添加收藏夹  设为首页  深圳服务热线:13692101218  13751165337
51电子网联系电话:13692101218
位置:首页 > IC型号导航 > 首字符I型号页 > 首字符I的型号第92页 > ISL8105EVAL1
ISL8105 , ISL8105A
数据表
2006年12月6日
FN6306.3
+ 5V或+ 12V单相同步
降压转换器的PWM控制器
集成MOSFET栅极驱动器
该ISL8105是一个简单的单相PWM控制器的
同步降压转换器。它工作于+ 5V或+ 12V偏置
电源电压。借助集成的线性稳压器,自举二极管和
N沟道MOSFET的栅极驱动器,所述ISL8105降低
外部组件数量和电路板空间要求。
这些使得该IC适用于广泛的应用范围。
利用电压控制模式下,输出电压可以是
精确调节到低至0.6V 。该内部0.6V
基准具有±1.0 %,比最高的公差
商业级温度范围,并且在± 1.5 %
工业级温度范围。两个固定频率振荡器
版本可供选择; 300kHz的( ISL8105的效率高
应用程序)和600kHz的( ISL8105A提供快速瞬态
应用程序)。
该ISL8105的特点是安全启动的功能
预偏置负载。它还提供过流保护通过
监测在底侧MOSFET的耐
适当地抑制PWM操作。在启动过程中的时间间隔,
连接到BGATE / BSOC引脚的电阻被用来
编写过电流保护状态。这种方法
简化了实现,并且不降低
转换器的效率。
特点
从+ 5V或+ 12V偏置电源电压工作
- 1.0V至12V的输入电压范围(高达20V的可能
有限制的;看到输入电压的注意事项)
- 0.6V至V
IN
输出电压范围
0.6V内部参考电压
- ± 1.0 %的容差在商用温度
范围( 0 ° C至+ 70 ° C)
- ± 1.5 %的容差在工业级温度
范围(-40 ° C至+ 85°C ) 。
从V操作集成MOSFET栅极驱动器
BIAS
( + 5V至+ 12V )
- 自举高侧栅极驱动器,集成
自举二极管
- 驱动N沟道MOSFET
简单的电压模式PWM控制
快速瞬态响应
- 高带宽误差放大器器
- 全0%至100%占空比
固定工作频率
- 为300kHz的ISL8105
- 600kHz的为ISL8105A
固定内部软启动预偏置负载能力
无损,可编程过流保护
- 使用底侧MOSFET的
DS ( ON)
启用/禁用功能使用COMP / EN引脚
输出电流源和吸收电流
无铅加退火有(符合RoHS )
引脚配置
ISL8105
( 10 LD的3x3 DFN )
顶视图
BOOT
TGATE
N / C
GND
BGATE / BSOC
1
2
3
4
5
GND
10 LX
9
8
7
6
COMP / EN
FB
N / C
VBIAS
应用
5V或12V DC / DC稳压器
工业动力系统
电信和数据通信应用
测试和测量仪器
分布式DC / DC电源架构
加载模块的点
ISL8105
( 8 LD SOIC )
顶视图
BOOT 1
TGATE 2
GND
3
8
7
6
5
LX
COMP / EN
FB
VBIAS
BGATE / BSOC 4
1
注意:这些器件对静电放电敏感;遵循正确的IC处理程序。
1-888- INTERSIL或1-888-468-3774
|
Intersil公司(和设计)是Intersil Americas Inc.公司的注册商标。
版权所有Intersil公司美洲2005-2006 。版权所有
提及的所有其他商标均为其各自所有者的财产。
ISL8105 , ISL8105A
订购信息
产品型号
(注)
ISL8105CRZ*
(300kHz)
ISL8105IBZ*
(300kHz)
ISL8105IRZ*
(300kHz)
ISL8105ACRZ*
(600kHz)
ISL8105AIBZ*
(600kHz)
ISL8105AIRZ*
(600kHz)
ISL8105EVAL1
部分
记号
5CRZ
8105IBZ
5IRZ
05AZ
8105AIBZ
5AIZ
评估板
开关
频率(kHz )
300
300
300
600
600
600
温度
范围(° C)
0至+70
-40至+85
-40至+85
0至+70
-40至+85
-40至+85
(无铅)
10 Ld的DFN
8 Ld的SOIC
10 Ld的DFN
10 Ld的DFN
8 Ld的SOIC
10 Ld的DFN
PKG 。
DWG 。 #
L10.3X3C
M8.15
L10.3X3C
L10.3X3C
M8.15
L10.3X3C
*添加“ -T ”后缀磁带和卷轴。
注: Intersil无铅加退火产品采用特殊的无铅材料制成,模塑料/晶片的附属材料和100 %雾锡板
终止完成,这是符合RoHS标准,既锡铅和无铅焊接操作兼容。 Intersil无铅产品分类MSL
在达到或超过IPC / JEDEC J STD- 020对无铅要求的无铅峰值回流温度。
典型用途
V
IN
+ 1V至12V +
V
BIAS
+ 5V或+ 12V
C
DCPL
VBIAS
BOOT
COMP / EN
C
1
C
2
R
2
FB
TGATE
C
BOOT
Q1
L
OUT
V
OUT
C
HF
C
体积
ISL8105
LX
C
OUT
BGATE / BSOC
GND
R
BSOC
R
3
Q2
C
3
R
1
R
0
2
FN6306.3
2006年12月6日
框图
VBIAS
D
BOOT
3
POR和
样品
HOLD
+
-
OC
比较
5V INT 。
TGATE
软启动
国内
调节器
BOOT
21.5μA
20kΩ
PWM
TO
BGATE / BSOC
0.6V
+
-
错误
FB
AMP
DIS
5V INT 。
BGATE / BSOC
0.4V
+
20μA
-
振荡器
COMP / EN
,固定的300kHz或600kHz的
DIS
+
-
PWM
比较
抑制
控制
逻辑
V
BIAS
ISL8105 , ISL8105A
LX
GND
FN6306.3
2006年12月6日
ISL8105 , ISL8105A
绝对最大额定值
偏置电压,V
BIAS
。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 GND - 0.3V至+ 15.0V
启动电压,V
BOOT
。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 GND - 0.3V至+ 36.0V
TGATE电压,V
TGATE
. . . . . . . . . . . . . V
LX
- 0.3V至V
BOOT
+ 0.3V
BGATE / BSOC电压,V
BGATE / BSOC
。 。 。 。 GND - 0.3 V
BIAS
+ 0.3V
LX电压,V
LX
。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 GND - 0.3V至V
BOOT
+ 0.3V
上部驱动器电源电压,V
BOOT
- V
LX
. . . . . . . . . . . . . . . . . . 15V
钳位电压V
BOOT
- V
BIAS
. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 24V
FB , COMP / EN电压。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 GND - 0.3V至6V
ESD分类, HBM 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 1.5KV
ESD分类, MM 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 150V
ESD分类,清洁发展机制。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。在1.0kV
热信息
热阻(注1 )
θ
JA
( ° C / W)
θ
JC
( ° C / W)
SOIC封装。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。
95
不适用
DFN封装(注2 ) 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。
44
5.5
最高结温
(塑料封装) 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 + 150°C
最大存储温度范围。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 - 65 ° C至+ 150°C
最大的铅温度(焊接10秒) 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 + 300℃
( SOIC - 只会提示)
推荐工作条件
偏置电压,V
BIAS
。 。 。 。 。 。 。 + 5V ± 10 % , + 12V ± 20 % ,或6.5V至14.4V
环境温度范围
ISL8105C , ISL8105AC 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 0 ° C至+ 70°C
ISL8105I , ISL8105AI 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 -40 ° C至+ 85°C
结温范围。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 -40 ° C至+ 125°C
注意:如果运行条件超过上述“绝对最大额定值” ,可能对器件造成永久性损坏。这是一个应力只评级和操作
器件在这些或以上的本规范的业务部门所标明的任何其他条件不暗示。
注意:
1.
θ
JA
测量在自由空气与装在一个高有效热导率测试板用“直接连接”的功能的组件。
2.
θ
JC
的“外壳温度”的位置是在封装底部的裸露金属焊盘的中心。
3.测试条件由设计仿真保证。
电气规格
参数
输入电源电流
SHUTDOWN V
BIAS
电源电流
关闭
关断阈值( COMP / EN引脚)
振荡器
额定频率范围
推荐工作条件,除非另有说明
符号
测试条件
典型值
最大
单位
I
VBIAS_S
V
BIAS
= 12V ;残
4
5.2
7
mA
V
关闭
0.375
0.4
0.425
V
F
OSC
ISL8105C
ISL8105I
270
240
540
510
300
300
600
600
1.5
330
330
660
660
千赫
千赫
千赫
千赫
V
P-P
F
OSC
ΔV
OSC
ISL8105AC
ISL8105AI
斜坡振幅(注3)
上电复位
瑞星V
BIAS
门槛
V
BIAS
POR阈值迟滞
参考
标称参考电压
参考电压容差
V
POR_r
V
POR地= H
3.9
0.30
4.1
0.35
4.3
0.40
V
mV
V
REF
ISL8105C ( 0 ° C至+ 70 ° C)
ISL8105I ( -40 ° C至+ 85°C )
-1.0
-1.5
0.6
+1.0
+1.5
V
%
%
误差放大器器
直流增益(注3)
单位增益带宽(注3 )
压摆率(注3 )
栅极驱动器
TGATE源电阻
R
TG- SRCH
V
BIAS
= 14.5V为50mA电源电流
3.0
Ω
收益
DC
UGBW
SR
96
20
9
dB
兆赫
V / μs的
4
FN6306.3
2006年12月6日
ISL8105 , ISL8105A
电气规格
参数
TGATE源电阻
TGATE水槽电阻
TGATE水槽电阻
BGATE源电阻
BGATE源电阻
BGATE水槽电阻
BGATE水槽电阻
推荐工作条件,除非另有说明
(续)
符号
R
TG- SRCL
R
TG- SNKh
R
TG- SNKl
R
BG- SRCH
R
BG- SRCL
R
BG- SNKh
R
BG- SNKl
测试条件
V
BIAS
= 4.25V为50mA电源电流
V
BIAS
= 14.5V为50mA电源电流
V
BIAS
= 4.25V为50mA电源电流
V
BIAS
= 14.5V为50mA电源电流
V
BIAS
= 4.25V为50mA电源电流
V
BIAS
= 14.5V为50mA电源电流
V
BIAS
= 4.25V为50mA电源电流
典型值
3.5
2.7
2.7
2.4
2.75
2.0
2.1
最大
单位
Ω
Ω
Ω
Ω
Ω
Ω
Ω
过电流保护( OCP )
BSOC电流源
I
BSOC
ISL8105C ; BGATE / BSOC残疾人
ISL8105I ; BGATE / BSOC残疾人
19.5
18.0
21.5
21.5
23.5
23.5
A
A
功能引脚说明( SOIC , DFN )
BOOT ( SOIC引脚1 ,引脚DFN 1)
该引脚提供接地参考偏置电压的
顶边MOSFET驱动器。自举电路,用于创建
合适的电压来驱动一个N沟道MOSFET (等于
V
BIAS
减去片上BOOT二极管的压降) ,与
对于LX 。
并引导仍将由V源
BIAS
) 。连接好
脱钩+ 5V或+ 12V电源到该引脚。
FB ( SOIC引脚6引脚DFN 8 )
该引脚是内部误差放大器的反相输入端。
使用FB ,结合在COMP / EN引脚,以
补偿的电压控制反馈环路
转换器。从输出到GND之间连接一个电阻分压器使用
设置调节电压。
TGATE ( SOIC引脚2 ,引脚DFN 2)
将此引脚连接到顶部边MOSFET的栅极;它提供
在PWM控制的栅极驱动。它也被监视的
自适应贯通保护电路来确定
当顶侧MOSFET已关闭。
COMP / EN ( SOIC引脚7引脚DFN 9 )
这是一个复用的引脚。在软启动和正常转换器
操作时,该引脚代表误差放大器的输出端。
使用COMP / EN ,与FB引脚的组合,以补偿
该转换器的电压控制反馈环路。
拉COMP / EN低(V
关闭
= 0.4V标称值)会
禁止(关断)控制,这会导致
振荡器停振,在BGATE和TGATE产出举行
低,并且软启动电路以重新臂。外部
下拉器件将首先需要克服的最大的
5毫安COMP / EN的输出电流。然而,一旦该IC是
残疾人, COMP输出也会被禁止,所以只有一个
20μA电流源将继续吸取电流。
当下拉器件被释放时,COMP / EN引脚
将开始上升,在由20μA确定的速率充电过程
在COMP / EN引脚的电容。当COMP / EN
引脚上升的V以上
关闭
跳变点, ISL8105会
开始一个新的初始化和软启动周期。
GND ( SOIC引脚3 ,引脚DFN 4)
该引脚表示为IC的信号和电源接地。
通过最低将此引脚连接到接地岛/平面
阻抗连接可用。
BGATE / BSOC ( SOIC引脚4 ,引脚DFN 5 )
将此引脚连接至底部边MOSFET的栅极;它
提供了PWM控制的栅极驱动器(从V
BIAS
) 。这
销也由自适应贯通监测
保护电路,以确定下的MOSFET时
已断开。
在时间下面的上电复位短期内
( POR )或关机发布,该引脚也可用于
确定转换器的电流限制阈值。
连接一个电阻(R
BSOC
)从这个引脚GND 。看
“过电流保护( OCP ) ”第7页的方程式。一
过电流跳闸循环软启动功能,双后
虚软启动超时。一些描述文字
BGATE函数可能保持关闭名称的BSOC部分
当它是不相关的讨论。
LX (引脚SOIC 8引脚DFN 10 )
该引脚连接至顶侧MOSFET的源极和
底侧MOSFET的漏极。它被用作信宿
为TGATE驱动并监测两端的电压降
底侧MOSFET的过电流保护。该引脚
还通过自适应贯通保护监控
电路,以确定当顶侧MOSFET已经转向
关。
VBIAS ( SOIC引脚5 ,引脚DFN 6)
该引脚提供偏置电源用于ISL8105 ,以及
底侧MOSFET的栅极和引导电压
顶边MOSFET的栅极。内部5V稳压器将
如果电源偏压V
BIAS
上升到高于6.5V (但BGATE / BSOC
5
N / C ( DFN只;引脚3 ,引脚7 )
这两个引脚DFN封装的无关联。
FN6306.3
2006年12月6日
查看更多ISL8105EVAL1PDF信息
推荐型号
供货商
型号
厂家
批号
数量
封装
单价/备注
操作
    QQ: 点击这里给我发消息 QQ:2880707522 复制 点击这里给我发消息 QQ:2369405325 复制

    电话:0755-82780082
    联系人:杨小姐
    地址:深圳市福田区振兴路156号上步工业区405栋3层

    ISL8105EVAL1
    -
    -
    -
    -
    终端采购配单精选

查询更多ISL8105EVAL1供应信息

深圳市碧威特网络技术有限公司
 复制成功!