ISL73096RH ， ISL73127RH ， ISL73128RH
数据表
2009年3月23日
FN6475.2
抗辐射超高频
NPN / PNP晶体管阵列
该ISL73096RH ， ISL73127RH和ISL73128RH是
抗辐射双极型晶体管阵列。该
ISL73096RH由三个NPN型晶体管和两个PNP
晶体管在同一衬底上。该ISL73127RH
包括在一个共同的基片5的NPN晶体管。该
ISL73128RH由五个PNP晶体管在一个共同的
基材。我们的一个贴合晶片的电介质绝缘
制造工艺提供了一种免疫单事件
闩锁和高度可靠的性能的能力
任何辐射环境。
高增益带宽积和低噪声系数
这些晶体管使它们非常适用于高频率使用
放大器器和混频器的应用程序。单片建设
的NPN和PNP晶体管提供了接近的电
和热匹配成为可能。访问被提供给各
晶体管的最大的应用灵活性的终端。
特定网络阳离子抗辐射QML设备进行控制
由美国国防供应中心在哥伦布（ DSCC ） 。该
订货时这里列出SMD号码必须使用。
详细的电气特定网络连接的阳离子为这些设备是
载于SMD 5962-07218 。 “热链接”提供
在我们的网站上下载。
特点
电筛选，以SMD ＃ 5962-07218
QML每个合格MIL -PRF- 38535的要求
辐射环境
- 剂量伽玛（γ ） 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 3×10
5
Rad公司（SI ）
- SEL免疫。 。 。 。 。 。 。键合晶片介质隔离
NPN增益带宽积（F
T
） 。 。 。 。 。 。 。 。 .8GHz （典型值）
NPN电流增益（H
FE
） 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 130 （典型值）
NPN早电压（V
A
） 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 50V （典型值）
PNP增益带宽积（F
T
） 。 。 。 。 。 。 。 。 5.5GHz （典型值）
PNP电流增益（H
FE
） 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 60 （典型值）
PNP早电压（V
A
） 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 20V （典型值）
噪声系数（ 50Ω ）为1GHz。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 .3.5dB （典型值）
收集到收集泄漏。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 <1pA （典型值）
晶体管之间的完全隔离
应用
高频放大器和混频器
- 请参考应用笔记AN9315
高频转换器
同步检测器
订购信息
订购数量
5962F0721801V9A
5962F0721801VXC
5962F0721802V9A
5962F0721802VXC
5962F0721803V9A
5962F0721803VXC
ISL73096RHF/PROTO
ISL73096RHX/SAMPLE
ISL73127RHF/PROTO
ISL73127RHX/SAMPLE
ISL73128RHF/PROTO
ISL73128RHX/SAMPLE
内部MKT 。 NUMBER
ISL73096RHVX
ISL73096RHVF
ISL73127RHVX
ISL73127RHVF
ISL73128RHVX
ISL73128RHVF
ISL73096RHF/PROTO
ISL73096RHX/SAMPLE
ISL73127RHF/PROTO
ISL73127RHX/SAMPLE
ISL73128RHF/PROTO
ISL73128RHX/SAMPLE
TEMP 。范围（° C）
-55到+125
-55到+125
-55到+125
-55到+125
-55到+125
-55到+125
-55到+125
-55到+125
-55到+125
-55到+125
-55到+125
-55到+125
1
注意：这些器件对静电放电敏感;遵循正确的IC处理程序。
1-888- INTERSIL或1-888-468-3774
|
Intersil公司（和设计）是Intersil Americas Inc.公司的注册商标。
版权所有Intersil公司美洲2007年， 2009年版权所有
提及的所有其他商标均为其各自所有者的财产。。
ISL73096RH ， ISL73127RH ， ISL73128RH
引脚配置
ISL73096RH
（ 16 LD FLATPACK ） CDFP4 -F16
顶视图
ISL73127RH
（ 16 LD FLATPACK ） CDFP4 -F16
顶视图
Q1B
Q1E
Q1C
Q2E
Q2B
Q2C
Q3E
Q3B
1
2
3
4
5
6
7
8
16
15
14
13
12
11
10
9
NC
Q5C
Q5B
Q5E
Q4C
Q4B
Q4E
Q3C
Q1C
Q2C
Q2E
Q2B
NC
Q3C
Q3E
Q3B
1
2
3
4
5
6
7
8
16
15
14
13
12
11
10
9
Q1E
Q1B
Q5B
Q5E
Q5C
Q4C
Q4E
Q4B
ISL73128RH
（ 16 LD FLATPACK ） CDFP4 -F16
顶视图
Q1C
Q2C
Q2E
Q2B
NC
Q3C
Q3E
Q3B
1
2
3
4
5
6
7
8
16
15
14
13
12
11
10
9
Q1E
Q1B
Q5B
Q5E
Q5C
Q4C
Q4E
Q4B
2
FN6475.2
2009年3月23日
ISL73096RH ， ISL73127RH ， ISL73128RH
模具特点
DIE尺寸：
52.8密耳X 52.0密耳×14密耳
±1
米尔
1340μm X 1320μm X 355.6μm
±25.4m
界面材料：
玻璃钝化：
类型：氮化
厚度： 4K
±0.5k
顶级金属化：
类型：金属1：铝铜（2％） /的TiW
厚度：金属1 ： 8K
±0.5k
类型：金属2 ：铝铜（ 2 ％ ）
厚度：金属2 ：16开
±0.8k
基材：
UHF -1X键合晶片， DI
背面表面处理：
硅
大会相关信息：
衬底电位：
漂浮的
附加信息：
最坏情况下的电流密度：
3.04 x 10
5
A /厘米
2
晶体管数量：
5
金属掩模布局
（2） Q2C （1） Q1C （16） Q1E （15） Q1B
（3） Q2E
（14） Q5B
（4） Q2B
（ 13 ） Q5E
（5） NC-
（ 12 ） Q5C
（6） Q3C
（11） Q4C
（7） Q3E
（ 8 ） Q3B （ 9 ） Q4B （ 10 ） Q4E
图1 ISL73096RH ， ISL73127RH
3
FN6475.2
2009年3月23日
ISL73096RH ， ISL73127RH ， ISL73128RH
金属掩模布局
（续）
（2） Q2C （1） Q1C （16） Q1E （15） Q1B
（3） Q2E
（14） Q5B
（4） Q2B
（ 13 ） Q5E
（5） NC-
（ 12 ） Q5C
（6） Q3C
（11） Q4C
（7） Q3E
（ 8 ） Q3B （ 9 ） Q4B （ 10 ） Q4E
图2 ISL73128RH
Intersil公司所有产品的制造，组装和测试都采用ISO9000质量体系标准。
Intersil公司的质量CERTI网络阳离子可在www.intersil.com/design/quality观看
Intersil的产品仅出售描述。 Intersil公司保留随时修改电路设计，软件和/或特定网络连接的阳离子在任何时候没有合适的
通知。因此，告诫读者，以验证数据表之前订货电流。 Intersil提供的信息被认为是准确和
可靠的。然而，承担任何责任由Intersil或其子公司供其使用;也不对第三方专利或其他权利的任何侵犯，可能导致
从它的使用。没有获发牌照以暗示或以其他方式Intersil公司或其子公司的任何专利或专利权。
关于Intersil公司及其产品的信息，请参阅www.intersil.com
4
FN6475.2
2009年3月23日
ISL73096RH ， ISL73127RH ， ISL73128RH
陶瓷金属密封扁平封装（扁平）
A
K16.A
MIL- STD- 1835 CDFP4 - F16 （F - 5A ，配置B ）
16引脚陶瓷 - 金属密封FLATPACK包装
英寸
符号
民
0.045
0.015
0.015
0.004
0.004
-
0.245
-
0.130
0.030
0.008
0.250
0.026
0.005
-
16
最大
0.115
0.022
0.019
0.009
0.006
0.440
0.285
0.315
-
-
0.015
0.370
0.045
-
0.0015
A
b
b1
c
c1
D
MILLIMETERS
民
1.14
0.38
0.38
0.10
0.10
-
6.22
-
3.30
0.76
1.27 BSC
0.20
6.35
0.66
0.13
-
16
0.38
9.40
1.14
-
0.04
最大
2.92
0.56
0.48
0.23
0.15
11.18
7.24
8.00
-
-
笔记
-
-
-
-
-
3
-
3
-
7
-
2
-
8
6
-
-
第1版95年2月20日
e
PIN NO 。 1
ID区域
A
-A-
-B-
D
S1
b
E1
0.004 M
Q
A
-C-
-H-
L
E3
座位及
基面
c1
无铅封装
E2
E3
L
H A - B·S
S
E
0.036 M
H A - B·S
C
-D-
S
E
E1
E2
E3
e
k
L
Q
S1
M
N
0.050 BSC
BASE
金属
b1
M
M
(b)
截面A-A
(c)
注意事项：
1.索引区：一个槽口或针一个识别标志应当接收双相指令
ED毗邻针之一，应位于内阴影
显示区域。制造商的身份，不得使用
作为一个引脚1 identi网络阳离子大关。另外，标签（维K）
可用于识别针1 。
2.如果一个引脚1 identi网络阳离子标记用于除标签的lim-
维数k ，其并不适用。
3.该尺寸允许偏离中心盖，半月板和玻璃
超限。
4.尺寸B1和C1仅适用于引领基本金属。维
M适用于镀铅和网络光洁度厚度。最大lim-
其铅尺寸B和C或M应在岑来衡量
troid的科幻nished铅的表面，当浸焊或锡板
铅科幻光洁度应用。
5. N是端子位置的最大数目。
四角6.测量尺寸S1 。
7.对于底部焊引脚封装，无器质性或聚合mate-
里亚尔应被模制到包装，以覆盖底部
导致。
8.尺寸Q应在出口点进行测量（超越
半月板）从体内铅。尺寸Q最低
由0.0015英寸（ 0.038毫米）最大时，溶胶减少
德浸铅科幻光洁度应用。
9.尺寸和公差每ANSI Y14.5M - 1982年。
10.控制尺寸：英寸
5
FN6475.2
2009年3月23日
抗辐射超高频
NPN / PNP晶体管阵列
ISL73096RH ， ISL73127RH ， ISL73128RH
该ISL73096RH ， ISL73127RH和ISL73128RH是
抗辐射双极型晶体管阵列。该
ISL73096RH由三个NPN型晶体管和两个
PNP晶体管在同一衬底上。该
ISL73127RH包括在5 NPN晶体管的
常见的基板。该ISL73128RH由五个PNP
晶体管在同一衬底上。我们的一个保税
晶圆，介质隔离制造工艺
提供了免疫单事件闭锁和
高度可靠的性能在任何辐射能力
环境。
高增益带宽积和低噪声系数
这些晶体管使它们非常适用于使用高
频放大器和混频器的应用程序。单片
施工的NPN和PNP晶体管的提供
接近的电气和热匹配成为可能。访问
被提供给所述晶体管的每个终端
最大的应用灵活性。
规格为抗辐射QML设备
由美国国防供应中心在控制
哥伦布（ DSCC ） 。在SMD数字列在这里
在订货时，必须使用。
详细的电气规格为这些
装置被包含在贴片5962-07218 。一
“热点链接”是我们网站上提供的
下载。
ISL73096RH ， ISL73127RH ， ISL73128RH
特点
电筛选，以SMD ＃ 5962-07218
QML每个合格MIL -PRF- 38535的要求
辐射环境
- 剂量伽玛（γ ） 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 3×10
5
Rad公司（SI ）
- SEL免疫。 。键合晶片介质隔离
NPN增益带宽积（F
T
） 。 。 。 8GHz的（典型值）
NPN电流增益（H
FE
） 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 130 （典型值）
NPN早电压（V
A
） 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 50V （典型值）
PNP增益带宽积（F
T
） 。 。 。 5.5GHz （典型值）
PNP电流增益（H
FE
） 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 60 （典型值）
PNP早电压（V
A
） 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 20V （典型值）
噪声系数（ 50Ω ）为1GHz。 。 。 。 。 。 。 。 3.5分贝（典型值）
收集到收集泄漏。 。 。 。 。 。 <1pA （典型值）
晶体管之间的完全隔离
应用
高频放大器和混频器
- 请参考应用笔记AN1503
高频转换器
同步检测器
订购信息
订购数量
5962F0721801V9A
5962F0721801VXC
5962F0721802V9A
5962F0721802VXC
5962F0721803V9A
5962F0721803VXC
ISL73096RHF/PROTO
ISL73096RHX/SAMPLE
ISL73127RHF/PROTO
ISL73127RHX/SAMPLE
产品型号
ISL73096RHVX
ISL73096RHVF （注1,2 ）
ISL73127RHVX
ISL73127RHVF （注1,2 ）
ISL73128RHVX
ISL73128RHVF （注1,2 ）
ISL73096RHF/PROTO
ISL73096RHX/SAMPLE
ISL73127RHF/PROTO
ISL73127RHX/SAMPLE
TEMP 。 RANGE
(°C)
-55到+125
-55到+125
-55到+125
-55到+125
-55到+125
-55到+125
-55到+125
-55到+125
-55到+125
-55到+125
DIE
DIE
DIE
16 Ld的扁平
DIE
16 Ld的扁平
DIE
16 Ld的扁平
包
（无铅）
2009年11月12日
FN6475.3
1
注意：这些器件对静电放电敏感;遵循正确的IC处理程序。
1-888- INTERSIL或1-888-468-3774
|
Intersil公司（和设计）是Intersil Americas Inc.公司的注册商标。
版权所有Intersil公司美洲2007年， 2009年版权所有
提及的所有其他商标均为其各自所有者的财产。。
ISL73096RH ， ISL73127RH ， ISL73128RH
订购信息
（续）
订购数量
ISL73128RHF/PROTO
ISL73128RHX/SAMPLE
注意事项：
1.这些Intersil无铅密封包装的产品采用100％的金盘 - E4终止完成，这是符合RoHS标准
，既锡铅和无铅焊接操作兼容。
2.潮湿敏感度等级（MSL ） ，请参阅设备信息页
ISL73096RH ， ISL73127RH ， ISL73128RH 。
了解更多
MSL上的信息，请参阅techbrief
TB363.
产品型号
ISL73128RHF/PROTO
ISL73128RHX/SAMPLE
TEMP 。 RANGE
(°C)
-55到+125
-55到+125
DIE
包
（无铅）
销刀豆网络gurations
ISL73096RH
（ 16 LD FLATPACK ） CDFP4 -F16
顶视图
ISL73127RH
（ 16 LD FLATPACK ） CDFP4 -F16
顶视图
Q1B
Q1E
Q1C
Q2E
Q2B
Q2C
Q3E
Q3B
1
2
3
4
5
6
7
8
16
15
14
13
12
11
10
9
NC
Q5C
Q5B
Q5E
Q4C
Q4B
Q4E
Q3C
Q1C
Q2C
Q2E
Q2B
NC
Q3C
Q3E
Q3B
1
2
3
4
5
6
7
8
16
15
14
13
12
11
10
9
Q1E
Q1B
Q5B
Q5E
Q5C
Q4C
Q4E
Q4B
ISL73128RH
（ 16 LD FLATPACK ） CDFP4 -F16
顶视图
Q1C
Q2C
Q2E
Q2B
NC
Q3C
Q3E
Q3B
1
2
3
4
5
6
7
8
16
15
14
13
12
11
10
9
Q1E
Q1B
Q5B
Q5E
Q5C
Q4C
Q4E
Q4B
2
FN6475.3
2009年11月12日
ISL73096RH ， ISL73127RH ， ISL73128RH
模具特点
DIE尺寸：
52.8密耳X 52.0密耳×14密耳
±1
米尔
1340μm X 1320μm X 355.6μm
±25.4m
界面材料：
玻璃钝化：
类型：氮化
厚度： 4K
±0.5k
顶级金属化：
类型：金属1：铝铜（2％） /的TiW
厚度：金属1 ： 8K
±0.5k
类型：金属2 ：铝铜（ 2 ％ ）
厚度：金属2 ：16开
±0.8k
基材：
UHF -1X键合晶片， DI
背面表面处理：
硅
大会相关信息：
衬底电位：
漂浮的
附加信息：
最坏情况下的电流密度：
3.04 x 10
5
A /厘米
2
晶体管数量：
5
金属掩模布局
（2） Q2C （1） Q1C （16） Q1E
（15） Q1B
（3） Q2E
(14) Q5
（4） Q2B
(13) Q5
（5） NC-
(12) Q5
（6） Q3C
(11) Q4
（ 7 ） Q3E （ 8 ） Q3B （ 9 ） Q4B （ 10 ） Q4E
图1 ISL73096RH ， ISL73127RH
有关更多产品，请参阅
www.intersil.com/product_tree
Intersil的产品的制造，组装和测试都采用ISO9000质量体系如前所述
在发现质量认证
www.intersil.com/design/quality
Intersil的产品仅出售描述。 Intersil公司保留随时修改电路设计，软件和/或规格的权利
在恕不另行通知。因此，告诫读者，以验证数据表之前订货电流。提供的信息
Intersil公司被认为是准确和可靠。然而，承担任何责任由Intersil或其子公司供其使用;也不对任何
侵犯第三方专利或其他权利的可能导致其使用。无许可下的任何牌照以暗示或其他方式
Intersil公司或其子公司的专利或专利的权利。
关于Intersil公司及其产品的信息，请参阅
www.intersil.com
3
FN6475.3
2009年11月12日
ISL73096RH ， ISL73127RH ， ISL73128RH
金属掩模布局
（续）
（15） Q1B
（2） Q2C （1） Q1C （16） Q1E
（3） Q2E
（14） Q5B
（4） Q2B
（ 13 ） Q5E
（5） NC-
（ 12 ） Q5C
（6） Q3C
（11） Q4C
（ 7 ） Q3E （ 8 ） Q3B （ 9 ） Q4B （ 10 ） Q4E
图2 ISL73128RH
修订历史
所提供的修订历史仅供参考，被认为是准确的，但并不保证。请访问
网络，以确保您拥有最新版本
日期
11/12/09
调整
FN6475.3
变化
转换为新的Intersil的模板。从“ AN9315 ”更改的应用笔记参考“ AN1503 ”
以反映新的应用笔记的抗辐射产品。有更新的订购信息
包柱，指出匹配领先的光洁度和MSL笔记。
在管脚引线，改变DIP符号扁平符号。变化（ 16 LD SBDIP ） CDIP2 -T16
（16 LD扁平封装） CDFP4 -F16 。
根据订货信息，增加了以下扁平封装设备类型：
5962F0721801VXC （ ISL73096RHVF ） ， 5962F0721802VXC （ ISL73127RHVF ）和
5962F0721803VXC （ ISL73128RHVF ） 。
加入ISL73127RH & ISL73128RH设备类型。
初始版本。
03/23/09
FN6475.2
12/2007
03/29/07
FN6475.1
FN6475.0
制品
Intersil公司是高性能模拟半导体设计和制造的领导者。该
公司的产品面向多个业界增长最快的市场，如平板显示器，移动电话，
手持产品，以及笔记本电脑。 Intersil的产品系列具有电源管理和模拟信号
处理功能。到
www.intersil.com/products
为Intersil的产品系列的完整列表。
*对于应用程序的完整列表，相关文档及相关零部件，请参见相应的设备
在intersil.com信息页面：
ISL73096 ， ISL73127RH ， ISL73128RH
为这个数据表报告错误或建议，请到
www.intersil.com/askourstaff
适合都可以从我们的网站
http://rel.intersil.com/reports/search.php
4
FN6475.3
2009年11月12日
QQ：2881677436 复制
