产品规格
半导体技术， INC 。
S. E. JAY STREET 3131 ， STUART ，FL 34997
类型： IT128
PH ： (561)283-4500传真： (561)286-8914
网址：
HTTP ： //www.semi -tech-inc.com
案例外形：
TO-78
NPN硅双差分晶体管
绝对最大额定值：
收藏家基地
发射器基
集电极到发射极
集电极电流
功耗TA = 25
°C
功耗TC = 25
°C
储存温度
工作温度
焊接温度从案例
电气特性TA @ 25
°
C
参数
符号
集电极集电极电压
BVCCO
发射器基极电压
BVEBO
集电极到发射极电压
集电极集电极电压
收藏家Cuto FF电流
收藏家Cuto FF电流
收藏家Cuto FF电流
收藏家Cuto FF电流
发射Cuto FF电流
直流电流增益脉冲*
直流电流增益脉冲*
直流电流增益脉冲*
直流电流增益脉冲*
直流电流增益脉冲*
饱和电压*
饱和电压*
基极发射极电压*
基极发射极电压*
基极发射极电压*
电流增益为F =
发射器转换电容
集电极集电极电容
集电极集电极漏电流
输出电容
截止频率
跃迁频率
BVCEO （ SUS）
BVC1C2
ICBO
ICBO
ICEX
ICEX
我EBO
^ h FE
^ h FE
^ h FE
^ h FE
^ h FE
VCE （ SAT ）
VCE （ SAT ）
VBE （ SAT ）
VBE （ON）的
VBE （ON）的
^ h FE
CTE
CC1-C2
IC1-C2
COB
f&b
fT
V
CB
=20V
10
220
第1页2
3.0
V
EB
=5.0V
I
C
= 10μA ，V
CE
=5.0V
I
C
= 1.0毫安，V
CE
=5.0V
I
C
= 1.0毫安，V
CE
= 5.0V ，T
A
= -55°C
I
C
= 10毫安，V
CE
=5.0V
I
C
= 50mA时V
CE
=5.0V
I
C
= 10毫安，我
B
=1.0mA
I
C
= 50mA时我
B
=5.0mA
I
C
= 10毫安，V
CE
=5.0V
I
C
= 50mA时V
CE
=5.0V
100
150
60
170
75
0.3
0.6
0.9
1.0
0.1
BVCBO
BVEBO
BVCEO
IC
PD
PD
TSTG
TJ
TL
55**
7.0
60
100
0.75 （双侧）
-65到+200
-65到+200
VDC
VDC
VDC
mA
瓦
瓦
°C
°C
°C
测试条件
I
E
= 10A
I
C
=1.0mA
I
C
=10A
V
CB
=45V
V
CB
= 45V ，T
A
=150°C
民
70
7.0
55
100
典型值
最大
单位
VDC
VDC
VDC
VDC
0.1
0.1
nA
A
A
A
nA
-
-
-
-
-
VDC
VDC
VDC
VDC
VDC
-
pF
pF
nA
pF
兆赫
兆赫
I
C
= 10μA ，V
CE
=5.0V
I
C
= 1.0毫安，V
CE
=5.0V
注：*脉冲宽度
≤300usec
2％的占空比， **我
C
=10A
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