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ISL6612B , ISL6613B
数据表
2006年7月27日
FN9205.3
先进的同步整流降压
与预POR过压保护MOSFET驱动器
该ISL6612B和ISL6613B是高频MOSFET
司机专门设计用于驱动上下功率
N沟道MOSFET的同步整流降压
转换器拓扑结构。这些驱动程序再加上HIP63xx或
ISL65xx多相降压PWM控制器和N沟道
的MOSFET构成了完整的核心电压稳压器解决方案
先进的微处理器。
该ISL6612B驱动上部栅极上面上升的VCC
上电复位(N ),而更低的栅极可以被独立地驱动
在一定范围的从5V至12V 。该ISL6613B驱动两个
上和下闸在一个范围为5V至12V 。该驱动器 -
电压提供必要优化的灵活性
涉及栅极电荷之间的权衡应用
传导损耗。这些驱动程序用于POL优化
为IBA系统的DC / DC转换器。
一种先进的自适应零贯通保护
整合,以防止上部和下部的MOSFET
同时导通,并尽量减少死
时间。这些产品中添加了过电压保护功能
操作前, VCC超过其导通阈值,在
该相节点被连接到的低栅
侧MOSFET ( LGATE ) 。该转换器的输出电压
然后,通过低侧MOSFET的阈值的限制,
它提供了一些保护,微处理器,如果
上MOSFET ( S)在初始启动短路。
这些驱动程序还具有三态PWM输入其中,
与Intersil的多相PWM控制器一起工作,
防止了不利的瞬间对输出电压时的
输出被关闭。这个特性消除了肖特基
二极管,用于在一些系统中,用于保护负载
从相反的输出电压事件。
特点
引脚对引脚兼容HIP6601 SOIC家庭
双MOSFET驱动器的同步整流桥
低VCC上升阈值(N )的IBA应用。
先进的自适应零贯通保护
- 体二极管检测
- 自动调零为r
DS ( ON)
传导失调的影响
可调节栅极电压( 5V至12V ),以实现最佳效率
36V内部自举肖特基二极管
自举电容防过度充电
支持高开关频率(高达2MHz )
- 沉3A电流能力
- 快速的上升/下降时间和低传输延迟
三态PWM输入输出级关闭
三态PWM输入滞后的应用随着
电源排序要求
预POR过压保护
VCC欠压保护
可扩展底层的铜箔板以增强散热
下沉
双列扁平无引线( DFN )封装
- 近晶片级封装足迹;提高印刷电路板
效率和稀释剂的个人资料
无铅加退火有(符合RoHS )
应用
优化的POL DC / DC转换器,用于IBA系统
核心稳压英特尔
和AMD
微处理器
高电流DC / DC转换器
高频和高效率VRM和VRD
相关文献
技术简介TB363 “准则处理和
处理湿度敏感表面贴装器件
( SMD的) “
技术简介TB417的动力传动系设计,布局
指引和反馈补偿设计
1
注意:这些器件对静电放电敏感;遵循正确的IC处理程序。
1-888- INTERSIL或1-888-468-3774
|
Intersil公司(和设计)是Intersil Americas Inc.公司的注册商标。
版权所有Intersil公司美洲2005-2006 。版权所有
提及的所有其他商标均为其各自所有者的财产。
ISL6612B , ISL6613B
订购信息
产品型号
ISL6612BCB
ISL6612BCB-T
ISL6612BCBZ (注)
ISL6612BCBZ -T (注)
ISL6612BCR
ISL6612BCR-T
ISL6612BCRZ (注)
ISL6612BCRZ -T (注)
ISL6612BECB
ISL6612BECB-T
ISL6612BECBZ (注)
ISL6612BECBZ -T (注)
ISL6612BEIB
ISL6612BEIB-T
ISL6612BEIBZ (注)
ISL6612BEIBZ -T (注)
ISL6612BIB
ISL6612BIB-T
ISL6612BIBZ (注)
ISL6612BIBZ -T (注)
ISL6612BIR
ISL6612BIR-T
ISL6612BIRZ (注)
ISL6612BIRZ -T (注)
ISL6613BCB
ISL6613BCB-T
ISL6613BCBZ (注)
ISL6613BCBZ -T (注)
ISL6613BCR
ISL6613BCR-T
ISL6613BCRZ (注)
ISL6613BCRZ -T (注)
ISL6613BECB
ISL6613BECB-T
ISL6613BECBZ (注)
ISL6613BECBZ -T (注)
ISL6613BEIB
ISL6613BEIB-T
ISL6613BEIBZ (注)
ISL6613BEIBZ -T (注)
最热
6612BCB
6612BCB
6612BCBZ
6612BCBZ
12BC
12BC
12BZ
12BZ
6612BECB
6612BECB
6612BECBZ
6612BECBZ
6612BEIB
6612BEIB
6612BEIBZ
6612BEIBZ
6612BIB
6612BIB
6612BIBZ
6612BIBZ
12BI
12BI
2BIZ
2BIZ
6613BCB
6613BCB
6613BCBZ
6613BCBZ
13BC
13BC
13BZ
13BZ
6613BECB
6613BECB
6613BECBZ
6613BECBZ
6613BEIB
6613BEIB
6613BEIBZ
6613BEIBZ
温度。
范围(° C)
0到85
8 Ld的SOIC卷带
0到85
8 Ld的SOIC (无铅)
M8.15
8 Ld的SOIC
M8.15
PKG 。
DWG 。 #
8 Ld的SOIC卷带式封装(无铅)
0到85
10 Ld的3×3 DFN磁带和卷轴
0到85
10 Ld的3×3 DFN (无铅)
L10.3x3
10 Ld的3×3 DFN
L10.3x3
10 Ld的3×3 DFN磁带和卷轴(无铅)
0到85
8 Ld的EPSOIC磁带和卷轴
0到85
8 Ld的EPSOIC (无铅)
M8.15B
8 Ld的EPSOIC
M8.15B
8 Ld的EPSOIC磁带和卷轴(无铅)
-40 ° C至85°C
8 Ld的EPSOIC磁带和卷轴
-40 ° C至85°C
8 Ld的EPSOIC (无铅)
M8.15B
8 Ld的EPSOIC
M8.15B
8 Ld的EPSOIC磁带和卷轴(无铅)
-40 ° C至85°C
8 Ld的SOIC卷带
-40 ° C至85°C
8 Ld的SOIC (无铅)
M8.15
8 Ld的SOIC
M8.15
8 Ld的SOIC卷带式封装(无铅)
-40 ° C至85°C
10 Ld的3×3 DFN磁带和卷轴
-40 ° C至85°C
10 Ld的3×3 DFN (无铅)
L10.3x3
10 Ld的3×3 DFN
L10.3x3
10 Ld的3×3 DFN磁带和卷轴(无铅)
0到85
8 Ld的SOIC卷带
0到85
8 Ld的SOIC (无铅)
M8.15
8 Ld的SOIC
M8.15
8 Ld的SOIC卷带式封装(无铅)
0到85
10 Ld的3×3 DFN磁带和卷轴
0到85
10 Ld的3×3 DFN (无铅)
L10.3x3
10 Ld的3×3 DFN
L10.3x3
10 Ld的3×3 DFN磁带和卷轴(无铅)
0到85
8 Ld的EPSOIC磁带和卷轴
0到85
8 Ld的EPSOIC (无铅)
M8.15B
8 Ld的EPSOIC
M8.15B
8 Ld的EPSOIC磁带和卷轴(无铅)
-40 ° C至85°C
8 Ld的EPSOIC磁带和卷轴
-40 ° C至85°C
8 Ld的EPSOIC (无铅)
M8.15B
8 Ld的EPSOIC
M8.15B
8 Ld的EPSOIC磁带和卷轴(无铅)
2
FN9205.3
2006年7月27日
ISL6612B , ISL6613B
订购信息
(续)
产品型号
ISL6613BIB
ISL6613BIB-T
ISL6613BIBZ (注)
ISL6613BIBZ -T (注)
ISL6613BIR
ISL6613BIR-T
ISL6613BIRZ (注)
ISL6613BIRZ -T (注)
最热
6613BIB
6613BIB
6613BIBZ
6613BIBZ
13BI
13BI
3BIZ
3BIZ
温度。
范围(° C)
-40 ° C至85°C
8 Ld的SOIC卷带
-40 ° C至85°C
8 Ld的SOIC (无铅)
M8.15
8 Ld的SOIC
M8.15
PKG 。
DWG 。 #
8 Ld的SOIC卷带式封装(无铅)
-40 ° C至85°C
10 Ld的3×3 DFN磁带和卷轴
-40 ° C至85°C
10 Ld的3×3 DFN (无铅)
L10.3x3
10 Ld的3×3 DFN
L10.3x3
10 Ld的3×3 DFN磁带和卷轴(无铅)
注: Intersil无铅加退火产品采用特殊的无铅材料制成,模塑料/晶片的附属材料和100 %雾锡板
终止完成,这是符合RoHS标准,既锡铅和无铅焊接操作兼容。 Intersil无铅产品MSL
分类,可达到或超过IPC / JEDEC J STD- 020对无铅要求的无铅峰值回流温度。
联系厂方。
引脚配置
ISL6612BCB , ISL6613BCB ( SOIC )
ISL6612BECB , ISL6613BECB ( EPSOIC )
顶视图
UGATE
BOOT
PWM
GND
1
2
3
4
GND
8
7
6
5
PVCC
VCC
LGATE
ISL6612BCR , ISL6613BCR ( 10L的3x3 DFN )
顶视图
UGATE
BOOT
N / C
PWM
GND
1
2
3
4
5
GND
10相
9 PVCC
8
7
N / C
VCC
6 LGATE
框图
ISL6612B和ISL6613B
UVCC
VCC
+5V
10K
PWM
POR /
控制
8K
逻辑
PRE- POR过压保护
特点
BOOT
UGATE
( LVCC )
PVCC
UVCC = VCC FOR ISL6612B
UVCC = PVCC FOR ISL6613B
LGATE
拍摄开启
通过
保护
GND
PAD
FOR DFN和EPSOIC -设备,对底部的垫
该程序包必须焊接到电路的地。
3
FN9205.3
2006年7月27日
ISL6612B , ISL6613B
典型应用 - 3通道转换器使用ISL65xx和ISL6612B栅极驱动器
+ 7V至12V +
+ 5V至12V
VCC
PVCC
BOOT
UGATE
PWM
ISL6612B
LGATE
GND
+ 5V至12V
+ 7V至12V +
+5V
VCC
VFB
VSEN
PGOOD
VCC
COMP
PVCC
PWM1
PWM2
PWM3
LGATE
控制
ISL65xx
GND
PWM
ISL6612B
UGATE
BOOT
+V
CORE
VID
ISEN1
ISEN2
FS
ISEN3
GND
+ 5V至12V
+ 7V至12V +
VCC
PVCC
BOOT
UGATE
ISL6612B
PWM
LGATE
GND
4
FN9205.3
2006年7月27日
ISL6612B , ISL6613B
绝对最大额定值
电源电压( VCC) 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 .15V
电源电压( PVCC ) 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 VCC + 0.3V
BOOT电压(V
BOOT- GND
). . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .36V
输入电压(V
PWM
) 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 GND - 0.3V至7V
UGATE 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 V
- 0.3V
DC
到V
BOOT
+ 0.3V
V
- 3.5V ( <100ns脉宽, 2μJ )到V
BOOT
+ 0.3V
LGATE 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 GND - 0.3V
DC
到V
PVCC
+ 0.3V
GND - 5V ( <100ns脉宽, 2μJ )到V
PVCC
+ 0.3V
相。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 GND - 0.3V
DC
至15V
DC
GND - 8V ( <400ns , 20μJ )至30V ( <200ns ,V
BOOT- GND
<36V)
ESD额定值
人体模型。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 I类JEDEC STD
热信息
热阻
θ
JA
( ° C / W)
θ
JC
( ° C / W)
SOIC封装(注1 ) 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。
100
不适用
EPSOIC套餐(注2,注3 ) 。 。 。 。 。 。 。
50
7
DFN封装(注2,注3 ) 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。
48
7
最高结温(塑料封装) 。 。 。 。 。 。 。 。 150℃
最大存储温度范围。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 -65 ℃150 ℃的
最大的铅温度(焊接10秒) 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 300℃
( SOIC - 只会提示)
推荐工作条件
环境温度范围。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 - 40 ° C至85°C
最大工作结温。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 125°C
电源电压VCC 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 7V至13.2V
电源电压范围, PVCC 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 5V至12V
±10%
注意:如果运行条件超过上述“绝对最大额定值” ,可能对器件造成永久性损坏。这是一个应力只评级和操作
器件在这些或以上的本规范的业务部门所标明的任何其他条件不暗示。
注意事项:
1.
θ
JA
测定用安装在一个高的有效热导率测试板在自由空气中的分量。
2.
θ
JA
测量在自由空气与装在一个高有效热导率测试板用“直接连接”的功能的组件。看
技术简介TB379 。
3.
θ
JC
的“外壳温度”的位置是在封装底部的裸露金属焊盘的中心。
电气规格
参数
VCC电源电流
偏置电源电流
推荐工作条件,除非另有说明。
符号
测试条件
典型值
最大
单位
I
VCC
ISL6612B ,女
PWM
= 300kHz的,V
VCC
=12V
ISL6613B ,女
PWM
= 300kHz的,V
VCC
=12V
-
-
-
-
-
-
-
-
8
4.5
10.5
5
4
7.5
5
8.5
-
-
-
-
-
-
-
-
mA
mA
mA
mA
mA
mA
mA
mA
I
VCC
ISL6612B ,女
PWM
= 1MHz时, V
VCC
= 12V
ISL6613B ,女
PWM
= 1MHz时, V
VCC
= 12V
门驱动偏置电流
I
PVCC
ISL6612B ,女
PWM
= 300kHz的,V
PVCC
=12V
ISL6613B ,女
PWM
= 300kHz的,V
PVCC
=12V
I
PVCC
ISL6612B ,女
PWM
= 1MHz时, V
PVCC
= 12V
ISL6613B ,女
PWM
= 1MHz时, V
PVCC
= 12V
上电复位和启用
VCC上升阈值
VCC上升阈值
VCC下降阈值
VCC下降阈值
PWM输入(参见第7页时序图)
输入电流
I
PWM
V
PWM
= 5V
V
PWM
= 0V
PWM上升阈值
PWM下降阈值
典型的三态关闭窗口
三态门下限阈值下降
三态下闸上升阈值
VCC = 12V
VCC = 12V
VCC = 12V
VCC = 12V
VCC = 12V
-
-
-
-
1.80
1.50
1.00
500
-450
3.00
2.00
-
-
-
-
2.40
A
A
V
V
V
V
V
0 ° C至85°C
-40 ° C至85°C
0 ° C至85°C
-40 ° C至85°C
6.75
5.75
5.20
4.20
5.44
6.92
7.10
7.10
5.60
5.60
V
V
V
V
5
FN9205.3
2006年7月27日
ISL6612B , ISL6613B
数据表
2005年7月25日
FN9205.1
先进的同步整流降压
与预POR过压保护MOSFET驱动器
该ISL6612B和ISL6613B是高频MOSFET
司机专门设计用于驱动上下功率
N沟道MOSFET的同步整流降压
转换器拓扑结构。这些驱动程序再加上HIP63xx或
ISL65xx多相降压PWM控制器和N沟道
的MOSFET构成了完整的核心电压稳压器解决方案
先进的微处理器。
该ISL6612B驱动上部栅极上面上升的VCC
上电复位(N ),而更低的栅极可以被独立地驱动
在一定范围的从5V至12V 。该ISL6613B驱动两个
上和下闸在一个范围为5V至12V 。该驱动器 -
电压提供必要优化的灵活性
涉及栅极电荷之间的权衡应用
传导损耗。这些驱动程序用于POL优化
为IBA系统的DC / DC转换器。
一种先进的自适应零贯通保护
整合,以防止上部和下部的MOSFET
同时导通,并尽量减少死
时间。这些产品中添加了过电压保护功能
操作前, VCC超过其导通阈值,在
该相节点被连接到的低栅
侧MOSFET ( LGATE ) 。该转换器的输出电压
然后,通过低侧MOSFET的阈值的限制,
它提供了一些保护,微处理器,如果
上MOSFET ( S)在初始启动短路。
这些驱动程序还具有三态PWM输入其中,
与Intersil的多相PWM控制器一起工作,
防止了不利的瞬间对输出电压时的
输出被关闭。这个特性消除了肖特基
二极管,用于在一些系统中,用于保护负载
从相反的输出电压事件。
特点
引脚对引脚兼容HIP6601 SOIC家庭
双MOSFET驱动器的同步整流桥
低VCC上升阈值(N )的IBA应用。
先进的自适应零贯通保护
- 体二极管检测
- 自动调零为r
DS ( ON)
传导失调的影响
可调节栅极电压( 5V至12V ),以实现最佳效率
36V内部自举肖特基二极管
自举电容防过度充电
支持高开关频率(高达2MHz )
- 沉3A电流能力
- 快速的上升/下降时间和低传输延迟
三态PWM输入输出级关闭
三态PWM输入滞后的应用随着
电源排序要求
预POR过压保护
VCC欠压保护
可扩展底层的铜箔板以增强散热
下沉
双列扁平无引线( DFN )封装
- 近晶片级封装足迹;提高印刷电路板
效率和稀释剂的个人资料
无铅加退火有(符合RoHS )
应用
优化的POL DC / DC转换器,用于IBA系统
核心稳压英特尔
和AMD
微处理器
高电流DC / DC转换器
高频和高效率VRM和VRD
相关文献
技术简介TB363 “准则处理和
处理湿度敏感表面贴装器件
( SMD的) “
技术简介TB400和TB417的动力传动系
设计,布局指南,回馈补偿
设计
1
注意:这些器件对静电放电敏感;遵循正确的IC处理程序。
1-888- INTERSIL或1-888-352-6832
|
Intersil公司(和设计)是Intersil Americas Inc.公司的注册商标。
版权所有Intersil公司美洲2005.版权所有
提及的所有其他商标均为其各自所有者的财产。
ISL6612B , ISL6613B
订购信息
产品型号
ISL6612BCB
ISL6612BCBZ*
ISL6612BCB-T
ISL6612BCBZ-T*
ISL6612BECB
ISL6612BECBZ*
ISL6612BECB-T
温度。
范围(° C)
0到85
0到85
8 Ld的SOIC
8 Ld的SOIC (无铅)
PKG 。
DWG 。 #
M8.15
M8.15
订购信息
(续)
产品型号
ISL6613BCBZ-T*
ISL6613BECB
ISL6613BECBZ*
ISL6613BECB-T
M8.15B
M8.15B
温度。
范围(° C)
PKG 。
DWG 。 #
8 Ld的SOIC卷带式封装(无铅)
0到85
0到85
8 Ld的EPSOIC
8 Ld的EPSOIC (无铅)
M8.15B
M8.15B
8 Ld的SOIC卷带
8 Ld的SOIC卷带式封装(无铅)
0到85
0到85
8 Ld的EPSOIC
8 Ld的EPSOIC (无铅)
8 Ld的EPSOIC磁带和卷轴
ISL6613BECBZ - T * 8 Ld的EPSOIC磁带和卷轴(无铅)
ISL6613BCR
ISL6613BCRZ*
ISL6613BCR-T
0到85
0到85
10 Ld的3×3 DFN
L10.3x3
8 Ld的EPSOIC磁带和卷轴
10 Ld的3×3 DFN (无铅)
L10.3x3
ISL6612BECBZ - T * 8 Ld的EPSOIC磁带和卷轴(无铅)
ISL6612BCR
ISL6612BCRZ*
ISL6612BCR-T
0到85
0到85
10 Ld的3×3 DFN
L10.3x3
10 Ld的3×3 DFN磁带和卷轴
10 Ld的3×3 DFN磁带和卷轴(无铅)
-40 ° C至85°C 8 Ld的EPSOIC
-40 ° C至85°C 8 Ld的EPSOIC (无铅)
8 Ld的EPSOIC磁带和卷轴
M8.15B
M8.15B
ISL6613BCRZ-T*
ISL6613BEIB
ISL6613BEIBZ*
ISL6613BEIB-T
10 Ld的3×3 DFN (无铅)
L10.3x3
10 Ld的3×3 DFN磁带和卷轴
ISL6612BCRZ -T * 10 Ld的3×3 DFN磁带和卷轴(无铅)
ISL6612BEIB
ISL6612BEIBZ*
ISL6612BEIB-T
-40 ° C至85°C 8 Ld的EPSOIC
-40 ° C至85°C 8 Ld的EPSOIC (无铅)
8 Ld的EPSOIC磁带和卷轴
M8.15B
M8.15B
ISL6613BEIBZ - T * 8 Ld的EPSOIC磁带和卷轴(无铅)
ISL6613BIB
ISL6613BIBZ*
ISL6613BIB-T
-40 ° C至85°C 8 Ld的SOIC
-40 ° C至85°C 8 Ld的SOIC (无铅)
8 Ld的SOIC卷带
8 Ld的SOIC卷带式封装(无铅)
-40 ° C至85°C 10 Ld的3×3 DFN
L10.3x3
M8.15
M8.15
ISL6612BEIBZ - T * 8 Ld的EPSOIC磁带和卷轴(无铅)
ISL6612BIB
ISL6612BIBZ*
ISL6612BIB-T
ISL6612BIBZ-T*
ISL6612BIR
ISL6612BIRZ*
ISL6612BIR-T
ISL6612BIRZ-T*
ISL6613BCB
ISL6613BCBZ*
ISL6613BCB-T
-40 ° C至85°C 8 Ld的SOIC
-40 ° C至85°C 8 Ld的SOIC (无铅)
8 Ld的SOIC卷带
8 Ld的SOIC卷带式封装(无铅)
-40 ° C至85°C 10 Ld的3×3 DFN
L10.3x3
M8.15
M8.15
ISL6613BIBZ-T*
ISL6613BIR
ISL6613BIRZ*
ISL6613BIR-T
ISL6613BIRZ-T*
-40 ° C至85°C 10 Ld的3×3 DFN (无铅)
L10.3x3
10 Ld的3×3 DFN磁带和卷轴
10 Ld的3×3 DFN磁带和卷轴(无铅)
-40 ° C至85°C 10 Ld的3×3 DFN (无铅)
L10.3x3
10 Ld的3×3 DFN磁带和卷轴
10 Ld的3×3 DFN磁带和卷轴(无铅)
0到85
0到85
8 Ld的SOIC
8 Ld的SOIC (无铅)
M8.15
M8.15
* Intersil无铅加退火产品采用特殊的无铅材料
套;模塑料/晶片的附属材料和100 %雾锡
板终止完成,这是符合RoHS标准,兼容
既锡铅和无铅焊接操作。 Intersil无铅
产品分类MSL在无铅峰值回流温度下
达到或超过IPC / JEDEC J STD- 020对无铅要求。
联系厂方。
8 Ld的SOIC卷带
引脚配置
ISL6612BCB , ISL6613BCB ( SOIC )
ISL6612BECB , ISL6613BECB ( EPSOIC )
顶视图
UGATE
BOOT
PWM
GND
1
2
3
4
GND
8
7
6
5
PVCC
VCC
LGATE
ISL6612BCR , ISL6613BCR ( 10L的3x3 DFN )
顶视图
UGATE
BOOT
N / C
PWM
GND
1
2
3
4
5
GND
10相
9 PVCC
8
7
N / C
VCC
6 LGATE
2
FN9205.1
2005年7月25日
ISL6612B , ISL6613B
框图
ISL6612B和ISL6613B
UVCC
VCC
+5V
10K
PWM
POR /
控制
8K
逻辑
OTP和
PRE- POR过压保护
特点
BOOT
UGATE
( LVCC )
PVCC
拍摄开启
通过
保护
UVCC = VCC FOR ISL6612B
UVCC = PVCC FOR ISL6613B
LGATE
GND
PAD
FOR DFN和EPSOIC -设备,对底部的垫
该程序包必须焊接到电路的地。
3
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2005年7月25日
ISL6612B , ISL6613B
典型应用 - 3通道转换器使用ISL65xx和ISL6612B栅极驱动器
+ 7V至12V +
+ 5V至12V
VCC
PVCC
PWM
BOOT
UGATE
ISL6612B
LGATE
GND
+ 5V至12V
+ 7V至12V +
+5V
VCC
VFB
VSEN
PGOOD
VCC
COMP
PVCC
PWM1
PWM2
PWM3
LGATE
控制
ISL65xx
GND
PWM
ISL6612B
BOOT
UGATE
+V
CORE
VID
ISEN1
ISEN2
FS
ISEN3
GND
+ 5V至12V
+ 7V至12V +
VCC
PVCC
PWM
BOOT
UGATE
ISL6612B
LGATE
GND
4
FN9205.1
2005年7月25日
ISL6612B , ISL6613B
绝对最大额定值
电源电压( VCC) 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 .15V
电源电压( PVCC ) 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 VCC + 0.3V
BOOT电压(V
BOOT- GND
). . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .36V
输入电压(V
PWM
) 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 GND - 0.3V至7V
UGATE 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 V
- 0.3V
DC
到V
BOOT
+ 0.3V
V
- 3.5V ( <100ns脉宽, 2μJ )到V
BOOT
+ 0.3V
LGATE 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 GND - 0.3V
DC
到V
PVCC
+ 0.3V
GND - 5V ( <100ns脉宽, 2μJ )到V
PVCC
+ 0.3V
相。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 GND - 0.3V
DC
至15V
DC
GND - 8V ( <400ns , 20μJ )至30V ( <200ns ,V
BOOT- GND
<36V)
ESD额定值
人体模型。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 I类JEDEC STD
热信息
热阻
θ
JA
( ° C / W)
θ
JC
( ° C / W)
SOIC封装(注1 ) 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。
100
不适用
EPSOIC套餐(注2,注3 ) 。 。 。 。 。 。 。
50
7
DFN封装(注2,注3 ) 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。
48
7
最高结温(塑料封装) 。 。 。 。 。 。 。 。 150℃
最大存储温度范围。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 -65 ℃150 ℃的
最大的铅温度(焊接10秒) 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 300℃
( SOIC - 只会提示)
推荐工作条件
环境温度范围。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 - 40 ° C至85°C
最大工作结温。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 125°C
电源电压VCC 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 7V至13.2V
电源电压范围, PVCC 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 5V至12V
±10%
注意:如果运行条件超过上述“绝对最大额定值” ,可能对器件造成永久性损坏。这是一个应力只评级和操作
器件在这些或以上的本规范的业务部门所标明的任何其他条件不暗示。
注意事项:
1.
θ
JA
测定用安装在一个高的有效热导率测试板在自由空气中的分量。
2.
θ
JA
测量在自由空气与装在一个高有效热导率测试板用“直接连接”的功能的组件。看
技术简介TB379 。
3.
θ
JC
的“外壳温度”的位置是在封装底部的裸露金属焊盘的中心。
电气规格
参数
VCC电源电流
偏置电源电流
推荐工作条件,除非另有说明。
符号
测试条件
典型值
最大
单位
I
VCC
ISL6612B ,女
PWM
= 300kHz的,V
VCC
=12V
ISL6613B ,女
PWM
= 300kHz的,V
VCC
=12V
-
-
-
-
-
-
-
-
8
4.5
10.5
5
4
7.5
5
8.5
-
-
-
-
-
-
-
-
mA
mA
mA
mA
mA
mA
mA
mA
I
VCC
ISL6612B ,女
PWM
= 1MHz时, V
VCC
= 12V
ISL6613B ,女
PWM
= 1MHz时, V
VCC
= 12V
门驱动偏置电流
I
PVCC
ISL6612B ,女
PWM
= 300kHz的,V
PVCC
=12V
ISL6613B ,女
PWM
= 300kHz的,V
PVCC
=12V
I
PVCC
ISL6612B ,女
PWM
= 1MHz时, V
PVCC
= 12V
ISL6613B ,女
PWM
= 1MHz时, V
PVCC
= 12V
上电复位和启用
VCC上升阈值
VCC上升阈值
VCC下降阈值
VCC下降阈值
PWM输入(参见第7页时序图)
输入电流
I
PWM
V
PWM
= 5V
V
PWM
= 0V
PWM上升阈值
PWM下降阈值
典型的三态关闭窗口
三态门下限阈值下降
三态下闸上升阈值
VCC = 12V
VCC = 12V
VCC = 12V
VCC = 12V
VCC = 12V
-
-
-
-
1.80
1.50
1.00
500
-450
3.00
2.00
-
-
-
-
2.40
A
A
V
V
V
V
V
0 ° C至85°C
-40 ° C至85°C
0 ° C至85°C
-40 ° C至85°C
6.75
5.75
5.20
4.20
5.44
6.92
7.10
7.10
5.60
5.60
V
V
V
V
5
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2005年7月25日
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