.5到V
CC
+0.5
-0.5到V
CC
+0.5
±10
750
500
100
-65到+150
260
单位
V
V
V
mA
mW
mW
°C
°C
最大额定值超出这可能会损坏设备的价值。
功能操作应仅限于推荐工作条件。
+降额 - 塑料DIP : - 10毫瓦/°C, 65 °至125°C
SOIC封装: - 7毫瓦/°C, 65 °至125°C
推荐工作条件
符号
V
CC
V
IN
, V
OUT
T
A
参数
直流电源电压(参考GND)
直流输入电压,输出电压(参考GND)
工作温度,所有封装类型
3.0
0
-55
最大
18
V
CC
+125
单位
V
V
°C
该器件包含保护电路,以防止损坏,由于高静电压或电
场。但是,必须采取预防措施,以避免超过最大额定更高的任何电压的应用
电压为这个高阻抗电路。为了正常工作,V
IN
和V
OUT
应限制到范围
GND≤ (V
IN
或V
OUT
)≤V
CC
.
未使用的输入必须始终连接到一个适当的逻辑电平(例如, GND或V
CC
).
未使用的输出必须悬空。
127
IW4069UB
DC电气特性
(电压参考GND)
V
CC
符号
V
IH
参数
最小高级别
输入电压
测试条件
V
OUT
=0.5V
V
OUT
=1.0 V
V
OUT
=1.5V
V
5.0
10
15
5.0
10
15
5.0
10
15
5.0
10
15
18
5.0
10
15
20
5.0
10
15
5.0
5.0
10
15
保证限额
≥-55°C
4
8
12.5
1
2
2.5
4.95
9.95
14.95
0.05
0.05
0.05
±0.1
0.25
0.5
1.0
5.0
0.64
1.6
4.2
-2.0
-0.64
-1.6
-4.2
25°C
4
8
12.5
1
2
2.5
4.95
9.95
14.95
0.05
0.05
0.05
±0.1
0.25
0.5
1.0
5.0
0.51
1.3
3.4
-1.6
-0.51
-1.3
-3.4
≤125
°C
4
8
12.5
1
2
2.5
4.95
9.95
14.95
0.05
0.05
0.05
±1.0
7.5
15
30
150
0.36
0.9
2.4
mA
-1.15
-0.36
-0.9
-2.4
单位
V
V
IL
最大的低-Level V
OUT
= V
CC
- 0.5 V
输入电压
V
OUT
= V
CC
- 1 V
V
OUT
= V
CC
- 1.5 V
最小高级别
输出电压
最底层
输出电压
最大输入
漏电流
最大静态
电源电流
(每包)
V
IN
= GND
V
V
OH
V
V
OL
V
IN
= V
CC
V
I
IN
I
CC
V
IN
= GND或V
CC
V
IN
= GND或V
CC
A
A
I
OL
最小输出低V
IN
= GND或V
CC
(漏)电流
U
OL
=0.4 V
U
OL
=0.5 V
U
OL
=1.5 V
最小输出
V
IN
= GND或V
CC
高(资料来源)流U
OH
=2.5 V
U
OH
=4.6 V
U
OH
=9.5 V
U
OH
=13.5 V
mA
I
OH
128
IW4069UB
AC电气特性
(C
L
= 50pF的,R
L
= 200kΩ的,输入吨
r
=t
f
= 20纳秒)
V
CC
符号
t
PLH
, t
PHL
参数
最大传输延迟,输入A到输出
Y(图1)
最大输出转换时间,任何输出
(图1)
最大输入电容
V
5.0
10
15
5.0
10
15
-
110
60
50
200
100
80
保证限额
≥-55°C
25°C
110
60
50
200
100
80
15
≤125°C
220
120
100
400
200
160
单位
ns
t
TLH
, t
THL
ns
C
IN
pF
图1.开关波形
膨胀逻辑图
(该设备的1/6 )
129
技术参数
IW4069UB
六反相器
高压硅栅CMOS
该IW4069UB类型包含六反相器电路。这些设备
适用于所有的通用逆变器应用中的
中功率TTL驱动和逻辑电平转换功能
电路如IW4049UB六反相器/缓冲器不是必需的。
每六个反相器是一个单级
工作电压范围: 3.0 18 V
1最大输入电流
A
在18 V以上全包 -
温度范围内100 nA的在18 V和25℃
噪声容限(在整个封装温度范围) :
0.5 V分钟@ 5.0 V电源
1.0 V分钟@ 10.0 V电源
1.0 V分钟@ 15.0 V电源
订购信息
IW4069UBN塑料
IW4069UBD SOIC
T
A
= -55 °至125°C的所有软件包
逻辑图
引脚分配
功能表
输入
A
L
H
引脚14 = V
CC
PIN 7 = GND
产量
Y
H
L
126
IW4069UB
最大额定值
*
符号
V
CC
V
IN
V
OUT
I
IN
P
D
P
D
TSTG
T
L
*
参数
直流电源电压(参考GND)
DC输入电压(参考GND)
DC输出电压(参考GND)
DC输入电流,每个引脚
在静止空气中,塑料DIP功耗+
SOIC封装+
每个输出晶体管功耗
储存温度
焊接温度1毫米的表壳,持续10秒
(塑料DIP或SOIC封装)
价值
-0.5至+20
-0.5到V
CC
+0.5
-0.5到V
CC
+0.5
±10
750
500
100
-65到+150
260
单位
V
V
V
mA
mW
mW
°C
°C
最大额定值超出这可能会损坏设备的价值。
功能操作应仅限于推荐工作条件。
+降额 - 塑料DIP : - 10毫瓦/°C, 65 °至125°C
SOIC封装: - 7毫瓦/°C, 65 °至125°C
推荐工作条件
符号
V
CC
V
IN
, V
OUT
T
A
参数
直流电源电压(参考GND)
直流输入电压,输出电压(参考GND)
工作温度,所有封装类型
3.0
0
-55
最大
18
V
CC
+125
单位
V
V
°C
该器件包含保护电路,以防止损坏,由于高静电压或电
场。但是,必须采取预防措施,以避免超过最大额定更高的任何电压的应用
电压为这个高阻抗电路。为了正常工作,V
IN
和V
OUT
应限制到范围
GND≤ (V
IN
或V
OUT
)≤V
CC
.
未使用的输入必须始终连接到一个适当的逻辑电平(例如, GND或V
CC
).
未使用的输出必须悬空。
127
IW4069UB
DC电气特性
(电压参考GND)
V
CC
符号
V
IH
参数
最小高级别
输入电压
测试条件
V
OUT
=0.5V
V
OUT
=1.0 V
V
OUT
=1.5V
V
5.0
10
15
5.0
10
15
5.0
10
15
5.0
10
15
18
5.0
10
15
20
5.0
10
15
5.0
5.0
10
15
保证限额
≥-55°C
4
8
12.5
1
2
2.5
4.95
9.95
14.95
0.05
0.05
0.05
±0.1
0.25
0.5
1.0
5.0
0.64
1.6
4.2
-2.0
-0.64
-1.6
-4.2
25°C
4
8
12.5
1
2
2.5
4.95
9.95
14.95
0.05
0.05
0.05
±0.1
0.25
0.5
1.0
5.0
0.51
1.3
3.4
-1.6
-0.51
-1.3
-3.4
≤125
°C
4
8
12.5
1
2
2.5
4.95
9.95
14.95
0.05
0.05
0.05
±1.0
7.5
15
30
150
0.36
0.9
2.4
mA
-1.15
-0.36
-0.9
-2.4
单位
V
V
IL
最大的低-Level V
OUT
= V
CC
- 0.5 V
输入电压
V
OUT
= V
CC
- 1 V
V
OUT
= V
CC
- 1.5 V
最小高级别
输出电压
最底层
输出电压
最大输入
漏电流
最大静态
电源电流
(每包)
V
IN
= GND
V
V
OH
V
V
OL
V
IN
= V
CC
V
I
IN
I
CC
V
IN
= GND或V
CC
V
IN
= GND或V
CC
A
A
I
OL
最小输出低V
IN
= GND或V
CC
(漏)电流
U
OL
=0.4 V
U
OL
=0.5 V
U
OL
=1.5 V
最小输出
V
IN
= GND或V
CC
高(资料来源)流U
OH
=2.5 V
U
OH
=4.6 V
U
OH
=9.5 V
U
OH
=13.5 V
mA
I
OH
128
IW4069UB
AC电气特性
(C
L
= 50pF的,R
L
= 200kΩ的,输入吨
r
=t
f
= 20纳秒)
V
CC
符号
t
PLH
, t
PHL
参数
最大传输延迟,输入A到输出
Y(图1)
最大输出转换时间,任何输出
(图1)
最大输入电容
V
5.0
10
15
5.0
10
15
-
110
60
50
200
100
80
保证限额
≥-55°C
25°C
110
60
50
200
100
80
15
≤125°C
220
120
100
400
200
160
单位
ns
t
TLH
, t
THL
ns
C
IN
pF
图1.开关波形
膨胀逻辑图
(该设备的1/6 )
129
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