ISL8102
绝对最大额定值
电源电压VCC 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 -0.3V至+ 6V
电源电压， PVCC 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 -0.3V至+ 15V
绝对的启动电压，V
BOOT
。 。 。 。 。 。 。 。 GND - 0.3V至GND + 36V
相电压，V
相
。 。 。 。 。 。 。 。 GND - 0.3V至15V （ PVCC = 12 ）
GND - 8V （ <400ns ， 20μJ ）至24V （ <200ns ，V
BOOT -PHASE
= 12V)
上层栅极电压，V
UGATE
. . . . V
相
- 0.3V至V
BOOT
+ 0.3V
V
相
- 3.5V （ <100ns脉宽， 2μJ ）到V
BOOT
+ 0.3V
更低的栅极电压，V
LGATE
。 。 。 。 。 。 。 。 GND - 0.3V至PVCC + 0.3V
GND - 5V （ <100ns脉宽， 2μJ ）到PVCC + 0.3V
输入，输出或I / O电压。 。 。 。 。 。 。 。 。 GND - 0.3V至VCC + 0.3V
ESD分类。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 I类JEDEC STD
热信息
热阻
θ
JA
（ ° C / W）
θ
JC
（ ° C / W）
QFN封装（注1 ， 2 ） 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。
35
5
最高结温。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 150℃
最大存储温度范围。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 -65 ℃150 ℃的
最大的铅温度（焊接10秒） 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 300℃
推荐工作条件
VCC电源电压。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 + 5V
±5%
PVCC电源电压。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 + 5V至12V
±5%
环境温度（ ISL8102CR ， ISL8102CRZ ） 。 。 。 。 0 ° C至70℃
环境温度（ ISL8102IR ， ISL8102IRZ ） 。 。 。 。 - 40 ° C至85°C
注意：压力超过上述“绝对最大额定值” ，可能对器件造成永久性损坏。这是一个应力只评级和操作
器件在这些或以上的本规范的操作章节中所示的任何其他条件不暗示。
注意事项：
1.
θ
JA
测量在自由空气与装在一个高有效热导率测试板用“直接连接”的功能的组件。看
技术简介TB379 。
2.
θ
JC
的“外壳温度”的位置是在封装底部的裸露金属焊盘的中心。
电气规格
参数
推荐的工作条件，除非另有规定ED 。
测试条件
民
典型值
最大
单位
偏置电源和内部振荡器
输入偏置电源电流
门驱动偏置电流
VCC POR （上电复位）阈值
I
VCC
; ENLL =高
I
PVCC
; ENLL =高，所有的门输出打开，
FSW = 250kHz的
VCC上升
VCC下降
PVCC POR （上电复位）阈值
PVCC崛起
PVCC降
振荡器斜坡幅度（注3 ）
最大占空比（注3 ）
管制尺度
ENLL上升阈值
ENLL滞后
COMP关断阈值
参考和DAC
系统精度（ DAC = 0.6V ， 0.9V ）
系统精度（ DAC = 1.2V ， 1.50V ）
DAC输入低电压（ REF0 ， REF1 ）
DAC输入高电压（ REF0 ， REF1 ）
外部参考（注3 ）
OFS灌电流精度（负偏移）
OFS源电流精度（正偏移）
R
OFS
=从为30kΩ OFS到VCC
R
OFS
= 10kΩ的从OFS到GND
下垂连接到IREF
下垂连接到IREF
-0.8
-0.5
-
0.8
0.6
47.5
47.5
-
-
-
-
-
50.0
50.0
0.8
0.5
0.4
-
1.75
52.5
52.5
%
%
V
V
V
A
A
COMP下降
-
-
0.25
0.66
100
0.35
-
-
0.5
V
mV
V
V
PP
-
-
4.25
3.75
4.25
3.75
-
-
15
1.5
4.38
3.88
4.38
3.88
1.50
66.6
20
3.0
4.50
4.00
4.50
4.00
-
-
mA
mA
V
V
V
V
V
%
5
FN9247.0
2005年10月19日
QQ：2881677436 复制
