添加收藏夹  设为首页  深圳服务热线：13751165337  13692101218
Pdf资料  |  热门库存  |  IC详细资料  |  网站地图
IC供应 PDF资料 非IC供应
51电子网联系电话：13751165337
首页
供应信息
求购信息
非IC专区
技术资料
电子资讯
招聘中心
会展信息 51旺铺 会员中心
位置：首页 > IC型号导航 > 首字符I型号页 > 首字符I的型号第657页 > ISL88550AIRZ
ISL88550A
数据表
二○○五年十月一十二日
FN6168.0
同步降压控制器
源出和吸收LDO稳压器
ISL88550A集成了一个同步降压PWM控制器
产生VDDQ ，一个采购和下沉LDO线性
稳压器来产生VTT ，和一个10mA基准输出
缓冲器，能够产生VTTR 。降压控制器驱动两个
外部N沟道MOSFET ，以产生输出电压
下降到0.7V从2V至25V的输入与输出电流高达
到15A 。该LDO可提供高达2.5A和吸收高达-2.0A
不断。这两个LDO输出和10mA基准
缓冲器输出，可以向追踪经由在REFIN电压
内置电阻分压器。这些特点使
ISL88550A非常适用于DDR内存的应用
台式机，笔记本电脑和图形卡。
在ISL88550A的PWM控制器采用恒定导通时间
PWM架构，具有可编程的开关频率
高达600kHz的。这种控制架构可轻松应对宽
输入/输出电压比，并能提供100ns的
“即时接通”负载瞬态响应，同时保持
高效率和相对恒定的开关频率。
该ISL88550A提供全面的可编程的UVP / OVP和跳跃
模式选项，非常适合于便携式应用。跳跃模式
允许在轻负载效率提高。
VTT和VTTR输出跟踪到VREFIN / 2 。高
这LDO稳压器的带宽可以让优秀的瞬态
响应，而不需要大容量电容，从而降低了
的成本和尺寸。
降压控制器和LDO稳压器提供
独立的电流限制。可调整的无损耗折回
限流降压稳压器是通过监控来实现
低侧同步的漏极 - 源极电压降
MOSFET。一次过电流被移除时，调节器是
允许再次进入软启动。这有助于降低功耗
在短路条件耗散。此外，过
电压和欠电压保护是建立
英寸的ISL88550A允许灵活的排序和待机
使用SHDNA ＃电源管理和STBY ＃输入。
特点
无铅加退火有（符合RoHS ）
降压控制器
固定在PWM具有100ns负载阶跃响应
启动了预偏置输出电压
高达95 ％的效率
2V至25V输入电压范围
1.8V / 2.5V固定或0.7V至3.5V可调输出
在200kHz / 300kHz的/ 450kHz的/ 600kHz的开关频率
折返式可编程电流限制
1.7ms数字软启动和独立的关断
过压/欠压保护选项
电源就绪窗口比较器
LDO节
完全集成的VTT和VTTR能力
VTT有
+2.5A/-2.0A
采购/下沉能力
启动了预偏置输出电压
VTT和VTTR输出跟踪VREFIN / 2
VTT & VTTR VREFIN的1 ％ / 2
低全陶瓷输出电容设计
1.0V至2.8V输入REFIN范围
模拟软启动选项和独立的关断
电源就绪窗口比较器
应用
DDR ， DDR II和DDR III内存电源
台式电脑
笔记本电脑和台式笔记本
显卡
游戏机
联网和RAID
订购信息
产品型号
ISL88550AIRZ （见注）
ISL88550AIRZ -T （见注）
最热
ISL88550AIRZ
ISL88550AIRZ
温度范围（ ℃）
-40至+85
-40至+85
包
28 Ld的5 × 5薄型QFN （无铅）
PKG 。 DWG 。 ＃
L28.5x5B
28 Ld的5 × 5薄型QFN磁带和卷轴（无铅） L28.5x5B
注： Intersil无铅加退火产品采用特殊的无铅材料制成，模塑料/晶片的附属材料和100 ％雾锡板
终止完成，这是符合RoHS标准，既锡铅和无铅焊接操作兼容。 Intersil无铅产品MSL
分类，可达到或超过IPC / JEDEC J STD- 020对无铅要求的无铅峰值回流温度。
1
注意：这些器件对静电放电敏感;遵循正确的IC处理程序。
1-888- INTERSIL或1-888-468-3774
|
Intersil公司（和设计）是Intersil Americas Inc.公司的注册商标。
版权所有Intersil公司美洲2005.版权所有
提及的所有其他商标均为其各自所有者的财产。
ISL88550A
引脚
ISL88550A
（ 28 LD TQFN ）
顶视图
SHDNA ＃
PGND1
23
SKIP ＃
AVDD
GND
28
吨
OVP / UVP
REF
ILIM
POK1
POK2
STBY ＃
1
2
3
4
5
6
7
8
SS
27
26
25
24
22
21
20
19
18
17
16
15
LGATE
BOOT
相
UGATE
VIN
OUT
FB
9
VTTS
10
VTTR
11
PGND2
12
VTT
13
VTTI
14
REFIN
2
VDD
TPO
FN6168.0
二○○五年十月一十二日
ISL88550A
绝对最大额定值
VIN至GND 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 -0.3V至+ 25V
VDD ， AVDD ， VTTI至GND 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 -0.3V至6V
SHDNA ＃ ， REFIN至GND 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 -0.3V至6V
SS ， POK1 ， POK2 ， SKIP ＃ ， ILIM ， FB到GND 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 -0.3V至6V
STBY ＃ ，T
ON
，楼盘， UVP / OVP到GND 。 。 。 。 。 。 。 。 - 0.3V至AV
DD
+0.3V
OUT ， VTTR至GND 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 - 0.3V至AV
DD
+0.3V
LGATE到PGND1 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 -0.3V到V
DD
+0.3V
UGATE为相。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 -0.3V到VBOOT + 0.3V
引导到相。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 -0.3V至6V
相PGND 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 -2V至+ 33V
VTT至GND 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 -0.3V至VTTI + 0.3V
VTTS到GND 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 - 0.3V至AV
DD
+0.3V
PGND1 ， PGND2至GND 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 -0.3 + 0.3V
REF短路到地。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。连续
热信息
热阻
TQFN封装（注1 ， 2 ） 。 。 。 。 。 。 。 。 。
θ
JA
（ ° C / W）
31
θ
JC
（ ° C / W）
1.5
工作条件
结温范围。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 - 55 ° C至+ 150°C
工作温度范围。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 - 40 ° C至+ 85°C
储存温度。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 -65 °C至+ 150℃
焊接温度（焊接， 10秒） 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 + 300℃
注意：如果运行条件超过上述“绝对最大额定值” ，可能对器件造成永久性损坏。这是一个应力只评级和操作
器件在这些或以上的本规范的业务部门所标明的任何其他条件不暗示。
注意事项：
1.
θ
JA
测量在自由空气与装在一个高有效热导率测试板用“直接连接”的功能的组件。看
技术简介TB379 。
2.
θ
JC
中， "case temp"位置是在封装底部的裸露金属焊盘的中心。参见技术简介TB379 。
电气规格
VIN = + 15V ，V
DD
= AV
DD
SHDNA = ＃ = STBY ＃ = BOOT = ILIM = 5V ，输出= REFIN = VTTI = 2.5V ，
FB = SKIP ＃ = OVP / UVP = GND 。 PGND1 = PGND2 = PHASE = GND ， VTTS = VTT ，T
ON
=开放，T
A
= -40°C
至+ 85 ℃，除非另有说明。典型值是在T
A
= + 25 ° C（注3 ）
条件
民
典型值
最大
单位
注：以下为目标规格。最后界限可能会改变为表征的结果。
参数
主PWM控制器
V
IN
输入电压范围
V
DD
， AV
DD
输入电压范围
输出调节范围
输出电压精度（注4 ）
FB = OUT
FB = GND
FB = V
DD
软启动斜坡时间
ON- TIME
对SHDNA ＃全电流限制上升沿
V
IN
= 15V,
V
OUT
=
1.5V
（注5 ）
T
ON
= GND （ 600kHz的）
T
ON
= REF （ 450kHz的）
T
ON
= OPEN （ 300kHz的）
T
ON
= AV
DD
(200kHz)
最小，关断时间
V
IN
静态电源电流
V
IN
关断电源电流
SHDNA ＃ = STBY ＃ = GND
（注5 ）
170
213
316
461
200
2
4.5
0.7
0.693
2.470
1.78
0.7
2.5
1.8
1.7
194
243
352
516
300
25
1
2.5
1
2
4.1
4.25
50
219
273
389
571
450
40
5
5
2
10
4.4
25
5.5
3.5
0.707
2.53
1.82
V
V
V
V
V
V
ms
ns
ns
ns
ns
ns
A
A
mA
mA
A
V
mV
联合影音
DD
和V
DD
静态电源所有的（ PWM ， VTT ， & VTTR上） ，V
FB
= 0.75V
当前
STBY ＃ = GND （仅适用于VTTR & PWM上） ，V
FB
= 0.75V
联合影音
DD
和V
DD
关断电源SHDNA ＃ = STBY ＃ = GND
当前
AV
DD
欠压锁定阈值
AV的上升沿
DD
迟滞
参考
参考电压
AV
DD
= 4.5V至5.5V ;我
REF
= 0至130μA
1.98
2
2.02
V
3
FN6168.0
二○○五年十月一十二日
ISL88550A
电气规格
VIN = + 15V ，V
DD
= AV
DD
SHDNA = ＃ = STBY ＃ = BOOT = ILIM = 5V ，输出= REFIN = VTTI = 2.5V ，
FB = SKIP ＃ = OVP / UVP = GND 。 PGND1 = PGND2 = PHASE = GND ， VTTS = VTT ，T
ON
=开放，T
A
= -40°C
至+ 85 ℃，除非另有说明。典型值是在T
A
= + 25 ° C（注3 ）
（续）
条件
I
REF
= 0 50μA
V
REF
升起
迟滞
故障检测
OVP跳闸阈值（参照名义
V
OUT
)
UVP触发电平简称标称V
OUT
POK1触发电平简称标称V
OUT
较低的水平，下降沿， 1 ％的滞后
上层，上升沿， 1 ％的滞后
POK2触发电平简称标称VTTS
和VTTR
POK2关断阈值（测量温度
REFIN ）
UVP消隐时间
OVP ， UVP ， POK_传播延迟
POK_输出低电压
POK_漏电流
ILIM调整范围
ILIM输入漏电流
电流限制阈值（修正）
PGND1到PHASE
电流限制阈值（可调）
PGND1到PHASE
限流阈值（负向）
PGND1到PHASE
限流阈值（负向）
PGND1到PHASE
限流阈值（过零）
PGND1到PHASE
升起
热关断阈值
内部自举二极管
V
D
正向电压
I
BOOT_LEAKAGE
漏电流
MOSFET驱动器
UGATE门驱动器导通电阻
LGATE门驱动器导通电阻高
状态
LGATE门驱动器导通电阻低
状态
LGATE上升
死区时间（附加自适应延迟）
UGATE上升
V
BOOT
-V
相
= 5V
1.5
1.5
0.6
30
30
ns
5
5
3
PVCC -V
BOOT
, I
F
= 10毫安
V
BOOT
= 25V ， PHASE = 20V ， PVCC = 5V
0.60
300
0.70
500
V
nA
迟滞
ILIM = AV
DD
V
ILIM
= 2V
SKIP ＃ = AV
DD
SKIP ＃ = AV
DD,
ILIM = 2V
45
170
-75
50
200
-60
-250
3
150
15
°C
I
SINK
= 4毫安
V
POK_
= 5.5V ， VFB = 0.8V ， VTTS = 1.3V
0.25
较低的水平，下降沿， 1 ％的滞后
上层，上升沿， 1 ％的滞后
V
REFIN
上升（滞后=为75mV典型值）
从SHDNA ＃上升沿
UVP / OVP = AV
DD
110
65
87
107
87.5
107.5
0.7
8
14
10
0.3
1
2.00
0.1
55
235
-45
114
70
90
110
90
110
118
75
93
113
92.5
112.5
0.9
25
%
%
%
%
%
%
V
ms
s
V
A
V
A
mV
mV
mV
mV
mV
1.93
300
民
典型值
最大
0.01
单位
V
V
mV
注：以下为目标规格。最后界限可能会改变为表征的结果。
参数
参考负载调节
REF欠压闭锁
4
FN6168.0
二○○五年十月一十二日
ISL88550A
电气规格
VIN = + 15V ，V
DD
= AV
DD
SHDNA = ＃ = STBY ＃ = BOOT = ILIM = 5V ，输出= REFIN = VTTI = 2.5V ，
FB = SKIP ＃ = OVP / UVP = GND 。 PGND1 = PGND2 = PHASE = GND ， VTTS = VTT ，T
ON
=开放，T
A
= -40°C
至+ 85 ℃，除非另有说明。典型值是在T
A
= + 25 ° C（注3 ）
（续）
条件
民
典型值
最大
单位
注：以下为目标规格。最后界限可能会改变为表征的结果。
参数
输入和输出
逻辑输入阈值高（ SHDNA ＃ ， ＃ SKIP ，上升沿
STBY ＃ ）
迟滞
逻辑输入电流（ SHDNA ＃ ， ＃ SKIP ，
STBY ＃ ）
FB输入逻辑电平
低（ 2.5V输出）
高（ 1.8V输出）
输入偏置电流（ FB ）
高
四电平输入逻辑电平
(T
ON
， OVP / UVP ）
漂浮的
REF
低
逻辑输入电流（T
ON
， OVP / UVP ，注4 ）
FB = GND
OUT输入电阻
FB = AV
DD
FB可调模式
OUT放电模式下导通电阻
线性稳压器（ VTTR和VTT ）
VTTI输入电压范围
VTTI电源电流
VTTI关断电流
REFIN输入阻抗
REFIN范围
VTT ， VTTR UVLO阈值（测量温度
OUT ）
软启动充电电流
VTT内部MOSFET高侧开 -
阻力
VTT内部MOSFET低边开 -
阻力
VTT输出精度（参考VTTR ）
VTT负载调节
VTT正电流限
VTT负电流限制功能
VTTS输入电流
V
SS
= 0
I
VTT
= -100mA ，V
VTTI
= 1.5V ， AV
DD
= 4.5V
(T
J
= 125°C)
I
VTT
= 100mA时AV
DD
= 4.5V （T
J
= 125°C)
V
REFIN
= 1.8V或2.5V ，我
VTT
= -5mA
V
REFIN
= 2.5V ，我
VTT
= 0 -1.5A
V
REFIN
= 1.8V ，我
VTT
= 0 -1.5A
VTT = 0
VTT = VTTI
V
VTTS
= 1.5V ， VTT开放
-1.25
±20
±40
2.5
-3.5
-1.5
1
1
3.0
-2.5
0.1
4.0
-2.0
1
1.25
±60
I
VTT
= I
VTTR
= 0
SHDNA ＃ = STBY ＃ = GND
V
REFIN
= 2.5V
17
1.0
0.01
0.1
4
0.10
0.18
0.28
0.43
1.5
20
1.0
0.1
2.8
1
10
27
2.8
0.2
V
mA
A
k
V
V
A
%
%
%
A
A
A
%
mA
-3
125
90
125
250
180
250
15
2.1
-0.1
AV
DD
-0.4
3.15
1.65
3.85
2.35
0.5
+3
500
270
500
30
A
k
k
k
V
0.1
1.2
1.7
225
-1
1
0.1
2.20
V
mV
A
V
V
A
VTTR输出误差（参考V
REFIN
/2)
V
REFIN
= 1.8V ，我
VTTR
=
0
mA
VTTR电流限制
VTTR = 0或VTTI
5
FN6168.0
二○○五年十月一十二日
ISL88550A
数据表
2008年4月23日
FN6168.3
同步降压型控制器
源出和吸收LDO稳压器
ISL88550A集成了一个同步降压PWM控制器
产生VDDQ ，一个采购和下沉LDO线性
稳压器来产生VTT ，和一个10mA基准输出
缓冲器，能够产生VTTR 。降压控制器驱动两个
外部N沟道MOSFET ，以产生输出电压
下降到0.7V从2V至25V的输入与输出电流高达
到15A 。该LDO可提供高达2.5A和吸收高达-2.0A
不断。这两个LDO输出和10mA基准
缓冲器输出，可以向追踪经由在REFIN电压
内置电阻分压器。这些特点使
ISL88550A非常适用于DDR内存的应用
台式机，笔记本电脑和图形卡。
在ISL88550A的PWM控制器采用恒定导通时间
PWM架构，具有可编程的开关频率
高达600kHz的。这种控制架构可轻松应对宽
输入/输出电压比，并能提供100ns的
“即时接通”负载瞬态响应，同时保持
高效率和相对恒定的开关频率。
该ISL88550A提供全面的可编程的UVP / OVP和跳跃
模式选项，非常适合于便携式应用。跳跃模式
允许在轻负载效率提高。
VTT和VTTR输出跟踪到VREFIN / 2 。高
这LDO稳压器的带宽可以让优秀的瞬态
响应，而不需要大容量电容，从而降低了
的成本和尺寸。
降压控制器和LDO稳压器提供
独立的电流限制。可调整的无损耗折回
限流降压稳压器是通过监控来实现
低侧同步的漏极 - 源极电压降
MOSFET。一次过电流被移除时，调节器是
允许再次进入软启动。这有助于降低功耗
在短路条件耗散。另外，
过压和欠压保护机制
内置的ISL88550A允许灵活的排序和
使用SHDNA ＃待机电源管理和STBY ＃
输入。
特点
无铅（符合RoHS ）
降压控制器
固定在PWM具有100ns负载阶跃响应
启动了预偏置输出电压
高达95 ％的效率
2V至25V输入电压范围
固定2.5V或0.7V至3.5V可调输出
在200kHz / 300kHz的/ 450kHz的/ 600kHz的开关频率
折返式可编程电流限制
1.7ms数字软启动和独立的关断
过压/欠压保护选项
电源就绪窗口比较器
LDO节
完全集成的VTT和VTTR能力
VTT拥有+ 2.5A / -2.0A采购/吸收能力
启动了预偏置输出电压
VTT和VTTR输出跟踪VREFIN / 2
VREFIN的VTT和VTTR 1 ％ / 2
低全陶瓷输出电容设计
1.0V至2.8V输入REFIN范围
模拟软启动选项和独立的关断
电源就绪窗口比较器
应用
DDR ， DDR II和DDR III内存电源
台式电脑
笔记本电脑和台式笔记本
显卡
游戏机
联网和RAID
订购信息
部件号（注）
ISL88550AIRZ
ISL88550AIRZ-T*
最热
ISL88 550AIRZ
ISL88 550AIRZ
温度范围（ ℃）
-40至+85
-40至+85
封装（无铅）
28 Ld的5 × 5 TQFN
28 Ld的5 × 5 TQFN磁带和卷轴
PKG 。 DWG 。 ＃
L28.5x5B
L28.5x5B
*请参阅TB347对卷筒规格的详细信息。
注意：这些Intersil无铅产品采用塑料包装特殊的无铅材料制成，模塑料/晶片的附属材料和100 ％
雾锡板加退火 - E3终止完成，这是符合RoHS标准，既锡铅和无铅焊接操作兼容。
Intersil无铅产品分类MSL在达到或超过IPC / JEDEC J无铅要求的无铅峰值回流温度
STD-020.
1
注意：这些器件对静电放电敏感;遵循正确的IC处理程序。
1-888- INTERSIL或1-888-468-3774
|
Intersil公司（和设计）是Intersil Americas Inc.公司的注册商标。
版权所有Intersil公司美洲2005年， 2007年， 2008年版权所有
提及的所有其他商标均为其各自所有者的财产。
ISL88550A
引脚
ISL88550A
（ 28 LD TQFN ）
顶视图
SHDNA ＃
PGND1
23
SKIP ＃
AVDD
GND
VDD
22
21
20
19
18
17
16
15
8
SS
9
VTTS
10
VTTR
11
PGND2
12
VTT
13
VTTI
14
REFIN
LGATE
BOOT
相
UGATE
VIN
OUT
FB
TP0
28
吨
OVP / UVP
REF
ILIM
POK1
POK2
STBY ＃
1
2
3
4
5
6
7
27
26
25
24
2
FN6168.3
2008年4月23日
ISL88550A
绝对最大额定值
VIN至GND 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 -0.3V至+ 25V
VDD ， AVDD ， VTTI至GND 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 -0.3V至6V
SHDNA ＃ ， REFIN至GND 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 -0.3V至6V
SS ， POK1 ， POK2 ， SKIP ＃ ， ILIM ， FB到GND 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 -0.3V至6V
STBY ＃ ， TON ，楼盘， UVP / OVP到GND 。 。 。 。 。 。 -0.3V到AV
DD
+ 0.3V
OUT ， VTTR至GND 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 -0.3V到AV
DD
+ 0.3V
LGATE到PGND1 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 -0.3V到V
DD
+ 0.3V
UGATE为相。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 -0.3V到VBOOT + 0.3V
引导到相。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 -0.3V至6V
引导至GND 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 -0.3V至+ 33V
VTT至GND 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 -0.3V至VTTI + 0.3V
VTTS到GND 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 -0.3V到AV
DD
+ 0.3V
PGND1 ， PGND2至GND 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 -0.3V至+ 0.3V
REF短路到地。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。连续
热信息
热阻
28 Ld的TQFN封装（注1 ， 2 ） 。 。 。 。
θ
JA
（ ° C / W）
32
θ
JC
（ ° C / W）
2.5
工作条件
结温范围。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 - 55 ° C至+ 150°C
工作温度范围。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 - 40 ° C至+ 85°C
储存温度。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 -65 °C至+ 150℃
无铅回流焊曲线。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。下面。见链接
http://www.intersil.com/pbfree/Pb-FreeReflow.asp
注意：不要达到或接近上市较长时间的最高收视率运行。暴露于这样的条件可能不利地影响了产品的可靠性和
导致不在保修范围内的故障。
注意事项：
1.
θ
JA
测量在自由空气与装在一个高有效热导率测试板用“直接连接”的功能的组件。看
技术简介TB379 。
2.
θ
JC
中， "case temp"位置是在封装底部的裸露金属焊盘的中心。
3.以下是目标规格。最后界限可能会改变为表征的结果。
电气规格
V
IN
= +15V, V
DD
= AV
DD
SHDNA = ＃ = STBY ＃ = BOOT = ILIM = 5V ，输出= REFIN = VTTI = 2.5V ，
FB = SKIP ＃ = OVP / UVP = GND 。 PGND1 = PGND2 = PHASE = GND ， VTTS = VTT ，T
ON
=开放，T
A
= -40 ° C至
+ 85 ℃，除非另有说明，份是100％，在+ 25 ℃下进行测试。温度限制成立
表征和不生产测试。 （注4 ） 。
条件
民
典型值
最大
单位
参数
主PWM控制器
V
IN
输入电压范围
V
DD
， AV
DD
输入电压范围
输出调节范围
输出电压精度（注5 ）
FB = OUT
FB = GND
软启动斜坡时间
ON- TIME
2
4.5
0.7
0.693
2.470
0.7
2.5
1.7
170
213
316
461
200
194
243
352
516
300
25
SHDNA ＃ = STBY ＃ = GND
所有上（PWM ，VTT和VTTR上），V
FB
= 0.75V
STBY ＃ = GND （仅适用于VTTR和PWM的） ，
V
FB
= 0.75V
SHDNA ＃ = STBY ＃ = GND
AV的上升沿
DD
迟滞
4.1
1
2.5
1
2
4.25
50
25
5.5
3.5
0.707
2.53
V
V
V
V
V
ms
对SHDNA ＃全电流限制上升沿
V
IN
= 15V,
V
OUT
= 1.5V
（注6 ）
t
ON
= GND （ 600kHz的）
t
ON
= REF （ 450kHz的）
t
ON
= OPEN （ 300kHz的）
t
ON
= AV
DD
(200kHz)
219
273
389
571
450
40
5
5
2
10
4.4
ns
ns
ns
ns
ns
A
A
mA
mA
A
V
mV
最小，关断时间
V
IN
静态电源电流
V
IN
关断电源电流
联合影音
DD
和V
DD
静态电源
当前
（注6 ）
联合影音
DD
和V
DD
关断电源
当前
AV
DD
欠压锁定阈值
参考
参考电压
参考负载调节
AV
DD
= 4.5V至5.5V ;我
REF
= 0μA到130μA
I
REF
= 0μA至50μA
1.98
2
2.02
0.01
V
V
3
FN6168.3
2008年4月23日
ISL88550A
电气规格
V
IN
= +15V, V
DD
= AV
DD
SHDNA = ＃ = STBY ＃ = BOOT = ILIM = 5V ，输出= REFIN = VTTI = 2.5V ，
FB = SKIP ＃ = OVP / UVP = GND 。 PGND1 = PGND2 = PHASE = GND ， VTTS = VTT ，T
ON
=开放，T
A
= -40 ° C至
+ 85 ℃，除非另有说明，份是100％，在+ 25 ℃下进行测试。温度限制成立
表征和不生产测试。 （注4 ） 。
（续）
条件
V
REF
升起
迟滞
故障检测
OVP跳闸阈值（参照名义
V
OUT
)
UVP触发电平简称标称V
OUT
POK1触发电平简称标称V
OUT
POK2触发电平简称标称VTTS
和VTTR
POK2关断阈值（测量温度
REFIN ）
UVP消隐时间
OVP ， UVP ， POK_传播延迟
POK_输出低电压
POK_漏电流
ILIM调整范围
ILIM输入漏电流
电流限制阈值（修正）
PGND1到PHASE
电流限制阈值（可调）
PGND1到PHASE
限流阈值（负向）
PGND1到PHASE
限流阈值（负向）
PGND1到PHASE
限流阈值（过零）
PGND1到PHASE
热关断阈值
升起
迟滞
内部自举二极管
V
D
正向电压
I
BOOT_LEAKAGE
漏电流
MOSFET驱动器
UGATE门驱动器导通电阻
LGATE门驱动器导通电阻高
状态
LGATE门驱动器导通电阻低
状态
死区时间（附加自适应延迟）
LGATE上升
UGATE上升
输入和输出
逻辑输入阈值高（ SHDNA ＃ ， ＃ SKIP ，上升沿
STBY ＃ ）
迟滞
逻辑输入电流（ SHDNA ＃ ， SKIP ＃ ， ＃ STBY ）
FB输入逻辑电平
低（ 2.5V输出）
1.2
1.7
225
-1
1
0.1
2.20
V
mV
A
V
V
BOOT
- V
相
= 5V
1.5
1.5
0.6
30
30
5
5
3
Ω
Ω
Ω
ns
ns
PVCC - V
BOOT
, I
F
= 10毫安
V
BOOT
= 25V ， PHASE = 20V ， PVCC = 5V
0.60
300
0.70
500
V
nA
ILIM = AV
DD
V
ILIM
= 2V
SKIP ＃ = AV
DD
SKIP ＃ = AV
DD,
ILIM = 2V
45
170
-75
50
200
-60
-250
3
150
15
I
SINK
= 4毫安
V
POK_
= 5.5V ， VFB = 0.8V ， VTTS = 1.3V
0.25
较低的水平，下降沿， 1 ％的滞后
上层，上升沿， 1 ％的滞后
较低的水平，下降沿， 1 ％的滞后
上层，上升沿， 1 ％的滞后
V
REFIN
上升（滞后=为75mV典型值）
从SHDNA ＃上升沿
UVP / OVP = AV
DD
110
65
87
107
87.5
107.5
0.7
8
14
10
0.3
1
2.00
0.1
55
235
-45
114
70
90
110
90
110
118
75
93
113
92.5
112.5
0.9
25
%
%
%
%
%
%
V
ms
s
V
A
V
A
mV
mV
mV
mV
mV
°C
°C
民
典型值
1.93
300
最大
单位
V
mV
参数
REF欠压锁定
4
FN6168.3
2008年4月23日
ISL88550A
电气规格
V
IN
= +15V, V
DD
= AV
DD
SHDNA = ＃ = STBY ＃ = BOOT = ILIM = 5V ，输出= REFIN = VTTI = 2.5V ，
FB = SKIP ＃ = OVP / UVP = GND 。 PGND1 = PGND2 = PHASE = GND ， VTTS = VTT ，T
ON
=开放，T
A
= -40 ° C至
+ 85 ℃，除非另有说明，份是100％，在+ 25 ℃下进行测试。温度限制成立
表征和不生产测试。 （注4 ） 。
（续）
条件
民
-0.1
高
漂浮的
REF
低
逻辑输入电流（T
ON
， OVP / UVP ，注5 ）
OUT输入电阻
FB = GND
FB可调模式
OUT放电模式下导通电阻
线性稳压器（ VTTR和VTT ）
VTTI输入电压范围
VTTI电源电流
VTTI关断电流
REFIN输入阻抗
REFIN范围
VTT ， VTTR UVLO阈值（测量温度
OUT ）
软启动充电电流
VTT内部MOSFET高侧
导通电阻
VTT内部MOSFET的低侧
导通电阻
VTT输出精度（参考VTTR ）
VTT负载调节
V
SS
= 0
I
VTT
= -100mA ，V
VTTI
= 1.5V ， AV
DD
= 4.5V
(T
J
= +125°C)
I
VTT
= 100mA时AV
DD
= 4.5V （T
J
= +125°C)
V
REFIN
= 1.8V或2.5V ，我
VTT
= -5mA
V
REFIN
= 2.5V ，我
VTT
= 0A至± 1.5A
V
REFIN
= 1.8V ，我
VTT
= 0A至± 1.5A
VTT正电流限
VTT负电流限制功能
VTTS输入电流
VTT = 0
VTT = VTTI
V
VTTS
= 1.5V ， VTT开放
-1.25
±20
±40
2.5
-3.5
-1.5
1
1
3.0
-2.5
0.1
4.0
-2.0
1
1.25
±60
I
VTT
= I
VTTR
= 0
SHDNA ＃ = STBY ＃ = GND
V
REFIN
= 2.5V
17
1.0
0.01
0.1
4
0.10
0.18
0.28
0.43
1.5
20
1.0
0.1
2.8
1
10
27
2.8
0.2
V
mA
A
kΩ
V
V
A
Ω
Ω
%
%
%
A
A
A
%
mA
-3
125
125
250
250
15
AV
DD
- 0.4
3.15
1.65
3.85
2.35
0.5
+3
500
500
30
典型值
最大
0.1
单位
A
V
V
V
V
A
kΩ
kΩ
Ω
参数
输入偏置电流（ FB ）
四电平输入逻辑电平
(t
ON
， OVP / UVP ）
VTTR输出误差（参考V
REFIN
/2) V
REFIN
= 1.8V ，我
VTTR
= 0毫安
VTTR电流限制
注意事项：
4.限制设立的特性，不生产测试。
VTTR = 0或VTTI
5.当电感处于连续导通时，输出电压将具有比由误差比较器阈值更高的直流稳压电平
50 ％的纹波。在非连续导通，输出电压会比触发电平高出一个DC稳压值约1.5 ％
由于斜率补偿。
6.在时间和关闭时间规格从50％点测到50 ％点处UGATE引脚PHASE = GND ，V
BOOT
= 5V和250pF
电容连接从UGATE到相。在实际电路时间可能有所不同，由于MOSFET的开关速度。
5
FN6168.3
2008年4月23日
查看更多ISL88550AIRZPDF信息
推荐型号
IRS2336STRPBF
IDT7028L
ISL9301IRZ
IPA65R600E6
IPB029N06N3G
ISL8016IR15Z
IRKNF152-08DL
IS61C5128AS
ISL6540A
IRF734PBF
IRKKF72-08CJ
IDT709099L7PF
IDT74FCT2573DTPYB
IC61LV256-10TIG
ID106
IRS2336DSTRPBF
IH2415SH
IRKUF111-04GM
IDT54FCT138ATP
IRKT91/08A
供货商
型号
厂家
批号
数量
封装
单价/备注
操作
    深圳市壹芯创科技有限公司
    QQ： 点击这里给我发消息 QQ：2880707522 复制 点击这里给我发消息 QQ：2369405325 复制

    电话：0755-82780082
    联系人：杨小姐
    地址：深圳市福田区振兴路156号上步工业区405栋3层

    ISL88550AIRZ
    -
    -
    -
    -
    终端采购配单精选

更多配单专家
深圳市源丰诚电子科技有限公司
QQ： 点击这里给我发消息 QQ：1965785011 复制

电话：0755-23919407
联系人：朱先生
地址：深圳市福田区振兴路华康大厦二栋5楼518
ISL88550AIRZ
INTERSIL
19+
12000
QFN-28
进口原装正品现货
深圳市芯福林电子科技有限公司
QQ：
电话：0755-82574045
联系人：张女士
地址：广东省深圳市福田区华强北赛格广场66楼6608B
ISL88550AIRZ
INTERSIL
07+
12450
QFN
原装现货热卖
北京元坤国际科技有限公司
QQ： 点击这里给我发消息 QQ：1584878981 复制 点击这里给我发消息 QQ：2881290686 复制

电话：010-62962871、62104931、 62106431、62104891、62104791
联系人：何小姐
地址：海淀区中关村大街32号和盛嘉业大厦10层1008室
ISL88550AIRZ
ISSI
21+
15000
BGA
全新原装正品/质量有保证
深圳青禾创新科技有限公司
QQ： 点击这里给我发消息 QQ：1346082250 复制 点击这里给我发消息 QQ：758462395 复制 点击这里给我发消息 QQ：3422402642 复制
电话：0755-82778126
联系人：曾先生
地址：深圳市福田区华强北上步工业区501栋317室 ★★诚信经营★★
ISL88550AIRZ
INTERSIL
21+
9600
QFN
★★一级分销商，正品
深圳市恒佳微电子有限公司
QQ： 点击这里给我发消息 QQ：1807086236 复制 点击这里给我发消息 QQ：2322757237 复制

电话：0755-82533156 82710336
联系人：朱经理、张小姐
地址：深圳市福田区华强北上步工业区501栋11楼1109-1110室
ISL88550AIRZ
INTERSIL
2019+
3000
QFN28
十年专营，供应原装正品！热卖现货！
深圳市楷瑞达科技电子有限公司
QQ： 点击这里给我发消息 QQ：1294342618 复制 点击这里给我发消息 QQ：2765319833 复制 点击这里给我发消息 QQ：1363272801 复制

电话：13528893675
联系人：朱先生
地址：广东省深圳市福田区上步工业区201栋5楼B01室。 香港特別行政區中环皇后大道中5號衡怡大厦2432室
ISL88550AIRZ
INTERSIL
22+
10000███★★（保证原装）★★
QFN28
原装正品现货样品可售长期货源
深圳市向鸿伟业电子有限公司
QQ： 点击这里给我发消息 QQ：316279873 复制 点击这里给我发消息 QQ：2110158237 复制 点击这里给我发消息 QQ：932480677 复制 点击这里给我发消息 QQ：1298863740 复制

电话：0755-82561519
联系人：李先生
地址：深圳市福田区上步工业区304栋西5楼503室
ISL88550AIRZ
INTERSIL
2404+
3000
QFN28
自家现货！原装特价供货！一片起卖！
锦迅科技(香港)有限公司
QQ： 点击这里给我发消息 QQ：1871955283 复制 点击这里给我发消息 QQ：2942939487 复制

电话：0755-83226745/82584980
联系人：马小姐
地址：福田区振华路深纺大厦A座1708室
ISL88550AIRZ
INTERSIL
21+
29
QFN
只做原装正品,提供一站式BOM配单服务
深圳市银芯龙科技有限公司
QQ： 点击这里给我发消息 QQ：1184826453 复制

电话：13510131896
联系人：欧阳
地址：龙岗区布吉街道粤宝花园3栋514
ISL88550AIRZ
INTERSIL
20+
3000
QFN
原装正品可以提供样品
深圳市杰兴微电子有限公司
QQ： 点击这里给我发消息 QQ：3004205530 复制 点击这里给我发消息 QQ：3004205445 复制

电话：0755-23995152
联系人：林
地址：广东省深圳市福田区华强北国利大厦25层2533室
ISL88550AIRZ
Renesas
23+
12000
原厂封装
原装现货可含税
查询更多ISL88550AIRZ供应信息
深圳市碧威特网络技术有限公司
 复制成功！