ISL9103 , ISL9103A
数据表
2009年6月26日
FN6828.1
500毫安2.4MHz是低I
Q
高效率
同步降压转换器
该ISL9103 , ISL9103A是500mA的, 2.4MHz是降压
调节器,这是理想的供电的低电压
微处理器在紧凑的设备,如PDA和
蜂窝电话。它是产生低输出优化
电压下降到0.8V 。电源电压范围是从
2.7V至6V允许使用单节Li +电池,三节镍氢
电池或稳压的5V输入。它保证最低
为500mA的输出电流。的高开关频率
2.4MHz是脉冲宽度调制(PWM)允许使用小的
的外部元件。在轻负载条件下,该装置
工作在低I
Q
跳跃模式具有典型的20μA静态
电流最高的轻负载效率,以最大限度地延长电池
生活,它会自动切换到固定频率PWM
重负载条件下的模式。
的ISL9103 , ISL9103A包括一对低
导通电阻的P沟道和N沟道MOSFET的内部
最大限度地提高系统效率,减少外部
元件数量。 100 %占空比工作允许少
超过300mV的压差电压,在500mA的电流。
该ISL9103 , ISL9103A提供内部数字软启动,
启用电顺序,过流保护和
热关断功能。另外, ISL9103 ,
ISL9103A提供了一种快速止血功能,其排出
输出电容时, IC被禁用。
的ISL9103 , ISL9103A是在一个1.6x1.6mm提供μTDFN
封装。完整的转换器占用小于
0.5cm
2
.
特点
高效率集成同步降压稳压器
用高达95 %的效率
2.7V至6.0V电源电压
2.4MHz下的PWM开关频率
保证500mA输出电流
3 %的输出精度超温线固定
输出选项
在跳跃模式 20μA静态电流
低于1μA的逻辑控制关断电流不
100 %的最大占空比为最低压差
超声波开关频率跳跃模式,以防止
声频噪声(对于ISL9103A专用)
放电输出电容时禁用
内部数字软启动
峰值电流限制,短路保护
过温保护
=芯片使能
小型6引脚1.6mmx1.6mm封装μTDFN
无铅(符合RoHS )
应用
单节锂离子电池供电设备
移动电话和MP3播放器
PDA和掌上电脑
引脚
ISL9103 , ISL9103A
( 6 LD 1.6x1.6 μTDFN )
顶视图
VIN 1
EN 2
NC 3
6 SW
5 GND
4 FB
WCDMA手机
- 便携式仪器
1
注意:这些器件对静电放电敏感;遵循正确的IC处理程序。
1-888- INTERSIL或1-888-468-3774
|
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版权所有Intersil公司美洲2009.版权所有
提及的所有其他商标均为其各自所有者的财产。
ISL9103 , ISL9103A
订购信息
产品型号
(注1,3)
ISL9103IRUNZ-T
即将推出
ISL9103IRUJZ-T
ISL9103IRUFZ-T
即将推出
ISL9103IRUDZ-T
即将推出
ISL9103IRUCZ-T
ISL9103IRUBZ-T
ISL9103IRUWZ-T
ISL9103IRUAZ-T
ISL9103AIRUNZ-T
即将推出
ISL9103AIRUJZ-T
ISL9103AIRUFZ-T
即将推出
ISL9103AIRUDZ-T
即将推出
ISL9103AIRUCZ-T
ISL9103AIRUBZ-T
ISL9103AIRUWZ-T
ISL9103AIRUAZ-T
注意事项:
1.请参阅TB347对卷筒规格的详细信息。
2.其他输出电压选项可根据要求提供,请联系Intersil的更多细节。
3.这些Intersil无铅产品采用塑料包装特殊的无铅材料制成,模塑料/晶片的附属材料和镍钯金
板 - E4终止完成,这是符合RoHS标准,既锡铅和无铅焊接操作兼容。 Intersil无铅产品
MSL在达到或超过IPC / JEDEC J STD- 020对无铅要求的无铅峰值回流温度。
部分
记号
J0
J1
J2
J3
J4
J5
J6
J7
J8
J9
K0
K1
K2
K3
K4
K5
产量
电压(V)的
(注2 )
3.3
2.8
2.5
2.0
1.8
1.5
1.2
ADJ
3.3
2.8
2.5
2.0
1.8
1.5
1.2
ADJ
温度范围
(°C)
-40至+85
-40至+85
-40至+85
-40至+85
-40至+85
-40至+85
-40至+85
-40至+85
-40至+85
-40至+85
-40至+85
-40至+85
-40至+85
-40至+85
-40至+85
-40至+85
包
(无铅)
6 Ld的μTDFN
6 Ld的μTDFN
6 Ld的μTDFN
6 Ld的μTDFN
6 Ld的μTDFN
6 Ld的μTDFN
6 Ld的μTDFN
6 Ld的μTDFN
6 Ld的μTDFN
6 Ld的μTDFN
6 Ld的μTDFN
6 Ld的μTDFN
6 Ld的μTDFN
6 Ld的μTDFN
6 Ld的μTDFN
6 Ld的μTDFN
PKG
DWG 。 #
L6.1.6x1.6
L6.1.6x1.6
L6.1.6x1.6
L6.1.6x1.6
L6.1.6x1.6
L6.1.6x1.6
L6.1.6x1.6
L6.1.6x1.6
L6.1.6x1.6
L6.1.6x1.6
L6.1.6x1.6
L6.1.6x1.6
L6.1.6x1.6
L6.1.6x1.6
L6.1.6x1.6
L6.1.6x1.6
超声
功能
NO
NO
NO
NO
NO
NO
NO
NO
是的
是的
是的
是的
是的
是的
是的
是的
2
FN6828.1
2009年6月26日
ISL9103 , ISL9103A
绝对最大额定值
VIN , EN至GND 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。
SW到GND 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。
FB到GND (可调版本) 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。
FB到GND (用于固定输出版本) 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。
-0.3V至6.5V
-1.5V至6.5V
-0.3V至2.7V
-0.3V至3.6V
热信息
热电阻(典型,注4 )
θ
JA
( ° C / W)
6LD 1.6x1.6 μTDFN包。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。
160
结温范围。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 - 40 ° C至+ 125°C
存储温度范围。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 - 65 ° C至+ 150°C
无铅回流焊温度曲线。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。下面。见链接
http://www.intersil.com/pbfree/Pb-FreeReflow.asp
推荐工作条件
VIN电源电压范围。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 2.7V至6.0V
负载电流。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 .UP 500mA的电流
环境温度范围。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 - 40 ° C至+ 85°C
注意:不要达到或接近上市较长时间的最高收视率运行。暴露于这样的条件可能不利地影响了产品的可靠性和
导致不在保修范围内的故障。
注意:
4.
θ
JA
测量在自由空气与装在一个高有效热导率测试板用“直接连接”的功能的组件。看
技术简介TB379 。
电气规格
除非另有说明,所有参数限制都保证在推荐的工作条件和
的典型规格测量在下列条件:T已
A
= + 25 ° C,V
IN
= V
EN
= 3.6V , L = 2.2μH ,
C
1
= 10μF ,C
2
= 10μF ,我
OUT
= 0A (请参阅第8页上的“典型应用”)。有MIN和/或MAX参数
限制是100%测试在+ 25 ℃,除非另有规定。温度限制设立的表征
而不是生产测试。
符号
测试条件
民
典型值
最大
单位
参数
供应
欠压锁定阈值( UVLO )
UVLO迟滞
静态电源电流(为ISL9103
可调输出电压只)
静态电源电流(为ISL9103A
可调输出只)
关闭电源电流
输出调节
FB电压精度(可调节输出
只)
FB电压
FB偏置电流(用于调节输出只)
输出电压精度(用于固定输出
电压只)
线路调整
负载调整率
SW
P沟道MOSFET的导通电阻
V
UVLO
T
A
= + 25°C ,瑞星
-
50
2.5
150
20
32
0.05
2.7
-
34
45
1
V
mV
A
A
μA
I
VIN1
I
VIN2
I
SD
在跳脉冲模式下,无负载时的输出,没有开关,
V
IN
= 6.0V
在跳脉冲模式下,无负载时的输出,没有开关,
V
IN
= 6.0V
V
IN
= 6.0V , EN = LOW
-
-
-
T
A
= 0 ° C至+ 85°C
-2
-2.5
-
-
0.8
+2
+2.5
%
%
V
V
FB
I
FB
VFB = 0.75V
PWM模式
V
IN
= V
O
+ 0.5V至6V (最小2.7V )
V
IN
= 3.6V ,我
O
= 150毫安500mA的电流
-
-3
-
-
5
-
0.2
0.0009
100
3
-
-
nA
%
%/V
% / mA的
V
IN
= 3.6V ,我
O
= 200毫安
V
IN
= 2.7V ,我
O
= 200毫安
-
-
-
-
-
0.45
0.55
0.4
0.5
100
0.95
100
0.01
0.6
0.72
0.52
0.65
-
1.30
-
2
Ω
Ω
Ω
Ω
Ω
A
%
A
N沟道MOSFET的导通电阻
V
IN
= 3.6V ,我
O
= 200毫安
V
IN
= 2.7V ,我
O
= 200毫安
N沟道MOSFET出血
导通电阻
P沟道MOSFET峰值电流限制
最大占空比
SW漏电流
SW在Hi-Z状态
I
PK
V
IN
= 4.2V
0.7
-
-
3
FN6828.1
2009年6月26日
ISL9103 , ISL9103A
电气规格
除非另有说明,所有参数限制都保证在推荐的工作条件和
的典型规格测量在下列条件:T已
A
= + 25 ° C,V
IN
= V
EN
= 3.6V , L = 2.2μH ,
C
1
= 10μF ,C
2
= 10μF ,我
OUT
= 0A (请参阅第8页上的“典型应用”)。有MIN和/或MAX参数
限制是100%测试在+ 25 ℃,除非另有规定。温度限制设立的表征
而不是生产测试。
(续)
符号
f
S
V
IN
= 3.6V
测试条件
民
1.9
-
-
典型值
2.4
65
1.2
最大
2.75
-
-
单位
兆赫
ns
ms
参数
PWM开关频率
SW最小导通时间
软启动时间
EN
逻辑输入低
逻辑输入高
逻辑输入漏电流
热关断
热关断迟滞
-
1.4
-
-
-
-
-
0.1
130
30
0.4
-
1
-
-
V
V
A
°C
°C
典型工作性能
100
90
80
效率(%)
V
IN
= 3.8V
V
IN
= 4.9V
效率(%)
70
60
50
40
30
20
10
0
0
0.1
0.2
I
O
(A)
0.3
0.4
0.5
V
IN
= 2.7V
100
90
80
70
60
50
40
30
20
10
0
0
0.1
0.2
I
O
(A)
0.3
0.4
0.5
V
IN
= 3.5V
V
IN
= 4.5V
V
IN
= 5.5V
图1:效率与负载电流( VO = 1.5V )
图2.效率与负载电流( VO = 2.5V )
30
T = + 85°C
1.800
VIN = 3.6V ,瑞星
1.795
25
T = + 25°C
智商( μA )
20
V
O
(V)
1.790
1.785
VIN = 3.6V , FALLING
15
T = -45℃
10
2.70
1.780
1.775
3.25
3.80
4.35
V
IN
(V)
4.90
5.45
6.00
0
100
200
300
400
500
I
OUT
(MA )
图3.输入静态电流与V
IN
( VO = 2.5V )
图4.输出电压与负载电流
( ISL9103 , VO_NORMINAL = 1.8V)
4
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2009年6月26日
ISL9103 , ISL9103A
典型工作性能
(续)
2.520
5V/DIV
VIN = 4.0V ,瑞星
2.510
V
O
(V)
1V/DIV
2.505
VIN = 4.0V , FALLING
2.500
200mA/DIV
I
L
5V/DIV
100
200
300
400
500
I
OUT
(MA )
EN
2.515
V
SW
V
OUT
2.495
0
图5.输出电压与负载电流
( ISL9103 , VO_NORMINAL = 2.5V )
图6.软启动PFM模式(V
IN
= 3.6V,
V
OUT
= 1.5V ,我
OUT
= 0.001毫安)
5V/DIV
V
SW
V
OUT
1V/DIV
5V/DIV
V
SW
V
OUT
2V/DIV
500mA/DIV
I
L
200mA/DIV
I
L
5V/DIV
EN
5V/DIV
EN
图7.软启动PWM模式(V
IN
= 3.6V,
V
OUT
= 1.5V ,我
OUT
= 500mA)请
图8.软启动PFM模式(V
IN
= 3.6V,
V
OUT
= 2.5V ,我
OUT
= 0.001毫安)
5V/DIV
V
SW
5V/DIV
V
SW
50mV/DIV
V
OUT
V
OUT
I
o
50mV/DIV
20mA/DIV
I
o
20mA/DIV
图9.负载瞬态在PFM模式下(V
IN
= 3.6V,
V
OUT
= 1.5V , 5mA至30mA),口径
图10.负载瞬态在PFM模式下(V
IN
= 3.6V,
V
OUT
= 1.5V , 30毫安TO 5毫安)
5
FN6828.1
2009年6月26日