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ISL6622B
数据表
2009年3月19日
FN6602.1
VR11.1兼容同步
整流降压MOSFET驱动器
该ISL6622B是高频MOSFET驱动器设计
开车上下功率N沟道MOSFET的
同步整流降压转换器拓扑结构。先进
ISL6622B的PWM方案是专门设计为工作
与Intersil的VR11.1控制器和结合
N沟道MOSFET ,组成一个完整的核心电压稳压器
解决方案的先进微处理器。当ISL6622B
检测由Intersil的VR11.1派出PSI PWM协议
控制器,它会激活二极管仿真( DE )的操作;
否则,它工作在正常的连续导通
模式(CCM )的PWM模式。
在8 Ld的SOIC封装, ISL6622B带动上
栅极到12V ,而下驱动电压固定在5.75V 。该
10 Ld的DFN部分提供了更多的灵活性:在门上可
通过UVCC销从5V驱动到12V,而下门
具有5.75V , 6.75V的电阻器可选择的驱动电压,并
7.75V (典型值) 。这提供了必要的灵活性
优化涉及栅极之间的权衡应用
电荷和导通损耗。
为了进一步提高轻负载效率,在ISL6622B
启用二极管仿真运行过程中PSI模式。这
允许非连续导通模式( DCM )运行
通过当电感电流达到零,并检测
随后关闭低侧MOSFET ,以防止它
从吸收电流。
一种先进的自适应贯通保护集成
为了防止两个从上和下的MOSFET
进行同时并尽量减少死区时间。该
ISL6622B具有20K
Ω
集成的高边MOSFET
栅极 - 源极电阻,以防止自导通,由于高
输入总线的dV / dt 。该驱动器还具有过压
保护功能操作,而VCC低于POR
阈值: PHASE节点被连接到所述栅极
低边MOSFET ( LGATE )通过10千
Ω
电阻,限制了
该转换器的输出电压接近的栅极阈值
低侧MOSFET ,依赖于当前存在
分流,它提供了一些保护,负载应
上MOSFET (多个)被短路之前启动。
特点
双MOSFET驱动器的同步整流桥
先进的自适应零贯通保护
集成的LDO具有可选低栅极驱动电压
针对轻载效率优化
36V内置自举二极管
先进的PWM协议(专利申请中) ,以支持PSI
手术
二极管仿真,增强轻载效率
自举电容防过度充电
支持高开关频率
- 沉3A电流能力
- 快速的上升/下降时间和低传输延迟
集成UGATE - 相对于电阻增加
上MOSFET输入总线高dv / dt抗扰性
预POR过压保护,在启动和
关闭
双列扁平无引线( DFN )封装
- 近晶片级封装足迹;提高印刷电路板
效率和稀释剂的个人资料
- 底部铜散热板以增强散热
无铅(符合RoHS )
应用
高轻负载效率稳压器
核心稳压先进微处理器
高电流DC / DC转换器
高频和高效率VRM和VRD
相关文献
技术简介TB363 “准则处理和
处理湿度敏感表面贴装器件
( SMD的) “
技术简介TB417 “设计稳定的补偿
网络的单相电压模式降压
稳压器“的动力传动系设计,布局指南,
回馈补偿设计
1
注意:这些器件对静电放电敏感;遵循正确的IC处理程序。
1-888- INTERSIL或1-888-468-3774
|
Intersil公司(和设计)是Intersil Americas Inc.公司的注册商标。
版权所有Intersil公司美洲2008年, 2009年版权所有
提及的所有其他商标均为其各自所有者的财产。
ISL6622B
订购信息
产品型号
(注)
ISL6622BCBZ*
ISL6622BCRZ*
ISL6622BIBZ*
ISL6622BIRZ*
部分
记号
6622B CBZ
622B
6622B IBZ
22BI
TEMP 。 RANGE
(°C)
0至+70
0至+70
-40至+85
-40至+85
8 Ld的SOIC
10 Ld的3×3 DFN
8 Ld的SOIC
10 Ld的3×3 DFN
(无铅)
PKG 。
DWG 。 #
M8.15
L10.3x3
M8.15
L10.3x3
*添加“ -T ”后缀磁带和卷轴。请参阅TB347对卷筒规格的详细信息。
注意:这些Intersil无铅产品采用塑料包装特殊的无铅材料套,模塑料/晶片的附属材料和100 %
雾锡板加退火( E3终止完成,这是符合RoHS标准,既锡铅和无铅焊接操作兼容) 。 Intersil公司
无铅产品分类MSL在达到或超过IPC / JEDEC J STD- 020对无铅要求的无铅峰值回流温度。
引脚配置
ISL6622B
( 8 LD SOIC )
顶视图
UGATE
BOOT
PWM
GND
1
2
3
4
8
7
6
5
VCC
LVCC
LGATE
UGATE 1
BOOT 2
GD_SEL 3
PWM 4
GND 5
PAD
ISL6622B
( 10 LD的3x3 DFN )
顶视图
10相
9 Vcc的
8 UVCC
7 LVCC
6 LGATE
方框图
ISL6622B
UVCC
BOOT
UGATE
GD_SEL
LDO
20k
VCC
+5V
11.2k
PWM
POR /
控制
9.6k
逻辑
LGATE
LVCC
拍摄开启
通过
保护
10k
LVCC
GND
UVCC = VCC FOR SOIC
LVCC = 5.75V (典型值)成50mA的SOIC
2
2009年3月19日
ISL6622B
典型应用电路
+12V
BOOT
LVCC
VIN
+5V
VCC
UGATE
ISL6622B
司机
LGATE
FB
COMP的Vcc
DAC
REF
PWM
GND
VDIFF
VSEN
RGND
VTT
VR_RDY
VCC
VID7
VID6
VID5
VID4
VID3
VID2
VID1
VID0
PSI
VR_FAN
VR_HOT
VIN
ISL6612
司机
EN_PWR
PWM
PWM4
IMON
TCOMP
TM
+5V
+5V
VCC
UGATE
NTC
ISL6612
司机
LGATE
PWM
GND
OFS
FS
ISEN4-
ISEN4+
+12V
SS
PVCC
VIN
BOOT
LGATE
GND
PWM3
ISEN3-
ISEN3+
VCC
UGATE
+12V
PVCC
P
负载
VIN
BOOT
PWM2
ISEN2-
ISEN2+
PWM
ISL6334
ISL6612
司机
LGATE
GND
UGATE
EN_VTT
PWM1
ISEN1-
ISEN1+
+12V
PVCC
VIN
BOOT
ISL6334
GND
3
2009年3月19日
ISL6622B
绝对最大额定值
电源电压( VCC , UVCC ) 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 .15V
BOOT电压(V
BOOT- GND
). . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .36V
输入电压(V
PWM
) 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 GND - 0.3V至7V
UGATE 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 V
- 0.3V
DC
到V
BOOT
+ 0.3V
V
- 3.5V ( <100ns脉宽, 2μJ )到V
BOOT
+ 0.3V
LGATE 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 GND - 0.3V
DC
到V
LVCCLVCC
+ 0.3V
GND - 5V ( <100ns脉宽, 2μJ )到V
LVCCLVCC
+ 0.3V
相。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 GND - 0.3V
DC
至15V
DC
GND - 8V ( <400ns , 20μJ )至30V ( <200ns ,V
BOOT- GND
<36V)
热信息
热阻
θ
JA
( ° C / W)
θ
JC
( ° C / W)
SOIC封装(注1 ) 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。
100
不适用
DFN封装(注2,注3 ) 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。
48
7
最高结温(塑料封装) 。 。 。 。 。 。 。 + 150°C
最大存储温度范围。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 - 65 ° C至+ 150°C
无铅回流焊温度曲线。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。下面。见链接
http://www.intersil.com/pbfree/Pb-FreeReflow.asp
推荐工作条件
环境温度范围
ISL6622BIBZ , ISL6622BIRZ 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 - 40 ° C至+ 85°C
ISL6622BCBZ , ISL6622BCRZ 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 0 ° C至+ 70°C
最大工作结温。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 + 125°C
电源电压VCC 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 6.8V至13.2V
电源电压范围, UVCC 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 4.75V至13.2V
注意:不要达到或接近上市较长时间的最高收视率运行。暴露于这样的条件可能不利地影响了产品的可靠性和
导致不在保修范围内的故障。
注意事项:
1.
θ
JA
测定用安装在一个高的有效热导率测试板在自由空气中的分量。参见技术简介TB379了解详细信息。
2.
θ
JA
测量在自由空气与装在一个高有效热导率测试板用“直接连接”的功能的组件。看
技术简介TB379 。
3.
θ
JC
的“外壳温度”的位置是在封装底部的裸露金属焊盘的中心。
4.限制应被视为典型的和不生产测试。
电气规格
Z
推荐工作条件。有MIN和/或最大极限参数都经过100 %测试,在+ 25 ° C,
除非另有规定。温度限制设立的特性,并且不生产
测试。
符号
测试条件
典型值
最大
单位
参数
VCC电源电流
无负载开关电源电流
I
VCC
I
VCC
I
UVCC
ISL6622BCBZ和ISL6622BIBZ ,
f
PWM
= 300kHz的,V
VCC
= 12V
ISL6622BCRZ和ISL6622BIRZ ,
f
PWM
= 300kHz的,V
VCC
= 12V
ISL6622BCBZ和ISL6622BIBZ , PWM
转变从0V到2.5V
ISL6622BCRZ和ISL6622BIRZ , PWM
转变从0V到2.5V
-
-
-
-
-
-
8.6
6.6
2
5.1
5.0
0.07
-
-
-
-
-
-
mA
mA
mA
mA
mA
mA
待机电源电流
I
VCC
I
VCC
I
UVCC
上电复位
VCC上升阈值
VCC下降阈值
LVCC上限阈值(注4 )
LVCC下限阈值(注4 )
PWM输入(参见“时序图”第6页)
输入电流
I
PWM
V
PWM
= 5V
V
PWM
= 0V
PWM上升阈值
PWM下降阈值
三态下闸下降阈值
三态下闸上升阈值
三态门上阈值上升
三态门上下降阈值
VCC = 12V
VCC = 12V
VCC = 12V
VCC = 12V
VCC = 12V
VCC = 12V
-
-
-
-
-
-
-
-
500
-430
3.4
1.6
1.60
1.1
3.2
2.8
-
-
-
-
-
-
-
-
A
A
V
V
V
V
V
V
6.25
4.8
-
-
6.45
5.0
4.4
3.4
6.70
5.25
-
-
V
V
V
V
4
2009年3月19日
ISL6622B
电气规格
推荐工作条件。有MIN和/或最大极限参数都经过100 %测试,在+ 25 ° C,
除非另有规定。温度限制设立的特性,并且不生产
测试。
(续)
符号
t
RU
t
RL
t
FU
t
FL
t
PDHU
t
PDHL
t
PDLU
t
PDLL
t
TSLD
t
LG_ON_DM
I
U_SOURCE
I
U_SINK
R
U_SINK
I
L_SOURCE
I
L_SINK
R
L_SINK
测试条件
V
VCC
= 12V, 3nF的负载,10%至90%的
V
VCC
= 12V, 3nF的负载,10%至90%的
V
VCC
= 12V, 3nF的负载,90%至10%的
V
VCC
= 12V, 3nF的负载,90%至10%的
V
VCC
= 12V , 3nF的负载,自适应
V
VCC
= 12V , 3nF的负载,自适应
V
VCC
= 12V, 3nF的负载
V
VCC
= 12V, 3nF的负载
V
VCC
= 12V
V
VCC
= 12V
V
VCC
= 12V, 3nF的负载
V
VCC
= 12V, 3nF的负载
吸入20mA电流
V
VCC
= 12V, 3nF的负载
V
VCC
= 12V, 3nF的负载
吸入20mA电流
-
-
-
-
-
-
-
-
-
230
典型值
26
18
18
12
20
10
10
10
60
330
最大
-
-
-
-
-
-
-
-
-
450
单位
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
参数
UGATE上升时间
LGATE上升时间
UGATE下降时间
LGATE下降时间
UGATE导通传播延迟(注4 )
LGATE导通传播延迟(注4 )
UGATE关断传播延迟(注4 )
LGATE关断传播延迟(注4 )
联亚低延迟
最低LGATE导通时间在PSI操作
输出(注4 )
上驱动源电流
上驱动源阻抗
上驱动灌电流
上驱动吸收阻抗
降低驱动源电流
降低驱动源阻抗
下驱动灌电流
下驱动水槽阻抗
-
-
-
-
-
-
-
-
1.25
2.0
2
1.35
2
1.35
3
0.90
-
-
-
-
-
-
-
-
A
Ω
A
Ω
A
Ω
A
Ω
R
U_SOURCE
20毫安源电流
R
L_SOURCE
20毫安源电流
功能引脚说明
封装引脚#
SOIC
1
2
DFN
1
2
符号
UGATE
BOOT
功能
上栅极驱动输出。连接到高侧功率N沟道MOSFET栅极。
浮动自举电源引脚上的栅极驱动器。连接该引脚和之间的自举电容
PHASE引脚。自举电容器提供打开上部MOSFET的电荷。请参阅“内部自举
设备“的指导7页的选择电容值。
该引脚设置LG驱动电压。
PWM信号是控制输入的驱动程序。 PWM信号可以在操作过程中输入三个不同的状态,
请参阅“高级PWM协议(专利申请中) ”第6页了解更多详情。该引脚连接至PWM输出
控制器。
偏置和参考地。所有的信号都参考这个节点。它也是驾驶者的动力接地回路。
更低的栅极驱动器输出。连接到所述低侧功率N沟道MOSFET的栅极。
该引脚提供电源的LGATE驱动器。此引脚与GND放置一个高品质低ESR的陶瓷电容。
该引脚提供电源,上部栅极驱动器。它的工作范围为+ 5V至+ 12V 。将高品质低ESR
陶瓷电容此引脚与GND 。
将此引脚连接到12V偏置电源。该引脚提供电源上闸门在SOIC和到LDO的
更低的栅极驱动器。此引脚与GND放置一个高品质低ESR的陶瓷电容。
该引脚连接到上层MOSFET的源极和下MOSFET的漏极。该引脚提供
返回路径的上部栅极驱动器。
通过散热增强型连接来连接该端口的电源地平面( GND ) 。
-
3
3
4
GD_SEL
PWM
4
5
6
-
7
8
-
5
6
7
8
9
10
11
GND
LGATE
LVCC
UVCC
VCC
PAD
5
2009年3月19日
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    -
    -
    -
    -
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电话:13910052844(微信同步)
联系人:刘先生
地址:北京市海淀区增光路27号院增光佳苑2号楼1单元1102室
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