ISL9R8120P2 / ISL9R8120S3S
2002年5月
ISL9R8120P2 / ISL9R8120S3S
8A ， 1200V隐形二极管
概述
该ISL9R8120P2和ISL9R8120S3S是隐形二极管
为在高频低损失性能优化的硬
切换应用程序。隐身系列具有低
反向恢复电流（I
RM （ REC ）
）和极其柔软的
在典型的操作条件下的恢复。
本装置适用于用作续流或升压
在电源和其它电源开关二极管
应用程序。低我
RM （ REC ）
和短T
a
相减少损失
在开关晶体管。软恢复最小化振铃，
扩大的条件范围下的二极管可
无需使用额外的缓冲电路进行操作。
请考虑使用隐形二极管具有1200V NPT IGBT为
提供最高效，最高的功率密度设计，在
更低的成本。
以前发育类型TA49413
.
特点
软恢复。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。吨
b
/ t
a
> 5.5
快速恢复。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。吨
rr
< 32NS
工作温度。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 150
o
C
反向电压。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 1200V
额定雪崩能量
应用
开关电源
硬开关PFC升压二极管
UPS续流二极管
电机驱动FWD
SMPS FWD
缓冲二极管
包
JEDEC TO- 220AC
阳极
阴极
符号
JEDEC TO- 263AB
K
阴极
（法兰）
N / C
A
阳极
阴极
（底侧
金属）
器件的最大额定值
T
C
= 25 ° C除非另有说明
符号
V
RRM
V
RWM
V
R
I
F（ AV ）
I
FRM
I
FSM
P
D
E
AVL
T
J
, T
英镑
T
L
T
PKG
参数
反向重复峰值电压
工作峰值反向电压
阻断电压DC
平均正向电流整流（T
C
= 105 C)
重复峰值浪涌电流（ 20kHz的方波）
非重复性峰值浪涌电流（半波1期60赫兹）
功耗
雪崩能量（ 1A ， 40mH ）
工作和存储温度范围
最高温度焊接
信息在0.063in （ 1.6毫米）从案例10秒
包体为10S ，请参阅应用笔记AN- 7528
o
评级
1200
1200
1200
8
16
100
71
20
-55到150
300
260
单位
V
V
V
A
A
A
W
mJ
°C
°C
°C
注意：如果运行条件超过上述“绝对最大额定值” ，可能对器件造成永久性损坏。这是一个压力只有额定值和
该设备在这些或以上的本规范的业务部门所标明的任何其他条件的操作不暗示。
2002仙童半导体公司
ISL9R8120P2 / ISL9R8120S3S版本A
ISL9R8120P2 / ISL9R8120S3S
包装标志和订购信息
器件标识
R8120P2
R8120S3S
设备
ISL9R8120P2
ISL9R8120S3S
包
TO-220AC
TO-263AB
胶带宽度
不适用
24mm
QUANTITY
50
800
电气特性
T
C
= 25 ° C除非另有说明
符号
参数
测试条件
民
典型值
最大
单位
关态特征
I
R
瞬时反向电流
V
R
= 1200V
T
C
= 25°C
T
C
= 125°C
-
-
-
-
100
1.0
A
mA
对国家特性
V
F
正向电压
I
F
= 8A
T
C
= 25°C
T
C
= 125°C
-
-
2.8
2.7
3.3
3.1
V
V
动态特性
C
J
结电容
V
R
= 10V ，我
F
= 0A
-
30
-
pF
开关特性
t
rr
t
rr
I
RM （ REC ）
Q
RR
t
rr
S
I
RM （ REC ）
Q
RR
t
rr
S
I
RM （ REC ）
Q
RR
dI
M
/ DT
反向恢复时间
反向恢复时间
最大反向恢复电流
反向恢复电荷
反向恢复时间
软化系数（T
b
/t
a
)
最大反向恢复电流
反向恢复电荷
反向恢复时间
软化系数（T
b
/t
a
)
最大反向恢复电流
反向恢复电荷
吨时最大的di / dt
b
I
F
= 1A ，二
F
/ DT = 100A / μs的，V
R
= 30V
I
F
= 8A ，二
F
/ DT = 100A / μs的，V
R
= 30V
I
F
= 8A,
dI
F
/ DT = 200A / μs的，
V
R
= 780V ，T
C
= 25°C
I
F
= 8A,
dI
F
/ DT = 200A / μs的，
V
R
= 780V,
T
C
= 125°C
I
F
= 8A,
dI
F
/ DT = 1000A / μs的，
V
R
= 780V,
T
C
= 125°C
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
25
35
300
4.3
525
375
9
5.5
1.1
200
5.5
11
1.2
310
32
44
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
ns
ns
ns
A
nC
ns
-
A
C
ns
-
A
C
A / μs的
热特性
R
θJC
R
θJA
热阻结到外壳
的TO-220 ，TO- 263
-
-
-
-
1.75
62
° C / W
° C / W
热阻结到环境TO- 220 ， TO- 263
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ISL9R8120P2 / ISL9R8120S3S版本A
ISL9R8120P2 / ISL9R8120S3S
典型性能曲线
20
18
I
R
，反向电流（ μA ）
I
F
，正向电流（ A）
16
14
12
10
8
6
4
2
0
0
0.5
1.0
1.5
2.0
2.5
3.0
3.5
4.0
4.5
25
o
C
125
o
C
150
o
C
100
125
o
C
10
100
o
C
75
o
C
1
1000
150
o
C
0.1
25
o
C
0.01
200
300
400
500
600
700
800
900 1000 1100 1200
V
F
，正向电压（ V）
V
R
，反向电压（V）的
图1.正向电流与正向电压
500
450
400
T，恢复时间（纳秒）
V
R
= 780V ，T
C
= 125
o
C
t
b
日易迪
F
/ DT = 200A / μs的， 500A / μs的， 800A / μs的
图2.反向电流与反向电压
500
450
400
T，恢复时间（纳秒）
350
300
250
200
150
100
t
b
在我
F
= 16A, 8A, 4A
V
R
= 780V ，T
C
= 125
o
C
350
300
250
200
150
100
50
0
0
2
4
10
6
8
12
I
F
，正向电流（ A）
14
16
t
a
日易迪
F
/ DT = 200A / μs的， 500A / μs的， 800A / μs的
50
0
200
t
a
在我
F
= 16A, 8A, 4A
300
400
500
600
700
800
900
1000
dI
F
/ DT ，电流变化率（ A / μs）内
图3吨
a
和T
b
曲线VS正向电流
I
RM （ REC ）
，最大反向恢复电流（ A）
I
RM （ REC ）
，最大反向恢复电流（ A）
14
13
12
11
10
9
8
7
6
5
4
0
2
4
6
8
10
12
14
16
I
F
，正向电流（ A）
dI
F
/ DT = 200A / μs的
dI
F
/ DT = 800A / μs的
V
R
= 780V ，T
C
= 125
o
C
16
图4吨
a
和T
b
曲线VS的dI
F
/ DT
V
R
= 780V ，T
C
= 125
o
C
14
I
F
= 16A
dI
F
/ DT = 600A / μs的
12
I
F
= 8A
10
I
F
= 4A
8
6
4
100
200
300
400
500
600
700
800
900
1000
dI
F
/ DT ，电流变化率（ A / μs）内
图5.最大反向恢复电流与
正向电流
图6.最大反向恢复电流与
dI
F
/ DT
2002仙童半导体公司
ISL9R8120P2 / ISL9R8120S3S版本A
ISL9R8120P2 / ISL9R8120S3S
典型性能曲线（续）
12
S，反向恢复软化系数
11
I
F
= 16A
10
9
8
7
6
5
4
3
2
100
I
F
= 4A
I
F
= 8A
Q
RR
，反向恢复电荷（ NC）
V
R
= 780V ，T
C
= 125
o
C
2000
1800
1600
1400
1200
1000
800
600
400
100
I
F
= 4A
I
F
= 8A
V
R
= 780V ，T
C
= 125
o
C
I
F
= 16A
200
900
300
400
500
600
700
800
dI
F
/ DT ，电流变化率（ A / μs）内
1000
200
300
400
500
600
700
800
900
1000
dI
F
/ DT ，电流变化率（ A / μs）内
图7.反向恢复软度因子VS
dI
F
/ DT
500
F = 1MH
Z
C
J
，结电容（pF ）
400
图8.反向恢复电荷VS的dI
F
/ DT
I
RM （ REC ）
，最大反向恢复电流（ A）
-4.4
I
F
= 8A ，V
R
= 780V ，二
F
/ DT = 200A / μs的
500
-4.8
I
RM （ REC ）
450
300
-5.2
400
200
-5.6
t
RR
350
100
0
0.03
0.1
1
10
100
-6.0
25
50
75
100
125
T
C
，外壳温度（
o
C)
300
150
V
R
，反向电压（V）的
图9.结电容VS反转
电压
I
F（ AV ）
，平均正向电流（ A）
图10.反向恢复电流和时间
VS外壳温度
8
6
4
2
0
90
100
110
120
130
140
150
T
C
，外壳温度（
o
C)
图11.直流电流降额曲线
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ISL9R8120P2 / ISL9R8120S3S版本A
t
RR
，恢复时间（纳秒）
ISL9R8120P2 / ISL9R8120S3S
典型性能曲线（续）
占空比 - 降序排列
0.5
0.2
0.1
0.05
0.02
0.01
1.0
热阻抗
Z
θJA
归一化
P
DM
0.1
t
1
t
2
注意事项：
DUTY因子：D = T
1
/t
2
PEAK牛逼
J
= P
DM
X Z
θJA
个R
θJA
+ T
A
单脉冲
0.01
10
-5
10
-4
10
-3
10
-2
10
-1
吨，矩形脉冲持续时间（ S）
10
0
10
1
图12.归最大瞬态热阻抗
测试电路和波形
V
GE
振幅和
R
G
控制的dI
F
/ DT
t
1
t
2
控制I
F
L
I
F
DUT
R
G
当前
SENSE
+
MOSFET
V
DD
0
0.25 I
RM
I
RM
dI
F
dt
t
a
t
rr
t
b
V
GE
t
1
t
2
-
图13.
rr
测试电路
图14吨
rr
波形和定义
I = 1A
L = 40mH
< 0.1Ω
V
DD
= 50V
E
AVL
= 1 / 2LI
2
[V
R（ AVL ）
/(V
R（ AVL ）
- V
DD
)]
Q
1
= IGBT （ BV
CES
> DUT V
R（ AVL ）
)
L
当前
SENSE
Q
1
V
DD
DUT
R
+
V
DD
I V
V
AVL
I
L
I
L
-
t
0
t
1
t
2
t
图15.雪崩能量测试电路
图16.雪崩电流和电压
波形
2002仙童半导体公司
ISL9R8120P2 / ISL9R8120S3S版本A
QQ：2880707522 复制
