【ISL6620 ， ISL6620A数据表2008年4月25日FN6494.0VR11.1兼容同步整】,IC型号ISL6620ACBZ,ISL6620ACBZ PDF资料,ISL6620ACBZ经销商,ic,电子元器件-51电子网

ISL6620 ， ISL6620A

数据表

2008年4月25日

FN6494.0

VR11.1兼容同步

整流降压MOSFET驱动器

该ISL6620 ， ISL6620A是高频MOSFET驱动器

设计用于驱动上下功率N沟道

的MOSFET的同步整流的降压转换器拓扑。

ISL6620的先进的PWM协议， ISL6620A是

专门设计与Intersil的VR11.1控制器工作

并结合N沟道MOSFET ，组成一个完整的

先进的微处理器内核电压稳压器解决方案。

当ISL6620 ， ISL6620A通过检测一个发送的PSI协议

Intersil的VR11.1控制器，它会激活二极管仿真（ DE ）

操作;否则，它工作在正常的连续

传导模式（CCM ）的PWM模式。

该IC是由一个单一的低电源电压（5V）施力，

尽量减少在高MOSFET栅极电容驱动损失

和高开关频率应用。每个驱动程序

能够驱动3nF的负荷小于10ns的上升/下降时间。

上部栅极驱动器的自举经由实施

内部低正向压降二极管，降低实施成本，

复杂性，并且允许使用更高的性能，成本

有效的N沟道MOSFET 。

为了进一步提高轻负载效率， ISL6620 ， ISL6620A

启用二极管仿真运行过程中PSI模式。这

可以通过检测非连续导通模式（ DCM ）

当电感器电流达到零，并随后

关闭低侧MOSFET ，以防止其下沉

电流。

一种先进的自适应贯通保护集成

为了防止两个从上和下的MOSFET

进行同时并尽量减少死区时间。该

ISL6620 ， ISL6620A具有20kΩ的集成高边

栅极 - 源极电阻，以防止自导通，由于高

输入总线的dV / dt 。

特点

双MOSFET驱动器的同步整流桥

先进的自适应零贯通保护

36V内部自举肖特基二极管

先进的PWM协议（专利申请中），以支持PSI

模式下，二极管仿真，三态操作

二极管仿真，增强轻载效率

自举电容防过度充电

支持高开关频率

- 沉4A电流能力

- 快速的上升/下降时间和低传输延迟

VCC欠压保护

使能输入和上电复位

可扩展底层的铜箔板以增强散热

下沉

DFN封装：

- 符合JEDEC PUB95 MO- 220

DFN - 双列扁平无引线 - 封装外形

- 靠近芯片级封装尺寸，从而提高

PCB的效率，并具有更薄的外形

无铅（符合RoHS ）

应用

高轻载效率稳压器

核心稳压先进微处理器

高电流DC / DC转换器

高频和高效率VRM和VRD

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技术简介TB363 “准则处理和

处理湿度敏感表面贴装器件

（ SMD的） “

技术简介TB417 “设计稳定的补偿

网络的单相电压模式降压

稳压器“的动力传动系设计，布局指南，

回馈补偿设计

注意：这些器件对静电放电敏感;遵循正确的IC处理程序。

1-888- INTERSIL或1-888-468-3774

Intersil公司（和设计）是Intersil Americas Inc.公司的注册商标。

提及的所有其他商标均为其各自所有者的财产。

ISL6620 ， ISL6620A

订购信息

产品型号

（注）

ISL6620CBZ*

ISL6620CRZ*

ISL6620IBZ*

ISL6620IRZ*

ISL6620ACBZ*

ISL6620ACRZ*

ISL6620AIBZ*

ISL6620AIRZ*

部分

记号

6620 CBZ

620Z

6620 IBZ

620I

6620A CBZ

620A

6620A IBZ

20AI

TEMP 。 RANGE

(°C)

0至+70

-40至+85

0至+70

-40至+85

8 Ld的SOIC

10 Ld的3×3 DFN

8 Ld的SOIC

10 Ld的3×3 DFN

8 Ld的SOIC

10 Ld的3×3 DFN

8 Ld的SOIC

10 Ld的3×3 DFN

包

（无铅）

PKG 。 DWG 。＃

M8.15

L10.3x3

M8.15

L10.3x3

M8.15

L10.3x3

M8.15

L10.3x3

*添加“ -T ”后缀磁带和卷轴。请参阅TB347对卷筒规格的详细信息。

注意：这些Intersil无铅产品采用塑料包装特殊的无铅材料制成，模塑料/晶片的附属材料和100 ％

雾锡板加退火 - E3终止完成，这是符合RoHS标准，既锡铅和无铅焊接操作兼容。

Intersil无铅产品分类MSL在达到或超过IPC / JEDEC J无铅要求的无铅峰值回流温度

STD-020.

引脚配置

ISL6620 ， ISL6620A

（ 8 LD SOIC ）

顶视图

UGATE

BOOT

PWM

GND

相

VCC

LGATE

BOOT 2

NC 3

PWM 4

GND

PAD

VCC

LGATE

UGATE 1

ISL6620 ， ISL6620A

（ 10 LD的3x3 DFN ）

顶视图

10相

方框图

ISL6620 ， ISL6620A

BOOT

VCC

相

4.25k

PWM

控制

逻辑

VCC

LGATE

拍摄开启

通过

保护

BOOT

UGATE

GND

*集成3Ω电阻（R

BOOT

）仅适用于ISL6620A

FN6494.0

2008年4月25日

ISL6620 ， ISL6620A

典型应用电路

+5V

VIN

BOOT

+5V

VCC

ISL6620,

ISL6620A

司机

UGATE

相

LGATE

COMP的Vcc

DAC

REF

VDIFF

VSEN

RGND

VTT

VR_RDY

VCC

VID7

VID6

VID5

VID4

VID3

VID2

VID1

VID0

PSI

VR_FAN

VR_HOT

VIN

ISL6596

司机

EN_PWR

PWM

PWM4

IMON

TCOMP

+5V

VCC

UGATE

相

NTC

ISL6596

司机

LGATE

PWM

GND

OFS

ISEN4-

ISEN4+

+5V

VIN

BOOT

LGATE

GND

PWM3

ISEN3-

ISEN3+

VCC

UGATE

相

+5V

VIN

PWM2

ISEN2-

ISEN2+

PWM

UGATE

相

ISL6596

司机

LGATE

GND

EN_VTT

PWM1

ISEN1-

ISEN1+

+5V

VIN

PWM

GND

VCTRL

BOOT

ISL6334

VCTRL

BOOT

负载

GND

VCTRL

FN6494.0

2008年4月25日

ISL6620 ， ISL6620A

绝对最大额定值

电源电压（ VCC）。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。 -0.3V至7V

输入电压（V

, V

PWM

）。。。。。。。。。。。。。。。 -0.3V到VCC + 0.3V

BOOT电压（V

BOOT- GND

）。。。 -0.3V至25V （ DC ）或36V （ <200ns ）

引导到相电压（V

BOOT -PHASE

）。。。。。。 -0.3V至7V （ DC ）

-0.3V至9V （ <10ns ）

相电压。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。 GND - 0.3V至15V （ DC ）

GND -8V （ <20ns脉冲宽度， 10μJ ）至30V （ <100ns ）

UGATE电压。。。。。。。。。。。。。。。。 V

相

- 0.3V （ DC ）到V

BOOT

相

- 5V （ <20ns脉宽， 10μJ ）到V

BOOT

LGATE电压。。。。。。。。。。。。。。。 GND - 0.3V （ DC ）到VCC + 0.3V

GND - 2.5V （ <20ns脉宽， 5μJ ）至VCC + 0.3V

环境温度范围。。。。。。。。。。。。。。。。。。 - 40 ° C至+ 125°C

热信息

热阻

（ ° C / W）

SOIC封装（注1 ）。。。。。。。。。。。。

100

不适用

DFN封装（注2，注3 ）。。。。。。。。。。

最高结温（塑料封装）。。。。。。。 + 150°C

最大存储温度范围。。。。。。。。。。 - 65 ° C至+ 150°C

无铅回流焊曲线。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。下面。见链接

http://www.intersil.com/pbfree/Pb-FreeReflow.asp

推荐工作条件

环境温度范围

ISL6620IBZ ， ISL6620IRZ ， ISL6620AIBZ ， ISL6620AIRZ

。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。 - 40 ° C至+ 85°C

ISL6620CBZ ， ISL6620CRZ ， ISL6620ACBZ ， ISL6620ACRZ

。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。 0 ° C至+ 70°C

最大工作结温。。。。。。。。。。。。。 + 125°C

电源电压VCC 。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。 5V ±10 ％

注意：不要达到或接近上市较长时间的最高收视率运行。暴露于这样的条件可能不利地影响了产品的可靠性和

导致不在保修范围内的故障。

注意事项：

测定用安装在一个高的有效热导率测试板在自由空气中的分量。

测量在自由空气与装在一个高有效热导率测试板用“直接连接”的功能的组件。看

技术简介TB379 。

的“外壳温度”的位置是在封装底部的裸露金属焊盘的中心。

电气规格

推荐工作条件;有MIN和/或最大极限参数都经过100 ％测试，在+ 25 ° C，

除非另有规定。温度限制设立的特性，并且不生产

测试。

符号

测试条件

民

典型值

最大

单位

参数

VCC电源电流

无负载开关电源电流

待机电源电流

IVCC

f_PWM = 300kHz的， V_VCC = 5V

PWM 0V至2.5V的转换， EN =高

PWM 0V至2.5V的转换， EN =低

1.27

1.85

1.15

上电复位和启用

VCC瑞星POR阈值

VCC下降POR阈值

VCC上电复位迟滞

EN高门槛

EN低阈值

PWM输入（参见第6页的时序DIAGRAM" ）

输入电流

IPWM

VPWM = 5V

VPWM = 0V

PWM上限阈值（注4 ）

PWM下降阈值（注4 ）

三态门下限阈值下降

三态下闸上升阈值

三态门上阈值上升

三态门上下降阈值

UGATE上升时间（注4 ）

t_RU

VCC = 5V

VCC = 5V 3nF的负载，10％至90％的

500

-430

3.4

1.6

1.1

3.2

2.8

3.2

3.0

130

1.40

1.20

3.8

3.4

300

1.65

1.35

4.4

4.0

530

1.90

1.55

FN6494.0

2008年4月25日

ISL6620 ， ISL6620A

电气规格

推荐工作条件;有MIN和/或最大极限参数都经过100 ％测试，在+ 25 ° C，

除非另有规定。温度限制设立的特性，并且不生产

测试。

（续）

符号

t_RL

t_FU

t_FL

t_PDHU

t_PDHL

t_PDLU

t_PDLL

t_LG_ON_DM

测试条件

VCC = 5V 3nF的负载，10％至90％的

VCC = 5V ， 3nF的负载，自适应

VCC = 5V ， 3nF的负载

VCC = 5V

230

民

典型值

330

450

最大

单位

参数

LGATE上升时间（注4 ）

UGATE下降时间（注4 ）

LGATE下降时间（注4 ）

UGATE导通传播延迟（注4 ）

LGATE导通传播延迟（注4 ）

UGATE关断传播延迟（注4 ）

LGATE关断传播延迟（注4 ）

在二极管仿真最低LGATE时间

输出（注4 ）

上驱动源电流

上驱动源阻抗

上驱动灌电流

上驱动吸收阻抗

降低驱动源电流

降低驱动源阻抗

下驱动灌电流

下驱动水槽阻抗

注意：

I_U_Source

VCC = 5V ， 3nF的负载

0.4

R_U_SOURCE 20毫安源电流

I_U_SINK

R_U_SINK

I_L_SOURCE

VCC = 5V ， 3nF的负载

吸入20mA电流

VCC = 5V ， 3nF的负载

R_L_SOURCE 20毫安源电流

I_L_sink

R_L_SINK

VCC = 5V ， 3nF的负载

吸入20mA电流

4.限制应被视为典型的和不生产测试。

功能引脚说明

封装引脚＃

SOIC

DFN

针

符号

UGATE

BOOT

功能

上栅极驱动输出。连接到高侧功率N沟道MOSFET栅极。

浮动自举电源引脚上的栅极驱动器。连接该引脚和之间的自举电容

PHASE引脚。自举电容器提供打开上部MOSFET的电荷。请参阅“内部自举

设备“的指导7页的选择电容值。

无连接。

PWM信号是控制输入的驱动程序。 PWM信号可以在操作期间进入三个不同的状态。

请参阅“高级PWM协议（专利申请中） ”第6页了解更多详情。该引脚连接至PWM输出

控制器。

偏置和参考地。所有的信号都参考这个节点。它也是驾驶者的电接地回路。

更低的栅极驱动器输出。连接到所述低侧功率N沟道MOSFET的栅极。

将此引脚连接到5V偏置电源。该引脚提供电源上闸门和下闸门的驱动器。将高

品质低ESR陶瓷电容此引脚与GND 。

使能输入引脚。连接这个引脚为高电平，使驱动器和低禁用驱动程序。

该引脚连接到上层MOSFET的源极和下MOSFET的漏极。该引脚提供

返回路径的上部栅极驱动器。

通过散热增强型连接来连接该端口的电源地平面（ GND ）。

3, 8

PWM

GND

LGATE

VCC

相

PAD

FN6494.0

2008年4月25日