ISL9N312AP3/ISL9N312AS3ST
2002年1月
ISL9N312AP3/ISL9N312AS3ST
N沟道逻辑电平PWM优化UltraFET沟道功率MOSFET
概述
该器件采用了一种新的先进的沟槽MOSFET
技术和功能的低栅极电荷，同时保持
低导通电阻。
优化用于切换应用程序，该装置改善了
用DC / DC转换器的整体效率，并允许
操作，以更高的开关频率。
特点
快速开关
r
DS （ ON）
= 0.010
（典型值） ，V
GS
= 10V
r
DS （ ON）
= 0.017
（典型值） ，V
GS
= 4.5V
Q
g
（典型值） =为13nC ，V
GS
= 5V
Q
gd
（典型值） = 4.5nC
C
国际空间站
（典型值） = 1450pF
应用
DC / DC转换
漏
（法兰）
来源
漏
门
D
门
来源
G
漏
（法兰）
S
TO-263AB
符号
V
DSS
V
GS
漏源极电压
栅极至源极电压
参数
TO-220AB
评级
30
±
20
58
32
12
图4
75
0.5
-55至175
单位
V
V
A
A
A
A
W
W/
o
C
o
C
MOSFET的最大额定值
T
A
= 25 ° C除非另有说明
I
D
漏电流
连续（T
C
= 25
o
C，V
GS
= 10V)
连续（T
C
= 100
o
C，V
GS
= 4.5V)
连续（T
C
= 25
o
C，V
GS
= 10V ，R
θ
JA
= 43
o
C / W ）
脉冲
功耗
减免上述25
o
C
工作和存储温度
P
D
T
J
, T
英镑
热特性
R
θ
JC
R
θ
JA
R
θ
JA
热阻结到外壳TO- 220 ， TO- 263
热阻结到环境TO- 220 ， TO- 263
热阻结到环境TO- 263 ， 1英寸
2
铜层的面积
2
62
43
o
C / W
o
C / W
o
C / W
包装标志和订购信息
器件标识
N312AS
N312AP
设备
ISL9N312AS3ST
ISL9N312AP3
包
TO-263AB
TO-220AB
带尺寸
330mm
管
胶带宽度
24mm
不适用
QUANTITY
800个
50
2002仙童半导体公司
版本B ， 2002年1月
ISL9N312AP3/ISL9N312AS3ST
电气特性
T
A
= 25 ° C除非另有说明
符号
参数
测试条件
民
典型值
最大
单位
开关特性
B
VDSS
I
DSS
I
GSS
漏源击穿电压
零栅极电压漏极电流
门源漏电流
I
D
= 250
A，V
GS
= 0V
V
DS
= 25V
V
GS
= 0V
T
C
= 150
o
V
GS
=
±
20V
30
-
-
-
-
-
-
-
-
1
250
±
100
V
A
nA
基本特征
V
GS （ TH）
r
DS （ ON）
门源阈值电压
漏极至源极导通电阻
V
GS
= V
DS
, I
D
= 250
A
I
D
= 58A ，V
GS
= 10V
I
D
= 32A ，V
GS
= 4.5V
1
-
-
-
0.010
0.017
3
0.012
0.020
V
动态特性
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
Q
G（ TOT ）
Q
g(5)
Q
G（ TH ）
Q
gs
Q
gd
输入电容
输出电容
反向传输电容
总栅极电荷，在10V
总栅极电荷为5V
阈值的栅极电荷
门源栅极电荷
栅漏“米勒”充电
(V
GS
= 4.5V)
-
-
V
DD
= 15V ，我
D
= 12A
V
GS
= 4.5V ，R
GS
= 11
-
-
-
-
-
15
60
25
30
-
115
-
-
-
-
83
ns
ns
ns
ns
ns
ns
V
DS
= 15V, V
GS
= 0V,
F = 1MHz的
V
GS
= 0V至10V
V
GS
= 0V至5V V = 15V
DD
V
GS
= 0V至1V我
D
= 32A
I
g
= 1.0毫安
-
-
-
-
-
-
-
1450
300
120
25
13
1.5
4.3
4.5
-
-
-
38
20
2.3
-
-
pF
pF
pF
nC
nC
nC
nC
nC
开关特性
t
ON
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
t
关闭
开启时间
导通延迟时间
上升时间
打开-O FF延迟时间
下降时间
打开-O FF时间
开关特性
t
ON
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
t
关闭
开启时间
导通延迟时间
上升时间
打开-O FF延迟时间
下降时间
打开-O FF时间
(V
GS
= 10V)
-
V
DD
= 15V ，我
D
= 12A
V
GS
= 10V ，R
GS
= 11
-
-
-
-
-
-
8
30
45
30
-
57
-
-
-
-
115
ns
ns
ns
ns
ns
ns
非钳位感应开关
t
AV
雪崩时间
I
D
= 2.9A ，L = 3.0mH
195
-
-
s
漏源二极管的特性
V
SD
t
rr
Q
RR
源极到漏极二极管电压
反向恢复时间
反向恢复电荷
I
SD
= 32A
I
SD
= 15A
I
SD
= 32A ，二
SD
/ DT = 100A /
s
I
SD
= 32A ，二
SD
/ DT = 100A /
s
-
-
-
-
-
-
-
-
1.25
1.0
20
7
V
V
ns
nC
2002仙童半导体公司
版本B ， 2002年1月
ISL9N312AP3/ISL9N312AS3ST
典型特征
1.2
60
功耗乘法器
1.0
I
D
，漏电流（ A）
V
GS
= 10V
40
0.8
0.6
V
GS
= 4.5V
20
0.4
0.2
0
0
25
50
75
100
125
o
0
150
175
25
50
75
100
125
150
175
T
C
，外壳温度（ C）
T
C
，外壳温度（
o
C)
图1.归功耗与
环境温度
2
1
占空比 - 降序排列
0.5
0.2
0.1
0.05
0.02
0.01
图2.最大连续漏极电流VS
外壳温度
Z
θJC
归一化
热阻抗
P
DM
0.1
t
1
t
2
单脉冲
注意事项：
DUTY因子：D = T
1
/t
2
PEAK牛逼
J
= P
DM
X Z
θJC
个R
θJC
+ T
C
10
-2
吨，矩形脉冲持续时间（ S）
10
-1
10
0
10
1
0.01
10
-5
10
-4
10
-3
图3.归一化最大瞬态热阻抗
1000
跨
可能限流
在这个区域
I
DM
峰值电流（ A）
T
C
= 25
o
C
对于温度
上述25
o
C减免PEAK
当前，如下所示：
175 - T
C
I = I
25
150
V
GS
= 10V
V
GS
= 5V
100
50
10
-5
10
-4
10
-3
10
-2
T，脉冲宽度（ S）
10
-1
10
0
10
1
图4.峰值电流容量
2002仙童半导体公司
版本B ， 2002年1月
ISL9N312AP3/ISL9N312AS3ST
典型特征
（续）
120
脉冲持续时间80毫秒=
占空比= 0.5 ％ MAX
V
DD
= 15V
T
J
= 25
o
C
80
120
脉冲持续时间为80μs =
占空比= 0.5 ％ MAX
I
D
，漏电流（ A）
T
C
= 25
o
C
80
V
GS
= 4.5V
V
GS
= 10V
I
D
，漏电流（ A）
V
GS
= 4V
40
40
T
J
=
175
o
C
T
J
= -55
o
C
V
GS
= 3V
0
0
1
2
3
4
5
6
V
GS
，门源电压（ V）
0
0.5
1.0
1.5
2.0
V
DS
，漏源极电压（ V）
图5.传输特性
30
脉冲持续时间为80μs =
占空比= 0.5 ％ MAX
25
r
DS （ ON）
，漏极到源极
ON电阻（mΩ ）
I
D
= 58A
归一漏极至源极
抗性
图6.饱和特性
2.0
脉冲持续时间为80μs =
占空比= 0.5 ％ MAX
1.5
20
I
D
= 32A
15
I
D
= 12A
10
1.0
V
GS
= 10V ，我
D
= 58A
0.5
-80
-40
0
40
80
120
160
200
5
2
4
6
8
10
V
GS
，门源电压（ V）
T
J
，结温（
o
C)
图7.漏极至源极导通电阻VS门
电压和漏极电流
1.2
V
GS
= V
DS
, I
D
= 250A
归一化门
阈值电压
1.0
图8.归漏极至源极导
电阻与结温
1.2
I
D
= 250A
归一漏极至源极
击穿电压
1.1
0.8
1.0
0.6
0.4
-80
-40
0
40
80
120
160
200
T
J
，结温（
o
C)
0.9
-80
-40
0
40
80
120
160
200
T
J
，结温（
o
C)
图9.归栅极阈值电压VS
结温
图10.归漏极至源极
击穿电压VS结温
2002仙童半导体公司
版本B ， 2002年1月
ISL9N312AP3/ISL9N312AS3ST
典型特征
（续）
2000
V
GS
，门源电压（ V）
C
国际空间站
= C
GS
+ C
GD
1000
C，电容（pF ）
C
OSS
C
GS
+ C
GD
10
V
DD
= 15V
8
6
4
任意波形
降序排列：
I
D
= 58A
I
D
= 32A
C
RSS
= C
GD
2
V
GS
= 0V ， F = 1MHz的
100
0.1
1
10
30
V
DS
，漏源极电压（ V）
0
0
10
20
30
Q
g
，栅极电荷（ NC）
图11.电容VS漏极至源极
电压
150
V
GS
= 4.5V, V
DD
= 15V ，我
D
= 12A
图12.栅极电荷波形为恒
门电流
200
V
GS
= 10V, V
DD
= 15V ，我
D
= 12A
t
D（关闭）
切换时间（纳秒）
100
t
r
t
D（关闭）
切换时间（纳秒）
150
100
t
f
t
r
50
t
D（上）
50
t
f
t
D（上）
0
0
10
20
30
40
50
R
GS
，门源电阻（ Ω ）
0
0
10
20
30
40
50
R
GS
，门源电阻（ Ω ）
图13.开关时间与栅极电阻
图14.开关时间与栅极电阻
测试电路和波形
V
DS
t
P
L
I
AS
异吨
P
获得
所需的峰值I
AS
V
GS
DUT
t
P
0V
R
G
-
BV
DSS
V
DS
V
DD
+
V
DD
I
AS
0.01
0
t
AV
图15.松开能源利用检测电路
图16.松开能源波形
2002仙童半导体公司
版本B ， 2002年1月
QQ：2880707522 复制
