R.1.120799
ITC1100
1000瓦， 50V ，脉冲
航空电子1030兆赫
概述
该
ITC1100
是一种常见的基极双极晶体管。它是专为脉冲
询问器系统中的频带的1030兆赫。该装置具有金
薄膜金属化的经验证的高平均无故障时间。该晶体管包括输入
为提高输出的回报上升时间。低热阻封装减少
它扩展了产品的寿命时间的结温。
案例外形
55SW ，风格1
公共基础
绝对最大额定值
功耗
设备损耗
1
@ 25°C （P
d
)
热阻
1
(θ
JC
)
电压和电流
集电极 - 基极电压
发射极 - 基极电压
集电极电流
1
温度
储存温度
工作结温
1
3400 W
.08°C/W
65V
3.5V
80A
-40 + 150°C
+200°C
电气特性@ 25°C
符号
BVEBO
2
BVces
BVCEO
2
h
FE2
特征
发射极 - 基极击穿（开）
集电极 - 发射极击穿（短路）
集电极 - 发射极击穿（开）
直流电流增益
TEST
条件
Ie=50mA
Ic=30mA
Ic=30mA
IC = 5A ，的Vce = 5V
民
3.5
65
30
20
典型值
最大
单位
V
V
V
β
100
功能特性@ 25°C
G
PB
η
c
t
r
VSWR
Z
in
Z
OUT
1
2
公共基础功率增益
收藏家EF网络效率
上升时间
输出负载不匹配
系列输入阻抗（电路
源阻抗@测试待续）
系列输出阻抗（电路
负载阻抗@测试待续）
V
cc
= 50V ， F = 1030MHz ，
P
OUT
= 1000W峰值最小， PW = 1μS ， DF = 1 ％
V
cc
= 50V ， F = 1030MHz ，
P
OUT
= 1000W峰值最小， PW = 1μS ， DF = 1 ％
V
cc
= 50V ， F = 1030MHz ，
P
OUT
= 1000W峰值最小， PW = 1μS ， DF = 1 ％
V
cc
= 50V ， F = 1030MHz ，
P
OUT
= 1000W峰值最小， PW = 1μS ， DF = 1 ％
V
cc
= 50V ， F = 1030MHz ，
P
OUT
= 1000W峰值最小， PW = 1μS ， DF = 1 ％
V
cc
= 50V ， F = 1030MHz ，
P
OUT
= 1000W峰值最小， PW = 1μS ， DF = 1 ％
10
45
10.5
50
50
80
4:1
0.89 – j2.3
0.54 - j2.64
dB
%
nS
Ψ
在额定输出功率和脉冲条件
无法衡量，由于EB返回
千兆赫科技有限公司保留随时更改而不另行通知的权利。要验证当前版本
请查看我们的网站：
WWW.GHZ.COM
或者联系我们的厂家直销。
GHz的科技公司3000 Oakmead村道，圣克拉拉，加利福尼亚95051-0808电话。 408 / 986-8031传真408 / 986-8120
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ITC1100
1000瓦， 50V ，脉冲
航空电子1030兆赫
概述
该
ITC1100
是一种常见的基极双极晶体管。它是专为脉冲
询问器系统中的频带的1030兆赫。该装置具有金
薄膜金属化的经验证的高平均无故障时间。该晶体管包括输入
为提高输出的回报上升时间。低热阻封装减少
它扩展了产品的寿命时间的结温。
案例外形
55SW ，风格1
公共基础
绝对最大额定值
功耗
设备损耗
1
@ 25°C （P
d
)
热阻
1
(θ
JC
)
电压和电流
集电极 - 基极电压
发射极 - 基极电压
集电极电流
1
温度
储存温度
工作结温
1
3400 W
.08°C/W
65V
3.5V
80A
-40 + 150°C
+200°C
电气特性@ 25°C
符号
BVEBO
2
BVces
BVCEO
2
h
FE2
特征
发射极 - 基极击穿（开）
集电极 - 发射极击穿（短路）
集电极 - 发射极击穿（开）
直流电流增益
TEST
条件
Ie=50mA
Ic=30mA
Ic=30mA
IC = 5A ，的Vce = 5V
民
3.5
65
30
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典型值
最大
单位
V
V
V
β
100
功能特性@ 25°C
G
PB
η
c
t
r
VSWR
Z
in
Z
OUT
1
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公共基础功率增益
收藏家EF网络效率
上升时间
输出负载不匹配
系列输入阻抗（电路
源阻抗@测试待续）
系列输出阻抗（电路
负载阻抗@测试待续）
V
cc
= 50V ， F = 1030MHz ，
P
OUT
= 1000W峰值最小， PW = 1μS ， DF = 1 ％
V
cc
= 50V ， F = 1030MHz ，
P
OUT
= 1000W峰值最小， PW = 1μS ， DF = 1 ％
V
cc
= 50V ， F = 1030MHz ，
P
OUT
= 1000W峰值最小， PW = 1μS ， DF = 1 ％
V
cc
= 50V ， F = 1030MHz ，
P
OUT
= 1000W峰值最小， PW = 1μS ， DF = 1 ％
V
cc
= 50V ， F = 1030MHz ，
P
OUT
= 1000W峰值最小， PW = 1μS ， DF = 1 ％
V
cc
= 50V ， F = 1030MHz ，
P
OUT
= 1000W峰值最小， PW = 1μS ， DF = 1 ％
10
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50
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4:1
0.89 – j2.3
0.54 - j2.64
dB
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Ψ
在额定输出功率和脉冲条件
无法衡量，由于EB返回
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ITC1100
1000瓦， 50V ，脉冲
航空电子1030兆赫
概述
该
ITC1100
是一种常见的基极双极晶体管。它是专为脉冲
询问器系统中的频带的1030兆赫。该装置具有金
薄膜金属化的经验证的高平均无故障时间。该晶体管包括输入
为提高输出的回报上升时间。低热阻封装减少
它扩展了产品的寿命时间的结温。
案例外形
55SW ，风格1
公共基础
绝对最大额定值
功耗
设备损耗
1
@ 25°C （P
d
)
热阻
1
(θ
JC
)
电压和电流
集电极 - 基极电压
发射极 - 基极电压
集电极电流
1
温度
储存温度
工作结温
1
3400 W
.08°C/W
65V
3.5V
80A
-40 + 150°C
+200°C
电气特性@ 25°C
符号
BVEBO
2
BVces
BVCEO
2
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FE2
特征
发射极 - 基极击穿（开）
集电极 - 发射极击穿（短路）
集电极 - 发射极击穿（开）
直流电流增益
TEST
条件
Ie=50mA
Ic=30mA
Ic=30mA
IC = 5A ，的Vce = 5V
民
3.5
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典型值
最大
单位
V
V
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100
功能特性@ 25°C
G
PB
η
c
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VSWR
Z
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OUT
1
2
公共基础功率增益
收藏家EF网络效率
上升时间
输出负载不匹配
系列输入阻抗（电路
源阻抗@测试待续）
系列输出阻抗（电路
负载阻抗@测试待续）
V
cc
= 50V ， F = 1030MHz ，
P
OUT
= 1000W峰值最小， PW = 1μS ， DF = 1 ％
V
cc
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V
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= 50V ， F = 1030MHz ，
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V
cc
= 50V ， F = 1030MHz ，
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V
cc
= 50V ， F = 1030MHz ，
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= 1000W峰值最小， PW = 1μS ， DF = 1 ％
V
cc
= 50V ， F = 1030MHz ，
P
OUT
= 1000W峰值最小， PW = 1μS ， DF = 1 ％
10
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0.89 – j2.3
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1000瓦， 50V ，脉冲
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询问器系统中的频带的1030兆赫。该装置具有金
薄膜金属化的经验证的高平均无故障时间。该晶体管包括输入
为提高输出的回报上升时间。低热阻封装减少
它扩展了产品的寿命时间的结温。
案例外形
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绝对最大额定值
功耗
设备损耗
1
@ 25°C （P
d
)
热阻
1
(θ
JC
)
电压和电流
集电极 - 基极电压
发射极 - 基极电压
集电极电流
1
温度
储存温度
工作结温
1
3400 W
.08°C/W
65V
3.5V
80A
-40 + 150°C
+200°C
电气特性@ 25°C
符号
BVEBO
2
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2
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特征
发射极 - 基极击穿（开）
集电极 - 发射极击穿（短路）
集电极 - 发射极击穿（开）
直流电流增益
TEST
条件
Ie=50mA
Ic=30mA
Ic=30mA
IC = 5A ，的Vce = 5V
民
3.5
65
30
20
典型值
最大
单位
V
V
V
β
100
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G
PB
η
c
t
r
VSWR
Z
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Z
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1
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公共基础功率增益
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V
cc
= 50V ， F = 1030MHz ，
P
OUT
= 1000W峰值最小， PW = 1μS ， DF = 1 ％
V
cc
= 50V ， F = 1030MHz ，
P
OUT
= 1000W峰值最小， PW = 1μS ， DF = 1 ％
V
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V
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V
cc
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= 1000W峰值最小， PW = 1μS ， DF = 1 ％
V
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= 50V ， F = 1030MHz ，
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OUT
= 1000W峰值最小， PW = 1μS ， DF = 1 ％
10
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