ISL8011
数据表
2009年8月4日
FN9254.2
1.2A集成FET的高效率
同步降压稳压器
ISL8011是一款集成FET ， 1.2A同步降压
调节器，用于一般用途的负载应用点的
.
这是
产生低输出电压低至0.8V的优化。
电源电压范围为2.7V至5.5V ，允许
从常见的3.3V或5V电源轨和锂离子使用
电池投入。它保证的最小输出电流
1.2A 。 1.5MHz的脉冲宽度调制（ PWM）开关
频率允许使用小的外部组件。
该ISL8011包括一对低导通电阻P沟道
和N沟道MOSFET的内部效率最大化
并最大限度地减少外部元件数量。 100 ％占空比的
操作允许小于200mV的压差电压为1.2A 。
该ISL8011提供了一个200ms的上电复位（ POR ）定时器
在上电时。系统关闭时， ISL8011排出
输出电容器。其它特点包括内部数字
软启动，使电源序列，过流
保护和热关断。
该ISL8011提供了10 Ld的3mmx3mm DFN封装
为1mm的最大高度。完整的转换器
占地小于1cm
2
区。
特点
高效率同步降压型稳压器具有高达
95 ％的效率
2.7V至5.5V电源电压
1.2A输出电流
100 ％的最大占空比
峰值电流限制，短路保护
200ms的上电复位
3 ％的输出精度过温度/负载/线路
低于1μA的逻辑控制关断电流不
- 内部环路补偿
内部数字软启动
过温保护
=启用
小10 Ld的3mmx3mm DFN
无铅（符合RoHS ）
应用
DC / DC POL模块
μC / μP ， FPGA和DSP电源
订购信息
部分
数
（注）
ISL8011IRZ
部分
记号
011Z
温度。
范围
(°C)
包
（无铅）
PKG 。
DWG 。 ＃
插件的路由器和切换器DC / DC模块
- 便携式仪器
测试和测量系统
-40到+85 10 Ld的3×3 DFN L10.3x3C
-40到+85 10 Ld的3×3 DFN L10.3x3C
磁带和卷轴
ISL8011IRZ -T * 011Z
*请参阅TB347对卷筒规格的详细信息。
注意：这些Intersil无铅产品采用塑料包装
特殊的无铅材料套，模塑料/晶片的附属
材料和100 ％雾锡板加退火（ E3终止
完成，这是符合RoHS标准，既锡铅和兼容
无铅焊接操作） 。 Intersil无铅产品MSL
分类，可达到或超过无铅峰值回流温度
IPC / JEDEC J STD- 020对无铅要求。
引脚
ISL8011
（ 10 LD的3x3 DFN ）
顶视图
PVIN
VCC
EN
POR
GND
1
2
3
4
5
10相
9 PGND
8 SGND
7 FB
6 N / C
1
注意：这些器件对静电放电敏感;遵循正确的IC处理程序。
1-888- INTERSIL或1-888-468-3774
|
Intersil公司（和设计）是Intersil Americas Inc.公司的注册商标。
版权所有Intersil公司美洲2006年， 2007年， 2009年版权所有
提及的所有其他商标均为其各自所有者的财产。
ISL8011
绝对最大额定值
（参考SGND ）
电源电压（ PVIN ，V
CC
） 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 -0.3V至6.5V
EN ，模式，相位， POR 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 -0.3V到V
CC
+0.3V
FB 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 -0.3V至2.7V
保护地。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 -0.3V至0.3V
热信息
热阻（注1,2 ）
θ
JA
（ ° C / W）
θ
JC
（ ° C / W）
10 Ld的3×3 DFN封装。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。
48
5
结温范围。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 - 55 ° C至+ 125°C
存储温度范围。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 - 65 ° C至+ 150°C
无铅回流焊曲线。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。下面。见链接
http://www.intersil.com/pbfree/Pb-FreeReflow.asp
推荐工作条件
PVIN电源电压范围。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 2.7V至5.5V
负载电流范围内。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 0A至1.2A
环境温度范围。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 - 40 ° C至+ 85°C
欧雄：不要达到或接近上市较长时间的最高收视率运行。暴露于这样的条件可能不利地影响了产品的可靠性和
导致不在保修范围内的故障。
注意事项：
1.
θ
JA
测量在自由空气与装在一个高有效热导率测试板用“直接连接”的功能的组件。看
技术简介TB379 。
2.
θ
JC
“外壳温度”的位置是在包装上的底面露出的金属垫的中心。参见技术简介TB379 。
电气规格
T
A
= + 25 ° C，V
PVIN
= V
VCC
= 3.6V ， EN = V
CC
， L =值是1.8μH ，C
1
= 10μF ，C
2
= 10μF ，我
OUT
= 0A （见“典型
第6页）上的应用程序“ ;有MIN和/或最大极限参数都经过100 ％测试，在+ 25 ° C，除非另有
指定的。温度限制设立的特性，不生产测试。
符号
测试条件
民
典型值
最大
单位
参数
供应
V
CC
欠压锁定阈值
V
UVLO
升起
落下
-
2.2
-
-
2.5
2.4
5
0.1
2.7
-
8
2
V
V
mA
A
静态电源电流
关闭电源电流
输出调节
FB调节电压
I
PVIN
I
SD
无负载时的输出
V
CC
= PVIN = 5.5V ， EN =低
V
FB
T
A
= 0 ° C至+ 85°C
T
A
= -40 ° C至+ 85°C
0.784
0.78
-
-3
-
1.2
0.8
0.8
0.1
-
0.2
-
0.816
0.82
-
3
-
-
V
V
A
%
%/V
A
FB偏置电流
输出电压精度
线路调整
最大输出电流
赔偿金
误差放大器的跨导
相
P沟道MOSFET的导通电阻
I
FB
FB = 0.75V
PVIN = V
O
+ 0.5V至5.5V ，我
O
= 0A至1.2A ，
T
A
= -40 ° C至+ 85°C
PVIN = V
O
+ 0.5V至5.5V （最低2.7V ）
只可调版本，设计信息
-
20
-
μA / V
PVIN = 3.6V ，我
O
= 200毫安
PVIN = 2.7V ，我
O
= 200毫安
-
-
-
-
1.5
-
0.12
0.16
0.11
0.15
2.1
100
1.6
-
1.1
0.22
0.27
0.22
0.27
2.6
-
1.75
140
-
Ω
Ω
Ω
Ω
A
%
兆赫
ns
ms
N沟道MOSFET的导通电阻
PVIN = 3.6V ，我
O
= 200毫安
PVIN = 2.7V ，我
O
= 200毫安
P沟道MOSFET峰值电流限制
相最大占空比
PWM开关频率
相最小导通时间
软启动时间
I
PK
f
S
T
A
= -40 ° C至+ 85°C
1.35
-
-
2
FN9254.2
2009年8月4日
ISL8011
电气规格
T
A
= + 25 ° C，V
PVIN
= V
VCC
= 3.6V ， EN = V
CC
， L =值是1.8μH ，C
1
= 10μF ，C
2
= 10μF ，我
OUT
= 0A （见“典型
第6页）上的应用程序“ ;有MIN和/或最大极限参数都经过100 ％测试，在+ 25 ° C，除非另有
指定的。温度限制设立的特性，不生产测试。
（续）
符号
测试条件
民
典型值
最大
单位
参数
POR
输出低电压
延迟时间
POR引脚漏电流
最低电源电压为有效POR信号
内部PGOOD低阈值上升
内部PGOOD低阈值下降
内部PGOOD高阈值上升
内部PGOOD高阈值下降
内部PGOOD延迟时间
EN
逻辑输入低
逻辑输入高
逻辑输入漏电流
热关断
热关断迟滞
下沉1mA时， FB = 0.7V
-
150
-
200
0.01
-
92
88
108
105
50
0.3
275
0.1
-
94.5
91
110.5
108
-
V
ms
A
V
%
%
%
%
s
POR = V
CC
= 3.6V
-
1.2
标称稳压值的百分比
标称稳压值的百分比
标称稳压值的百分比
标称稳压值的百分比
89.5
85
105.5
102
-
-
1.4
上拉至5.5V
-
-
-
-
-
0.1
150
25
0.4
-
1
-
-
V
V
A
°C
°C
典型工作性能
100
V
OUT
= 3.3V
2.60
90
效率（％）
V
OUT
= 2.5V
V
OUT
(V)
V
OUT
= 1.8V
80
2.55
2.50
70
2.45
60
50
200
350
500
650
800
950
1100
负载电流（mA ）
2.40
50
250
450
650
850
1050
负载电流（mA ）
图1：效率与负载电流（ V
IN
= 5.0V)
图2. V
OUT
与负载电流（V
IN
= 5V)
3
FN9254.2
2009年8月4日
ISL8011
典型工作性能
（续）
V
OUT
V
相
I
O
I
L
图9.负载瞬态（V
IN
= 3.6V; V
O
= 1.6V ;我
O
= 0A TO 1A）
引脚说明
PVIN
输入电源电压。连接一个10μF的陶瓷电容
电源地。
FB
降压调节器的输出反馈。连接到输出
通过一个电阻分压器调节的输出电压。
裸露焊盘
裸露焊盘必须连接到保护接地引脚
正确的电气性能和最佳的热
性能。
VCC
电源电压对内部的模拟和数字控制电路，
从PVIN交付。旁路与0.1μF陶瓷电容
信号地。
NC
NC是无连接引脚。此引脚与SGND防止
噪声。
EN
稳压器的使能引脚。迫使上述1.4V此引脚启用
芯片。强制该引脚低于0.4V时关断芯片和
当驱动低放电输出电容。不要离开
该引脚悬空。
POR
200ms的定时器输出。在上电时或EN HI ，该输出是一
200ms的延迟电源良好信号的输出电压。
GND
地面上。该引脚连接到裸露焊盘和SGND 。
相
开关节点连接。连接到一个终端
电感器。
保护地
电源地。将所有电源的理由该引脚。
SGND
模拟地。 SGND和PGND应该只有一个
点对点连接。
5
FN9254.2
2009年8月4日
ISL8011
数据表
2006年7月11日
FN9254.0
1.2A集成FET的高效率
同步降压稳压器
ISL8011是一款集成FET ， 1.2A同步降压
调节器，用于一般用途的负载应用点的
.
这是
产生低输出电压低至0.8V的优化。
电源电压范围为2.7V至5.5V ，允许
从常见的3.3V或5V电源轨和锂离子使用
电池投入。它保证的最小输出电流
1.2A 。 1.5MHz的脉冲宽度调制（ PWM）开关
频率允许使用小的外部组件。
该ISL8011包括一对低导通电阻P沟道
和N沟道MOSFET的内部，以最大限度地提高效率，
尽量减少外部元件数量。 100 ％占空比的
操作允许小于200mV的压差电压为1.2A 。
该ISL8011提供了一个200ms的上电复位（ POR ）定时器
在上电时。系统关闭时， ISL8011排出
输出电容器。其它特点包括内部数字软
开始，启用电源时序，过电流保护，
和热关断。
该ISL8011提供了10 Ld的采用3x3mm DFN封装
1毫米最大高度。完整的转换器占用
小于1cm
2
区。
特点
高效率同步降压型稳压器具有高达
95 ％的效率
2.7V至5.5V电源电压
保证1.2A输出电流
100 ％的最大占空比
峰值电流限制，短路保护
200ms的上电复位
3 ％的输出精度过温度/负载/线路
低于1μA的逻辑控制关断电流不
- 内部环路补偿
内部数字软启动
过温保护
=启用
小10 Ld的采用3x3mm DFN
无铅加退火有（符合RoHS ）
应用
DC / DC POL模块
μC / μP ， FPGA & DSP电源
订购信息
温度。
范围
产品型号
部分
(°C)
（注）
记号
ISL8011IRZ
ISL8011IRZ-T
011Z
011Z
包
（无铅）
PKG 。
DWG 。 ＃
插件的路由器和切换器DC / DC模块
- 便携式仪器
测试和测量系统
-40到85 10 Ld的3×3 DFN L10.3x3
-40到85 10 Ld的3×3 DFN L10.3x3
注： Intersil无铅加退火产品采用特殊的无铅
材料套;模塑料/晶片的附属材料和100 ％
雾锡板终止完成，这是符合RoHS标准，
既锡铅和无铅焊接操作兼容。 Intersil公司
无铅产品分类MSL在无铅峰值回流
气温达到或超过的无铅要求
IPC / JEDEC J STD- 020 。
引脚
ISL8011 （ 10 LD的3x3 DFN ）
顶视图
PVIN
VCC
EN
POR
GND
1
2
3
4
5
10相
9 PGND
8 SGND
7 FB
6 N / C
1
注意：这些器件对静电放电敏感;遵循正确的IC处理程序。
1-888- INTERSIL或1-888-468-3774
|
Intersil公司（和设计）是Intersil Americas Inc.公司的注册商标。
版权所有Intersil公司美洲2006.保留所有权利
提及的所有其他商标均为其各自所有者的财产。
ISL8011
绝对最大额定值
（参考SGND ）
电源电压（ PVIN ，V
CC
） 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 -0.3V至6.5V
EN ，模式，相位， POR 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 -0.3V到V
CC
+0.3V
FB 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 -0.3V至2.7V
保护地。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 -0.3V至0.3V
热信息
热阻（注1,2 ）
θ
JA
（ ° C / W）
θ
JC
（ ° C / W）
3×3 DFN封装。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。
46
4
结温范围。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 -55 ° C至150℃
存储温度范围。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 -65 ℃150 ℃的
最大的铅温度（焊接10秒） 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 300℃
推荐工作条件
PVIN电源电压范围。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 2.7V至5.5V
负载电流范围内。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 0A至1.2A
环境温度范围。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 - 40 ° C至85°C
注意：如果运行条件超过上述“绝对最大额定值” ，可能对器件造成永久性损坏。这是一个应力只评级和操作
器件在这些或以上的本规范的业务部门所标明的任何其他条件不暗示。
注意事项：
1.
θ
JA
测量在自由空气与装在一个高有效热导率测试板用“直接连接”的功能的组件。看
技术简介TB379 。
2.
θ
JC
“外壳温度”的位置是在包装上的底面露出的金属垫的中心。参见技术简介TB379 。
电气规格
除非另有说明，所有参数限制都保证在推荐的工作条件和
典型的规范测定在下列条件：T已
A
= 25 ° C，V
PVIN
= V
VCC
= 3.6V ， EN = V
CC
,
L =值是1.8μH ， C1 = 10μF ， C2 = 10μF ，我
OUT
= 0A （见典型应用电路） 。
符号
测试条件
民
典型值
最大
单位
参数
供应
V
CC
欠压锁定阈值
V
UVLO
升起
落下
-
2.2
-
-
2.5
2.4
5
0.1
2.7
-
8
2
V
V
mA
A
静态电源电流
关闭电源电流
输出调节
FB调节电压
I
PVIN
I
SD
无负载时的输出
V
CC
= PVIN = 5.5V ， EN =低
V
FB
T
A
= 0 ° C至85°C
T
A
= -40 ° C至85°C
0.784
0.78
-
-3
-
1.2
0.8
0.8
0.1
-
0.2
-
0.816
0.82
-
3
-
-
V
V
A
%
%/V
A
FB偏置电流
输出电压精度
线路调整
最大输出电流
赔偿金
误差放大器的跨导
相
上电阻P沟道MOSFET
I
FB
FB = 0.75V
PVIN = V
O
+ 0.5V至5.5V ，我
O
= 0 1.2A ，
T
A
= -40 ° C至85°C
PVIN = V
O
+ 0.5V至5.5V （最低2.7V ）
只可调版本，设计信息
-
20
-
μA / V
PVIN = 3.6V ，木卫一= 200毫安
PVIN = 2.7V ，木卫一= 200毫安
-
-
-
-
1.5
-
0.12
0.16
0.11
0.15
2.1
100
1.6
-
1.1
0.22
0.27
0.22
0.27
2.6
-
1.75
140
-
A
%
兆赫
ns
ms
上电阻的N沟道MOSFET
PVIN = 3.6V ，木卫一= 200毫安
PVIN = 2.7V ，木卫一= 200毫安
P沟道MOSFET峰值电流限制
相最大占空比
PWM开关频率
相最小导通时间
软启动时间
I
PK
f
S
T
A
= -40 ° C至85°C
1.35
-
-
2
FN9254.0
2006年7月11日
ISL8011
电气规格
除非另有说明，所有参数限制都保证在推荐的工作条件和
典型的规范测定在下列条件：T已
A
= 25 ° C，V
PVIN
= V
VCC
= 3.6V ， EN = V
CC
,
L =值是1.8μH ， C1 = 10μF ， C2 = 10μF ，我
OUT
= 0A （见典型应用电路） 。
（续）
符号
测试条件
民
典型值
最大
单位
参数
POR
输出低电压
延迟时间
POR引脚漏电流
最低电源电压为有效POR信号
内部PGOOD低阈值上升
内部PGOOD低阈值下降
内部PGOOD高阈值上升
内部PGOOD高阈值下降
内部PGOOD延迟时间
EN
逻辑输入低
逻辑输入高
逻辑输入漏电流
热关断
热关断迟滞
下沉1mA时， FB = 0.7V
-
150
-
200
0.01
-
92
88
108
105
50
0.3
275
0.1
-
94.5
91
110.5
108
-
V
ms
A
V
%
%
%
%
s
POR = V
CC
= 3.6V
-
1.2
标称稳压值的百分比
标称稳压值的百分比
标称稳压值的百分比
标称稳压值的百分比
89.5
85
105.5
102
-
-
1.4
上拉至5.5V
-
-
-
-
-
0.1
150
25
0.4
-
1
-
-
V
V
A
°C
°C
典型工作性能
100
V
OUT
= 3.3V
2.60
90
效率（％）
V
OUT
= 2.5V
V
OUT
(V)
V
OUT
= 1.8V
80
2.55
2.50
70
2.45
60
50
200
350
500
650
800
950
1100
负载电流（mA ）
2.40
50
250
450
650
850
1050
负载电流（mA ）
图1：效率与负载电流（ V
IN
= 5.0V)
图2. V
OUT
与负载电流（V
IN
= 5V)
3
FN9254.0
2006年7月11日
ISL8011
典型工作性能
（续）
图9.负载瞬态（V
IN
= 3.6V; V
O
= 1.6V ;我
O
= 0A~1A)
引脚说明
PVIN
输入电源电压。连接一个10μF的陶瓷电容
电源地。
FB
降压调节器的输出反馈。连接到输出
通过一个电阻分压器调节的输出电压。
裸露焊盘
裸露焊盘必须连接到保护接地引脚
正确的电气性能和最佳的热
性能。
VCC
电源电压对内部的模拟和数字控制电路，
从PVIN交付。旁路与0.1μF陶瓷电容
信号地。
EN
稳压器的使能引脚。迫使上述1.4V此引脚启用
芯片。强制该引脚低于0.4V时关断芯片和
当驱动低放电输出电容。不要离开
该引脚悬空。
POR
200ms的定时器输出。在上电时或EN HI ，该输出是一
200ms的延迟电源良好信号的输出电压。
GND
地面上。
相
开关节点连接。连接到一个终端
电感器。
保护地
电源地。将所有电源的理由该引脚。
SGND
模拟地。 SGND和PGND应该只有一个
点对点连接。
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FN9254.0
2006年7月11日
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