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ISL6700
数据表
2004年12月29日
FN9077.6
80V / 1.25A峰值,中频,低
成本,半桥驱动器
该ISL6700是一个80V / 1.25A峰值,中频,低
成本,半桥驱动器IC采用8引脚SOIC封装,
12引脚QFN塑料封装。低侧和高侧
栅极驱动器是独立控制和匹配
为25ns 。这给在死区时间的用户最大的灵活性
选择和驱动程序的协议。在欠压保护
两个低侧和高侧电源强制输出
低。非锁存,电平漂移转换用于控制所述
上的驱动电路。不像一些竞争对手,高端
经过短暂的输出返回到正确的状态
低压高侧电源的。
特点
驱动2个N通道MOSFET半桥
CON组fi guration
节省空间SO8和低R
C-S
QFN封装
相供电最大电压为80VDC
自举电源最大电压为96VDC
驱动1000pF的负载有上升和下降时间典型值。 15ns的
TTL / CMOS兼容输入阈值
对于非半桥拓扑独立输入
无启动问题
低功耗
宽电源电压范围
订购信息
部分
ISL6700IB
ISL6700IBZ
(见注)
ISL6700IR
ISL6700IRZ
(见注)
TEMP 。 RANGE
(°C)
-40至125
-40至125
-40至125
-40至125
8 Ld的SOIC
8 Ld的SOIC
(无铅)
12 Ld的4×4 QFN
12 Ld的4×4 QFN
(无铅)
PKG 。 DWG 。 #
M8.15
M8.15
L12.4x4
L12.4x4
电源欠压保护
QFN封装
- 符合JEDEC PUB95 MO- 220 QFN
- 方形扁平无引线 - 封装外形
无铅可(符合RoHS )
应用
电信/数据通信电源
半桥转换器
双开关正激转换器
有源钳位正向转换器
添加“ -T ”后缀部分号码磁带和卷轴包装。
注: Intersil无铅产品采用特殊的无铅材料
套;模塑料/晶片的附属材料和100 %雾锡
板终止完成,这是符合RoHS标准,兼容
既锡铅和无铅焊接操作。 Intersil无铅
产品分类MSL在无铅峰值回流温度下
达到或超过IPC / JEDEC J STD- 020对无铅要求。
引脚配置
ISL6700IB ( SOIC )
顶视图
V
DD
HI
LI
V
SS
1
2
3
4
8
7
6
5
HB
HO
HS
LO
HI
NC
LI
1
2
3
4
V
SS
5
NC
6
LO
EPAD
ISL6700IR ( QFN )
顶视图
V
DD
NC
11
HB
10
9 HO
8 NC
7 HS
12
注: EPAD =裸焊盘。
1
注意:这些器件对静电放电敏感;遵循正确的IC处理程序。
1-888- INTERSIL或321-724-7143
|
Intersil公司(和设计)是Intersil Americas Inc.公司的注册商标。
版权所有 Intersil公司美洲2002-2004 。版权所有。
提及的所有其他商标均为其各自所有者的财产。
ISL6700
应用框图
+12V
+48V
V
DD
HB
电路
HI
控制
PWM
调节器
LI
DRIVE
HI
HO
HS
DRIVE
LO
LO
ISL6700
V
SS
参考
隔离
功能框图
HB
U / V
水平
HO
HS
HI
LI
开启
延迟
探测器
欠压
LO
V
DD
V
SS
EPAD ( QFN封装)
2
FN9077.6
2004年12月29日
ISL6700
+48V
+12V
PWM
ISL6700
电路
隔离
图1.双开关正激转换器
+48V
+12V
电路
PWM
ISL6700
隔离
与有源钳位图2.正向转换器
3
FN9077.6
2004年12月29日
ISL6700
绝对最大额定值
电源电压,V
DD
(注1 ) 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 -0.3V至16V
李和HI电压(注1 ) 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 -0.3V到V
DD
+0.3V
在HS电压(注1 ) 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 0V至80V
对HB电压(注1 ) 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 V
HS
-0.3V到V
HS
+V
DD
在LO电压(注1 ) 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 V
SS
-0.3到V
DD
+0.3V
在何电压(注1 ) 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 V
HS
-0.3V到V
HB
+0.3V
相压摆率。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 20V / ns的
热信息
热电阻(典型值)
θ
JA
( ° C / W)
θ
JC
( ° C / W)
SOIC (注3)。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。
95
不适用
QFN (注4)。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。
49
7
最大功率消耗在25℃在自由空气中( SOIC ,注3 ) 。 1.316W
最大功率消耗在25℃在自由空气中( QFN ,注4) 。 .2.976W
最大存储温度范围。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 - 65 ° C至+ 150°C
最大结温范围。 。 。 。 。 。 。 。 。 - 40 ° C至+ 150°C
最大的铅温度(焊接10秒) 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 + 300℃
( SOIC - 只会提示)
对于推荐的焊接条件参见技术简介TB389 。
最大推荐工作条件
电源电压,V
DD
。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 9V至15V
电压HS 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 0V至75V
在HS电压(注2 ) 。 。 。 。 。 。 。 。 。 (重复瞬态) - 1V至80V
电压HB 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 V
HS
+ 7.5V至V
HS
+V
DD
注意:如果运行条件超过上述“绝对最大额定值” ,可能对器件造成永久性损坏。这是一个应力只评级和操作
器件在这些或以上的本规范的推荐工作条件所标明的任何其他条件不暗示。
注意事项:
1.所有电压参考V
SS
除非另有规定ED 。
2.基于V
DD
= 15V 。在HS销允许负瞬态的幅度是V的函数
DD
电源电压。 V
HS
<15.6V-
V
DD
+V
F
其中V
HS
是可允许的负瞬态和V的幅度
F
是自举二极管的正向电压降。
3.
θ
JA
测定用安装在一个高的有效热导率测试板在自由空气中的分量。参见技术简介TB379了解详细信息。
4.
θ
JA
测量在自由空气与装在一个高有效热导率测试板用“直接连接”的功能的组件。
θ
JC
中,
“外壳温度”的测量是在包装上底部的裸露金属焊盘的中心。参见技术简介TB379 。
电气规格
V
DD
= V
HB
= 12V, V
SS
= V
HS
= 0V ,在LO和HO空载,除非另有规定编
T
J
= 25°C
T
J
= -40 ° C至
125°C
最大
最大
单位
参数
符号
测试条件
典型值
电源电流&欠压保护
V
DD
静态电流
V
DD
工作电流
V
DD
工作电流
HB关静态电流
HB在静态电流
HB工作电流
HB工作电流
HS漏电流
V
DD
瑞星欠压阈值
V
DD
落欠压阈值
欠压滞后
HB欠压阈值
输入引脚:李和HI
低电平输入电压
高电平输入电压
输入电压滞后
低电平输入电流
高电平输入电流
I
IL
I
IH
V
IN
= 0V ,全部工作条件
V
IN
= 5V,全工作条件
V
IL
V
IH
整个工作条件
整个工作条件
0.8
-
-
-70
30
1.6
1.7
100
-60
115
-
2.2
-
-30
130
0.8
-
-
-80
30
-
2.2
-
-30
145
V
V
mV
A
A
I
DD
I
DDO
I
DDO
I
HBL
I
HBH
I
HBO
I
HBO
I
HLK
V
DDUV +
V
DDUV-
UVHYS
VHBUV
参考HS
LI = 0或V
DD
F = 50kHz的
F = 500kHz的
HI = 0
HI = V
DD
F = 50kHz的,C
L
= 1000pF的
F = 500kHz的,C
L
= 1000pF的
V
HS
= 80V
V
HB
= 96V
-
-
-
-
-
-
-
-
6.8
6.5
0.17
4.8
1.9
2.0
2.5
1.25
170
1.45
2.4
-
7.6
7.1
0.45
5.3
2.2
2.2
3.0
1.5
240
1.8
2.8
1
8.25
7.8
0.75
6.5
-
-
-
-
-
-
-
-
6.5
6.25
0.15
4.0
2.4
2.5
4.0
1.8
250
2.0
3.0
1
8.5
8.1
0.90
7.5
mA
mA
mA
mA
A
mA
mA
A
V
V
V
V
4
FN9077.6
2004年12月29日
ISL6700
电气规格
V
DD
= V
HB
= 12V, V
SS
= V
HS
= 0V ,在LO和HO空载,除非另有规定编
(续)
T
J
= 25°C
参数
栅极驱动器输出引脚: LO & HO
低电平输出电压
高电平输出电压
山顶上拉电流
峰值下拉电流
V
OL
V
DD
-V
OH
I
O
+
I
O
-
I
OUT
= 0A
I
OUT
= 0A
V
OUT
= 0V
V
OUT
= 12V
-
-
-
-
-
-
1.4
1.3
0.1
0.1
-
-
-
-
-
-
0.1
0.1
-
-
V
V
A
A
符号
测试条件
典型值
最大
T
J
= -40 ° C至
125°C
最大
单位
交换特定网络阳离子
V
DD
= V
HB
= 12V, V
SS
= V
HS
= 0V ,在LO和HO空载,除非另有规定编
T
J
= 25°C
-
-
-
-
李, HI同时切换
0
0
-
-
-
-
典型值
45
60
75
70
24
17
5
5
8
-15
最大
50
75
82
75
-
-
20
20
20
25
T
J
= -40°C
至125℃
-
-
-
-
0
0
-
-
-
-
最大
65
90
95
95
-
-
25
25
25
30
单位
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
参数
低关断传播延迟
(LI下降到LO下降)
上关断传播延迟
( HI下降到HO下降)
低导通传播延迟
(LI上升到LO上升)
上部导通传播延迟
( HI上升到HO上升)
死区时间, (T
HPLH
- t
LPHL
)
死区时间, (T
LPLH
- t
HPHL
)
上升时间
下降时间
延迟匹配:低导通和上关断
延迟匹配:低导通和关上开启
符号
t
LPHL
t
HPHL
t
LPLH
t
HPLH
DHT
ON
DLT
ON
t
R
t
F
t
MON
t
MOFF
TEST
条件
引脚说明
符号
V
DD
HI
LI
V
SS
LO
HS
HO
HB
EPAD
描述
正电源,控制逻辑和更低的栅极驱动器。德夫妇此引脚到V
SS
。连接自举二极管的阳极此引脚。
逻辑电平的输入,其控制的HO输出。
逻辑电平的输入,其控制LO输出。
片上负电源,一般是地面。
低侧输出。连接至低侧功率MOSFET的栅极。
高边源连接。连接到高侧功率MOSFET的源极。自举电容的负端连接到该
引脚。
高侧输出。连接到高侧功率MOSFET的栅极。
高边自举电源。外部自举二极管和电容是必需的。连接自举二极管和积极的阴极
自举电容,该引脚的一面。
裸焊盘。连接到地面或浮动。该EPAD是所有其他引脚电隔离。
5
FN9077.6
2004年12月29日
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    联系人:杨小姐
    地址:深圳市福田区振兴路156号上步工业区405栋3层

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电话:010-62962871、62104931、 62106431、62104891、62104791
联系人:刘经理
地址:北京市海淀区中关村大街32号和盛嘉业大厦10层1008
ISL6700
INTERSIL
21+
500
SOP-8
全新原装正品/质量有保证
QQ: 点击这里给我发消息 QQ:5645336 复制
电话:13910052844(微信同步)
联系人:刘先生
地址:海淀区增光路27号院增光佳苑2号楼1单元1102室
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