ISL6801
数据表
2005年7月25日
FN9087.2
高电压自举高端驱动器
该ISL6801是一款单，反向引导
驱动程序。它的浮动电平转换部分用于优化
N沟道功率MOSFET的高侧控制
与母线电压配置高达120VDC从5V
控制器输出。它具有固定了两个输出级
另外，允许上升和下降时间独立控制。
为了确保静态直流操作的综合补给通道
充电的自举帽，而驱动器被关掉。一
上拉电阻强制输入为低电平时，没有控制信号
应用。电源电压进行监视，以保证
完美的运行在启动。
特点
单的Bootstrap高压侧驱动器
自举电源最大电压。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 120VDC
峰值输出驱动电流。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 200毫安
开关频率。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。在100kHz
低电平输入
独立的复位输入
静态操作充值路径
独立的高，低栅极驱动输出允许
ON / OFF时间控制独立转向
电源欠压保护
订购信息
产品型号
ISL6801AB
ISL6801AB-T
温度。
RANGE （
o
C)
-40至125
-40至125
包
8 Ld的SOIC
8 Ld的SOIC带
和卷轴
PKG 。
DWG 。 ＃
M8.15
M8.15
节省空间的SO- 8封装
宽工作温度范围
应用
在高端驱动器的N沟道MOSFET
配置，控制接地参考负载
驱动电磁铁，电机，继电器和灯
汽车应用
引脚
SL6801AB （ SOIC ）
顶视图
V
CC
IN
GND
水库
1
2
3
4
8
7
6
5
VB
HOH
HOL
VS
1
注意：这些器件对静电放电敏感;遵循正确的IC处理程序。
1-888- INTERSIL或321-724-7143
|
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ISL6801
典型应用框图
+ 150VDC MAX
自举电源
V
CC
HOH
IN
调节器
输入逻辑
水平
移
HOL
VS
VB
水库
充值
路径
负载
ISL6801
功能框图
V
CC
UV
检测
IN
＆放大器;
水库
ON
延迟
关闭
＆放大器;
水平
移
产量
VB
HOH
HOL
GND
VS
引脚说明
引脚数
1
2
3
4
5
6
7
8
符号
V
CC
IN
GND
水库
VS
HOL
HOH
VB
驱动电源，典型的5.0V
驱动控制信号输入
地
驱动器使能信号输入（' RESET '）
MOSFET源连接
MOSFET栅极低连接
MOSFET栅极高连接
驱动器输出级电源
描述
注意：
在HOL和HOH是低各高栅极驱动输出引脚。导通和关断外部MOSFET的时间可以通过控制
使用不同的电阻值高，低信号。
2
ISL6801
绝对最大额定值
电源电压，V
CC
. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .16V
驱动器输出级电压，V
B
（简称GND） 。 。 。 。 。 。 。 。 .130V
来源参考电压，V
S
（ -5V为0.5毫秒， MOSFET关） 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 （最小值） -1.5V
。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 （最大值） 120V
ESD额定值，V
ESD
人体模型。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 （最小值） 820V
（每MIL -STD- 883方法3015.7 ）
热信息
热电阻（典型值，注1 ）
θ
JA
(
o
C / W ）
SOIC封装。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。
90
最高结温（塑料封装） 。 。 。 。 。 。 。 .150
o
C
最大存储温度范围。 。 。 。 。 。 。 。 。 -55
o
C至150
o
C
最大的铅温度（焊接10秒） 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 0.245
o
C
（仅SOIC无铅提示）
工作条件
温度范围。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 -40
o
C至125
o
C
电源电压范围（最大值） 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 4.5V至6.5V
注意：如果运行条件超过上述“绝对最大额定值” ，可能对器件造成永久性损坏。这是一个应力只评级和操作
器件在这些或以上的本规范的业务部门所标明的任何其他条件不暗示。
注意：
1.
θ
JA
测定用安装在一个高的有效热导率测试板在自由空气中的分量。参见技术简介TB379了解详细信息。
电气规格
参数
工作温度范围
来源参考电压
所有数值都是在整个温度范围内。
符号
T
A
VS
-1.8V连续， VB / V
OH
必须保持
低， IN = 0V ， RES = 5V ，V
CC
= 4.5V和
6.5V ， VB = 5V和12V ，
（负载R = 50Ω ， C = 6.8nF ）
T
A
= -40至125
o
C
测试条件
民
-40
-1.5
典型值
-
-
最大
125
120
单位
o
C
V
电源电压（注2）
驱动器输出电源
V
CC
V
VB - VS
V
VB - GND
IDENT 。到V
GS
MOSFET器件
实用
通过设计保证
4.5
4.0
2.0
100
-
吸入/源出电流VB = 5V和16V ，
100ns
吸入/源出电流连续
在高电平时，我
HO
= 1mA时， VB- VS = 5V和16V
在高电平时，我
HO
= 100毫安
中为L ，我
HO
= 1mA时， VB- VS = 5V和16V
中为L ，我
HO
= 100毫安
在V
CC
= 5.0V ， RES = 5V ，
输出触发电平： 3.5V ON处
VB = 5V ，在VB = 16V 1.0V OFF ，
输入2.5V （负载R = 50Ω ， C = 6.8nF ）
VB- VS = 5V和16V ，
（负载R = 50Ω ， C = 6.8nF ）
VB- VS = 5V
（负载R = 50Ω ， C = 6.8nF ）
VB- VS = 16V
-
6.5
-
-
-
-
-
-
8.5
-
-
-
200
8
-
-
-
-
1.0
6.5
16.0
-
-
500
-
-
0.3
2.2
0.5
2.2
3.0
V
V
V
千赫
V / μs的
mA
mA
V
V
V
V
s
开关频率
电压跨导（注3 ）
峰值栅极驱动电流
连续栅极驱动电流（注3 ）
栅极驱动电平低
栅极驱动电平低
栅极驱动电平高
栅极驱动电平高
总数为输出延迟（图1 ）
f
DVS / DT
I
HOpeak
I
HOcont
V
HOL ， VS
V
HOL ， VS
V
VB ， HOH
V
VB ， HOH
td
IN- HOH ，L
总RES到输出延迟（图2 ）
输出上升/下降时间
td
RES - HOH ，L
t
HOH ，L
上升/下降
-
-
-
-
1.0
100
200
100
3.0
500
500
210
（注5 ）
s
ns
ns
mV
VB的电压降（图4，注4）
VB
降
VB- VS = 9.0V ，C
100
= 1F,
（负载R = 50Ω ， C = 6.8nF ）
3
ISL6801
电气规格
参数
VB输入电流（注6 ）
所有数值都是在整个温度范围内。
（续）
符号
I
VB
测试条件
静态电流， VB- VS = 8.5V ，
V
CC
= 5V ， IN = 0V ，
RES = 5V （负载R = 50Ω ， C = 6.8nF ）
静态电流， VB- VS = 8.5V ，
V
CC
= 5V ， IN = 0V ，
RES = 0V ， （负载R = 50Ω ， C = 6.8nF ）
在V
CC
= 4.5V和6.5V
（负载R = 50Ω ， C = 6.8nF ）
V
CC
= 4.5V和6.5V
V
CC
= 4.5V和6.5V
V
CC
= 4.5V和6.5V
V
CC
= 4.5V和6.5V
在V
CC
= 5.0V ， RES = 5V ， IN = 0V ，
VB = 12V
在V
CC
= 5.0V ， RES = 5V ， IN = 0V ，
VB = 12V
在逻辑低电平响应高
V
CC
到GND ，含HYST 。
VB = VS =斛= HOL = 7V ， RES = 5V ，
IN = 5V ，V
CC
= 4.5V与6V
民
300
典型值
750
最大
875
单位
A
VB输入电流
I
VB
100
550
700
A
驱动电源电流
输入门槛低（注7 ）
输入门槛高（注7 ）
启用门槛低（注7 ）
启用门槛高（注7 ）
输入阻抗在IN
输入阻抗在RES
逻辑输入电流的RES （注8 ）
欠压关断阈值
充电电阻（注9 ）
充值导通延迟（注9 ）
充值延时关闭
充值路径压降
I
VCC
IN
低
IN
高
水库
低
水库
高
R
IN
R
水库
I
水库
V
UV
R
充值
t
RechargeON
t
RechargeOFF
VDROP
充值
-
1.4
-
1.4
-
60
60
-0.1
-
70
7
-
1.2
-
-
-
-
100
100
-
3.5
170
10
-
-
-
2.5
-
3.0
-
3.0
170
170
1.0
-
350
15
1.5
0.8
3.5
mA
V
V
V
V
k
k
mA
V
s
s
V
V
在1.0毫安的恒定电流
在10mA的恒定电流
-
-
注意事项：
3.5V和4.5V之间2.关闭。
3.极限参数通过设计保证，但在生产中测试。
4.降部分的电压的切换期间造成的VB到VS的电流。参见图3 。
5.假设3μs的转换重叠，时间延迟使用，测试为100μs 。
6.外部MOSFET的开启或关闭。
7.输入和启用阈值在V测试
CC
= 4.5V和6.5V ， VB = 12V ， VS = 0V ，在0V ，响应RES为5.0V 。
8.定义的值将被认为是一个最大允许值。输入级不需要有汇或源的能力。
9.充值路径具有承受瞬变在120V范围大约为1μs ，而喷油器关闭，造成高功率耗散
电阻器。
4
QQ：2880707522 复制
