ISL9G1260EG3 ， ISL9G1260EP3 ， ISL9G1260ES3
绝对最大额定值
T
C
= 25
o
C，除非另有规定编
所有类型
集电极到发射极电压。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 .BV
CES
连续集电极电流
在T
C
= 25
o
温度。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。我
C25
在T
C
= 110
o
温度。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。我
C110
集电极电流脉冲（注1 ） 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。我
CM
门到发射极电压连续。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 V
GES
门到发射极电压脉冲。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 V
创业板
开关安全工作区在T
J
= 150
o
C，图2
单脉冲雪崩能量在T
C
= 25
o
C . . . . . . . .
Singlle周期换向脉冲雪崩能量在T
C
= 25
o
C
功耗总在T
C
= 25
o
C . . . . . . . . . . . . . .
功耗降额牛逼
C
＆ GT ; 25
o
C . . . . . . . . . . . . .
。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 SSOA
. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . E
AS
. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . E
ARV
. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . P
D
50
20
108
±20
±30
60A电压为600V
150mJ在12A
在为100mJ 12A
167
1.33
-55到150
300
260
A
A
A
V
V
600
单位
V
W
W/
o
C
o
C
o
C
o
C
.............................
工作和存储结温范围。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。牛逼
J
, T
英镑
最大无铅焊接温度的
信息在0.063in （ 1.6毫米）从案例10秒。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。牛逼
L
包体为10S ，请参见技术简介334 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。牛逼
PKG
注意：如果运行条件超过上述“绝对最大额定值” ，可能对器件造成永久性损坏。这是一个应力只评级和操作
器件在这些或以上的本规范的业务部门所标明的任何其他条件不暗示。
注意：
1.脉冲宽度有限的最高结温。
电气连接特定的阳离子
参数
T
J
= 25
o
C，除非另有规定编
符号
BV
CES
BV
ECS
I
CES
测试条件
I
C
= 250μA ，V
GE
= 0V
I
C
= 10毫安，V
GE
= 0V
V
CE
= 600V
T
J
= 25
o
C
T
J
= 125
o
C
T
J
= 25
o
C
T
J
= 125
o
C
民
600
15
-
-
-
-
4.5
-
60
150
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
典型值
-
-
-
-
1.95
1.7
6.5
-
-
-
9.0
23
28
16
14
42
18
55
170
100
最大
-
-
100
2
2.7
2.0
7.0
±250
-
-
-
30
36
-
-
-
-
-
-
-
单位
V
V
A
mA
V
V
V
nA
A
mJ
V
nC
nC
ns
ns
ns
ns
J
J
J
集电极到发射极击穿电压
发射极到集电极击穿电压
集电极到发射极漏电流
集电极到发射极饱和电压
V
CE （ SAT ）
I
C
=12A,
V
GE
= 15V
门到发射极阈值电压
门到发射极漏电流
开关SOA
脉冲雪崩能量
门到发射极电压高原
导通状态的栅极电荷
V
GE （日）
I
GES
SSOA
E
AS
V
GEP
Q
G（ ON）的
I
C
= 250μA ，V
CE
= 600V
V
GE
=
±20V
T
J
= 150
o
C，R
G
= 10, V
GE
= 15V
L = 100μH ，V
CE
= 600V
I
CE
= 12A ，L = 2.1mH ，V
DD
= 50V
I
C
= 12A ，V
CE
= 300V
I
C
= 12A,
V
CE
= 300V
V
GE
= 15V
V
GE
= 20V
电流导通延迟时间
电流上升时间
电流关断延迟时间
电流下降时间
开启能量（注2 ）
开启能量（注2 ）
关断能量（注3 ）
t
D（ ON ）I
t
rI
t
D（ OFF ）I
t
fI
E
ON1
E
ON2
E
关闭
IGBT和二极管在T
J
= 25
o
C
I
CE
= 12A
V
CE
= 390V
V
GE
= 15V
R
G
= 10
L = 200μH
测试电路 - 图20
2001仙童半导体公司
ISL9G1260EG3 ， ISL9G1260EP3 ， ISL9G1260ES3版本A
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