ISO150
双路，隔离，双向
数字耦合器
特点
q
REPLACES高性能
光电耦合器
q
数据速率： 80M波特率，典型值
q
低功耗：
25mW的每通道最大
q
两个通道，每个通道双向，
通过编程用户
q
局部放电测试： 2400Vrms
q
16.5毫米的爬电距离（ DIP ）
q
每通道LOW COST
q
塑料DIP和SOIC封装
应用
q
数字隔离A / D ，D / A
转变
q
隔离UART接口
q
多道数据传送
q
隔离并行到串行
接口
q
测试设备
q
微处理器系统接口
q
隔离线路接收器
q
消除接地环路
描述
在ISO150是双通道电隔离
数据耦合器能够80MBaud的数据速率，典型
CAL 。每个通道可单独编程
在任一方向发送数据。
数据由通过隔离屏障传送
通过高电压耦合互补的脉冲
0.4pF电容。接收器电路恢复脉冲
到标准逻辑电平。差分信号transmis-
锡安拒绝隔离模电压瞬变达
1.6kV/s.
D
2A
R / T
2A
G
A
ISO150避免了通常相关联的问题
与光耦合器。光电耦合器隔离要求
高电流脉冲和津贴必须作出
LED老化。在ISO150的BI - CMOS电路能操作
阿泰在每通道25mW的。
ISO150是采用24脚DIP封装，并在
28引脚SOIC封装。无论是从操作规定
-40 ° C至85°C 。
V
SB
R / T
2B
D
2B
通道2
侧
B面
通道1
D
1A
R / T
1A
V
SA
G
B
R / T
1B
D
1B
国际空港工业园邮寄地址：PO Box 11400
联系电话： （ 520 ） 746-1111 TWX ： 910-952-1111 电缆： BBRCORP
1993的Burr-Brown公司
图森，亚利桑那州85734 街道地址： 6730 S.图森大道。 图森，亚利桑那州85706
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PDS-1213B
美国印刷1994年8月
特定网络阳离子
T
A
= + 25 ° C，V
S
= + 5V ，除非另有说明。
ISO150AP ， AU
参数
隔离参数
额定电压，连续
局部放电， 100 ％测试
(1)
爬电距离（外部）
DIP-的“P ”包
SOIC- “U”套餐
内部隔离距离
隔离电压瞬态抗扰度
(2)
屏障阻抗
漏电流
DC参数
逻辑输出电压，高，V
OH
低，V
OL
逻辑输出短路电流
逻辑输入电压，高
(3)
低
(3)
逻辑输入电容
逻辑输入电流
电源电压范围
(3)
电源电流
(4)
传输模式
接收模式
AC参数
数据传输速率，最大
(5)
数据传输速率，最小
传播时间
(6)
传播延迟偏斜
(7)
脉冲宽度失真
(8)
输出上升/下降时间， 10 ％至90 ％
模式切换时间
接收到发送
发送到接收
温度范围
工作范围
存储
热阻，
θ
JA
条件
60Hz
1秒， 5PC
民
1500
2400
16
7.2
0.10
1.6
>10
14
|| 7
0.6
V
S
–1
0
30
2
0
5
<1
5
0.001
14
7.2
16
50
DC
20
80
27
0.5
1.5
9
13
75
–40
–40
75
85
125
40
2
6
14
V
S
0.8
V
S
0.4
典型值
最大
单位
VRMS
VRMS
mm
mm
mm
KV / μs的
|| pF的
μArms
V
V
mA
V
V
pF
nA
V
A
mA
mA
mA
波特
ns
ns
ns
ns
ns
ns
°C
°C
° C / W
240Vrms ， 60Hz的
I
OH
= 6毫安
I
OL
= 6毫安
源或汇
3
DC
50MBaud
DC
50MBaud
C
L
= 50pF的
C
L
=
C
L
=
C
L
=
C
L
=
50pF
50pF
50pF
50pF
5.5
100
10
注： （ 1 ）所有设备收到一个1秒的测试。失败的标准是
≥5
脉冲
≥5pC.
（ 2）电压率的变化在隔离层上，可以持续
没有数据差错。 （3）逻辑输入HCT-类型和阈值的电源电压的大约0.4V的滞后-看到文本的函数。 （ 4 ）供应
电流测量与两个tranceivers为指示模式设置。电源电流随数据速率，见典型曲线。 （5）从最大脉冲计算
宽度失真（ PWD ），其中数据传输率= 0.3 / PWD 。 （6）从V测得的传播时间
IN
= 1.5V至V
O
= 2.5V 。 （7）在信道的传播时间的差
在传输方向上的任一组合A和B通道。 （8）的上升沿progagation时间和下降沿之间的差异。
本文提供的信息被认为是可靠的;但是， BURR -BROWN承担不准确或遗漏不承担任何责任。 BURR -BROWN承担
对于使用这些信息，所有此类信息的使用不承担任何责任应完全由用户自己承担风险。价格和规格如有变更，
恕不另行通知。没有专利的权利或许可给任何此处所描述的电路被暗示或向任何第三方授予的。 BURR -BROWN没有授权或保证
任何Burr-Brown产品用于生命支持设备和/或系统。
ISO150
2
绝对最大额定值
存储温度................................................ ......... -40 ° C至+ 125°C
电源电压，V
S
.................................................. .................... -0.5至6V
变送器的输入电压，V
I
............................................. -0.5到V
S
+ 0.5V
接收器输出电压，V
O
............................................. -0.5到V
S
+ 0.5V
R / T
X
输入................................................. ........................ -0.5到V
S
+ 0.5V
隔离电压的dV / dt ，V
ISO
.................................................. .......... 500千伏/微秒
D
X
接地短路............................................... .......................连续
结温，T
J
.................................................................... 175°C
焊接温度（焊接， 10秒） ........................................... .......... 260℃
1.6毫米以下座位平面（ DIP封装） ......................................... 300℃
包装信息
(1)
模型
ISO150AP
ISO150AU
包
24针单宽DIP
28引脚SOIC
封装图
数
243-1
217-2
注： （ 1 ）有关详细的图纸和维表，请参阅结束
数据表，或的Burr-Brown IC数据手册附录D 。
引脚说明
名字
功能
在数据或数据出来收发器1A 。 R / T
1A
举行
低使得
1A
一个输入管脚。
接收/发射开关控制收发器1A 。
+ 5V电源引脚端A，该权力收发器
如图1A和2A 。
接地引脚收发器1B和2B 。
接收/发射开关控制收发器1B 。
在数据或数据出来收发器1B 。 R / T
1B
举行
低使得
1B
一个输入管脚。
在数据或数据出来收发2B 。 R / T
2B
举行
低使得
2B
一个输入管脚。
接收/发射开关控制d
2B
.
+ 5V电源引脚端B的权力收发器
图1B和2B所示。
接地引脚收发器的1A和2A 。
接收/发射开关控制收发器2A 。
在数据或数据出来收发器2A 。 R / T
2A
举行
低使得
2A
在输入引脚。
D
1A
引脚配置
顶视图
DIP
R / T
1A
V
SA
D
1A
1
R / T
1A
2
V
SA
3
24 D
2A
23 R / T
2A
22 G
A
G
B
R / T
1B
D
1B
D
2B
R / T
2B
V
SB
G
A
R / T
2A
D
2A
G
B
10
R / T
1B
11
D
1B
12
15 V
SB
14 R / T
2B
13 D
2B
静电
放电敏感度
SOIC
顶视图
这个集成电路可以被ESD损坏。的Burr-Brown
建议所有集成电路与AP-处理
propriate注意事项。如果不遵守正确的操作和
安装程序会造成损坏。
ESD损害的范围可以从细微的性能下降
完成设备故障。精密集成电路可能
更容易受到伤害，因为很小的参数
变化可能导致设备不能满足其公布
特定连接的阳离子。
D
1A
1
R / T
1A
2
V
SA
3
28 D
2A
27 R / T
2A
26 G
A
G
B
12
R / T
1B
13
D
1B
14
17 V
SB
16 R / T
2B
15 D
2B
3
ISO150
QQ：2880707522 复制
