技术参数
IW4069UB
六反相器
高压硅栅CMOS
该IW4069UB类型包含六反相器电路。这些设备是
适用于所有通用变频器应用中的中
这种电路的功率TTL驱动和逻辑电平转换功能
作为IW4049UB六反相器/缓冲器不是必需的。每个六
逆变器是一个单级
工作电压范围： 3.0 18 V
1最大输入电流
μA
在18 V以上全包温
范围; 100 nA的18 V 25℃
噪声容限（在整个封装温度范围） ：
0.5 V分钟@ 5.0 V电源
1.0 V分钟@ 10.0 V电源
1.5 V分钟@ 15.0 V电源
订购信息
IW4069UBN塑料
IW4069UBD SOIC
T
A
= -55 °至125°C的所有软件包
逻辑图
引脚分配
功能表
输入
A
L
H
引脚14 = V
CC
PIN 7 = GND
产量
Y
H
L
L =低电压等级
H =高电压等级
启示录00
IW4069UB
最大额定值
*
符号
V
CC
V
IN
I
IN
P
D
P合计
TSTG
T
L
*
参数
直流电源电压（参考GND）
DC输入电压（参考GND）
DC输入电流，每个引脚
在静止空气中，塑料DIP功耗+
SOIC封装+
每个输出晶体管功耗
储存温度
焊接温度1毫米的表壳，持续10秒
（塑料DIP或SOIC封装）
价值
-0.5至+20
-0.5到V
CC
+0.5
±10
500
500
100
-65到+150
260
单位
V
V
mA
mW
mW
°C
°C
最大额定值超出这可能会损坏设备的价值。
功能操作应仅限于推荐工作条件。
+降额 - 塑料DIP ： - 12毫瓦/°C， 100°至125°C
SOIC封装： - 7毫瓦/°C， 65 °至125°C
推荐工作条件
符号
V
CC
V
IN
, V
OUT
T
A
参数
直流电源电压（参考GND）
直流输入电压，输出电压（参考GND）
工作温度，所有封装类型
民
3.0
0
-55
最大
18
V
CC
+125
单位
V
V
°C
该器件包含保护电路，以防止损坏防范因高静态电压或电场。
然而，必须采取预防措施，以避免任何电压的应用中高于最大额定电压至该
高阻抗电路。为了正常工作，V
IN
和V
OUT
应限制到范围GND≤ （Ⅴ
IN
or
V
OUT
)≤V
CC
.
未使用的输入必须始终连接到一个适当的逻辑电平（例如， GND或V
CC
） 。未使用
输出必须保持打开状态。
启示录00
IW4069UB
后缀塑料DIP
（ MS - 001AA ）
A
14
8
B
1
7
外形尺寸，毫米
符号
A
B
C
民
18.67
6.1
最大
19.69
7.11
5.33
0.36
1.14
2.54
7.62
0°
2.92
7.62
0.2
0.38
10°
3.81
8.26
0.36
0.56
1.78
F
L
D
F
C
-T-
座位
N
G
D
0.25 （ 0.010 ）M牛逼
K
飞机
G
H
H
J
M
J
K
L
M
N
注意事项：
1.尺寸“A” ， “B”不包括塑模毛边或突起。
最大塑模毛边或每边突起0.25毫米（ 0.010 ） 。
后缀SOIC
（ MS - 012AB ）
外形尺寸，毫米
8
A
14
符号
A
民
8.55
3.8
1.35
0.33
0.4
1.27
5.27
0°
0.1
0.19
5.8
0.25
最大
8.75
4
1.75
0.51
1.27
H
B
P
B
C
1
G
7
C
×45
D
F
G
-T-
D
0.25 （ 0.010 ）M牛逼C M
K
座位
飞机
H
J
F
M
J
K
M
P
R
8°
0.25
0.25
6.2
0.5
注意事项：
1.尺寸A和B不包括塑模毛边或突起。
2.最大塑模毛边或突起0.15每边毫米（ 0.006 ）
为A;对于B
0.25毫米（ 0.010 ），每边。
启示录00
IW4069UB
H
EX
I
NVERTER
高压硅栅CMOS
该IW4069UB类型包含六反相器电路。这些
设备适用于所有通用型变频器的应用
其中，中功率TTL驱动器和逻辑电平转换
电路，诸如IW4049UB六角反相器/缓冲器的功能
不是必需的。每六个反相器是一个单级
工作电压范围： 3.0 18 V
1最大输入电流
A
在18 V以上全包 -
温度范围内100 nA的在18 V和25℃
噪声容限（在整个封装温度范围） ：
0.5 V分钟@ 5.0 V电源
1.0 V分钟@ 10.0 V电源
1.0 V分钟@ 15.0 V电源
订购信息
IW4069UBN塑料
IW4069UBD SOIC
T
A
= -55 °至125 ℃下进行所有
套餐
逻辑图
引脚分配
引脚14 = V
CC
PIN 7 = GND
功能表
输入
产量
A
Y
L
H
H
L
1
IW4069UB
最大额定值
*
符号
参数
价值
单位
V
CC
直流电源电压（参考GND）
-0.5至+20
V
V
IN
DC输入电压（参考GND）
-0.5到V
CC
+0.5
V
V
OUT
DC输出电压（参考GND）
-0.5到V
CC
+0.5
V
I
IN
DC输入电流，每个引脚
mA
±10
P
D
在静止空气中，塑料DIP功耗+
750
mW
SOIC封装+
500
P
D
每1输出晶体管R耗散
100
mW
TSTG
储存温度
-65到+150
°C
260
T
L
焊接温度1毫米案例10
°C
秒
（塑料DIP或SOIC封装）
*
最大额定值超出这可能会损坏设备的价值。
功能操作应仅限于推荐工作条件。
+降额 - 塑料DIP ： - 10毫瓦/°C， 65 °至125°C
SOIC封装： - 7毫瓦/°C， 65 °至125°C
推荐工作条件
符号
参数
V
CC
直流电源电压（参考GND）
V
IN
, V
OUT
直流输入电压，输出电压（参照
GND ）
T
A
工作温度，所有封装类型
民
3.0
0
-55
最大
18
V
CC
+125
单位
V
V
°C
该器件包含保护电路，以防止损坏，由于高静
电压或电场。然而，必须采取预防措施，以避免任何电压的应用
超过最大额定电压，这个高阻抗电路更高。为了正常工作，V
IN
和
V
OUT
应限制到范围GND≤ （Ⅴ
IN
或V
OUT
)≤V
CC
.
未使用的输入必须始终连接到一个适当的逻辑电平（例如， GND或
V
CC
） 。未使用的输出必须悬空。
2
技术参数
IW4069UB
六反相器
高压硅栅CMOS
该IW4069UB类型包含六反相器电路。这些设备
适用于所有的通用逆变器应用中的
中功率TTL驱动和逻辑电平转换功能
电路如IW4049UB六反相器/缓冲器不是必需的。
每六个反相器是一个单级
工作电压范围： 3.0 18 V
1最大输入电流
A
在18 V以上全包 -
温度范围内100 nA的在18 V和25℃
噪声容限（在整个封装温度范围） ：
0.5 V分钟@ 5.0 V电源
1.0 V分钟@ 10.0 V电源
1.0 V分钟@ 15.0 V电源
订购信息
IW4069UBN塑料
IW4069UBD SOIC
T
A
= -55 °至125°C的所有软件包
逻辑图
引脚分配
功能表
输入
A
L
H
引脚14 = V
CC
PIN 7 = GND
产量
Y
H
L
126
IW4069UB
最大额定值
*
符号
V
CC
V
IN
V
OUT
I
IN
P
D
P
D
TSTG
T
L
*
参数
直流电源电压（参考GND）
DC输入电压（参考GND）
DC输出电压（参考GND）
DC输入电流，每个引脚
在静止空气中，塑料DIP功耗+
SOIC封装+
每个输出晶体管功耗
储存温度
焊接温度1毫米的表壳，持续10秒
（塑料DIP或SOIC封装）
价值
-0.5至+20
-0.5到V
CC
+0.5
-0.5到V
CC
+0.5
±10
750
500
100
-65到+150
260
单位
V
V
V
mA
mW
mW
°C
°C
最大额定值超出这可能会损坏设备的价值。
功能操作应仅限于推荐工作条件。
+降额 - 塑料DIP ： - 10毫瓦/°C， 65 °至125°C
SOIC封装： - 7毫瓦/°C， 65 °至125°C
推荐工作条件
符号
V
CC
V
IN
, V
OUT
T
A
参数
直流电源电压（参考GND）
直流输入电压，输出电压（参考GND）
工作温度，所有封装类型
民
3.0
0
-55
最大
18
V
CC
+125
单位
V
V
°C
该器件包含保护电路，以防止损坏，由于高静电压或电
场。但是，必须采取预防措施，以避免超过最大额定更高的任何电压的应用
电压为这个高阻抗电路。为了正常工作，V
IN
和V
OUT
应限制到范围
GND≤ （V
IN
或V
OUT
)≤V
CC
.
未使用的输入必须始终连接到一个适当的逻辑电平（例如， GND或V
CC
).
未使用的输出必须悬空。
127
技术参数
IW4069UB
六反相器
高压硅栅CMOS
该IW4069UB类型包含六反相器电路。这些设备
适用于所有的通用逆变器应用中的
中功率TTL驱动和逻辑电平转换功能
电路如IW4049UB六反相器/缓冲器不是必需的。
每六个反相器是一个单级
工作电压范围： 3.0 18 V
1最大输入电流
A
在18 V以上全包 -
温度范围内100 nA的在18 V和25℃
噪声容限（在整个封装温度范围） ：
0.5 V分钟@ 5.0 V电源
1.0 V分钟@ 10.0 V电源
1.0 V分钟@ 15.0 V电源
订购信息
IW4069UBN塑料
IW4069UBD SOIC
T
A
= -55 °至125°C的所有软件包
逻辑图
引脚分配
功能表
输入
A
L
H
引脚14 = V
CC
PIN 7 = GND
产量
Y
H
L
126
IW4069UB
最大额定值
*
符号
V
CC
V
IN
V
OUT
I
IN
P
D
P
D
TSTG
T
L
*
参数
直流电源电压（参考GND）
DC输入电压（参考GND）
DC输出电压（参考GND）
DC输入电流，每个引脚
在静止空气中，塑料DIP功耗+
SOIC封装+
每个输出晶体管功耗
储存温度
焊接温度1毫米的表壳，持续10秒
（塑料DIP或SOIC封装）
价值
-0.5至+20
-0.5到V
CC
+0.5
-0.5到V
CC
+0.5
±10
750
500
100
-65到+150
260
单位
V
V
V
mA
mW
mW
°C
°C
最大额定值超出这可能会损坏设备的价值。
功能操作应仅限于推荐工作条件。
+降额 - 塑料DIP ： - 10毫瓦/°C， 65 °至125°C
SOIC封装： - 7毫瓦/°C， 65 °至125°C
推荐工作条件
符号
V
CC
V
IN
, V
OUT
T
A
参数
直流电源电压（参考GND）
直流输入电压，输出电压（参考GND）
工作温度，所有封装类型
民
3.0
0
-55
最大
18
V
CC
+125
单位
V
V
°C
该器件包含保护电路，以防止损坏，由于高静电压或电
场。但是，必须采取预防措施，以避免超过最大额定更高的任何电压的应用
电压为这个高阻抗电路。为了正常工作，V
IN
和V
OUT
应限制到范围
GND≤ （V
IN
或V
OUT
)≤V
CC
.
未使用的输入必须始终连接到一个适当的逻辑电平（例如， GND或V
CC
).
未使用的输出必须悬空。
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QQ：2881677436 复制
