ISL84516 ， ISL84517
数据表
2003年6月
FN6030.2
低电压，双电源， SPST ，模拟
开关
Intersil的ISL84516和ISL84517设备精密，
设计的模拟开关，从± 1.5V至± 6V工作
耗材。目标应用包括电池供电
设备受益于器件的低功耗
消耗量（ 350mW的），低漏电流，并快速
开关速度。另外，优秀的研发
ON
平整度
保持信号保真度在整个输入范围内，而
微型封装减轻了电路板空间的限制。
该ISL8451X是单刀/单掷（ SPST）开关，
与ISL84516为常开（NO ），并且
ISL84517被常闭（ NC ） 。
表1总结了本系列的性能。为
更高的性能，引脚兼容版本，请参阅
ISL43112 ， ISL43113的数据手册。对于单电源供电的版本，
看到ISL84514 ， ISL84515数据表。
表1.功能一览
ISL84516
开关数量
CON组fi guration
1
NO
13
为40ns / 30ns的
ISL84517
1
NC
13
为40ns / 30ns的
特点
直接替代的MAX4516和MAX4517在
V
S
=
±5V
提供SOT- 23封装
双电源供电。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。
±1.5V
to
±6V
导通电阻（R
ON
马克斯） 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 20Ω
R
ON
平整度。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 3Ω
电荷注入。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 20PC （最大）
低漏电流（最大值为85
o
C） 。 20nA （关漏）
。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 40nA （开漏）
快速开关动作
- t
ON
（最大值） 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。为100ns
- t
关闭
（最大值） 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 75ns
每个方法3015.7 最小2000V的ESD保护
CMOS逻辑兼容
应用
电池供电的手持设备，以及便携式设备
通信系统
- 收音机
- 电信Infrustructure
医疗设备
- 超声， MRI， CAT / PET扫描
- 心电图机，血液分析仪
测试设备
- 逻辑和频谱分析仪
- 便携式电表，数字电压表，数字多用表
音频和视频切换
通用电路
- 低电压DAC和ADC
- 采样和保持电路
- 数字滤池
- 业务扩增fi er增益切换网络
- 高频模拟开关
- 高速多路复用
- 集成复位电路
±
5V
ON
±
5V牛逼
ON
/t
关闭
套餐
8 Ld的SOIC ， 5 Ld的SOT- 23
订购信息
产品型号
（品牌）
ISL84516IB
ISL84516IB-T
ISL84516IH-T
(516I)
ISL84517IB
ISL84517IB-T
ISL84517IH-T
(517I)
TEMP 。 RANGE
(
o
C)
-40到85
-40到85
-40到85
-40到85
-40到85
-40到85
包
8 Ld的SOIC
PKG 。 DWG 。 ＃
M8.15
8 Ld的SOIC
M8.15
磁带和卷轴
5 Ld的SOT - 23 ， P5.064
磁带和卷轴
8 Ld的SOIC
M8.15
8 Ld的SOIC
M8.15
磁带和卷轴
5 Ld的SOT - 23 ， P5.064
磁带和卷轴
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处理湿度敏感表面贴装器件
（ SMD的） “
应用笔记AN557 “推荐测试程序
模拟开关“
1
注意：这些器件对静电放电敏感;遵循正确的IC处理程序。
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|
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ISL84516 ， ISL84517
绝对最大额定值
V +至V- 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 -0.3 15V
输入电压
IN（注2 ） 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 （ （ V - ） - 0.3V ）至（ （V +） + 0.3V ）
NO ， NC （注2 ） 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 （ （ V - ） - 0.3V ）至（ （V +） + 0.3V ）
输出电压
COM （注2）。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 （ （ V - ） - 0.3V ）至（ （V +） + 0.3V ）
连续电流（任何终端） 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 20毫安
峰值电流NO ， NC ， COM或
（ 1毫秒脉冲，占空比为10％ ，最大值） 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 30毫安
ESD额定值（每MIL -STD- 883方法3015 ） 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 >2kV
热信息
热电阻（典型，注3 ）
θ
JA
(
o
C / W ）
5 Ld的SOT - 23封装。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。
225
8 LD SOIC封装。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。
170
最高结温（塑料封装） 。 。 。 。 。 。 。 150
o
C
湿气敏感度（见技术简介TB363 ）
全部包。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 1级
最大存储温度范围。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 -65
o
C至150
o
C
最大的铅温度（焊接10秒） 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 300
o
C
（导线头只）
工作条件
温度范围
ISL8451XIX 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 -40
o
C至85
o
C
注意：如果运行条件超过上述“绝对最大额定值” ，可能对器件造成永久性损坏。这是一个应力只评级和操作
器件在这些或以上的本规范的业务部门所标明的任何其他条件不暗示。
注意事项：
2.信号对NO ， NC ， COM ，或IN超过V +或V-由内部二极管钳位。限正向二极管电流最大额定电流。
3.
θ
JA
测定用安装在一个低的有效热导率测试板在自由空气中的分量。参见技术简介TB379了解详细信息。
电气规格 -
±5V
供应
测试条件： V
供应
=
±4.5V
to
±5.5V,
V
INH
= 3.5V, V
INL
= 1.5V （注4 ）
除非另有说明
测试条件
温度
(
o
C)
满
（注5 ）
民
V-
-
-
-
-
-1
-20
-1
-20
-2
-40
(V+) - 1.5
V-
-0.5
-
-
-
-
-
-
-
-
-
典型值
-
13
-
3
4
0.01
-
0.01
-
0.01
-
-
-
-
40
-
30
-
10
>86
9
9
22
（注5 ）
最大
单位
V+
20
25
4
6
1
20
1
20
2
40
V+
(V+) - 3.5
0.5
100
150
75
125
20
-
-
-
-
V
nA
nA
nA
nA
nA
nA
V
V
A
ns
ns
ns
ns
pC
dB
pF
pF
pF
参数
模拟开关特性
模拟信号范围，V
类似物
导通电阻，R
ON
R
ON
平整度，R
平（ON）的
NO或NC关闭泄漏电流，
I
否（关）
还是我
NC （关闭）
COM断漏电流，
I
COM （关闭）
COM泄漏电流，
I
COM（上）
V
S
=
±5V,
I
COM
= 1.0毫安，V
COM
= 3V
（见图4）
V
S
=
±5V,
I
COM
= 1.0毫安，V
COM
= -3V, 0V, 3V
V
S
=
±5.5V,
V
COM
=
±4.5V,
V
NO
或V
NC
= +4.5V
（注6 ）
V
S
=
±5.5V,
V
COM
=
±4.5V,
V
NO
或V
NC
= +4.5V
（注6 ）
V
S
=
±5.5V,
V
COM
= V
NO
或V
NC
=
±4.5V
（注6 ）
25
满
25
满
25
满
25
满
25
满
满
满
数字输入特性
输入高电压，V
INH
输入电压低，V
INL
输入电流I
INH
, I
INL
动态特性
导通时间，t
ON
关断时间，t
关闭
电荷注入，Q
关断隔离
COM关断电容，
C
COM （关闭）
COM导通电容，C
COM（上）
V
NO
或V
NC
= 3V ，R
L
= 300, C
L
= 35pF ，
V
IN
= 0至V + （参见图1）
V
NO
或V
NC
= 3V ，R
L
= 300, C
L
= 35pF ，
V
IN
= 0至V + （参见图1）
C
L
= 1.0nF ，V
G
= 0V ，R
G
= 0Ω （参见图2 ）
R
L
= 50, C
L
= 15pF的， F = 100kHz的（参见图3 ）
F = 1MHz时， V
NO
或V
NC
= V
COM
= 0V （参见图5）
F = 1MHz时， V
NO
或V
NC
= V
COM
= 0V （参见图5）
25
满
25
满
25
25
25
25
25
V
S
=
±5.5V,
V
IN
= 0V或V +
满
NO或NC关断电容，C
关闭
F = 1MHz时， V
NO
或V
NC
= V
COM
= 0V （参见图5）
3
ISL84516 ， ISL84517
电气规格 -
±5V
供应
测试条件： V
供应
=
±4.5V
to
±5.5V,
V
INH
= 3.5V, V
INL
= 1.5V （注4 ）
除非另有说明
（续）
测试条件
温度
(
o
C)
满
V
S
=
±5.5V,
V
IN
= 0V或V + ，打开或关闭
V
S
=
±5.5V,
V
IN
= 0V或V + ，打开或关闭
25
满
负电源电流，I-
注意事项：
4. V
IN
=输入电压来执行适当的功能。
5.代数约定，从而最负的值是最小值和最积极的最大值，用于该数据片。
6.泄漏的参数为100 ％ ，25测试，在高温和保证的相关性
o
C.
25
满
（注5 ）
民
±1.5
-
-
-125
-200
典型值
-
40
-
30
-
（注5 ）
最大
单位
±6
125
200
-
-
V
A
A
A
A
参数
电源特性
电源电压范围
正电源电流， I +
测试电路和波形
V+
逻辑
输入
50%
0V
t
关闭
开关
输入
V
OUT
90%
开关
产量
0V
t
ON
90%
逻辑
输入
C
V-
NO或NC
COM
IN
R
L
300
C
L
35pF
V
OUT
t
r
＆ LT ;为20ns
t
f
＆ LT ;为20ns
V+
C
开关
输入
图1A 。测量点
逻辑输入波形被反转为具有相对的开关
逻辑感。
图1B 。测试电路
C
L
INCLUDES夹具和杂散电容。
V
OUT
=
V
图1.开关时间
R
L
------------------------------
（ NO或NC ）R
+
R
L
(
ON
)
V+
C
开关
产量
V
OUT
V
OUT
R
G
NO或NC
COM
V
OUT
逻辑
输入
ON
关闭
ON
V
G
IN
C
L
C
Q =
V
OUT
乘C
L
V-
逻辑
输入
图2A 。测量点
图2.电荷注入
图2B 。测试电路
4
ISL84516 ， ISL84517
测试电路和波形
（续）
V+
C
信号
发电机
R
ON
= V
1
/1mA
NO或NC
COM
V+
C
V
COM
IN
V形或V +
1mA
V
1
IN
V
INL
或V
INH
分析仪
R
L
COM
NO或NC
C
V-
C
V-
图3.关绝缘测试电路
图4.
ON
测试电路
V+
NO或NC
IN
阻抗
分析仪
COM
V形或V +
V-
图5.电容测试电路
详细说明
该ISL84516和ISL84517模拟交换机提供准确
从交换能力
±1.5V
to
±6V
供应低导通
电阻（ 13Ω ）和高速操作（叔
ON
= 40ns的，
t
关闭
= 30ns的） 。该装置被特别适宜于
便携式电池供电设备由于采用了低
工作电源电压（ ± 1.5V） ，低功耗
（ 350μW ） ，低泄漏电流（仅为2nA max）和微小
SOT- 23封装。高频率的应用也受益
宽带宽，以及非常高的关断隔离。
V-必须在任何输入信号被施加，并且输入信号
电压必须保持在V +和V- 。如果这些条件
不能保证，则下列两种方法之一
保护的方法应该被采用。
逻辑输入端可以很容易地通过将1kΩ的被保护
电阻器串接在输入端（参见图6） 。电阻
限以下，产生阈值的输入电流
永久性的损害，以及子微安输入电流
生产过程中正常的一个很小的电压降
操作。
增加一个串联电阻的开关输入击败
使用低R的目的
ON
开关，因此两个小信号
二极管可以串联附加了电源引脚，以提供
所有引脚过压保护（见图6） 。这些
额外的二极管在1V限制模拟信号低于V +到
1V以上V-。低漏电流性能
电源排序和过电压保护
任何CMOS器件，适当的电源排序是
以防止过大的输入电流的器件所需的
这可能会永久损坏IC 。所有的I / O引脚包含
ESD保护二极管从引脚到V +和V-来（见
图6）。为了防止正向偏置这些二极管，V +和
5
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