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技术参数
IW4011B
四路2输入与非门
高压硅栅CMOS
该IW4011B NAND门提供与系统设计者
直接emplementation的NAND功能。
工作电压范围： 3.0 18 V
1最大输入电流
A
在18 V以上全包 -
温度范围内100 nA的在18 V和25℃
噪声容限（在整个封装温度范围） ：
1.0 V分钟@ 5.0 V电源
2.0 V分钟@ 10.0 V电源
2.5 V分钟@ 15.0 V电源
订购信息
IW4011BN塑料
IW4011BD SOIC
T
A
= -55 °至125°C的所有软件包
逻辑图
引脚分配
功能表
输入
A
L
引脚14 = V
CC
PIN 7 = GND
L
H
H
B
L
H
L
H
产量
Y
H
H
H
L
11
IW4011B
最大额定值
*
符号
V
CC
V
IN
V
OUT
I
IN
P
D
P
D
TSTG
T
L
*
参数
直流电源电压（参考GND）
DC输入电压（参考GND）
DC输出电压（参考GND）
DC输入电流，每个引脚
在静止空气中，塑料DIP功耗+
SOIC封装+
每个输出晶体管功耗
储存温度
焊接温度1毫米的表壳，持续10秒
（塑料DIP或SOIC封装）
价值
-0.5至+20
-0.5到V
CC
+0.5
-0.5到V
CC
+0.5
±10
750
500
100
-65到+150
260
单位
V
V
V
mA
mW
mW
°C
°C
最大额定值超出这可能会损坏设备的价值。
功能操作应仅限于推荐工作条件。
+降额 - 塑料DIP ： - 10毫瓦/°C， 65 °至125°C
SOIC封装： - 7毫瓦/°C， 65 °至125°C
推荐工作条件
符号
V
CC
V
IN
, V
OUT
T
A
参数
直流电源电压（参考GND）
直流输入电压，输出电压（参考GND）
工作温度，所有封装类型
民
3.0
0
-55
最大
18
V
CC
+125
单位
V
V
°C
该器件包含保护电路，以防止损坏，由于高静电压或电
场。但是，必须采取预防措施，以避免超过最大额定更高的任何电压的应用
电压为这个高阻抗电路。为了正常工作，V
IN
和V
OUT
应限制到范围
GND≤ （V
IN
或V
OUT
)≤V
CC
.
未使用的输入必须始终连接到一个适当的逻辑电平（例如， GND或V
CC
).
未使用的输出必须悬空。
12
IW4011B
DC电气特性
（电压参考GND）
V
CC
符号
V
IH
参数
最小高级别
输入电压
测试条件
V
OUT
= 0.5 V或V
CC
- 0.5 V
V
OUT
-1.0 V或V
CC
- 1.0 V
V
OUT
= 1.5 V或V
CC
- 1.5 V
V
5.0
10
15
5.0
10
15
5.0
10
15
5.0
10
15
18
5.0
10
15
20
5.0
10
15
5.0
5.0
10
15
保证限额
≥-55°C
3.5
7
11
1.5
3
4
4.95
9.95
14.95
0.05
0.05
0.05
±0.1
0.25
0.5
1.0
5.0
0.64
1.6
4.2
-2.0
-0.64
-1.6
-4.2
25°C
3.5
7
11
1.5
3
4
4.95
9.95
14.95
0.05
0.05
0.05
±0.1
0.25
0.5
1.0
5.0
0.51
1.3
3.4
-1.6
-0.51
-1.3
-3.4
≤125
°C
3.5
7
11
1.5
3
4
4.95
9.95
14.95
0.05
0.05
0.05
±1.0
7.5
15
30
150
0.36
0.9
2.4
mA
-1.15
-0.36
-0.9
-2.4
单位
V
V
IL
最大的低-Level V
OUT
= V
CC
- 0.5V
输入电压
V
OUT
= V
CC
- 1.0 V
V
OUT
= V
CC
- 1.5V
最小高级别
输出电压
最底层
输出电压
最大输入
漏电流
最大静态
电源电流
（每包）
V
IN
= GND或V
CC
V
V
OH
V
V
OL
V
IN
= V
CC
V
I
IN
I
CC
V
IN
= GND或V
CC
V
IN
= GND或V
CC
A
A
I
OL
最小输出低V
IN
= GND或V
CC
（漏）电流
U
OL
=0.4 V
U
OL
=0.5 V
U
OL
=1.5 V
最小输出
V
IN
= GND或V
CC
高（资料来源）流U
OH
=2.5 V
U
OH
=4.6 V
U
OH
=9.5 V
U
OH
=13.5 V
mA
I
OH
13
IW4011B
AC电气特性
(C
L
= 50pF的，R
L
= 200kΩ的，输入吨
r
=t
f
= 20纳秒）
V
CC
符号
t
PLH
, t
PHL
参数
最大传输延迟，输入A或B
输出Y （图1）
最大输出转换时间，任何输出
（图1）
最大输入电容
V
5.0
10
15
5.0
10
15
-
250
120
90
200
100
80
保证限额
≥-55°C
25°C
250
120
90
200
100
80
7.5
≤125°C
500
240
180
400
200
160
单位
ns
t
TLH
, t
THL
ns
C
IN
pF
图1.开关波形
膨胀逻辑图
（设备的1/4）
14
技术参数
IW4011B
四路2输入与非门
高压硅栅CMOS
该IW4011B NAND门提供与系统设计者
直接emplementation的NAND功能。
工作电压范围： 3.0 18 V
1最大输入电流
A
在18 V以上全包 -
温度范围内100 nA的在18 V和25℃
噪声容限（在整个封装温度范围） ：
1.0 V分钟@ 5.0 V电源
2.0 V分钟@ 10.0 V电源
2.5 V分钟@ 15.0 V电源
订购信息
IW4011BN塑料
IW4011BD SOIC
T
A
= -55 °至125°C的所有软件包
逻辑图
引脚分配
功能表
输入
A
L
引脚14 = V
CC
PIN 7 = GND
L
H
H
B
L
H
L
H
产量
Y
H
H
H
L
11
IW4011B
最大额定值
*
符号
V
CC
V
IN
V
OUT
I
IN
P
D
P
D
TSTG
T
L
*
参数
直流电源电压（参考GND）
DC输入电压（参考GND）
DC输出电压（参考GND）
DC输入电流，每个引脚
在静止空气中，塑料DIP功耗+
SOIC封装+
每个输出晶体管功耗
储存温度
焊接温度1毫米的表壳，持续10秒
（塑料DIP或SOIC封装）
价值
-0.5至+20
-0.5到V
CC
+0.5
-0.5到V
CC
+0.5
±10
750
500
100
-65到+150
260
单位
V
V
V
mA
mW
mW
°C
°C
最大额定值超出这可能会损坏设备的价值。
功能操作应仅限于推荐工作条件。
+降额 - 塑料DIP ： - 10毫瓦/°C， 65 °至125°C
SOIC封装： - 7毫瓦/°C， 65 °至125°C
推荐工作条件
符号
V
CC
V
IN
, V
OUT
T
A
参数
直流电源电压（参考GND）
直流输入电压，输出电压（参考GND）
工作温度，所有封装类型
民
3.0
0
-55
最大
18
V
CC
+125
单位
V
V
°C
该器件包含保护电路，以防止损坏，由于高静电压或电
场。但是，必须采取预防措施，以避免超过最大额定更高的任何电压的应用
电压为这个高阻抗电路。为了正常工作，V
IN
和V
OUT
应限制到范围
GND≤ （V
IN
或V
OUT
)≤V
CC
.
未使用的输入必须始终连接到一个适当的逻辑电平（例如， GND或V
CC
).
未使用的输出必须悬空。
12
IW4011B
DC电气特性
（电压参考GND）
V
CC
符号
V
IH
参数
最小高级别
输入电压
测试条件
V
OUT
= 0.5 V或V
CC
- 0.5 V
V
OUT
-1.0 V或V
CC
- 1.0 V
V
OUT
= 1.5 V或V
CC
- 1.5 V
V
5.0
10
15
5.0
10
15
5.0
10
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5.0
10
15
18
5.0
10
15
20
5.0
10
15
5.0
5.0
10
15
保证限额
≥-55°C
3.5
7
11
1.5
3
4
4.95
9.95
14.95
0.05
0.05
0.05
±0.1
0.25
0.5
1.0
5.0
0.64
1.6
4.2
-2.0
-0.64
-1.6
-4.2
25°C
3.5
7
11
1.5
3
4
4.95
9.95
14.95
0.05
0.05
0.05
±0.1
0.25
0.5
1.0
5.0
0.51
1.3
3.4
-1.6
-0.51
-1.3
-3.4
≤125
°C
3.5
7
11
1.5
3
4
4.95
9.95
14.95
0.05
0.05
0.05
±1.0
7.5
15
30
150
0.36
0.9
2.4
mA
-1.15
-0.36
-0.9
-2.4
单位
V
V
IL
最大的低-Level V
OUT
= V
CC
- 0.5V
输入电压
V
OUT
= V
CC
- 1.0 V
V
OUT
= V
CC
- 1.5V
最小高级别
输出电压
最底层
输出电压
最大输入
漏电流
最大静态
电源电流
（每包）
V
IN
= GND或V
CC
V
V
OH
V
V
OL
V
IN
= V
CC
V
I
IN
I
CC
V
IN
= GND或V
CC
V
IN
= GND或V
CC
A
A
I
OL
最小输出低V
IN
= GND或V
CC
（漏）电流
U
OL
=0.4 V
U
OL
=0.5 V
U
OL
=1.5 V
最小输出
V
IN
= GND或V
CC
高（资料来源）流U
OH
=2.5 V
U
OH
=4.6 V
U
OH
=9.5 V
U
OH
=13.5 V
mA
I
OH
13
IW4011B
AC电气特性
(C
L
= 50pF的，R
L
= 200kΩ的，输入吨
r
=t
f
= 20纳秒）
V
CC
符号
t
PLH
, t
PHL
参数
最大传输延迟，输入A或B
输出Y （图1）
最大输出转换时间，任何输出
（图1）
最大输入电容
V
5.0
10
15
5.0
10
15
-
250
120
90
200
100
80
保证限额
≥-55°C
25°C
250
120
90
200
100
80
7.5
≤125°C
500
240
180
400
200
160
单位
ns
t
TLH
, t
THL
ns
C
IN
pF
图1.开关波形
膨胀逻辑图
（设备的1/4）
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IVA-14208-TR1
IS61LV51216-8M
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IPA50R140CP
IDT74FCT864BP
IS93C46B-3GI
IRF9130SMD
IDT74FCT821CD
IRKNF152-04GP
IC7620-2403-G4MF
IDT72V253L15BCI
IS61NVP51218A-200B2I
IDT71V35781SA166PFI
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    IW4011BN
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    -
    -
    -
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