ISL9V3036D3S / ISL9V3036S3S / ISL9V3036P3
2002年4月
ISL9V3036D3S / ISL9V3036S3S / ISL9V3036P3
EcoSPARK
TM
300mJ ， 360V ， N沟道IGBT点火
概述
该ISL9V3036D3S ， ISL9V3036S3S和ISL9V3036P3是
新一代的IGBT ，提供了出色的SCIS能力
节省空间的D-朴（TO- 252） ，以及工业标准D-
朴（ TO- 263 ）和TO -220塑料封装。这些设备是
用于汽车的点火电路中使用，特别是作为一个线圈
驱动程序。内部二极管提供电压钳位，而不需要
外部元件。
EcoSPARK
设备可以对特定夹具根据客户要求定制
电压。联系离您最近的仙童销售办事处以获取更多
信息。
以前发育类型49442
应用
汽车点火线圈驱动电路
卷材插头的应用
特点
行业标准的D
2
-Pak包
SCIS能量= 300mJ在T
J
= 25
o
C
逻辑电平栅极驱动器
包
JEDEC TO- 252AA
D- PAK
JEDEC TO- 263AB
D朴
JEDEC TO- 220AB
符号
集热器
E
C
G
R
1
门
G
E
G
E
集热器
（法兰）
集热器
（法兰）
R
2
辐射源
器件的最大额定值
T
J
= 25 ° C除非另有说明
符号
BV
CER
BV
ECS
E
SCIS25
E
SCIS150
I
C25
I
C110
V
创业板
P
D
T
J
T
英镑
T
L
T
PKG
ESD
参数
集电极到发射极击穿电压（I
C
= 1 mA）的
发射极到集电极电压 - 反向电池状态（我
C
= 10 mA）的
T
J
= 25 ° C，I
SCIS
= 14.2A ，L = 3.0 MHY
T
J
= 150℃，我
SCIS
= 10.6A ，L = 3.0 MHY
连续集电极电流，当T
C
= 25℃时，参照图9
连续集电极电流，当T
C
= 110℃ ，参照图9
门到发射极电压连续
功率耗散总T
C
= 25°C
功耗降额牛逼
C
> 25℃
工作结温范围
存储结温范围
最大的铅温度进行焊接（信息在1.6毫米从案例10秒）
最大的铅温度进行焊接（包主体10秒）
静电放电电压为100pF的， 1500Ω
评级
360
24
300
170
21
17
±10
150
1.0
-40至175
-40至175
300
260
4
单位
V
V
mJ
mJ
A
A
V
W
W / ℃，
°C
°C
°C
°C
kV
2002仙童半导体公司
ISL9V3036D3S / ISL9V3036S3S / ISL9V3036P3修订版C2 ， 2002年4月
ISL9V3036D3S / ISL9V3036S3S / ISL9V3036P3
包装标志和订购信息
器件标识
V3036D
V3036S
V3036P
设备
ISL9V3036D3S
ISL9V3036S3S
ISL9V3036P3
包
TO-252AA
TO-263AB
TO-220AA
胶带宽度
16mm
24mm
-
QUANTITY
2500
800
-
电气特性
T
J
= 25 ° C除非另有说明
符号
参数
测试条件
民
典型值
最大
单位
关态特征
BV
CER
集电极到发射极击穿电压
I
C
= 2毫安，V
GE
= 0,
R
G
= 1KΩ ，见图。 15
T
J
= -40 150℃
I
C
= 10毫安，V
GE
= 0,
R
G
= 0，参见图15
T
J
= -40 150℃
I
C
= -75mA ，V
GE
= 0V,
T
C
= 25°C
I
GES
= - 2毫安
V
CER
= 250V,
R
G
= 1K,
参见图。 11
T
C
= 25°C
T
C
= 150°C
330
360
390
V
BV
CES
集电极到发射极击穿电压
350
380
410
V
BV
ECS
BV
GES
I
CER
发射极到集电极击穿电压
门到发射极击穿电压
集电极到发射极漏电流
30
±12
-
-
-
-
-
10K
-
±14
-
-
-
-
70
-
-
-
25
1
1
40
-
26K
V
V
A
mA
mA
mA
I
ECS
R
1
R
2
发射极到集电极的泄漏电流
串联门极电阻
门到发射极电阻
V
EC
= 24V ，见T
C
= 25°C
图。 11
T
C
= 150°C
对国家特性
V
CE （ SAT ）
V
CE （ SAT ）
V
CE （ SAT ）
集电极到发射极饱和电压
集电极到发射极饱和电压
集电极到发射极饱和电压
I
C
= 6A,
V
GE
= 4V
I
C
= 10A,
V
GE
= 4.5V
I
C
= 15A,
V
GE
= 4.5V
T
C
= 25°C,
参见图。 3
T
C
= 150°C,
见图。 4
T
C
= 150°C
-
-
-
1.25
1.58
1.90
1.60
1.80
2.20
V
V
V
动态特性
Q
G（ ON）的
V
GE （日）
栅极电荷
门到发射极阈值电压
I
C
= 10A ，V
CE
= 12V,
V
GE
= 5V ，见图。 14
I
C
= 1.0毫安，
V
CE
= V
GE，
参见图。 10
I
C
= 10A,
V
CE
= 12V
T
C
= 25°C
T
C
= 150°C
-
1.3
0.75
-
17
-
-
3.0
-
2.2
1.8
-
nC
V
V
V
V
GEP
门到发射极电压高原
开关特性
t
D（ ON ）R
t
rR
t
D（ OFF ）长
t
fL
SCIS
电流导通延迟时间，电阻
电流上升时间，电阻
电流关断延迟时间感
电流下降时间感
自钳位电感开关
V
CE
= 14V ，R
L
= 1,
V
GE
= 5V ，R
G
= 1K
T
J
= 25℃ ，参照图12
V
CE
= 300V ，R
L
= 500H,
V
GE
= 5V ，R
G
= 1K
T
J
= 25℃ ，参照图12
T
J
= 25 ° C，L = 3.0 mH的，
R
G
= 1kΩ的，V
GE
= 5V ，见
图。 1 & 2
-
-
-
-
-
0.7
2.1
4.8
2.8
-
4
7
15
15
300
s
s
s
s
mJ
热特性
R
θJC
热阻结案件
的TO- 252 ，TO- 263 ，TO- 220
-
-
1.0
° C / W
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ISL9V3036D3S / ISL9V3036S3S / ISL9V3036P3修订版C2 ， 2002年4月
ISL9V3036D3S / ISL9V3036S3S / ISL9V3036P3
典型性能曲线
（续）
I
SCIS
，感应开关电流（ A）
R
G
= 1kΩ的，V
GE
= 5V, V
dd
= 14V
25
I
SCIS
，感应开关电流（ A）
30
30
R
G
= 1kΩ的，V
GE
= 5V, V
dd
= 14V
25
20
20
15
T
J
= 25°C
T
J
= 150°C
10
15
T
J
= 25°C
10
T
J
= 150°C
5
SCIS曲线有效期为V
钳
<390V的电压
0
0
2
4
6
8
10
5
SCIS曲线有效期为V
钳
<390V的电压
0
0
25
50
75
100
125
150
175
200
t
电
，时间CLAMP （ μS ）
L，电感（ MHY ）
图1.自钳位电感开关
电流与时间钳
V
CE
，集电极到发射极电压（ V）
1.30
I
CE
= 6A
V
GE
= 3.7V
V
GE
= 4.0V
1.26
图2.自钳位电感开关
电流与电感
V
CE
，集电极到发射极电压（ V）
1.8
I
CE
= 10A
1.7
V
GE
= 3.7V
1.6
V
GE
= 4.0V
1.22
1.5
1.18
V
GE
= 8.0V
V
GE
= 5.0V
V
GE
= 4.5V
1.4
V
GE
= 4.5V
1.3
V
GE
= 5.0V
V
GE
= 8.0V
1.14
-75
1.2
-75
-50
-25
0
25
50
75
100
125
150
175
T
J
，结温（ ° C）
-50
-25
0
25
50
75
100
125
150
175
T
J
，结温（ ° C）
图3.集电极到发射极通态电压VS
结温
I
CE
，集电极到发射极电流（ A）
25
V
GE
= 8.0V
V
GE
= 5.0V
20
V
GE
= 4.5V
V
GE
= 4.0V
15
V
GE
= 3.7V
图4.集电极到发射极通态电压VS
结温
I
CE
，集电极到发射极电流（ A）
25
V
GE
= 8.0V
V
GE
= 5.0V
20
V
GE
= 4.5V
V
GE
= 4.0V
15
V
GE
= 3.7V
10
10
5
T
J
= - 40°C
0
0
1.0
2.0
3.0
4.0
5
T
J
= 25°C
0
0
1.0
2.0
3.0
4.0
V
CE
，集电极到发射极电压（ V）
V
CE
，集电极到发射极电压（ V）
图5.集电极到发射极通态电压VS
集电极电流
图6.集电极到发射极通态电压VS
集电极电流
2002仙童半导体公司
ISL9V3036D3S / ISL9V3036S3S / ISL9V3036P3修订版C2 ， 2002年4月
ISL9V3036D3S / ISL9V3036S3S / ISL9V3036P3
典型性能曲线
（续）
I
CE
，集电极到发射极电流（ A）
I
CE
，集电极到发射极电流（ A）
25
V
GE
= 8.0V
V
GE
= 5.0V
20
V
GE
= 4.5V
V
GE
= 4.0V
15
V
GE
= 3.7V
25
占空比< 0.5 ％ ，V
CE
= 5V
脉冲宽度= 250μs的
20
15
T
J
= 150°C
10
T
J
= 25°C
5
T
J
= -40°C
0
1.0
1.5
2.0
2.5
3.0
3.5
4.0
4.5
10
5
T
J
= 175°C
0
0
1.0
2.0
3.0
4.0
V
CE
，集电极到发射极电压（ V）
V
GE
，门到发射极电压（ V）
图7.集电极到发射极通态电压VS
集电极电流
25
V
GE
= 4.0V
I
CE
， DC集电极电流（ A）
V
TH
，阈值电压（ V）
20
2.0
2.2
图8.传热特性
V
CE
= V
GE
I
CE
= 1毫安
1.8
15
1.6
10
1.4
5
1.2
0
25
50
75
100
125
150
175
1.0
-50
-25
0
25
50
75
100
125
150
175
T
C
，外壳温度（ ° C）
T
J
结温（ ° C）
图9.集电极直流电流与案例
温度
10000
V
ECS
= 24V
1000
切换时间（ μS ）
图10.阈值电压随结
温度
12
I
CE
= 6.5A ，V
GE
= 5V ，R
G
= 1K
电阻吨
关闭
10
感性吨
关闭
8
漏电流（ μA ）
100
10
V
CES
= 300V
1
V
CES
= 250V
0.1
-50
-25
0
25
50
75
100
125
150
175
6
4
电阻吨
ON
2
25
50
75
100
125
150
175
T
J
，结温（ ° C）
T
J
，结温（ ° C）
图11.漏电流与结
温度
图12.开关时间与结
温度
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ISL9V3036D3S / ISL9V3036S3S / ISL9V3036P3
典型性能曲线
（续）
1600
频率= 1 MHz的
V
GE
，门到发射极电压（ V）
7
6
5
V
CE
= 12V
4
3
2
1
0
0
5
10
15
20
25
0
4
8
12
16
20
24
28
32
V
CE
，集电极到发射极电压（ V）
8
I
G（ REF ）
= 1毫安，R
L
= 1.25, T
J
= 25°C
C，电容（pF ）
1200
C
IES
800
C
水库
400
C
OES
0
V
CE
= 6V
Q
G
，栅极电荷（ NC）
图13.电容VS集电极到发射极
电压
375
I
CER
= 10毫安
BV
CER
，击穿电压（V ）
370
365
360
图14.栅极电荷
T
J
= - 40°C
355
T
J
= 25°C
350
345
T
J
= 175°C
340
335
10
100
R
G
，串联门极电阻（ Ω ）
1K
10K
图15.击穿电压VS系列栅极电阻
Z
thJC
归一化热响应
10
0
0.5
0.2
0.1
10
-1
t
1
P
D
0.02
0.01
单脉冲
0.05
t
2
DUTY因子，D = T
1
/ t
2
PEAK牛逼
J
= (P
D
X Z
θJC
个R
θJC
) + T
C
10
-3
10
-2
10
-1
10
0
10
-2
10
-5
10
-4
T
1
，矩形脉冲持续时间（ S）
图16. IGBT归瞬态热阻抗，结到外壳
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2004年10月
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EcoSPARK
TM
300mJ ， 360V ， N沟道IGBT点火
概述
该ISL9V3036D3S ， ISL9V3036S3S和ISL9V3036P3是
新一代的IGBT ，提供了出色的SCIS能力
节省空间的D-朴（TO- 252） ，以及工业标准D-
朴（ TO- 263 ）和TO -220塑料封装。这些设备是
用于汽车的点火电路中使用，特别是作为一个线圈
驱动程序。内部二极管提供电压钳位，而不需要
外部元件。
EcoSPARK
设备可以对特定夹具根据客户要求定制
电压。联系离您最近的仙童销售办事处以获取更多
信息。
以前发育类型49442
应用
汽车点火线圈驱动电路
卷材插头的应用
特点
行业标准的D
2
-Pak包
SCIS能量= 300mJ在T
J
= 25
o
C
逻辑电平栅极驱动器
包
JEDEC TO- 252AA
D- PAK
JEDEC TO- 263AB
D朴
JEDEC TO- 220AB
符号
集热器
E
C
G
R
1
门
G
E
G
E
集热器
（法兰）
集热器
（法兰）
R
2
辐射源
器件的最大额定值
T
J
= 25 ° C除非另有说明
符号
BV
CER
BV
ECS
E
SCIS25
E
SCIS150
I
C25
I
C110
V
创业板
P
D
T
J
T
英镑
T
L
T
PKG
ESD
参数
集电极到发射极击穿电压（I
C
= 1 mA）的
发射极到集电极电压 - 反向电池状态（我
C
= 10 mA）的
T
J
= 25 ° C，I
SCIS
= 14.2A ，L = 3.0 MHY
T
J
= 150℃，我
SCIS
= 10.6A ，L = 3.0 MHY
连续集电极电流，当T
C
= 25℃时，参照图9
连续集电极电流，当T
C
= 110℃ ，参照图9
门到发射极电压连续
功率耗散总T
C
= 25°C
功耗降额牛逼
C
> 25℃
工作结温范围
存储结温范围
最大的铅温度进行焊接（信息在1.6毫米从案例10秒）
最大的铅温度进行焊接（包主体10秒）
静电放电电压为100pF的， 1500Ω
评级
360
24
300
170
21
17
±10
150
1.0
-40至175
-40至175
300
260
4
单位
V
V
mJ
mJ
A
A
V
W
W / ℃，
°C
°C
°C
°C
kV
2004仙童半导体公司
ISL9V3036D3S / ISL9V3036S3S / ISL9V3036P3版本C3 ， 2004年10月
ISL9V3036D3S / ISL9V3036S3S / ISL9V3036P3
包装标志和订购信息
器件标识
V3036D
V3036S
V3036P
V3036D
V3036S
设备
ISL9V3036D3ST
ISL9V3036S3ST
ISL9V3036P3
ISL9V3036D3S
ISL9V3036S3S
包
TO-252AA
TO-263AB
TO-220AA
TO-252AA
TO-263AB
带尺寸
330mm
330mm
管
管
管
胶带宽度
16mm
24mm
不适用
不适用
不适用
QUANTITY
2500
800
50
75
50
电气特性
T
J
= 25 ° C除非另有说明
符号
参数
测试条件
民
典型值
最大
单位
关态特征
BV
CER
集电极到发射极击穿电压
I
C
= 2毫安，V
GE
= 0,
R
G
= 1KΩ ，见图。 15
T
J
= -40 150℃
I
C
= 10毫安，V
GE
= 0,
R
G
= 0，参见图15
T
J
= -40 150℃
I
C
= -75mA ，V
GE
= 0V,
T
C
= 25°C
I
GES
= - 2毫安
V
CER
= 250V,
R
G
= 1K,
参见图。 11
T
C
= 25°C
T
C
= 150°C
330
360
390
V
BV
CES
集电极到发射极击穿电压
350
380
410
V
BV
ECS
BV
GES
I
CER
发射极到集电极击穿电压
门到发射极击穿电压
集电极到发射极漏电流
30
±12
-
-
-
-
-
10K
-
±14
-
-
-
-
70
-
-
-
25
1
1
40
-
26K
V
V
A
mA
mA
mA
I
ECS
R
1
R
2
发射极到集电极的泄漏电流
串联门极电阻
门到发射极电阻
V
EC
= 24V ，见T
C
= 25°C
图。 11
T
C
= 150°C
对国家特性
V
CE （ SAT ）
V
CE （ SAT ）
V
CE （ SAT ）
集电极到发射极饱和电压
集电极到发射极饱和电压
集电极到发射极饱和电压
I
C
= 6A,
V
GE
= 4V
I
C
= 10A,
V
GE
= 4.5V
I
C
= 15A,
V
GE
= 4.5V
T
C
= 25°C,
参见图。 3
T
C
= 150°C,
见图。 4
T
C
= 150°C
-
-
-
1.25
1.58
1.90
1.60
1.80
2.20
V
V
V
动态特性
Q
G（ ON）的
V
GE （日）
栅极电荷
门到发射极阈值电压
I
C
= 10A ，V
CE
= 12V,
V
GE
= 5V ，见图。 14
I
C
= 1.0毫安，
V
CE
= V
GE，
参见图。 10
I
C
= 10A,
T
C
= 25°C
T
C
= 150°C
V
CE
= 12V
-
1.3
0.75
-
17
-
-
3.0
-
2.2
1.8
-
nC
V
V
V
V
GEP
门到发射极电压高原
开关特性
t
D（ ON ）R
t
rR
t
D（ OFF ）长
t
fL
SCIS
电流导通延迟时间，电阻
电流上升时间，电阻
电流关断延迟时间感
电流下降时间感
自钳位电感开关
V
CE
= 14V ，R
L
= 1,
V
GE
= 5V ，R
G
= 1K
T
J
= 25℃ ，参照图12
V
CE
= 300V ，R
L
= 500H,
V
GE
= 5V ，R
G
= 1K
T
J
= 25℃ ，参照图12
T
J
= 25 ° C，L = 3.0 mH的，
R
G
= 1kΩ的，V
GE
= 5V
-
-
-
-
-
0.7
2.1
4.8
2.8
-
4
7
15
15
300
s
s
s
s
mJ
热特性
R
θJC
热阻结案件
的TO- 252 ，TO- 263 ，TO- 220
-
-
1.0
° C / W
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典型性能曲线
I
SCIS
，感应开关电流（ A）
R
G
= 1kΩ的，V
GE
= 5V, V
dd
= 14V
25
I
SCIS
，感应开关电流（ A）
30
30
R
G
= 1kΩ的，V
GE
= 5V, V
dd
= 14V
25
20
20
15
T
J
= 25°C
T
J
= 150°C
10
15
T
J
= 25°C
10
T
J
= 150°C
5
SCIS曲线有效期为V
钳
<390V的电压
0
0
2
4
6
8
10
5
SCIS曲线有效期为V
钳
<390V的电压
0
0
25
50
75
100
125
150
175
200
t
电
，时间CLAMP （ μS ）
L，电感（ MHY ）
图1.自钳位电感开关
电流与时间钳
V
CE
，集电极到发射极电压（ V）
1.30
I
CE
= 6A
V
GE
= 3.7V
V
GE
= 4.0V
1.26
图2.自钳位电感开关
电流与电感
V
CE
，集电极到发射极电压（ V）
1.8
I
CE
= 10A
1.7
V
GE
= 3.7V
1.6
V
GE
= 4.0V
1.22
1.5
1.18
V
GE
= 8.0V
V
GE
= 5.0V
V
GE
= 4.5V
1.4
V
GE
= 4.5V
1.3
V
GE
= 5.0V
V
GE
= 8.0V
1.14
-75
1.2
-75
-50
-25
0
25
50
75
100
125
150
175
T
J
，结温（ ° C）
-50
-25
0
25
50
75
100
125
150
175
T
J
，结温（ ° C）
图3.集电极到发射极通态电压VS
结温
I
CE
，集电极到发射极电流（ A）
25
V
GE
= 8.0V
V
GE
= 5.0V
20
V
GE
= 4.5V
V
GE
= 4.0V
15
V
GE
= 3.7V
图4.集电极到发射极通态电压VS
结温
I
CE
，集电极到发射极电流（ A）
25
V
GE
= 8.0V
V
GE
= 5.0V
20
V
GE
= 4.5V
V
GE
= 4.0V
15
V
GE
= 3.7V
10
10
5
T
J
= - 40°C
0
0
1.0
2.0
3.0
4.0
5
T
J
= 25°C
0
0
1.0
2.0
3.0
4.0
V
CE
，集电极到发射极电压（ V）
V
CE
，集电极到发射极电压（ V）
图5.集电极到发射极通态电压VS
集电极电流
图6.集电极到发射极通态电压VS
集电极电流
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ISL9V3036D3S / ISL9V3036S3S / ISL9V3036P3
典型性能曲线
（续）
I
CE
，集电极到发射极电流（ A）
I
CE
，集电极到发射极电流（ A）
25
V
GE
= 8.0V
V
GE
= 5.0V
20
V
GE
= 4.5V
V
GE
= 4.0V
15
V
GE
= 3.7V
25
占空比< 0.5 ％ ，V
CE
= 5V
脉冲宽度= 250μs的
20
15
T
J
= 150°C
10
T
J
= 25°C
5
T
J
= -40°C
0
1.0
1.5
2.0
2.5
3.0
3.5
4.0
4.5
10
5
T
J
= 175°C
0
0
1.0
2.0
3.0
4.0
V
CE
，集电极到发射极电压（ V）
V
GE
，门到发射极电压（ V）
图7.集电极到发射极通态电压VS
集电极电流
25
V
GE
= 4.0V
I
CE
， DC集电极电流（ A）
V
TH
，阈值电压（ V）
20
2.0
2.2
图8.传热特性
V
CE
= V
GE
I
CE
= 1毫安
1.8
15
1.6
10
1.4
5
1.2
0
25
50
75
100
125
150
175
1.0
-50
-25
0
25
50
75
100
125
150
175
T
C
，外壳温度（ ° C）
T
J
结温（ ° C）
图9.集电极直流电流与案例
温度
10000
V
ECS
= 24V
1000
切换时间（ μS ）
图10.阈值电压随结
温度
12
I
CE
= 6.5A ，V
GE
= 5V ，R
G
= 1K
电阻吨
关闭
10
感性吨
关闭
8
漏电流（ μA ）
100
10
V
CES
= 300V
1
V
CES
= 250V
0.1
-50
-25
0
25
50
75
100
125
150
175
6
4
电阻吨
ON
2
25
50
75
100
125
150
175
T
J
，结温（ ° C）
T
J
，结温（ ° C）
图11.漏电流与结
温度
图12.开关时间与结
温度
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典型性能曲线
（续）
1600
频率= 1 MHz的
V
GE
，门到发射极电压（ V）
7
6
5
V
CE
= 12V
4
3
2
1
0
0
5
10
15
20
25
0
4
8
12
16
20
24
28
32
V
CE
，集电极到发射极电压（ V）
8
I
G（ REF ）
= 1毫安，R
L
= 1.25, T
J
= 25°C
C，电容（pF ）
1200
C
IES
800
C
水库
400
C
OES
0
V
CE
= 6V
Q
G
，栅极电荷（ NC）
图13.电容VS集电极到发射极
电压
375
I
CER
= 10毫安
BV
CER
，击穿电压（V ）
370
365
360
图14.栅极电荷
T
J
= - 40°C
355
T
J
= 25°C
350
345
T
J
= 175°C
340
335
10
100
R
G
，串联门极电阻（ Ω ）
1K
10K
图15.击穿电压VS系列栅极电阻
Z
thJC
归一化热响应
10
0
0.5
0.2
0.1
10
-1
t
1
P
D
0.02
0.01
单脉冲
0.05
t
2
DUTY因子，D = T
1
/ t
2
PEAK牛逼
J
= (P
D
X Z
θJC
个R
θJC
) + T
C
10
-3
10
-2
10
-1
10
0
10
-2
10
-5
10
-4
T
1
，矩形脉冲持续时间（ S）
图16. IGBT归瞬态热阻抗，结到外壳
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