IS- 1825ASRH ， ISL71823ASRH
数据表
2008年9月25日
FN9065.3
单粒子和总剂量硬化，
高速，双输出的PWM
单事件和总剂量硬化IS- 1825ASRH和
ISL71823ASRH脉宽调制器被设计为
在高频时，开关电源在任
电压或电流模式的配置。这两种设计
包括精密基准电压源，低功耗启动
电路，高频振荡器，宽带错误
放大器和快速电流限制比较。
在IS- 1825ASRH配备双，交替输出
从零操作至小于50％的占空比，而
ISL71823ASRH功能双，同相输出工作
从零到小于100 ％的占空比。
构建了Intersil的抗辐射硅栅（ RSG ）
介电隔离的BiCMOS工艺，这些设备是
免疫单粒子闩锁，并已具体来说
目的是提供一个高水平的免疫力，以单一事件
瞬变。所有指定的参数都保证
测试300krad （Si）的总剂量的性能。
详细的电气特定网络连接的阳离子为这些设备是
载于SMD 5962-02511 。 “热链接”提供
在我们的网站上下载的SMD 。
特点
电筛选， DSCC SMD ＃ 5962-02511
QML每个合格MIL -PRF- 38535的要求
辐射环境
- 总剂量。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 300krad （ SI ） （最大值）
- 闩锁免疫性。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。介质隔离
- SEU免疫。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 LET = 35MeV /毫克/平方厘米
2
（最大）
振荡器频率。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 .1MHz （最大）
高输出驱动电流。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 .1A峰值（典型值）
低启动电流。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 300μA （最大值）
欠压闭锁
- 启动阈值。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 .8.8V （最大）
- 停止阈值。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 7.6V （分钟）
- 滞后。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。为300mV （分钟）
改进的软启动功能与商业相
1825A / 1823A型
脉冲由脉冲电流限制
锁存过流比较器，带有完整的周期重启
可编程前沿消隐
应用
电压或电流模式开关电源
高电流MOSFET驱动器的控制
电机速度和方向控制
引脚配置
IS1-1825ASRH ， ISL71823ASRHQD
（ CDIP2 - T16 SBDIP ）
顶视图
INV 1
NON- INV 2
E / A OUT 3
CLK / LEB 4
RT 5
CT 6
RAMP 7
SS 8
16 Vref的
15 VCC
14 OUT B
13 VC
12 PGND
11 OUT A
10 GND
9 ILIM / SD
NC
INV
NON- INV
E / A OUT
CLK / LEB
RT
CT
坡道
SS
NC
IS9-1825ASRH ， ISL71823ASRHQF
（ CDFP4 - F20 FLATPACK ）
顶视图
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
20
19
18
17
16
15
14
13
12
11
VREF
VCC
OUT B
保护地
VC
VC
保护地
OUT A
GND
ILIM / SD
1
注意：这些器件对静电放电敏感;遵循正确的IC处理程序。
1-888- INTERSIL或1-888-468-3774
|
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IS- 1825ASRH ， ISL71823ASRH
订购信息
订购数量
IS0-1825ASRH/SAMPLE
5962F0251101V9A
5962F0251101QEC
5962F0251101QXC
5962F0251101VEC
5962F0251101VXC
IS1-1825ASRH/Proto
IS9-1825ASRH/Proto
5962F0251102QEC
5962F0251102QXC
5962F0251102VEC
5962F0251102VXC
ISL71823ASRHD/Proto
ISL71823ASRHF/Proto
国内
MKT 。 NUMBER
IS0-1825ASRH/SAMPLE
IS0-1825ASRH-Q
IS1-1825ASRH-8
IS9-1825ASRH-8
IS1-1825ASRH-Q
IS9-1825ASRH-Q
IS1-1825ASRH/Proto
IS9-1825ASRH/Proto
ISL71823ASRHQD
ISL71823ASRHQF
ISL71823ASRHVD
ISL71823ASRHVF
ISL71823ASRHD/Proto
ISL71823ASRHF/Proto
TEMP 。范围（° C）
-50至+125
-50至+125
-50至+125
-50至+125
-50至+125
-50至+125
-50至+125
-50至+125
-50至+125
-50至+125
-50至+125
-50至+125
-50至+125
-50至+125
16 Ld的SBDIP
20 Ld的扁平
16 Ld的SBDIP
20 Ld的扁平
16 Ld的SBDIP
20 Ld的扁平
16 Ld的SBDIP
20 Ld的扁平
16 Ld的SBDIP
20 Ld的扁平
16 Ld的SBDIP
20 Ld的扁平
D16.3
K20.A
D16.3
K20.A
D16.3
K20.A
D16.3
K20.A
D16.3
K20.A
D16.3
K20.A
包
PKG DWG 。 ＃
典型性能曲线
10k
C220pF
C470pF
频率（Hz）
C2200pF
C4700pF
100
60
C10nF
10
C22nF
1
10
R
t
定时电阻值（kΩ ）
100
50
1
10
R
t
定时电阻值（kΩ ）
100
D
最大
(%)
1k
C1000pF
80
70
100
90
D
最大
图1.振荡器频率与
t
和C
t
图2.最大占空比VS
t
2
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2008年9月25日
IS- 1825ASRH ， ISL71823ASRH
模具特点
DIE尺寸：
4310μm X 5840μm （ 170密耳X 230密耳）
厚度： 483μm ± 25.4μm （ 19密耳± 1密耳）
界面材料
玻璃熔封
类型：磷硅玻璃（ PSG ）
厚度： 8.0kA ± 1.0kA
顶级金属化
类型： AlSiCu
厚度： 16.0kA ± 2KA
基材：
抗辐射硅栅，
介质隔离
背面表面处理：
硅
大会相关信息
衬底电位：
无偏（ DI ）
附加信息
最坏情况下的电流密度：
<2.0 ×10
5
A /厘米
2
晶体管数量：
585
金属掩模布局
IS-1825ASRH/ISL71823ASRH
RT
CT
坡道
SS
RT
ILIM / SD
OGND
GND
CLK / LEB
E / A OUT
NON- INV
INV
VREF
VCC
OUT A
OUT B
保护地
VC
VC
保护地
注意事项：
1.两者OGND （振荡器接地）和GND （控制电路接地）焊盘必须被接合到地面。
这些焊盘都键合到上的封装器件的GND引脚。
2.所有双倍大小的焊垫必须双键的电流共享的目的。
Intersil公司所有产品的制造，组装和测试都采用ISO9000质量体系标准。
Intersil公司的质量CERTI网络阳离子可在www.intersil.com/design/quality观看
Intersil的产品仅出售描述。 Intersil公司保留随时修改电路设计，软件和/或特定网络连接的阳离子在任何时候没有合适的
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2008年9月25日
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