ISL84521 ， ISL84522 ， ISL84523
绝对最大额定值
V +至V- 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 -0.3 to15V
V +至GND 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 -0.3 to15V
V-至GND 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 -15至0.3V
所有其他引脚（注3 ） 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 （ （ V - ） - 0.3V ）至（ （V +） + 0.3V ）
连续电流（任何终端） 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 10毫安
峰值电流，IN ， NO ， NC ， COM或
（ 1毫秒脉冲，占空比为10％ ，最大值） 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 20毫安
ESD额定值（每MIL -STD- 883方法3015 ） 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 .>2kV
热信息
热电阻（典型，注4 ）
θ
JA
(
o
C / W ）
16 Ld的SOIC封装。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。
115
16 Ld的QFN封装。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。
75
16 Ld的TSSOP封装。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。
150
最高结温（塑料封装） 。 。 。 。 。 。 。 150
o
C
湿气敏感度（见技术简介TB363 ）
所有其他的包。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 1级
QFN封装。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 2级
最大存储温度范围。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 -65
o
C至150
o
C
最大的铅温度（焊接10秒） 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 300
o
C
（ SOIC和TSSOP - 只会提示）
工作条件
温度范围
ISL8452XIX 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 -40
o
C至85
o
C
注意：如果运行条件超过上述“绝对最大额定值” ，可能对器件造成永久性损坏。这是一个应力只评级和操作
器件在这些或以上的本规范的业务部门所标明的任何其他条件不暗示。
注意事项：
数控3.信号， NO ， COM ，或IN超过V +或V-由内部二极管钳位。限正向二极管电流最大额定电流。
4.
θ
JA
测定用安装在一个高的有效热导率测试板在自由空气中的分量。参见技术简介TB379了解详细信息。
电气连接特定的阳离子：
±5V
供应
测试条件： V
供应
=
±4.5V
to
±5.5V,
GND = 0V ，V
INH
= 2.4V, V
INL
= 0.8V （注5 ）
除非另有说明
测试条件
温度
(
o
C)
满
（注6 ）
民
V-
-
-
-
-
-
-
-1
-10
-1
-10
-2
-20
-
0.8
-1
-
-
-
-
5
-
-
-
-
典型值
-
65
-
1
-
7
-
0.01
-
0.01
-
0.01
-
1.6
1.6
0.03
45
-
15
-
20
1
2
2
5
（注6 ）
最大
单位
V+
100
125
4
6
12
15
1
10
1
10
2
20
2.4
-
1
80
100
30
40
-
5
-
-
-
V
nA
nA
nA
nA
nA
nA
V
V
A
ns
ns
ns
ns
ns
pC
pF
pF
pF
参数
模拟开关特性
模拟信号范围，V
类似物
导通电阻，R
ON
R
ON
匹配的通道间，
R
ON
R
ON
平整度，R
平（ON）的
NO或NC关闭泄漏电流，
I
否（关）
还是我
NC （关闭）
COM断漏电流，
I
COM （关闭）
COM泄漏电流，
I
COM（上）
输入高电压，V
INH
输入电压低，V
INL
输入电流I
INH
, I
INL
动态特性
导通时间，t
ON
关断时间，t
关闭
突破前先延时
（ ISL84523 ） ，T
D
电荷注入，Q
COM关断电容，
C
COM （关闭）
COM导通电容，C
COM（上）
V
S
=
±5V,
I
COM
= 1.0毫安，V
COM
=
±3V,
参见图5
V
S
=
±5V,
I
COM
= 1.0毫安，V
COM
=
±3V
V
S
=
±5V,
I
COM
= 1.0毫安，V
COM
=
±3V,
注8
V
S
=
±5.5V,
V
COM
=
±4.5V,
V
NO
或V
NC
= + 4.5V ，注
7
V
S
=
±5.5V,
V
COM
=
±4.5V,
V
NO
或V
NC
= + 4.5V ，注
7
V
S
=
±5.5V,
V
COM
= V
NO
或V
NC
=
±4.5V,
注7：
25
满
25
满
25
满
25
满
25
满
25
满
满
满
数字输入特性
V
S
=
±5.5V,
V
IN
= 0V或V +
V
S
=
±4.5V,
V
NO
或V
NC
=
±3V,
R
L
= 300, C
L
= 35pF ，
V
IN
= 0 3V ，见图1
V
S
=
±4.5V,
V
NO
或V
NC
=
±3V,
R
L
= 300, C
L
= 35pF ，
V
IN
= 0 3V ，见图1
V
S
=
±5.5V,
V
NO
或V
NC
=
±3V,
R
L
= 300, C
L
= 35pF ，
V
IN
= 0 3V ，见图3
C
L
= 1.0nF ，V
G
= 0V ，R
G
= 0Ω ，见图2
F = 1MHz时， V
NO
或V
NC
= V
COM
= 0V ，见图7
F = 1MHz时， V
NO
或V
NC
= V
COM
= 0V ，见图7
满
25
满
25
满
25
25
25
25
25
NO或NC关断电容，C
关闭
F = 1MHz时， V
NO
或V
NC
= V
COM
= 0V ，见图7
4
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