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ISL74422ARH
数据表
2001年6月
网络文件编号
9031.1
书名
L74
2AR
ea
b-
t
adia-
n
RD-
ed
,
n-
ert-
WER
S-
T
IV-
)
utho
)
ey-
RDS
之三
rpo-
离子,
MI-
n-
构造函数,
DIA-
n
RD-
ED ,
d
RD,
王牌
TEL-
,
抗辐射9A ,非反相
功率MOSFET驱动器
的抗辐射ISL4422ARH是一个非反相,
单片高速MOSFET驱动器,旨在转换
5V CMOS电平的输入信号变换成在高电流输出
电压高达18V 。其快速的上升时间和高电流输出
允许非常快速控制,即使是最大功率MOSFET
在高频应用。
该ISL4422ARH的输入可通过直接驱动我们
HS- 1825ARH和IS- 1845ASRH的PWM装置。该9A
在MOSFET的大电流输出减少功率损耗
快速充电和放电的高栅极电容。
构建了Intersil的介质隔离抗辐射
硅栅(RSG ) BiCMOS工艺,这些设备是
免疫单粒子闩锁,并已具体来说
旨在提供在苛刻的性能高度可靠
辐射环境。
特定网络阳离子抗辐射QML设备进行控制
由美国国防供应中心在哥伦布( DSCC ) 。该
订货时这里列出SMD号码必须使用。
详细的电气特定网络连接的阳离子为这些设备是
载于SMD 5962-01521 。 “热链接”提供
我们的网页上下载。
www.intersil.com/spacedefense/space.asp
特点
QML每个合格MIL -PRF- 38535的要求
电动屏蔽为DSCC SMD # 5962-01521
辐射环境
- 总剂量(最大) 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 300krad ( SI )
- 闭锁免疫
- 可忽略不计的灵敏度,以低剂量率
I
PEAK
。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 .9A (最小值)
T
F
(C
L
= 10,000pF ) 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。为70ns (典型值) ;为90ns (最大值)
T
R
(C
L
= 10,000pF ) 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。为90ns (典型值) ; 105ns (最大值)
传播延迟(从高到低) (C
L
= 10,000pF ) 。 。 。 。 。 。 。 75ns (最大值)
55ns(Typ)
传播延迟低到高(C
L
= 10,000pF ) 。 。 。 。 。 。 。为50ns (最大值)
30ns(Typ)
一致的延迟时间与V
CC
变化
宽电源电压范围。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 7V至18V
低待机功耗
- 输入低。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 <2mW (最大)
- 输入高。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 <18mW (最大)
ESD保护。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 .>1750V
引脚
ISL74422ARH -F( FLATPACK CDFP4 -F16 )
顶视图
NC
NC
LVS
IN
LGND
NC
NC
GND
1
2
3
4
5
6
7
8
16
15
14
13
12
11
10
9
VS
VS
NC
OUT
OUT
NC
NC
GND
应用
开关电源
DC / DC转换
电机控制器
订购信息
订购数量
5962F0152101VXC
5962F0152101QXC
ISL74422ARHF/Proto
国内
MKT 。 NUMBER
ISL74422ARHVF
ISL74422ARHQF
ISL74422ARHF/Proto
TEMP 。 RANGE
(
o
C)
-55至125
-55至125
-55至125
注意事项:
1.引脚3提供电源电压的控制逻辑。它不是
内部连接到引脚15和16的抗噪声能力
的目的,但也可以从外部连接。
2. 5脚是控制逻辑的回报。它内部没有连接到
销8和9,用于抗噪声的目的,但也可以连接
外部。
3.引脚8和9都必须连接到GND 。
4.销12和13必须都被连接到输出端。
5.引脚15和16必须都连接到VS.
1
注意:这些器件对静电放电敏感;遵循正确的IC处理程序。
1-888- INTERSIL或321-724-7143
|
Intersil的设计是Intersil美洲公司的商标。
版权所有 Intersil公司美洲2001,保留所有权利
ISL7442ARH
模具特点
DIE尺寸:
3838μm X 4829μm ( 151.1密尔X 190.1mils )
厚度: 483μm
±
25.4μm ( 19密耳
±
1密耳)
界面材料:
玻璃钝化:
类型: PSG (磷硅玻璃)
厚度: 8.0k
±
1.0k
顶级金属化:
类型: AlSiCu
厚度: 16.0k
±
2k
基材:
抗辐射硅栅,
介质隔离
背面表面处理:
大会相关信息:
衬底电位:
无偏( DI )
附加信息:
最坏情况下的电流密度:
<2.0 ×10
5
A /厘米
2
晶体管数量:
30
金属掩模布局
ISL74422ARH
LGND
IN
LVCC
保护地
PVCC
OUT2
OUT1
Intersil所有半导体产品的制造,组装和测试下
ISO9000
质量体系CERTI网络阳离子。
Intersil的半导体产品仅出售描述。 Intersil公司保留更改电路设计和/或规格在任何时候没有合适的
通知。因此,告诫读者,以验证数据表之前订货电流。 Intersil提供的信息被认为是准确和可靠
能。然而,承担任何责任由Intersil或其子公司供其使用;也不对第三方专利或可能导致的其他权利的任何侵犯
它的使用。没有获发牌照以暗示或以其他方式Intersil公司或其子公司的任何专利或专利权。
关于Intersil公司及其产品的信息,请参阅网站
www.intersil.com
2
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    联系人:杨小姐
    地址:深圳市福田区振兴路156号上步工业区405栋3层

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