ISL8014
数据表
二○○七年十二月二十〇日
FN6576.1
4A低静态电流1MHz的高
效率同步降压稳压器
该ISL8014是一款高效率，单片式，同步
降压型DC / DC转换器，可提供高达4A
连续输出电流从2.7V至5.5V的输入电源。它
采用电流控制架构，以提供非常低的占空比
在高频率具有快速瞬态循环运行
响应和卓越的环路稳定性。
该ISL8014集成的一对低导通电阻的
P沟道和N沟道MOSFET的内部最大化
效率和减少外部元件数量。该
100 ％占空比工作允许小于400mV的压降
电压在图4A的输出电流。高达1MHz脉宽
调制（PWM）的开关频率允许使用
小的外部元件和SYNC输入还允许多个
集成电路同步的相位，以减少纹波和
消除拍频。
该ISL8014可以为断续或强制配置
连续操作在轻负载。强制连续
工作降低了噪声和RF干扰，而
非连续模式通过减少提供高英法fi效率
开关损耗在轻负载。
故障保护由内部打嗝模式电流提供
在短路和过电流的条件下，一个限制
输出过电压比较器和过温
监控电路。电源良好输出电压监视器
表明当输出处于调节状态。
该ISL8014提供节省空间的4×4 QFN无铅
封装，带有裸焊盘引线为低热帧。
该ISL8014提供1ms的电源良好（ PG ）在计时器
电。系统关闭时， ISL8014放电输出
电容。其它特点包括内部软启动，内部
补偿，过流保护和热
关机。
该ISL8014提供一个4mmx4mm 16 Ld的QFN封装
为1mm的最大高度。完整的转换器
占用小于0.4in
2
区。
特点
高效率同步降压型稳压器具有高达
97 ％效率
电源良好（ PG ）输出一个1ms的延迟
2.7V至5.5V电源电压
3 ％的输出精度过温度/负载/线路
4A输出电流
引脚兼容ISL8013
启动了预偏置输出
内部软启动 - 1毫秒
软停止输出放电过程中被禁用
在PFM模式 35μA静态电流
可选的强制PWM模式和PFM模式
外部同步到4MHz
低于1μA的逻辑控制关断电流不
100 ％的最大占空比
内部电流模式补偿
峰值电流限制和打嗝模式短路
保护
过温保护
小16 Ld的4mmx4mm QFN
无铅（符合RoHS ）
应用
DC / DC POL模块
μC / μP ， FPGA和DSP电源
插件的路由器和切换器DC / DC模块
- 便携式仪器
测试和测量系统
锂离子电池供电设备
小外形（ SFP ）模块
条码阅读器
1
注意：这些器件对静电放电敏感;遵循正确的IC处理程序。
1-888- INTERSIL或1-888-468-3774
|
Intersil公司（和设计）是Intersil Americas Inc.公司的注册商标。
版权所有Intersil公司美洲2007版权所有
提及的所有其他商标均为其各自所有者的财产。
ISL8014
订购信息
温度。
范围
产品型号
部分
(°C)
（注）
记号
ISL8014IRZ*
8014IRZ
包
（无铅）
PKG 。
DWG 。 ＃
引脚
ISL8014
（ 16 LD QFN ）
顶视图
NC
NC
13
12 PGND
11 PGND
10 SGND
9
5
EN
6
NC
7
PG
8
VFB
SGND
C3
47pF
LX
15
LX
14
-40到+85 16 Ld的4×4 QFN L16.4x4
VIN 1
VIN 2
VDD 3
同步4
16
*添加“ -T ”后缀磁带和卷轴。请参阅TB347详细内容
卷筒规格。
注意：这些Intersil无铅产品采用塑料包装
特殊的无铅材料制成，模塑料/晶片的附属
材料和100 ％雾锡板加退火 - E3终止
完成，这是符合RoHS标准，既锡铅和兼容
无铅焊接操作。 Intersil无铅产品MSL
分类，可达到或超过无铅峰值回流温度
IPC / JEDEC J STD- 020对无铅要求。
典型用途
L
1.5H
VIN
LX
C2
2× 22μF
C1
2× 22μF
VDD
保护地
R2
124k
产量
1.8V
输入
2.7V至5.5V
ISL8014
EN
R1
100k
PG
VFB
R3
100k
同步
SGND
图1.典型应用图
2
FN6576.1
二○○七年十二月二十〇日
ISL8014
绝对最大额定值
（参考GND）
VIN VDD。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 -0.3V至6V
EN ，共舞， PG 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 - 0.3V到VIN + 0.3V
LX 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 - 1.5V （ 100ns内） / - 0.3V （ DC）到6.5V
VFB 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 -0.3V至2.7V
热信息
热电阻（典型，注意事项1， 2 ）
θ
JA
（ ° C / W）
θ
JC
（ ° C / W）
16 Ld的4×4 QFN封装。 。 。 。 。 。 。 。 。
40
3
结温范围。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 - 55 ° C至+ 125°C
存储温度范围。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 - 65 ° C至+ 150°C
无铅回流焊曲线。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。下面。见链接
http://www.intersil.com/pbfree/Pb-FreeReflow.asp
推荐工作条件
VIN电源电压范围。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 2.7V至5.5V
负载电流范围内。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 0A到4A
环境温度范围。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 - 40 ° C至+ 85°C
注意：不要达到或接近上市较长时间的最高收视率运行。暴露于这样的条件可能不利地影响了产品的可靠性和
导致不在保修范围内的故障。
注意：
1.
θ
JA
测量在自由空气与装在一个高有效热导率测试板用“直接连接”的功能的组件。看
技术简介TB379 。
2.
θ
JC
“外壳温度”的位置是在包装上的底面露出的金属垫的中心。参见技术简介TB379 。
电气规格
除非另有说明，所有参数的限制建立在所述推荐的操作条件和
典型的规范测定在下列条件：T已
A
= -40 ° C至+ 85°C ，V
IN
= 3.6V ， EN = VDD ，
除非另有说明。典型值是在T
A
= +25°C.
符号
测试条件
民
典型值
最大
单位
参数
输入电源
VIN欠压锁定阈值
V
UVLO
上升，空载
下降，空载
-
2.2
-
-
-
-
2.5
2.4
35
30
6.5
0.1
2.7
-
-
45
10
2
V
V
A
A
mA
A
静态电源电流
I
VIN
SYNCH = GND ，无负载输出
SYNCH = GND时，无负载时的输出和无
切换开关
SYNCH = VDD ，女
S
= 1MHz时，无负载时的
产量
关闭电源电流
输出调节
参考电压
VFB偏置电流
线路调整
软启动斜坡时间周期
过电流保护
电流限制消隐时间
过电流和自动重启时期
开关电流限制
山顶跳过限制
赔偿金
误差放大器的跨导
反式电阻
LX
P沟道MOSFET的导通电阻
I
SD
V
IN
= 5.5V ， EN =低
V
REF
I
VFB
VFB = 0.75V
VIN = V
O
+ 0.5V至5.5V （最低2.7V ）
0.790
-
-
-
0.8
0.1
0.2
1
0.810
-
-
-
V
A
%/V
ms
t
OCON
t
OCOFF
I
极限
I
SKIP
（注3）
（注3）
-
-
4.9
-
17
4
6.0
1.3
-
-
7.1
-
时钟
脉冲
SS周期
A
A
-
RT
0.17
20
0.20
-
0.23
μA / V
Ω
V
IN
= 5V ，我
O
= 200毫安
V
IN
= 2.7V ，我
O
= 200毫安
-
-
50
70
75
100
mΩ
mΩ
4
FN6576.1
二○○七年十二月二十〇日
ISL8014
电气规格
除非另有说明，所有参数的限制建立在所述推荐的操作条件和
典型的规范测定在下列条件：T已
A
= -40 ° C至+ 85°C ，V
IN
= 3.6V ， EN = VDD ，
除非另有说明。典型值是在T
A
= +25°C.
（续）
符号
测试条件
V
IN
= 5V ，我
O
= 200毫安
V
IN
= 2.7V ，我
O
= 200毫安
LX最大占空比
PWM开关频率
LX最小导通时间
PG
输出低电压
延迟时间（上升沿）
PG引脚漏电流
PGOOD上升阈值
PGOOD下降阈值
PGOOD延迟时间（下降沿）
EN ， SYNCH
逻辑输入低
逻辑输入高
同步逻辑输入漏电流
使能逻辑输入漏电流
热关断
热关断迟滞
注意：
3.限制设立的特性，不生产测试。
I
同步
I
EN
上拉至5.5V
-
1.4
-
-
-
-
-
-
0.1
0.1
140
25
0.4
-
1
1
-
-
V
V
μA
μA
°C
°C
PG = VIN = 3.6V
调节电压的百分比
调节电压的百分比
下沉1毫安
-
0.65
-
89
85
-
-
1
0.01
92
88
15
0.3
1.35
0.1
95
91
-
V
ms
A
%
%
s
f
S
SYNCH =高
民
-
-
-
0.80
-
典型值
50
70
100
1.0
-
最大
75
100
-
1.20
140
单位
mΩ
mΩ
%
兆赫
ns
参数
N沟道MOSFET的导通电阻
5
FN6576.1
二○○七年十二月二十〇日
QQ：2880707522 复制
