【ISL6614数据表2005年7月25日FN9155.4双路高级同步整流与保护降压MOSFET驱动器】,IC型号ISL6614CBZ-T,ISL6614CBZ-T PDF资料,ISL6614CBZ-T经销商,ic,电子元器件-51电子网

ISL6614

数据表

2005年7月25日

FN9155.4

双路高级同步整流

与保护降压MOSFET驱动器

特点

该ISL6614集成了两个ISL6613 MOSFET驱动器，

专门设计用于驱动两个独立的电源

在多相交错式降压转换器通道

拓扑结构。这些驱动程序再加上HIP63xx或ISL65xx

多相降压PWM控制器和N沟道

的MOSFET构成了完整的核心电压稳压器解决方案

先进的微处理器。

该ISL6614驱动两个上部和下部闸门

同时在一定范围的从5V至12V 。该驱动器 -

电压提供必要优化的灵活性

涉及栅极电荷之间的权衡应用

传导损耗。

一种先进的自适应零贯通保护

整合，以防止上部和下部的MOSFET

同时导通，并尽量减少死

时间。这些产品中添加了过电压保护功能

操作前， VCC超过其导通阈值，在

该相节点被连接到的低栅

侧MOSFET （ LGATE ）。该转换器的输出电压

然后，通过低侧MOSFET的阈值的限制，

它提供了一些保护，微处理器，如果

上MOSFET （多个）启动期间被短路。在过

温保护功能可以防止故障导致

从通过关闭输出过大的功率耗散

当它的结点温度超过150℃ （典型地）。该

驱动程序重置一旦其结温恢复到108℃

（典型值）。

该ISL6614还具有三态PWM输入其中，

与Intersil的多相PWM控制器一起工作，

防止了不利的瞬间对输出电压时的

输出被关闭。这个特性消除了肖特基

二极管，用于在一些系统中，用于保护负载

从相反的输出电压事件。

特点

引脚对引脚兼容HIP6602 SOIC家人更好

性能及额外的保护功能

四N沟道MOSFET驱动器的两个同步

整流桥

先进的自适应零贯通保护

- 体二极管检测

- 自动调零为r

DS （ ON）

传导失调的影响

可调节栅极电压（ 5V至12V ），以实现最佳效率

内部自举肖特基二极管

自举电容防过度充电

支持高开关频率（最高可达1MHz ）

- 沉3A电流能力

- 快速的上升/下降时间和低传输延迟

三态PWM输入输出级关闭

三态PWM输入滞后的应用随着

电源排序要求

预POR过压保护+保护

VCC欠压保护

过温保护（ OTP）用42 ℃的迟滞

可扩展底层的铜箔板以增强散热

下沉

QFN封装：

- 符合JEDEC PUB95 MO- 220 QFN - 方形扁平

无引线 - 封装外形

- 靠近芯片级封装尺寸，从而提高

PCB的效率，并具有更薄的外形

无铅加退火有（符合RoHS ）

应用

核心稳压器和英特尔微处理器AMD

高电流DC -DC转换器

高频和高效率VRM和VRD

相关文献

技术简介TB363 “准则处理和

处理湿度敏感表面贴装器件

（ SMD的） “

技术简介400和417的动力传动系设计，

布局指南，并反馈补偿设计

注意：这些器件对静电放电敏感;遵循正确的IC处理程序。

1-888- INTERSIL或1-888-468-3774

Intersil公司（和设计）是Intersil Americas Inc.公司的注册商标。

提及的所有其他商标均为其各自所有者的财产。

ISL6614

引脚配置

ISL6614CB/ISL6614CBZ/ISL6614IB

（ 14 LD SOIC ）

顶视图

ISL6614CR/ISL6614CRZ/ISL6614IR/ISL6614IRZ

（ 16 LD QFN ）

顶视图

PHASE1

12 UGATE1

11 BOOT1

GND

PVCC 3

保护地4

LGATE2

PHASE2

10 BOOT2

UGATE2

PWM2

PWM1

PWM2

GND

LGATE1

PVCC

保护地

LGATE2

14 VCC

13 PHASE1

12 UGATE1

11 BOOT1

10 BOOT2

9 UGATE2

8 PHASE2

GND 1

LGATE1 2

订购信息

温度。

PART数的范围（ ℃）

ISL6614CB

ISL6614CB-T

ISL6614CBZ *

ISL6614CBZ -T *

ISL6614CBZA *

0到85

包

14 Ld的SOIC

PKG 。

DWG 。＃

M14.15

14 Ld的SOIC卷带

0到85

14 Ld的SOIC （无铅）

M14.15

14 Ld的SOIC卷带式封装（无铅）

0到85

14 Ld的SOIC （无铅）

M14.15

ISL6614CBZA - T * 14 Ld的SOIC卷带式封装（无铅）

ISL6614CR

ISL6614CR-T

ISL6614CRZ *

0到85

16 Ld的4×4 QFN

L16.4x4

16 Ld的4×4 QFN磁带和卷轴

0到85

16 Ld的4×4 QFN （无铅）

L16.4x4

ISL6614CRZ - T * 16 Ld的4×4 QFN磁带和卷轴（无铅）

ISL6614CRZA *

0到85

16 Ld的4×4 QFN （无铅）

L16.4x4

ISL6614CRZA - T * 16 Ld的4×4 QFN磁带和卷轴（无铅）

ISL6614IB

ISL6614IB-T

ISL6614IBZ*

ISL6614IBZ-T*

ISL6614IR

ISL6614IR-T

ISL6614IRZ*

ISL6614IRZ-T*

-40到85

14 Ld的SOIC

M14.15

14 Ld的SOIC卷带

-40到85

14 Ld的SOIC （无铅）

M14.15

14 Ld的SOIC卷带式封装（无铅）

-40到85

16 Ld的4×4 QFN

L16.4x4

16 Ld的4×4 QFN磁带和卷轴

-40到85

16 Ld的4×4 QFN （无铅）

L16.4x4

16 Ld的4×4 QFN磁带和卷轴（无铅）

注： * Intersil无铅加退火产品采用特殊的无铅

材料套;模塑料/晶片的附属材料和100 ％雾

锡板终止完成，这是符合RoHS标准，兼容

既锡铅和无铅焊接操作。 Intersil无铅

产品分类MSL在无铅峰值回流温度下

达到或超过IPC / JEDEC J STD- 020对无铅要求。

联系厂方。

VCC

FN9155.4

2005年7月25日

ISL6614

框图

PVCC

VCC

+5V

BOOT1

UGATE1

OTP &

PRE- POR过压保护

特点

拍摄开启

通过

保护

PHASE1

通道1

10K

PVCC

PWM1

LGATE1

保护地

+5V

控制

逻辑

PVCC

保护地

BOOT2

UGATE2

10K

PWM2

GND

拍摄开启

通过

保护

PHASE2

通道2

PVCC

LGATE2

保护地

PAD

FOR ISL6614CR ，在底部垫

QFN封装必须被焊接到电路的地。

FN9155.4

2005年7月25日

ISL6614

典型应用 - 4通道转换器使用ISL65xx和ISL6614栅驱动器

+12V

BOOT1

+12V

UGATE1

VCC

PHASE1

LGATE1

+5V

双

司机

ISL6614

VSEN

COMP

UGATE2

ISEN1

PGOOD

PWM1

PWM2

主要ISEN2

控制

ISL65xx

PWM1

PWM2

LGATE2

PHASE2

PVCC

5V至12V

BOOT2

+12V

GND

保护地

VID

CORE

ISEN3

FS / DIS

PWM3

PWM4

GND

ISEN4

UGATE1

VCC

PHASE1

+12V

BOOT1

+12V

LGATE1

双

司机

ISL6614

PVCC

5V至12V

BOOT2

+12V

UGATE2

PWM1

PWM2

LGATE2

PHASE2

GND

保护地

FN9155.4

2005年7月25日

ISL6614

绝对最大额定值

电源电压（ VCC）。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。 .15V

电源电压（ PVCC ）。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。 VCC + 0.3V

BOOT电压（V

BOOT- GND

). . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .36V

输入电压（V

PWM

）。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。 GND - 0.3V至7V

UGATE 。。。。。。。。。。。。。。。。。。。 V

相

- 0.3V

到V

BOOT

+ 0.3V

相

- 3.5V （ <100ns脉宽， 2μJ ）到V

BOOT

+ 0.3V

LGATE 。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。 GND - 0.3V

到V

PVCC

+ 0.3V

GND - 5V （ <100ns脉宽， 2μJ ）到V

PVCC

+ 0.3V

相。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。 GND - 0.3V

至15V

GND - 8V （ <400ns ， 20μJ ）至30V （ <200ns ，V

BOOT- GND

<36V)

ESD额定值

人体模型。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。 I类JEDEC STD

热信息

热电阻（典型值注意事项1， 2 ， 3 ）

（ ° C / W）

SOIC封装（注1 ）

（ ° C / W）

不适用

QFN封装（注2，注3 ）。。。。。。。。。。

8.5

最高结温（塑料封装）。。。。。。。。 150℃

最大存储温度范围。。。。。。。。。。。 -65 ℃150 ℃的

最大的铅温度（焊接10秒）。。。。。。。。。。。。。 300℃

（ SOIC - 只会提示）

推荐工作条件

环境温度范围。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。 - 40 ° C至85°C

最大工作结温。。。。。。。。。。。。。。 125°C

电源电压VCC 。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。 12V

±10%

电源电压范围， PVCC 。。。。。。。。。。。。。。。。 5V至12V

±10%

注意：如果运行条件超过上述“绝对最大额定值” ，可能对器件造成永久性损坏。这是一个应力只评级和操作

器件在这些或以上的本规范的业务部门所标明的任何其他条件不暗示。

注意事项：

测定用安装在一个高的有效热导率测试板在自由空气中的分量。

测量在自由空气与装在一个高有效热导率测试板用“直接连接”的功能的组件。看

技术简介TB379 。

的“外壳温度”的位置是在封装底部的裸露金属焊盘的中心。

电气规格

参数

VCC电源电流

偏置电源电流

门驱动偏置电流

推荐工作条件，除非另有说明。

符号

测试条件

民

典型值

最大

单位

VCC

PVCC

PWM

= 300kHz的，V

PVCC

= 12V

PWM

= 300kHz的，V

PVCC

= 12V

7.1

9.7

上电复位和启用

VCC上升阈值

0 ° C至85°C

-40 ° C至85°C

VCC下降阈值

0 ° C至85°C

-40 ° C至85°C

PWM输入（参见第8页时序图）

输入电流

PWM

= 5V

PWM

= 0V

PWM上升阈值

PWM下降阈值

典型的三态关闭窗口

三态门下限阈值下降

三态下闸上升阈值

三态门上阈值上升

三态门上下降阈值

关闭释抑时间

UGATE上升时间

tSSHD

PVCC

= 12V， 3nF的负载，10％至90％的

VCC = 12V

1.80

1.50

1.00

3.20

2.60

245

450

-400

3.00

2.00

2.40

9.35

8.35

7.35

6.35

9.80

7.60

10.05

8.00

FN9155.4

2005年7月25日