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ISL9K1560G3
2002年11月
ISL9K1560G3
15A , 600V隐形双二极管
概述
该ISL9K1560G3是一个隐形双二极管低优化
高频损耗性能硬开关应用。
隐身系列具有低反向恢复电流
(I
RM ( REC )
),并在典型的异常软恢复
操作条件。
本装置适用于用作续流或升压
在电源和其它电源开关二极管
应用程序。低我
RM ( REC )
和短T
a
相减少损失
在开关晶体管。软恢复最小化振铃,
扩大的条件范围下的二极管可
无需使用额外的缓冲电路进行操作。
请考虑使用隐形二极管与IGBT开关电源来
提供最高效,最高的功率密度设计,在
更低的成本。
以前发育类型TA49410
.
特点
软恢复。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。吨
b
/ t
a
> 1.2
快速恢复。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。吨
rr
<为30ns
工作温度。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 175
o
C
反向电压。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 600V
额定雪崩能量
应用
开关电源
硬开关PFC升压二极管
UPS续流二极管
电机驱动FWD
SMPS FWD
缓冲二极管
JEDEC风格-247
阳极2
阴极
阴极
(底侧
金属)
阳极1
符号
K
A1
A2
器件的最大额定值(
每腿)
T
C
= 25 ° C除非另有说明
符号
V
RRM
V
RWM
V
R
I
F( AV )
I
FRM
I
FSM
P
D
E
AVL
T
J
, T
英镑
T
L
T
PKG
参数
反向重复峰值电压
工作峰值反向电压
阻断电压DC
平均正向电流整流(T
C
=
器件总电流(双腿)
145
o
C)
评级
600
600
600
15
30
30
200
150
20
-55至175
300
260
单位
V
V
V
A
A
A
A
W
mJ
°C
°C
°C
重复峰值浪涌电流( 20kHz的方波)
非重复性峰值浪涌电流(半波1期60赫兹)
功耗
雪崩能量( 1A , 40mH )
工作和存储温度范围
最高温度焊接
信息在0.063in ( 1.6毫米)从案例10秒
包体为10S ,见Techbrief TB334
注意:如果运行条件超过上述“设备最大额定值”,可能对器件造成永久性损坏。这是一个压力只有额定值和
该设备在这些或以上的本规范的业务部门所标明的任何其他条件的操作不暗示。
2002仙童半导体公司
ISL9K1560G3牧师C1
ISL9K1560G3
包装标志和订购信息
器件标识
K1560G3
设备
ISL9K1560G3
TO-247
胶带宽度
不适用
QUANTITY
30
电气特性(
每腿)
T
C
= 25 ° C除非另有说明
符号
参数
测试条件
典型值
最大
单位
关态特征
I
R
瞬时反向电流
V
R
= 600V
T
C
= 25°C
T
C
= 125°C
-
-
-
-
100
1.0
A
mA
对国家特性
V
F
正向电压
I
F
= 15A
T
C
= 25°C
T
C
= 125°C
-
-
1.8
1.65
2.2
2.0
V
V
动态特性
C
J
结电容
V
R
= 10V ,我
F
= 0A
-
62
-
pF
开关特性
t
rr
t
rr
I
RM ( REC )
Q
RR
t
rr
S
I
RM ( REC )
Q
RR
t
rr
S
I
RM ( REC )
Q
RR
dI
M
/ DT
反向恢复时间
反向恢复时间
最大反向恢复电流
反向恢复电荷
反向恢复时间
软化系数(T
b
/t
a
)
最大反向恢复电流
反向恢复电荷
反向恢复时间
软化系数(T
b
/t
a
)
最大反向恢复电流
反向恢复电荷
吨时最大的di / dt
b
I
F
= 1A ,二
F
/ DT = 100A / μs的,V
R
= 30V
I
F
= 15A ,二
F
/ DT = 100A / μs的,V
R
= 30V
I
F
= 15A,
dI
F
/ DT = 200A / μs的,
V
R
= 390V ,T
C
= 25°C
I
F
= 15A,
dI
F
/ DT = 200A / μs的,
V
R
= 390V,
T
C
= 125°C
I
F
= 15A,
dI
F
/ DT = 800A / μs的,
V
R
= 390V,
T
C
= 125°C
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
25
35
29.4
3.5
57
90
2.0
5.0
275
52
1.36
13.5
390
800
30
40
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
A
nC
A / μs的
A
nC
ns
ns
ns
ns
A
nC
ns
热特性
R
θJC
R
θJA
热阻结到外壳
热阻结到环境TO- 247
-
-
-
-
1.0
30
° C / W
° C / W
2002仙童半导体公司
ISL9K1560G3牧师C1
ISL9K1560G3
典型性能曲线
30
4000
175
o
C
1000
25
I
F
,正向电流( A)
175
o
C
20
150
o
C
125
o
C
15
100
o
C
10
25
o
C
I
R
,反向电流( μA )
150
o
C
125
o
C
100
o
C
10
75
o
C
100
1
25
o
C
0.1
100
5
0
0.5
0.75
1.0
1.25
1.5
1.75
2.0
2.25
200
300
400
500
600
V
F
,正向电压( V)
V
R
,反向电压(V)的
图1.正向电流与正向电压
100
V
R
= 390V ,T
J
= 125°C
80
T,恢复时间(纳秒)
图2.反向电流与反向电压
100
V
R
= 390V ,T
J
= 125°C
80
T,恢复时间(纳秒)
t
b
在我
F
= 30A, 15A, 7.5A
t
b
日易迪
F
/ DT = 200A / μs的, 500A / μs的, 800A / μs的
60
60
40
40
20
t
a
日易迪
F
/ DT = 200A / μs的, 500A / μs的, 800A / μs的
0
0
5
10
15
20
25
30
I
F
,正向电流( A)
20
t
a
在我
F
= 30A, 15A, 7.5A
0
200
400
600
800
1000
1200
1400
1600
dI
F
/ DT ,电流变化率( A / μs)内
图3吨
a
和T
b
曲线VS正向电流
I
RM ( REC )
,最大反向恢复电流( A)
I
RM ( REC )
,最大反向恢复电流( A)
16
V
R
= 390V ,T
J
= 125°C
14
12
dI
F
/ DT = 500A / μs的
10
8
6
4
2
0
5
10
15
20
25
30
I
F
,正向电流( A)
dI
F
/ DT = 200A / μs的
dI
F
/ DT = 800A / μs的
25
图4吨
a
和T
b
曲线VS的dI
F
/ DT
V
R
= 390V ,T
J
= 125°C
I
F
= 30A
20
I
F
= 15A
15
I
F
= 7.5A
10
5
0
200
400
600
800
1000
1200
1400
1600
dI
F
/ DT ,电流变化率( A / μs)内
图5.最大反向恢复电流与
正向电流
图6.最大反向恢复电流与
dI
F
/ DT
2002仙童半导体公司
ISL9K1560G3牧师C1
ISL9K1560G3
典型性能曲线(续)
S,反向恢复软化系数
V
R
= 390V ,T
J
= 125°C
I
F
= 30A
2.0
I
F
= 15A
Q
RR
,反向恢复电荷( NC)
2.5
700
V
R
= 390V ,T
J
= 125°C
I
F
= 30A
600
500
I
F
= 15A
400
1.5
I
F
= 7.5A
1.0
300
I
F
= 7.5A
0.5
200
400
600
800
1000
1200
1400
1600
200
200
400
600
800
1000
1200
1400
1600
dI
F
/ DT ,电流变化率( A / μs)内
dI
F
/ DT ,电流变化率( A / μs)内
图7.反向恢复软度因子VS
dI
F
/ DT
1200
图8.反向恢复电荷VS的dI
F
/ DT
16
I
F( AV )
,平均正向电流( A)
14
12
10
8
6
4
2
0
140
C
J
,结电容(pF )
1000
800
600
400
200
0
145
150
155
160
165
170
175
0.1
1
10
100
T
C
,外壳温度(
o
C)
V
R
,反向电压(V)的
图9.结电容VS反转
电压
图10.直流电流降额曲线
1.0
热阻抗
Z
θJA ,
占空比 - 降序排列
0.5
0.2
0.1
0.05
0.02
0.01
P
DM
0.1
t
1
t
2
注意事项:
DUTY因子:D = T
1
/t
2
PEAK牛逼
J
= P
DM
X Z
θJA
个R
θJA
+ T
A
单脉冲
0.01
10
-5
10
-4
10
-3
10
-2
10
-1
吨,矩形脉冲持续时间( S)
10
0
10
1
图11.归一化最大瞬态热阻抗
2002仙童半导体公司
ISL9K1560G3牧师C1
ISL9K1560G3
测试电路和波形
典型性能曲线(续)
V
GE
振幅和
R
G
控制的dI
F
/ DT
t
1
t
2
控制I
F
L
I
F
DUT
R
G
当前
SENSE
+
MOSFET
V
DD
0
0.25 I
RM
I
RM
dI
F
dt
t
a
t
rr
t
b
V
GE
t
1
t
2
-
图12吨
rr
测试电路
图13吨
rr
波形和定义
I = 1A
L = 40mH
< 0.1Ω
V
DD
= 50V
E
AVL
= 1 / 2LI
2
[V
R( AVL )
/(V
R( AVL )
- V
DD
)]
Q
1
= IGBT ( BV
CES
> DUT V
R( AVL )
)
L
当前
SENSE
Q
1
V
DD
DUT
R
+
V
DD
I V
V
AVL
I
L
I
L
-
t
0
t
1
t
2
t
图14.雪崩能量测试电路
图15.雪崩电流和电压
波形
2002仙童半导体公司
ISL9K1560G3牧师C1
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    电话:0755-82780082
    联系人:杨小姐
    地址:深圳市福田区振兴路156号上步工业区405栋3层

    ISL9K1560G3
    -
    -
    -
    -
    终端采购配单精选

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电话:0755*83682918
联系人:林小姐
地址:深圳市福田区华强花园A座30E
ISL9K1560G3
FAIRCHILD/仙童
22+
16000
TO-247
原装正品自家库存
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电话:15914072177
联系人:林先生
地址:深圳市福田区华强北街道佳和潮流前线商场负一楼1A236
ISL9K1560G3
FAIRCHILD/仙童
24+
32883
TO247
公司现货,全新原厂原装正品!
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电话:0755-89697985
联系人:李
地址:深圳市龙岗区平湖街道平湖社区平安大道3号铁东物流区11栋1822
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onsemi
24+
10000
TO-247-3
原厂一级代理,原装现货
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电话:0755-88291559
联系人:陈泽强
地址:深圳市福田区华强北深南中路2068号华能大厦23楼2312-2313-2318
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FAIRCHILD/仙童
2443+
23000
TO-247
一级代理专营,原装现货,价格优势
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电话:0755-83223003
联系人:朱
地址:福田区红荔路上步工业区201栋西座316
ISL9K1560G3
FSC
24+
8420
TO-247
全新原装现货,原厂代理。
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电话:0755-83777708/83777607/82799993
联系人:朱咸华
地址:美驻深办公室:深圳市福田区华强北上步工业区201栋4楼A18室/ 分公司:深圳华强北深纺大厦C座西7楼/ 市场部:华强北新亚洲电子市场3B047展销柜
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Fairchild
25+23+
13500
TUBE
绝对原装正品现货/优势渠道商、原盘原包原盒
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联系人:小邹
地址:深圳市福田区上步工业区201栋西座228室
ISL9K1560G3
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22+
3487
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27000
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地址:广东省深圳市福田区华强北赛格广场66楼6608B
ISL9K1560G3
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11+
42
TO247
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