ISL9N7030BLP3 ， ISL9N7030BLS3ST
数据表
January2002
30V ， 0.009欧姆， 75A ，N沟道逻辑
等级UltraFET沟槽功率MOSFET的
该器件采用了一种新的先进的沟槽MOSFET
技术和功能的低栅极电荷，同时保持
低导通电阻。
优化用于切换应用程序，该装置改善了
用DC / DC转换器的整体效率，并允许
操作，以更高的开关频率。
PWM
优化
特点
快速开关
r
DS （ ON）
= 0.0064
（典型值） ，
V
GS
=
10V
r
DS （ ON）
= 0.010
（典型值） ，
V
GS
=
4.5V
Q
g
总24nC
（典型值） ，
V
GS
= 5V
Q
gd
（典型值）
。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 11nC
C
国际空间站
（典型值）
。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 2600pF
包装
ISL9N7030BLS3ST
JEDEC TO- 263AB
漏
（法兰）
ISL9N7030BLP3
JEDEC TO- 220AB
来源
漏
门
符号
D
G
门
来源
漏
（法兰）
S
订购信息
产品型号
ISL9N7030BLP3
ISL9N7030BLS3ST
包
TO-220AB
TO- 263AB （卷带式）
BRAND
7030BL
7030BL
绝对最大额定值
符号
V
DSS
V
DGR
V
GS
I
D
I
D
I
D
I
DM
P
D
T
J
, T
英镑
T
L
T
PKG
R
θJC
R
θJA
R
θJA
注意：
1. T
J
= 25
o
C至150
o
C.
T
C
= 25
o
C，除非另有规定编
参数
ISL9N7030BLP3 ， ISL9N7030BLS3ST
30
30
±20
75
48
15
图4
100
0.67
-55至175
300
260
1.5
62
43
单位
V
V
V
A
A
A
A
W
W/
o
C
o
C
o
C
o
C
o
C / W
o
C / W
o
C / W
漏源极电压（注1 ）
漏极至栅极电压（R
GS
= 20kΩ时）（注1 ）
栅极至源极电压
漏电流
连续（T
C
= 25
o
C，V
GS
= 10V） （图2）
连续（T
C
= 100
o
C，V
GS
= 4.5V ） （图2）
连续（T
C
= 25
o
C，V
GS
= 10V ，R
θJA
= 43
o
C / W ）
漏电流脉冲
功耗
减免上述25
o
C
工作和存储温度
最高温度焊接
信息在0.063in （ 1.6毫米）从案例10秒
包体为10S ，见Techbrief TB334
热阻结到管壳， TO- 220 ， TO- 263
热阻结到环境， TO- 220 ， TO- 263
热阻结到环境， TO- 263 ， 1英寸
2
铜层的面积
热规格
注意事项：
应力超过上述“绝对最大额定值” ，可能对器件造成永久性损坏。这是一个应力只评级和操作
器件在这些或以上的本规范的业务部门所标明的任何其他条件不暗示。
产品的可靠性信息， http://www.fairchildsemi.com/products/discrete/reliability/index.html被发现
对于恶劣的环境，看到我们的汽车产品。
所有飞兆半导体产品的制造，在ISO9000和QS9000质量体系认证，组装和测试。
2002仙童半导体公司
ISL9N7030BLP3 ， ISL9N7030BLS3ST版本B
ISL9N7030BLP3 ， ISL9N7030BLS3ST
电气规格
参数
OFF状态规格
漏源击穿电压
零栅极电压漏极电流
BV
DSS
I
DSS
I
D
= 250μA ，V
GS
= 0V （图10）
V
DS
= 25V, V
GS
= 0V
V
DS
= 25V, V
GS
= 0V ，T
C
= 150
o
C
门源漏电流
ON状态规格
门源阈值电压
漏极至源极导通电阻
V
GS （ TH）
r
DS （ ON）
V
GS
= V
DS
, I
D
= 250μA （图9
I
D
= 75A ，V
GS
= 10V （图7，图8）
I
D
= 48A ，V
GS
= 4.5V （图7）
交换特定网络阳离子
(V
GS
= 4.5V)
开启时间
导通延迟时间
上升时间
打开-O FF延迟时间
下降时间
打开-O FF时间
t
ON
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
t
关闭
V
DD
= 15V ，我
D
= 15A
V
GS
= 4.5V,
R
GS
= 6.2
（图13 ，图17， 18）的
-
-
-
-
-
-
-
15
67
35
32
-
122
-
-
-
-
100
ns
ns
ns
ns
ns
ns
1
-
-
-
0.007
0.010
3
0.009
0.012
V
I
GSS
V
GS
=
±20V
30
-
-
-
-
-
-
-
-
1
250
±100
V
A
A
nA
T
C
= 25
o
C，除非另有规定编
符号
测试条件
民
典型值
最大
单位
交换特定网络阳离子
(V
GS
= 10V)
开启时间
导通延迟时间
上升时间
打开-O FF延迟时间
下降时间
打开-O FF时间
栅极电荷规格
总栅极电荷，在10V
总栅极电荷为5V
阈值的栅极电荷
门源栅极电荷
栅漏“米勒”充电
电容规格
输入电容
输出电容
反向传输电容
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
V
DS
= 15V, V
GS
= 0V,
F = 1MHz的
（图11）
-
-
-
2600
520
225
-
-
-
pF
pF
pF
Q
G（ TOT ）
Q
g(5)
Q
G（ TH ）
Q
gs
Q
gd
V
GS
= 0V至10V
V
GS
= 0V至5V
V
GS
= 0V至1V
V
DD
= 15V,
I
D
= 48A,
I
G（ REF ）
= 1.0毫安
（图12，图15，图16 ）
-
-
-
-
-
45
24
2.6
7
8
68
37
4.0
-
-
nC
nC
nC
nC
nC
t
ON
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
t
关闭
V
DD
= 15V ，我
D
= 15A,
V
GS
=
10V ，R
GS
= 6.2,
（图14 ，图17， 18）的
-
-
-
-
-
-
-
8
40
64
31
-
71
-
-
-
-
142
ns
ns
ns
ns
ns
ns
源极到漏极二极管特定网络阳离子
参数
源极到漏极二极管电压
符号
V
SD
I
SD
= 48A
I
SD
= 20A
反向恢复时间
反向恢复电荷
t
rr
Q
RR
I
SD
= 48A ，二
SD
/ DT = 100A / μs的
I
SD
= 48A ，二
SD
/ DT = 100A / μs的
测试条件
民
-
-
-
-
典型值
-
-
-
-
最大
1.25
1.0
26
14
单位
V
V
ns
nC
2002仙童半导体公司
ISL9N7030BLP3 ， ISL9N7030BLS3ST版本B
ISL9N7030BLP3 ， ISL9N7030BLS3ST
典型性能曲线
1.2
功耗乘法器
1.0
0.8
0.6
0.4
0.2
0
0
25
50
75
100
125
150
175
T
C
，外壳温度（
o
C)
0
25
80
I
D
，漏电流（ A）
60
V
GS
= 10V
40
V
GS
= 4.5V
20
50
75
100
125
150
175
T
C
，外壳温度（
o
C)
图1.归功耗与案例
温度
图2.最大连续漏极电流VS
外壳温度
2
1
热阻抗
Z
θJC
归一化
占空比 - 降序排列
0.5
0.2
0.1
0.05
0.02
0.01
0.1
P
DM
单脉冲
0.01
注意事项：
DUTY因子：D = T
1
/t
2
PEAK牛逼
J
= P
DM
X Z
θJC
个R
θJC
+ T
C
10
-3
10
-2
吨，矩形脉冲持续时间（ S）
10
-1
10
0
t
1
t
2
10
1
10
-5
10
-4
图3.归一化最大瞬态热阻抗
1000
T
C
= 25
o
C
I
DM
峰值电流（ A）
对于温度
上述25
o
C减免PEAK
当前，如下所示：
175 - T
C
I = I
25
150
V
GS
= 10V
V
GS
= 5V
100
跨
可能限流
在这个区域
10
-4
10
-3
10
-2
T，脉冲宽度（ S）
10
-1
10
0
10
1
50
10
-5
图4.峰值电流容量
2002仙童半导体公司
ISL9N7030BLP3 ， ISL9N7030BLS3ST版本B
ISL9N7030BLP3 ， ISL9N7030BLS3ST
典型性能曲线
150
125
100
75
50
25
0
1
2
3
4
5
V
GS
，门源电压（ V）
T
J
= 25
o
C
脉冲持续时间为80μs =
占空比= 0.5 ％ MAX
V
DD
= 15V
（续）
150
T
C
= 25
o
C
I
D
，漏电流（ A）
125
100
75
V
GS
= 3.5V
50
25
0
0
0.5
1.0
1.5
脉冲持续时间为80μs =
占空比= 0.5 ％ MAX
V
GS
= 3V
2.0
V
GS
= 4.5V
V
GS
= 10V
I
D
，漏电流（ A）
T
J
= 175
o
C
T
J
= -55
o
C
V
DS
，漏源极电压（ V）
图5.传输特性
图6.饱和特性
25
r
DS （ ON）
，漏极到源极
ON电阻（mΩ ）
I
D
= 50A
20
归一漏极至源极
抗性
脉冲持续时间为80μs =
占空比= 0.5 ％ MAX
T
C
= 25
o
C
2.0
脉冲持续时间为80μs =
占空比= 0.5 ％ MAX
1.5
15
I
D
= 14A
10
I
D
= 75A
1.0
V
GS
= 10V ，我
D
= 75A
0.5
-80
-40
0
40
80
120
160
200
5
2
4
6
8
10
V
GS
，门源电压（ V）
T
J
，结温（
o
C)
图7.漏极至源极导通电阻VS门
电压和漏极电流
图8.归漏极至源极导
电阻与结温
1.2
归一漏极至源极
击穿电压
V
GS
= V
DS
, I
D
= 250A
归一化门
阈值电压
1.0
1.2
I
D
= 250A
1.1
0.8
1.0
0.6
0.4
-80
-40
0
40
80
120
160
200
0.9
-80
-40
0
40
80
120
160
200
T
J
，结温（
o
C)
T
J
，结温（
o
C)
图9.归栅极阈值电压VS
结温
图10.归一漏极至源极击穿
电压Vs结温
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ISL9N7030BLP3 ， ISL9N7030BLS3ST
典型性能曲线
4000
C
国际空间站
=
C
GS
+ C
GD
C，电容（pF ）
C
OSS
C
DS
+ C
GD
1000
C
RSS
=
C
GD
（续）
10
V
GS
，门源电压（ V）
V
DD
= 15V
8
6
4
任意波形
降序排列：
I
D
= 48A
I
D
= 14A
0
10
20
30
Q
g
，栅极电荷（ NC）
40
50
2
V
GS
= 0V ， F = 1MHz的
100
0.1
1
10
30
0
V
DS
，漏源极电压（ V）
注：请参阅飞兆半导体应用笔记AN7254和AN7260 。
图11.电容VS漏源极电压
图12.栅极电荷波形为恒
栅电流
250
V
GS
= 4.5V, V
DD
= 15V ，我
D
= 15A
切换时间（纳秒）
200
切换时间（纳秒）
t
r
150
350
V
GS
= 10V, V
DD
= 15V ，我
D
= 15A
300
250
t
D（关闭）
200
150
100
t
r
50
t
D（上）
t
D（关闭）
t
f
t
D（上）
100
t
f
50
0
0
10
20
30
40
50
R
GS
，门源电阻（ Ω ）
0
0
10
20
30
40
50
R
GS
，门源电阻（ Ω ）
图13.开关时间与栅极电阻
图14.开关时间与栅极电阻
测试电路和波形
V
DS
R
L
V
DD
V
DS
V
GS
= 10V
V
GS
+
Q
G（ TOT ）
Q
g(5)
V
DD
V
GS
V
GS
= 1V
0
Q
G（ TH ）
Q
gs
I
G（ REF ）
0
Q
gd
V
GS
= 5V
-
DUT
I
G（ REF ）
图15.栅极电荷测试电路
图16.门充电波形
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ISL9N7030BLP3 ， ISL9N7030BLS3ST版本B
QQ：2880707522 复制
