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高频6A水槽同步MOSFET

司机与保护功能

ISL6615A

该ISL6615A是一个高速MOSFET驱动器优化

开车上下功率N沟道MOSFET的

同步整流降压转换器拓扑结构。这

驱动器，并结合了Intersil的数字或模拟

多相PWM控制器，形成一个完整的高

频率和高效率的电压调节器。

过了ISL6615A驱动器上，下闸

范围4.5V至13.2V的。这种驱动电压提供

必要的灵活性，以优化涉及应用

权衡栅极电荷和导通损耗之间。

该ISL6615A功能6A典型的灌电流为

低侧栅极驱动器，提高低MOSFET栅极

在第一阶段的节点上升沿保持下来的能力，

所引起的自防止功率损耗接通的

由于开关的高dV / dt降低MOSFET的

节点。

一种先进的自适应零贯通保护

整合，以防止上部和下部的MOSFET

同时导通，并尽量减少

死区时间。该ISL6615A包括过压

保护功能运作VCC超过其前

导通阈值，在该相节点连接

低侧MOSFET （ LGATE ）的大门。输出

该转换器的电压，然后通过门限的限制

低侧MOSFET ，它提供了一些保护

给负载，如果上部MOSFET （s）是短路的。

该ISL6615A还具有输入的识别

高阻抗状态，工作与Intersil的

多相PWM控制器，以防止负

在受控的输出电压时的瞬变

操作暂停。此功能省去了

对于可能在功率被利用肖特基二极管

系统，以保护从负输出电压的负载

损害。

ISL6615A

特点

双MOSFET驱动器的同步整流

桥

先进的自适应零贯通保护

- 体二极管检测

- LGATE检测

- 自动调零为r

DS （ ON）

传导失调的影响

可调节栅极电压优化效率

36V内部自举肖特基二极管

自举电容防过度充电

支持高开关频率（最高可达1MHz ）

- 6A LGATE下沉电流能力

- 快速的上升/下降时间和低传输延迟

支持5V PWM输入逻辑

三态PWM输入用于安全输出级关断

三态PWM输入滞后与应用

电源排序要求

预POR过压保护

VCC欠压保护

可扩展的底部铜焊盘为更好的散热

传播

双列扁平无引线（ DFN ）封装

- 近晶片级封装足迹;提高印刷电路板

效率和稀释剂的个人资料

无铅（符合RoHS ）

应用*

（见第10页）

优化的POL DC / DC转换器，用于IBA

系统

核心稳压英特尔和AMD？

微处理器

大电流低姿态DC / DC转换器

高频和高效率VRM和VRD

同步整流用于隔离型电源

耗材

相关文献*

（见第10页）

技术简介

TB363

“准则处理和

处理湿度敏感表面贴装器件

（ SMD的） “

技术简介

TB389

“ PCB焊盘图案设计和

表面贴装准则QFN封装“

2010年4月22日

FN6608.1

注意：这些器件对静电放电敏感;遵循正确的IC处理程序。

1-888- INTERSIL或1-888-468-3774

Intersil公司（和设计）是Intersil Americas Inc.公司的注册商标。

提及的所有其他商标均为其各自所有者的财产。

ISL6615A

框图

ISL6615A

（ UVCC ）

VCC

+5V

10k

PWM

POR /

控制

逻辑

PRE- POR过压保护

特点

BOOT

UGATE

拍摄开启

通过

保护

相

（ LVCC ）

PVCC

UVCC = PVCC

LGATE

GND

衬底电阻

PAD

FOR DFN设备，对底部的垫

该程序包必须焊接到电路的地。

典型应用 - 双通道转换器

+ 7V至13.2V +

+5V

PVCC

VCC

PWM

ISL6615A

相

LGATE

BOOT

UGATE

VCC

VSEN

COMP

PWM1

PWM2

PGOOD

PWM

控制

(ISL63xx

或ISL65XX ）

VID

（可选）

ISEN1

ISEN2

GND

+ 7V至13.2V +

CORE

PVCC

FS / EN

GND

VCC

PWM

BOOT

UGATE

ISL6615A

相

LGATE

GND

的ISL6615A可以支持5V PWM输入

FN6608.1

2010年4月22日

ISL6615A

订购信息

产品型号

（注1 ，2，3 ）

ISL6615ACBZ

ISL6615ACRZ

ISL6615AIBZ

ISL6615AIRZ

ISL6615AFRZ

注意事项：

1.添加“ -T ”后缀磁带和卷轴。请参阅

TB347

对卷筒规格的详细信息。

2.这些Intersil无铅产品采用塑料包装特殊的无铅材料套，模塑料/晶片的附属

材料和100 ％雾锡板加退火（ E3终止完成，这是符合RoHS标准，既兼容

锡铅和无铅焊接操作）。 Intersil无铅产品分类MSL在无铅峰值回流温度下

达到或超过IPC / JEDEC J STD- 020对无铅要求。

3.潮湿敏感度等级（MSL ），请参阅设备信息页

ISL6615A.

有关MSL更多信息，请

看到techbrief

TB363.

最热

6615A CBZ

615A

6615A IBZ

15AI

15AF

温度。

范围（° C）

0至+70

-40至+85

-40到+125

包

（无铅）

8 Ld的SOIC

10 Ld的3×3 DFN

8 Ld的SOIC

10 Ld的3×3 DFN

PKG 。

DWG 。＃

M8.15

L10.3x3

M8.15

L10.3x3

销刀豆网络gurations

ISL6615A

（ 8 LD SOIC ）

顶视图

8相

7 PVCC

6 VCC

5 LGATE

ISL6615A

（ 10 LD的3x3 DFN ）

顶视图

UGATE 1

BOOT 2

N / C 3

PWM 4

GND 5

GND

10相

9 PVCC

8 N / C

7 Vcc的

6 LGATE

UGATE

BOOT

PWM

GND

命令连接引脚3 GND和管脚8 PVCC

功能引脚说明

封装引脚

SOIC

DFN

针

符号

UGATE

BOOT

功能

上栅极驱动输出。连接到高侧功率N沟道MOSFET栅极。

浮动自举电源引脚上的栅极驱动器。连接这之间的自举电容

引脚和PHASE引脚。自举电容器提供打开上部MOSFET的电荷。

看到内部引导设备“时序图”第6页下说明指导

选择电容值。

无连接。推荐给引脚3连接到GND引脚和8 PVCC 。

PWM信号是控制输入的驱动程序。 PWM信号可以在进入三个不同的状态

操作，请参阅“时序图”第6节下说明进一步的细节。连

这个引脚控制的PWM输出。

偏置和参考地。所有的信号都参考这个节点。它也是功率接地回

的驱动程序。

更低的栅极驱动器输出。连接到所述低侧功率N沟道MOSFET的栅极。

它的工作范围为+ 6.8V至13.2V 。从这个引脚放置一个高品质低ESR陶瓷电容

到GND 。

该引脚提供电源给上部和下部栅极驱动器。它的工作范围为+ 4.5V至13.2V 。

此引脚与GND放置一个高品质低ESR的陶瓷电容。

该引脚连接到上层MOSFET的源极和下MOSFET的漏极。该引脚

提供了用于上部栅极驱动器的返回路径。

通过散热增强型连接来连接该端口的电源地平面（ GND ）。

3, 8

N / C

PWM

GND

LGATE

VCC

PVCC

相

PAD

FN6608.1

2010年4月22日

ISL6615A

绝对最大额定值

电源电压（ VCC）。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。 15V

电源电压（ PVCC ）。。。。。。。。。。。。。。。。。。 .VCC + 0.3V

BOOT电压（ VBOOT - GND）。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。 36V

输入电压（ VPWM ）。。。。。。。。。。。。。。。 .GND - 0.3V至7V

UGATE 。。。。。。。。。。。。。 VPHASE - 0.3VDC至VBOOT + 0.3V

VPHASE - 3.5V （ <100ns脉宽， 2μJ ），以VBOOT + 0.3V

LGATE 。。。。。。。。。。。。。。。。 GND - 0.3VDC至VPVCC + 0.3V

。。。。 GND - 5V （ <100ns脉宽， 2μJ ），以VPVCC + 0.3V

相。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。 .GND - 0.3VDC至15VDC

GND - 8V （ <400ns ， 20μJ ）到

。。。。。。。。。。。。。。。。。。 30V （ <200ns ， VBOOT - GND < 36V ））

ESD额定值

人体模型。。。。。。。。。。。。。。。。 I类JEDEC STD

热信息

热阻

。。。。。。。。。。。。。。 θJA

（ ° C / W）

θJC

（ ° C / W）

SOIC封装（注4 ）。。。。。。。。。。 98

不适用

DFN封装（注5,6）。。。。。。。。 47

最高结温（塑料封装）。。 + 150°C

最大存储温度范围。。。 -65 ° C至+ 150°C

无铅回流焊温度曲线。。。。。。。。。。。。。。。。。下面。见链接

http://www.intersil.com/pbfree/Pb-FreeReflow.asp

推荐工作条件

环境温度范围

ISL6615ACRZ ， ISL6615ACBZ 。。。。。。。。。

ISL6615AIRZ ， ISL6615AIBZ 。。。。。。。。。

ISL6615AFRZ （注7 ）。。。。。。。。。。。。。

最大工作结温。

VCC电源电压。。。。。。。。。。。。。。。。。

PVCC电源电压。。。。。。。。。。。。。。。

。。。 0 ° C至+ 70°C

。 -40 ° C至+ 85°C

-40°C至+ 125°C

. . . . . . . +125°C

。。。 6.8V至13.2V

。 5V至12V ± 10％

注意：不要达到或接近上市较长时间的最高收视率运行。暴露于这样的条件可能产生不利影响的

在故障产品的可靠性和结果不在保修范围内。

注意事项：

测定用安装在一个高的有效热导率测试板在自由空气中的分量。

测量在自由空气与装在一个高有效热导率测试板与部件“直接连接”

功能。参见技术简介TB379 。

6.对于

的“外壳温度”的位置是在封装底部的裸露金属焊盘的中心。

7.当使用ISL6615AFRZ ，应注意使功耗降至最低。

电气规格

推荐工作条件;

黑体字限额适用于操作

温度范围。

符号

测试条件

民

最大

（注8）典型值（注8）单位

参数

VCC电源电流

偏置电源电流

门驱动偏置电流

上电复位和启用

VCC上升阈值

VCC下降阈值

VCC

PVCC

PWM

= 300kHz的，V

VCC

= 12V

PWM

= 300kHz的，V

PVCC

= 12V

4.5

6.1

4.7

6.4

5.0

6.7

5.3

PWM输入（参见“时序图”第6页）

输入电流

PWM

= 5V

PWM

= 0V

PWM上限阈值（注9 ）

PWM下降阈值（注9 ）

典型的三态关闭窗口

三态下闸落

门槛

三态下闸崛起

门槛

三态门上崛起

门槛

三态门上落

门槛

关闭释抑时间

tSSHD

VCC = 12V

1.80

510

-475

3.00

2.00

1.50

1.00

3.20

2.70

2.40

FN6608.1

2010年4月22日

ISL6615A

电气规格

推荐工作条件;

黑体字限额适用于操作

温度范围。（续）

符号

PDHU

PDHL

PDLU

PDLL

PDTS

测试条件

PVCC

= 12V， 3nF的负载，10％至90％的

PVCC

= 12V， 3nF的负载，10％至90％的

PVCC

= 12V， 3nF的负载，90％至10％的

PVCC

= 12V， 3nF的负载，90％至10％的

PVCC

= 12V ， 3nF的负载，自适应

PVCC

= 12V ， 3nF的负载，自适应

PVCC

= 12V， 3nF的负载

PVCC

= 12V， 3nF的负载

PVCC

= 12V， 3nF的负载

民

最大

（注8）典型值（注8）单位

参数

UGATE上升时间（注9 ）

LGATE上升时间（注9 ）

UGATE下降时间（注9 ）

LGATE下降时间（注9 ）

UGATE导通传播延迟

（注9 ）

LGATE导通传播延迟

（注9 ）

UGATE关断传播延迟

（注9 ）

LGATE关断传播延迟

（注9 ）

LG / UG三态传输延迟

（注9 ）

输出（注9 ）

上驱动源电流

上驱动源阻抗

上驱动灌电流

上驱动吸收阻抗

降低驱动源电流

降低驱动源阻抗

下驱动灌电流

下驱动水槽阻抗

注意事项：

U_SOURCE

PVCC

= 12V， 3nF的负载

U_SOURCE

150毫安源电流

U_SINK

L_SOURCE

PVCC

= 12V， 3nF的负载

150毫安灌电流

PVCC

= 12V， 3nF的负载

2.5

0.8

0.7

0.45

L_SOURCE

150毫安源电流

L_SINK

PVCC

= 12V， 3nF的负载

150毫安灌电流

8.参数与MIN和/或最大极限100％经过测试，在+ 25 ° C，除非另有规定。温度限制成立

经鉴定，不生产测试。

9.限制设立的特性，不生产测试。

FN6608.1

2010年4月22日