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ISL6622A
数据表
2009年3月19日
FN6601.2
VR11.1兼容同步
整流降压MOSFET驱动器
该ISL6622A是高频MOSFET驱动器设计
开车上下功率N沟道MOSFET的
同步整流降压转换器拓扑结构。先进
ISL6622A的PWM方案是专门设计为工作
与Intersil的VR11.1控制器和结合
N沟道MOSFET ,组成一个完整的核心电压稳压器
解决方案的先进微处理器。当ISL6622A
检测由Intersil的VR11.1控制器发送一个PSI协议,它
激活二极管仿真( DE )的操作;否则,它
工作在正常的连续导通模式( CCM )
PWM模式。
在8 Ld的SOIC封装, ISL6622A驱动器上
门至12V ,而较低的获取可以驱动5V至12V 。
10 Ld的DFN部分允许更大的灵活性。上面的门
可以用UVCC引脚和驱动5V至12V
下部栅极也可以使用LVCC驱动从5V到12V
引脚。这提供了要优化的灵活性
涉及栅极电荷之间的权衡应用
传导损耗。
为了进一步提高轻负载效率,在ISL6622A
启用二极管仿真运行过程中PSI模式。这
可以通过检测非连续导通模式( DCM )
当电感器电流达到零,并随后
关闭低侧MOSFET ,以防止其下沉
电流。
一种先进的自适应贯通保护集成
为了防止两个从上和下的MOSFET
进行同时并尽量减少死区时间。该
ISL6622A具有20kΩ的集成高侧栅极 - 源
电阻,以防止自导通,由于高输入总线的dV / dt 。
此驱动程序增加了一个过电压保护功能
操作当VCC低于其POR阈值;该
相节点被连接到低压侧的栅极
MOSFET ( LGATE )通过一个10kΩ电阻限制输出
电压转换器的附近的低的栅极阈值
侧MOSFET ,取决于当前被分流,
它提供了一些保护,负载应的上
MOSFET (S )短路。
特点
双MOSFET驱动器的同步整流桥
先进的自适应零贯通保护
36V内部自举肖特基二极管
二极管仿真,增强轻载效率
自举电容防过度充电
支持高开关频率
- 沉3A电流能力
- 快速的上升/下降时间和低传输延迟
先进的PWM协议(专利申请中) ,以支持PSI
模式下,二极管仿真,三态操作
预POR过压保护启动和
关闭
VCC欠压保护
可扩展底层的铜箔板以增强散热
下沉
双列扁平无引线( DFN )封装
- 近晶片级封装足迹;提高印刷电路板
效率和稀释剂的个人资料
无铅(符合RoHS )
应用
高轻载效率稳压器
核心稳压先进微处理器
高电流DC / DC转换器
高频和高效率VRM和VRD
相关文献
技术简介TB363 “准则处理和
处理湿度敏感表面贴装器件
( SMD的) “
技术简介TB417 “设计稳定的补偿
网络的单相电压模式降压
稳压器“的动力传动系设计,布局指南,
回馈补偿设计
1
注意:这些器件对静电放电敏感;遵循正确的IC处理程序。
1-888- INTERSIL或1-888-468-3774
|
Intersil公司(和设计)是Intersil Americas Inc.公司的注册商标。
版权所有Intersil公司美洲2008年, 2009年版权所有
提及的所有其他商标均为其各自所有者的财产。
ISL6622A
订购信息
产品型号
(注)
ISL6622ACBZ*
ISL6622ACRZ*
ISL6622AIBZ*
ISL6622AIRZ*
部分
记号
6622A CBZ
622A
6622A IBZ
22AI
TEMP 。 RANGE
(°C)
0至+70
0至+70
-40至+85
-40至+85
8 Ld的SOIC
10 Ld的3×3 DFN
8 Ld的SOIC
10 Ld的3×3 DFN
(无铅)
PKG 。
DWG 。 #
M8.15
L10.3x3
M8.15
L10.3x3
*添加“ -T ”后缀磁带和卷轴。请参阅TB347对卷筒规格的详细信息。
注意:这些Intersil无铅产品采用塑料包装特殊的无铅材料套,模塑料/晶片的附属材料和100 %
雾锡板加退火( E3终止完成,这是符合RoHS标准,既锡铅和无铅焊接操作兼容) 。 Intersil公司
无铅产品分类MSL在达到或超过IPC / JEDEC J STD- 020对无铅要求的无铅峰值回流温度。
引脚配置
ISL6622A
( 8 LD SOIC )
顶视图
UGATE
BOOT
PWM
GND
1
2
3
4
8
7
6
5
VCC
LVCC
LGATE
UGATE
BOOT
NC
PWM
GND
1
2
3
4
5
PAD
ISL6622A
( 10 LD的3x3 DFN )
顶视图
10相
9
8
7
6
VCC
UVCC
LVCC
LGATE
方框图
ISL6622A
UVCC
BOOT
UGATE
20k
VCC
+5V
PRE- POR过压保护
特点
11.2k
PWM
POR /
控制
9.6k
逻辑
拍摄开启
通过
保护
LVCC
LVCC
10k
LGATE
GND
UVCC = VCC FOR SOIC
2
FN6601.2
2009年3月19日
ISL6622A
典型应用电路
+12V
+5V
BOOT
LVCC
VIN
+5V
VCC
UGATE
ISL6622A
司机
LGATE
FB
COMP的Vcc
DAC
REF
PWM
GND
VDIFF
VSEN
RGND
VTT
VR_RDY
VID7
VID6
VID5
VID4
VID3
VID2
VID1
VID0
PSI
VR_FAN
VR_HOT
VIN
VCC
EN_PWR
PWM
PWM4
IMON
TCOMP
TM
+5V
+5V
UGATE
VCC
NTC
ISL6612
司机
LGATE
PWM
GND
OFS
FS
ISEN4-
ISL6612
司机
LGATE
GND
PWM3
ISEN3-
ISEN3+
UGATE
+12V
+5V
BOOT
PVCC
P
负载
PWM2
ISEN2-
ISEN2+
PWM
UGATE
EN_VTT
PWM1
ISEN1-
ISEN1+
+5V
+12V
BOOT
PVCC
VIN
ISL6334
ISL6334
VCC
ISL6612
司机
LGATE
GND
VIN
GND
ISEN4+
+5V
SS
+12V
BOOT
PVCC
VIN
3
FN6601.2
2009年3月19日
ISL6622A
绝对最大额定值
电源电压( VCC , UVCC , LVCC ) 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 .15V
BOOT电压(V
BOOT- GND
). . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .36V
输入电压(V
PWM
) 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 GND - 0.3V至7V
UGATE 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 V
- 0.3V
DC
到V
BOOT
+ 0.3V
V
- 3.5V ( <100ns脉宽, 2μJ )到V
BOOT
+ 0.3V
LGATE 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 .GND - 0.3V
DC
到V
LVCC
+ 0.3V
GND - 5V ( <100ns脉宽, 2μJ )到V
LVCC
+ 0.3V
相。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 GND - 0.3V
DC
至15V
DC
GND - 8V ( <400ns , 20μJ )至30V ( <200ns ,V
BOOT- GND
< 36V )
热信息
热阻
θ
JA
( ° C / W)
θ
JC
( ° C / W)
SOIC封装(注1 ) 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。
100
不适用
DFN封装(注2,注3 ) 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。
48
7
最大存储温度范围。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 - 65 ° C至+ 150°C
无铅回流焊曲线。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。下面。见链接
http://www.intersil.com/pbfree/Pb-FreeReflow.asp
推荐工作条件
环境温度范围
ISL6622AIBZ , ISL6622AIRZ 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 - 40 ° C至+ 85°C
ISL6622ACBZ , ISL6622ACRZ 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 0 ° C至+ 70°C
最大工作结温。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 + 125°C
电源电压VCC 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 6.8V至13.2V
电源电压范围, UVCC 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 4.75V至13.2V
电源电压范围, LVCC 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 4.75V至13.2V
注意:不要达到或接近上市较长时间的最高收视率运行。暴露于这样的条件可能不利地影响了产品的可靠性和
导致不在保修范围内的故障。
注意事项:
1.
θ
JA
测定用安装在一个高的有效热导率测试板在自由空气中的分量。参见技术简介TB379了解详细信息。
2.
θ
JA
测量在自由空气与装在一个高有效热导率测试板用“直接连接”的功能的组件。看
技术简介TB379 。
3.
θ
JC
的“外壳温度”的位置是在封装底部的裸露金属焊盘的中心。
4.限制应被视为典型的和不生产测试。
电气规格
推荐工作条件。有MIN和/或最大极限参数都经过100 %测试,在+ 25 ° C,
除非另有规定。特征值和温度的限制是不
生产测试。
符号
测试条件
典型值
最大
单位
参数
VCC电源电流(注4 )
无负载开关电源电流
I
VCC
I
LVCC
I
VCC
I
LVCC
I
UVCC
ISL6622ACBZ和ISL6622AIBZ ,
f
PWM
= 300kHz的,V
VCC
= 12V
ISL6622ACRZ和ISL6622AIRZ ,
f
PWM
= 300kHz的,V
VCC
= 12V
-
-
-
-
-
7
3.5
4
3.5
3
5.5
0.15
5
0.15
0.5
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
mA
mA
mA
mA
mA
mA
mA
mA
mA
mA
待机电源电流
I
VCC
I
LVCC
I
VCC
I
LVCC
I
UVCC
ISL6622ACBZ和ISL6622AIBZ ,
PWM转换为0V至2.5V
ISL6622ACRZ和ISL6622AIRZ ,
PWM转换为0V至2.5V
-
-
-
-
-
上电复位
VCC上升阈值
VCC下降阈值
LVCC上升阈值
LVCC下降阈值
PWM输入(参见“时序图”第6页)
输入电流(注4 )
I
PWM
V
PWM
= 5V
V
PWM
= 0V
PWM上限阈值(注4 )
PWM下降阈值(注4 )
三态下闸下限阈值(注4 )
三态下闸上限阈值(注4 )
VCC = 12V
VCC = 12V
VCC = 12V
VCC = 12V
-
-
-
-
-
-
500
-430
3.4
1.6
1.6
1.1
-
-
-
-
-
-
A
A
V
V
V
V
6.25
4.8
4.25
3.3
6.45
5.0
4.4
3.4
6.70
5.25
4.55
3.55
V
V
V
V
4
FN6601.2
2009年3月19日
ISL6622A
电气规格
推荐工作条件。有MIN和/或最大极限参数都经过100 %测试,在+ 25 ° C,
除非另有规定。特征值和温度的限制是不
生产测试。
(续)
符号
测试条件
VCC = 12V
VCC = 12V
t
RU
t
RL
t
FU
t
FL
t
PDHU
t
PDHL
t
PDLU
t
PDLL
t
PDTS
t
LG_ON_DM
I
U_SOURCE
I
U_SINK
R
U_SINK
I
L_SOURCE
I
L_SINK
R
L_SINK
V
VCC
= 12V, 3nF的负载,10%至90%的
V
VCC
= 12V, 3nF的负载,10%至90%的
V
VCC
= 12V, 3nF的负载,90%至10%的
V
VCC
= 12V, 3nF的负载,90%至10%的
V
VCC
= 12V , 3nF的负载,自适应
V
VCC
= 12V , 3nF的负载,自适应
V
VCC
= 12V, 3nF的负载
V
VCC
= 12V, 3nF的负载
V
VCC
= 12V, 3nF的负载
V
VCC
= 12V
V
VCC
= 12V, 3nF的负载
V
VCC
= 12V, 3nF的负载
吸入20mA电流
V
VCC
= 12V, 3nF的负载
V
VCC
= 12V, 3nF的负载
吸入20mA电流
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
230
典型值
3.2
2.8
26
18
18
12
20
10
10
10
10
60
330
最大
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
450
单位
V
V
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
参数
三态门上上限阈值(注4 )
三态门的上下限阈值(注4 )
UGATE上升时间(注4 )
LGATE上升时间(注4 )
UGATE下降时间(注4 )
LGATE下降时间(注4 )
UGATE导通传播延迟(注4 )
LGATE导通传播延迟(注4 )
UGATE关断传播延迟(注4 )
LGATE关断传播延迟(注4 )
LG / UG三态传输延迟(注4 )
二极管制动释抑时间(注4 )
最低LGATE导通时间在二极管仿真
输出(注4 )
上驱动源电流
上驱动源阻抗
上驱动灌电流
上驱动吸收阻抗
降低驱动源电流
降低驱动源阻抗
下驱动灌电流
下驱动水槽阻抗
t
UG_OFF_DB
V
VCC
= 12V
-
-
-
-
-
-
-
-
1.25
2
2
1.35
2
1.35
3
0.9
-
-
-
-
-
-
-
-
A
Ω
A
Ω
A
Ω
A
Ω
R
U_SOURCE
20毫安源电流
R
L_SOURCE
20毫安源电流
功能引脚说明
封装引脚#
SOIC
1
2
DFN
1
2
符号
UGATE
BOOT
功能
上栅极驱动输出。连接到高侧功率N沟道MOSFET栅极。
浮动自举电源引脚上的栅极驱动器。连接该引脚和之间的自举电容
PHASE引脚。自举电容器提供打开上部MOSFET的电荷。请参阅“内部自举
设备“的指导7页的选择电容值。
无连接
PWM信号是控制输入的驱动程序。 PWM信号可以在操作过程中输入三个不同的状态;
请参阅“说明”第6页了解更多详情。该引脚连接到控制器的PWM输出。
偏置和参考地。所有的信号都参考这个节点。它也是驾驶者的电接地回路。
更低的栅极驱动器输出。连接到所述低侧功率N沟道MOSFET的栅极。
该引脚供电,以较低的栅极驱动。它的工作范围为+ 5V至+ 12V 。将高品质低ESR
陶瓷电容此引脚与GND 。
该引脚提供电源,上部栅极驱动器。它的工作范围为+ 5V至+ 12V 。将高品质低ESR
陶瓷电容此引脚与GND 。
将此引脚连接到12V偏置电源。该引脚提供电源的SOIC上大门。将高品质
ESR陶瓷电容此引脚与GND的低。
该引脚连接到上层MOSFET的源极和下MOSFET的漏极。该引脚提供
返回路径的上部栅极驱动器。
通过散热增强型连接来连接该端口的电源地平面( GND ) 。
-
3
4
5
6
-
7
8
-
3
4
5
6
7
8
9
10
11
NC
PWM
GND
LGATE
LVCC
UVCC
VCC
PAD
5
FN6601.2
2009年3月19日
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    -
    -
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