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位置：首页 > IC型号导航 > 首字符I型号页 > 首字符I的型号第819页 > ISL6613CB
ISL6612 ， ISL6613
数据表
2007年2月26日
FN9153.8
先进的同步整流降压
有保护功能的MOSFET驱动器
的ISL6612和ISL6613是高频MOSFET
司机专门设计用于驱动上下功率
N沟道MOSFET的同步整流降压
转换器拓扑结构。这些驱动程序再加上HIP63xx或
ISL65xx多相降压PWM控制器和N沟道
的MOSFET构成了完整的核心电压稳压器解决方案
先进的微处理器。
该ISL6612驱动上部栅极至12V，而下
门可以独立驱动的范围内从5V到
12V 。该ISL6613驱动两个在一个上下门
范围5V至12V的。该驱动电压提供了灵活性
要优化涉及权衡的应用
与栅极电荷和导通损耗。
一种先进的自适应零贯通保护
整合，以防止上部和下部的MOSFET
同时导通，并尽量减少死
时间。这些产品中添加了过电压保护功能
操作前， VCC超过其导通阈值，在
该相节点被连接到的低栅
侧MOSFET （ LGATE ） 。该转换器的输出电压
然后，通过低侧MOSFET的阈值的限制，
它提供了一些保护，微处理器，如果
上MOSFET （多个）启动期间被短路。在过
温保护功能可以防止故障导致
从通过关闭输出过大的功率耗散
当它的结温超过+ 150 ° C（典型值） 。
驱动程序重置一旦其结温返回
+ 108 ° C（典型值） 。
这些驱动程序还具有三态PWM输入其中，
与Intersil的多相PWM控制器一起工作，
防止了不利的瞬间对输出电压时的
输出被关闭。这个特性消除了肖特基
二极管，用于在一些系统中，用于保护负载
从相反的输出电压事件。
特点
引脚对引脚兼容HIP6601 SOIC家人更好
性能及额外的保护功能
双MOSFET驱动器的同步整流桥
先进的自适应零贯通保护
- 体二极管检测
- 自动调零为r
DS （ ON）
传导失调的影响
可调节栅极电压（ 5V至12V ），以实现最佳效率
36V内部自举肖特基二极管
自举电容防过度充电
支持高开关频率（高达2MHz ）
- 沉3A电流能力
- 快速的上升/下降时间和低传输延迟
三态PWM输入输出级关闭
三态PWM输入滞后的应用随着
电源排序要求
预POR过压保护
VCC欠压保护
过温保护（ OTP）为+ 42℃
迟滞
可扩展底层的铜箔板以增强散热
下沉
双列扁平无引线（ DFN ）封装
- 近晶片级封装足迹;提高印刷电路板
效率和稀释剂的个人资料
无铅加退火有（符合RoHS ）
应用
核心稳压器和英特尔微处理器AMD
高电流DC / DC转换器
高频和高效率VRM和VRD
相关文献
技术简介TB363 “准则处理和
处理湿度敏感表面贴装器件
（ SMD的） “
技术简介TB417的动力传动系设计，布局
指引和反馈补偿设计
1
注意：这些器件对静电放电敏感;遵循正确的IC处理程序。
1-888- INTERSIL或1-888-468-3774
|
Intersil公司（和设计）是Intersil Americas Inc.公司的注册商标。
版权所有Intersil公司美洲2005年， 2006年， 2007年版权所有
提及的所有其他商标均为其各自所有者的财产。
ISL6612 ， ISL6613
订购信息
产品型号
ISL6612CB
ISL6612CBZ （注）
ISL6612CBZA （注）
ISL6612CR
ISL6612CRZ （注）
ISL6612ECB
ISL6612ECBZ （注）
ISL6612EIB
ISL6612EIBZ （注）
ISL6612IB
ISL6612IBZ （注）
ISL6612IR
ISL6612IRZ （注）
ISL6613CB
ISL6613CBZ （注）
ISL6613CR
ISL6613CRZ （注）
ISL6613ECB
ISL6613ECBZ （注）
ISL6613EIB
ISL6613EIBZ （注）
ISL6613IB
ISL6613IBZ （注）
ISL6613IR
ISL6613IRZ （注）
最热
ISL66 12CB
6612 CBZ
6612 CBZ
612C
612Z
ISL66 12ECB
6612 ECBZ
ISL66 12EIB
6612 EIBZ
ISL66 12IB
6612 IBZ
612I
12IZ
ISL66器13cB
6613 CBZ
613C
613Z
ISL66 13ECB
6613 ECBZ
ISL66 13EIB
6613 EIBZ
ISL66 13IB
6613 IBZ
613I
13IZ
TEMP 。范围（° C）
0至+85
0至+85
0至+85
0至+85
0至+85
0至+85
0至+85
-40至+85
-40至+85
-40至+85
-40至+85
-40至+85
-40至+85
0至+85
0至+85
0至+85
0至+85
0至+85
0至+85
-40至+85
-40至+85
-40至+85
-40至+85
-40至+85
-40至+85
8 Ld的SOIC
8 Ld的SOIC （无铅）
8 Ld的SOIC （无铅）
10 Ld的3×3 DFN
10 Ld的3×3 DFN （无铅）
8 Ld的EPSOIC
8 Ld的EPSOIC （无铅）
8 Ld的EPSOIC
8 Ld的EPSOIC （无铅）
8 Ld的SOIC
8 Ld的SOIC （无铅）
10 Ld的3×3 DFN
10 Ld的3×3 DFN （无铅）
8 Ld的SOIC
8 Ld的SOIC （无铅）
10 Ld的3×3 DFN
10 Ld的3×3 DFN （无铅）
8 Ld的EPSOIC
8 Ld的EPSOIC （无铅）
8 Ld的EPSOIC
8 Ld的EPSOIC （无铅）
8 Ld的SOIC
8 Ld的SOIC （无铅）
10 Ld的3×3 DFN
10 Ld的3×3 DFN （无铅）
包
PKG 。 DWG 。 ＃
M8.15
M8.15
M8.15
L10.3x3
L10.3x3
M8.15B
M8.15B
M8.15B
M8.15B
M8.15
M8.15
L10.3x3
L10.3x3
M8.15
M8.15
L10.3x3
L10.3x3
M8.15B
M8.15B
M8.15B
M8.15B
M8.15
M8.15
L10.3x3
L10.3x3
添加“ -T ”后缀磁带和卷轴。
注： Intersil无铅加退火产品采用特殊的无铅材料制成，模塑料/晶片的附属材料和100 ％雾锡
板终止完成，这是符合RoHS标准，既锡铅和无铅焊接操作兼容。 Intersil无铅产品
MSL分类，可达到或超过IPC / JEDEC J STD- 020对无铅要求的无铅峰值回流温度。
引脚配置
ISL6612CB ， ISL6613CB
（ 8 LD SOIC ）
ISL6612ECB ， ISL6613ECB
（ 8 LD EPSOIC ）
顶视图
UGATE
BOOT
PWM
GND
1
2
3
4
GND
8
7
6
5
相
PVCC
VCC
LGATE
ISL6612CR ， ISL6613CR
（ 10 LD的3x3 DFN ）
顶视图
UGATE
BOOT
N / C
PWM
GND
1
2
3
4
5
GND
10相
9 PVCC
8
7
N / C
VCC
6 LGATE
2
FN9153.8
2007年2月26日
ISL6612 ， ISL6613
框图
ISL6612和ISL6613
UVCC
VCC
+5V
10k
PWM
POR /
控制
8k
逻辑
OTP和
PRE- POR过压保护
特点
BOOT
UGATE
相
（ LVCC ）
PVCC
UVCC = VCC FOR ISL6612
UVCC = PVCC FOR ISL6613
LGATE
拍摄开启
通过
保护
GND
PAD
FOR DFN和EPSOIC -设备，对底部的垫
该程序包必须焊接到电路的地。
3
FN9153.8
2007年2月26日
ISL6612 ， ISL6613
典型应用 - 3通道转换器使用ISL65xx和ISL6612栅驱动器
+12V
+ 5V至12V
VCC
PVCC
ISL6612
BOOT
UGATE
相
PWM
LGATE
GND
+ 5V至12V
+12V
+5V
VCC
VFB
VSEN
PGOOD
VCC
COMP
PVCC
PWM1
PWM2
PWM3
LGATE
主
控制
ISL65xx
GND
PWM
ISL6612
UGATE
相
BOOT
+V
CORE
VID
ISEN1
ISEN2
FS
ISEN3
GND
+ 5V至12V
+12V
VCC
PVCC
ISL6612
PWM
BOOT
UGATE
相
LGATE
GND
4
FN9153.8
2007年2月26日
ISL6612 ， ISL6613
绝对最大额定值
电源电压（ VCC） 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 .15V
电源电压（ PVCC ） 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 VCC + 0.3V
输入电压（V
PWM
） 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 GND - 0.3V至7V
BOOT电压（V
BOOT- GND
). . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .36V
引导到相电压（V
BOOT -PHASE
） 。 。 。 。 。 -0.3V至15V （ DC ）
。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 -0.3V至16V （ <10ns ， 10μJ ）
UGATE 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 V
相
- 0.3V
DC
到V
BOOT
+ 0.3V
V
相
- 3.5V （ <100ns脉宽， 2μJ ）到V
BOOT
+ 0.3V
LGATE 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 GND - 0.3V
DC
到V
PVCC
+ 0.3V
GND - 5V （ <100ns脉宽， 2μJ ）到V
PVCC
+ 0.3V
相。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 .GND - 0.3VDC至15VDC
GND - 8V （ <400ns ， 20μJ ）至30V （ <200ns ，V
BOOT- GND
< 36V ）
ESD额定值
人体模型。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 I类JEDEC STD
热信息
热阻
θ
JA
（ ° C / W）
θ
JC
（ ° C / W）
8 Ld的SOIC封装（注1 ） 。 。 。 。 。 。 。 。
100
不适用
8 Ld的EPSOIC套餐（注2，注3 ） 。 。 。
50
7
10 Ld的DFN封装（注2，注3 ） 。 。 。 。 。
48
7
最高结温（塑料封装） 。 。 。 。 。 。 。 + 150°C
最大存储温度范围。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 - 65 ° C至+ 150°C
最大的铅温度（焊接10秒） 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 + 300℃
（ SOIC - 只会提示）
推荐工作条件
环境温度范围。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 - 40 ° C至+ 85°C
最大工作结温。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 + 125°C
电源电压VCC 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 .12V
±10%
电源电压范围， PVCC 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 5V至12V
±10%
注意：如果运行条件超过上述“绝对最大额定值” ，可能对器件造成永久性损坏。这是一个应力只评级和操作
器件在这些或以上的本规范的业务部门所标明的任何其他条件不暗示。
注意事项：
1.
θ
JA
测定用安装在一个高的有效热导率测试板在自由空气中的分量。
2.
θ
JA
测量在自由空气与装在一个高有效热导率测试板用“直接连接”的功能的组件。看
技术简介TB379 。
3.
θ
JC
的“外壳温度”的位置是在封装底部的裸露金属焊盘的中心。
电气规格
参数
VCC电源电流
偏置电源电流
推荐工作条件，除非另有说明。
符号
测试条件
民
典型值
最大
单位
I
VCC
ISL6612 ，女
PWM
= 300kHz的，V
VCC
= 12V
ISL6613 ，女
PWM
= 300kHz的，V
VCC
= 12V
-
-
-
-
-
-
-
-
7.2
4.5
11
5
2.5
5.2
7
13
-
-
-
-
-
-
-
-
mA
mA
mA
mA
mA
mA
mA
mA
I
VCC
ISL6612 ，女
PWM
= 1MHz时， V
VCC
= 12V
ISL6613 ，女
PWM
= 1MHz时， V
VCC
= 12V
门驱动偏置电流
I
PVCC
ISL6612 ，女
PWM
= 300kHz的，V
PVCC
= 12V
ISL6613 ，女
PWM
= 300kHz的，V
PVCC
= 12V
I
PVCC
ISL6612 ，女
PWM
= 1MHz时， V
PVCC
= 12V
ISL6613 ，女
PWM
= 1MHz时， V
PVCC
= 12V
上电复位和启用
VCC上升阈值
VCC上升阈值
VCC下降阈值
VCC下降阈值
PWM输入（参见“时序图”第7页）
输入电流
I
PWM
V
PWM
= 5V
V
PWM
= 0V
PWM上升阈值
PWM下降阈值
典型的三态关闭窗口
三态门下限阈值下降
三态下闸上升阈值
三态门上阈值上升
三态门上下降阈值
关闭释抑时间
t
tSSHD
VCC = 12V
VCC = 12V
VCC = 12V
VCC = 12V
VCC = 12V
VCC = 12V
VCC = 12V
-
-
-
-
1.80
-
-
-
-
-
1.50
1.00
3.20
2.60
245
450
-400
3.00
2.00
-
-
-
-
2.40
-
-
-
-
-
A
A
V
V
V
V
V
V
V
ns
T
A
= 0 ° C至+ 85°C
T
A
= -40 ° C至+ 85°C
T
A
= 0 ° C至+ 85°C
T
A
= -40 ° C至+ 85°C
9.35
8.35
7.35
6.35
9.80
9.80
7.60
7.60
10.00
10.00
8.00
8.00
V
V
V
V
5
FN9153.8
2007年2月26日
ISL6612 ， ISL6613
数据表
2005年7月25日
FN9153.5
先进的同步整流降压
有保护功能的MOSFET驱动器
的ISL6612和ISL6613是高频MOSFET
司机专门设计用于驱动上下功率
N沟道MOSFET的同步整流降压
转换器拓扑结构。这些驱动程序再加上HIP63xx或
ISL65xx多相降压PWM控制器和N沟道
的MOSFET构成了完整的核心电压稳压器解决方案
先进的微处理器。
该ISL6612驱动上部栅极至12V，而下
门可以独立驱动的范围内从5V到
12V 。该ISL6613驱动两个在一个上下门
范围5V至12V的。该驱动电压提供了灵活性
要优化涉及权衡的应用
与栅极电荷和导通损耗。
一种先进的自适应零贯通保护
整合，以防止上部和下部的MOSFET
同时导通，并尽量减少死
时间。这些产品中添加了过电压保护功能
操作前， VCC超过其导通阈值，在
该相节点被连接到的低栅
侧MOSFET （ LGATE ） 。该转换器的输出电压
然后，通过低侧MOSFET的阈值的限制，
它提供了一些保护，微处理器，如果
上MOSFET （多个）启动期间被短路。在过
温保护功能可以防止故障导致
从通过关闭输出过大的功率耗散
当它的结点温度超过150℃ （典型地） 。该
驱动程序重置一旦其结温恢复到108℃
（典型值） 。
这些驱动程序还具有三态PWM输入其中，
与Intersil的多相PWM控制器一起工作，
防止了不利的瞬间对输出电压时的
输出被关闭。这个特性消除了肖特基
二极管，用于在一些系统中，用于保护负载
从相反的输出电压事件。
特点
引脚对引脚兼容HIP6601 SOIC家人更好
性能及额外的保护功能
双MOSFET驱动器的同步整流桥
先进的自适应零贯通保护
- 体二极管检测
- 自动调零为r
DS （ ON）
传导失调的影响
可调节栅极电压（ 5V至12V ），以实现最佳效率
36V内部自举肖特基二极管
自举电容防过度充电
支持高开关频率（高达2MHz ）
- 沉3A电流能力
- 快速的上升/下降时间和低传输延迟
三态PWM输入输出级关闭
三态PWM输入滞后的应用随着
电源排序要求
预POR过压保护
VCC欠压保护
过温保护（ OTP）用42 ℃的迟滞
可扩展底层的铜箔板以增强散热
下沉
双列扁平无引线（ DFN ）封装
- 近晶片级封装足迹;提高印刷电路板
效率和稀释剂的个人资料
无铅加退火有（符合RoHS ）
应用
核心稳压器和英特尔微处理器AMD
高电流DC -DC转换器
高频和高效率VRM和VRD
相关文献
技术简介TB363 “准则处理和
处理湿度敏感表面贴装器件
（ SMD的） “
技术简介TB400和TB417的动力传动系
设计，布局指南，回馈补偿
设计
1
注意：这些器件对静电放电敏感;遵循正确的IC处理程序。
1-888- INTERSIL或1-888-468-3774
|
Intersil公司（和设计）是Intersil Americas Inc.公司的注册商标。
版权所有Intersil公司美洲2005.版权所有
提及的所有其他商标均为其各自所有者的财产。
ISL6612 ， ISL6613
订购信息
产品型号
ISL6612CB
ISL6612CBZ （注）
ISL6612CBZA （注）
ISL6612CR
ISL6612CRZ （注）
ISL6612ECB
ISL6612ECBZ （注）
ISL6612EIB
ISL6612EIBZ （注）
ISL6612IB
ISL6612IBZ （注）
ISL6612IR
ISL6612IRZ （注）
ISL6613CB
ISL6613CBZ （注）
ISL6613CR
温度。
范围（° C）
0到85
0到85
0到85
0到85
0到85
0到85
0到85
-40到85
-40到85
-40到85
-40到85
-40到85
-40到85
0到85
0到85
0到85
包
8 Ld的SOIC
8 Ld的SOIC （无铅）
8 Ld的SOIC （无铅）
10 Ld的3×3 DFN
PKG 。
DWG 。 ＃
M8.15
M8.15
M8.15
L10.3x3
订购信息
（续）
产品型号
ISL6613CRZ （注）
ISL6613ECB
ISL6613ECBZ （注）
ISL6613EIB
ISL6613EIBZ （注）
ISL6613IB
ISL6613IBZ （注）
ISL6613IR
ISL6613IRZ （注）
温度。
范围（° C）
0到85
0到85
0到85
-40到85
-40到85
-40到85
-40到85
-40到85
-40到85
包
PKG 。
DWG 。 ＃
10 Ld的3×3 DFN （无铅）
L10.3x3
8 Ld的EPSOIC
M8.15B
8 Ld的EPSOIC （无铅）
M8.15B
8 Ld的EPSOIC
M8.15B
10 Ld的3×3 DFN （无铅）
L10.3x3
8 Ld的EPSOIC
M8.15B
8 Ld的EPSOIC （无铅）
M8.15B
8 Ld的SOIC
8 Ld的SOIC （无铅）
10 Ld的3×3 DFN
M8.15
M8.15
L10.3x3
8 Ld的EPSOIC （无铅）
M8.15B
8 Ld的EPSOIC
M8.15B
8 Ld的EPSOIC （无铅）
M8.15B
8 Ld的SOIC
8 Ld的SOIC （无铅）
10 Ld的3×3 DFN
M8.15
M8.15
L10.3x3
10 Ld的3×3 DFN （无铅）
L10.3x3
添加“ -T ”后缀磁带和卷轴。
注： Intersil无铅加退火产品采用特殊的无铅
材料套;模塑料/晶片的附属材料和100 ％
雾锡板终止完成，这是符合RoHS标准，
既锡铅和无铅焊接操作兼容。 Intersil公司
无铅产品分类MSL在无铅峰值回流
气温达到或超过的无铅要求
IPC / JEDEC J STD- 020 。
10 Ld的3×3 DFN （无铅）
L10.3x3
8 Ld的SOIC
8 Ld的SOIC （无铅）
10 Ld的3×3 DFN
M8.15
M8.15
L10.3x3
引脚配置
ISL6612CB ， ISL6613CB （ SOIC ）
ISL6612ECB ， ISL6613ECB （ EPSOIC ）
顶视图
UGATE
BOOT
PWM
GND
1
2
3
4
GND
8
7
6
5
相
PVCC
VCC
LGATE
ISL6612CR ， ISL6613CR （ 10L的3x3 DFN ）
顶视图
UGATE
BOOT
N / C
PWM
GND
1
2
3
4
5
GND
10相
9 PVCC
8
7
N / C
VCC
6 LGATE
2
FN9153.5
2005年7月25日
ISL6612 ， ISL6613
框图
ISL6612和ISL6613
UVCC
VCC
+5V
10K
PWM
POR /
控制
8K
逻辑
OTP和
PRE- POR过压保护
特点
BOOT
UGATE
相
（ LVCC ）
PVCC
拍摄开启
通过
保护
UVCC = VCC FOR ISL6612
UVCC = PVCC FOR ISL6613
LGATE
GND
PAD
FOR DFN和EPSOIC -设备，对底部的垫
该程序包必须焊接到电路的地。
3
FN9153.5
2005年7月25日
ISL6612 ， ISL6613
典型应用 - 3通道转换器使用ISL65xx和ISL6612栅驱动器
+12V
+ 5V至12V
VCC
PVCC
PWM
ISL6612
BOOT
UGATE
相
LGATE
GND
+ 5V至12V
+12V
+5V
VCC
VFB
VSEN
PGOOD
VCC
COMP
PVCC
PWM1
PWM2
PWM3
LGATE
主
控制
ISL65xx
GND
PWM
ISL6612
BOOT
UGATE
相
+V
CORE
VID
ISEN1
ISEN2
FS
ISEN3
GND
+ 5V至12V
+12V
VCC
PVCC
PWM
ISL6612
BOOT
UGATE
相
LGATE
GND
4
FN9153.5
2005年7月25日
ISL6612 ， ISL6613
绝对最大额定值
电源电压（ VCC） 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 .15V
电源电压（ PVCC ） 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 VCC + 0.3V
BOOT电压（V
BOOT- GND
). . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .36V
输入电压（V
PWM
） 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 GND - 0.3V至7V
UGATE 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 V
相
- 0.3V
DC
到V
BOOT
+ 0.3V
V
相
- 3.5V （ <100ns脉宽， 2μJ ）到V
BOOT
+ 0.3V
LGATE 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 GND - 0.3V
DC
到V
PVCC
+ 0.3V
GND - 5V （ <100ns脉宽， 2μJ ）到V
PVCC
+ 0.3V
相。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 GND - 0.3V
DC
至15V
DC
GND - 8V （ <400ns ， 20μJ ）至30V （ <200ns ，V
BOOT- GND
<36V)
ESD额定值
人体模型。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 I类JEDEC STD
热信息
热阻
θ
JA
（ ° C / W）
θ
JC
（ ° C / W）
SOIC封装（注1 ） 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。
100
不适用
EPSOIC套餐（注2，注3 。 。 。 。
50
7
DFN封装（注2，注3 ） 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。
48
7
最高结温（塑料封装） 。 。 。 。 。 。 。 。 150℃
最大存储温度范围。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 -65 ℃150 ℃的
最大的铅温度（焊接10秒） 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 300℃
（ SOIC - 只会提示）
推荐工作条件
环境温度范围。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 - 40 ° C至85°C
最大工作结温。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 125°C
电源电压VCC 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 12V
±10%
电源电压范围， PVCC 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 5V至12V
±10%
注意：如果运行条件超过上述“绝对最大额定值” ，可能对器件造成永久性损坏。这是一个应力只评级和操作
器件在这些或以上的本规范的业务部门所标明的任何其他条件不暗示。
注意事项：
1.
θ
JA
测定用安装在一个高的有效热导率测试板在自由空气中的分量。
2.
θ
JA
测量在自由空气与装在一个高有效热导率测试板用“直接连接”的功能的组件。看
技术简介TB379 。
3.
θ
JC
的“外壳温度”的位置是在封装底部的裸露金属焊盘的中心。
电气规格
参数
VCC电源电流
偏置电源电流
推荐工作条件，除非另有说明。
符号
测试条件
民
典型值
最大
单位
I
VCC
I
VCC
ISL6612 ，女
PWM
= 300kHz的，V
VCC
= 12V
ISL6613 ，女
PWM
= 300kHz的，V
VCC
= 12V
ISL6612 ，女
PWM
= 1MHz时， V
VCC
= 12V
ISL6613 ，女
PWM
= 1MHz时， V
VCC
= 12V
ISL6612 ，女
PWM
= 300kHz的，V
PVCC
= 12V
ISL6613 ，女
PWM
= 300kHz的，V
PVCC
= 12V
ISL6612 ，女
PWM
= 1MHz时， V
PVCC
= 12V
ISL6613 ，女
PWM
= 1MHz时， V
PVCC
= 12V
-
-
-
-
-
-
-
-
7.2
4.5
11
5
2.5
5.2
7
13
-
-
-
-
-
-
-
-
mA
mA
mA
mA
mA
mA
mA
mA
门驱动偏置电流
I
PVCC
I
PVCC
上电复位和启用
VCC上升阈值
VCC上升阈值
VCC下降阈值
VCC下降阈值
PWM输入（参见第6页的时序图）
输入电流
I
PWM
V
PWM
= 5V
V
PWM
= 0V
PWM上升阈值
PWM下降阈值
典型的三态关闭窗口
三态门下限阈值下降
三态下闸上升阈值
三态门上阈值上升
VCC = 12V
VCC = 12V
VCC = 12V
VCC = 12V
VCC = 12V
VCC = 12V
-
-
-
-
1.80
1.50
1.00
3.20
450
-400
3.00
2.00
-
-
-
-
2.40
A
A
V
V
V
V
V
V
T
A
= 0 ° C至85°C
T
A
= -40 ° C至85°C
T
A
= 0 ° C至85°C
T
A
= -40 ° C至85°C
9.35
8.35
7.35
6.35
9.80
9.80
7.60
7.60
10.00
10.00
8.00
8.00
V
V
V
V
5
FN9153.5
2005年7月25日
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推荐型号
IRF9533
ICL7632AMJD
IRHLNA73064
IC42S32400L-6TG
IRKH27-16S90
ICS7151MI-10T
IPB050N06NG
IDT54FCT245TSO
IDT72V03L15JI
IP78M05DP
IDT74FCT399SO
IRKUF112-06EL
IS45S32400E-6TLA1
IC51-0684-390-1
IDT74FCT245CTPY
ISL9008AIENZ-T
IRKH71-16
ICS252PMLF
INA122P
IRKTF72-10DP
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