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ISL6612A , ISL6613A
数据表
2006年7月27日
FN9159.6
先进的同步整流降压
与预POR过压保护MOSFET驱动器
该ISL6612A和ISL6613A是高频MOSFET
司机专门设计用于驱动上下功率
N沟道MOSFET的同步整流降压
转换器拓扑结构。这些驱动程序再加上HIP63xx或
ISL65xx多相降压PWM控制器和N沟道
的MOSFET构成了完整的核心电压稳压器解决方案
先进的微处理器。
该ISL6612A驱动上部栅极至12V,而下
门可以独立驱动的范围内从5V到
12V 。该ISL6613A驱动上下两个门上
范围为5V至12V 。这种驱动电压提供
必要的灵活性,以优化涉及与贸易应用
栅极电荷和导通损耗之间的平衡。
一种先进的自适应零贯通保护
整合,以防止上部和下部的MOSFET
同时导通,并尽量减少死
时间。这些产品中添加了过电压保护功能
操作前, VCC超过其导通阈值,在
该相节点被连接到的低栅
侧MOSFET ( LGATE ) 。该转换器的输出电压
然后,通过低侧MOSFET的阈值的限制,
它提供了一些保护,微处理器,如果
上MOSFET ( S)初始启动过程中短路。
这些驱动程序还具有三态PWM输入其中,
与Intersil的多相PWM控制器一起工作,
防止了不利的瞬间对输出电压时的
输出被关闭。这个特性消除了肖特基
二极管,用于在一些系统中,用于保护负载
从相反的输出电压事件。
特点
引脚对引脚兼容HIP6601 SOIC家庭
双MOSFET驱动器的同步整流桥
先进的自适应零贯通保护
- 体二极管检测
- 自动调零为r
DS ( ON)
传导失调的影响
可调节栅极电压( 5V至12V ),以实现最佳效率
36V内部自举肖特基二极管
自举电容防过度充电
支持高开关频率(高达2MHz )
- 沉3A电流能力
- 快速的上升/下降时间和低传输延迟
三态PWM输入输出级关闭
三态PWM输入滞后的应用随着
电源排序要求
预POR过压保护
VCC欠压保护
可扩展底层的铜箔板以增强散热
下沉
双列扁平无引线( DFN )封装
- 近晶片级封装足迹;提高印刷电路板
效率和稀释剂的个人资料
无铅加退火有(符合RoHS )
应用
核心稳压器和英特尔微处理器AMD
高电流DC / DC转换器
高频和高效率VRM和VRD
相关文献
技术简介TB363 “准则处理和
处理湿度敏感表面贴装器件
( SMD的) “
技术简介TB417的动力传动系设计,布局
指引和反馈补偿设计
1
注意:这些器件对静电放电敏感;遵循正确的IC处理程序。
1-888- INTERSIL或1-888-468-3774
|
Intersil公司(和设计)是Intersil Americas Inc.公司的注册商标。
版权所有 Intersil公司美洲2005年, 2006年版权所有
提及的所有其他商标均为其各自所有者的财产。
ISL6612A , ISL6613A
订购信息
产品型号
ISL6612ACB
ISL6612ACB-T
ISL6612ACBZ (注)
ISL6612ACBZ -T (注)
ISL6612ACBZA (注)
ISL6612ACBZA -T (注)
ISL6612ACR
ISL6612ACR-T
ISL6612ACRZ (注)
ISL6612ACRZ -T (注)
ISL6612AECB
ISL6612AECB-T
ISL6612AECBZ (注)
ISL6612AECBZ -T (注)
ISL6612AEIB
ISL6612AEIB-T
ISL6612AEIBZ (注)
ISL6612AEIBZ -T (注)
ISL6612AIB
ISL6612AIB-T
ISL6612AIBZ (注)
ISL6612AIBZ -T (注)
ISL6612AIR
ISL6612AIR-T
ISL6612AIRZ (注)
ISL6612AIRZ -T (注)
ISL6613ACB
ISL6613ACB-T
ISL6613ACBZ (注)
ISL6613ACBZ -T (注)
ISL6613ACR
ISL6613ACR-T
ISL6613ACRZ (注)
ISL6613ACRZ -T (注)
ISL6613AECB
ISL6613AECB-T
ISL6613AECBZ (注)
ISL6613AECBZ -T (注)
ISL6613AEIB
ISL6613AEIB-T
最热
ISL6612ACB
ISL6612ACB
6612ACBZ
6612ACBZ
6612ACBZ
6612ACBZ
12AC
12AC
12AZ
12AZ
6612AECB
6612AECB
6612AECBZ
6612AECBZ
6612AEIB
6612AEIB
6612AEIBZ
6612AEIBZ
ISL6612AIB
ISL6612AIB
6612AIBZ
6612AIBZ
12AI
12AI
2AIZ
2AIZ
ISL6613ACB
ISL6613ACB
6613ACBZ
6613ACBZ
13AC
13AC
13AZ
13AZ
6613AECB
6613AECB
6613AECBZ
6613AECBZ
6613AEIB
6613AEIB
温度。
范围(° C)
0到85
8 Ld的SOIC卷带
0到85
8 Ld的SOIC (无铅)
8 Ld的SOIC
PKG 。
DWG 。 #
M8.15
M8.15
M8.15
M8.15
M8.15
M8.15
L10.3x3
L10.3x3
L10.3x3
L10.3x3
M8.15B
M8.15B
8 Ld的SOIC卷带式封装(无铅)
0到85
8 Ld的SOIC (无铅)
8 Ld的SOIC卷带式封装(无铅)
0到85
10 Ld的3×3 DFN
10 Ld的3×3 DFN磁带和卷轴
0到85
10 Ld的3×3 DFN (无铅)
10 Ld的3×3 DFN磁带和卷轴(无铅)
0到85
8 Ld的EPSOIC磁带和卷轴
0到85
8 Ld的EPSOIC (无铅)
8 Ld的EPSOIC
M8.15B
M8.15B
M8.15B
M8.15B
8 Ld的EPSOIC磁带和卷轴(无铅)
-40至+85
8 Ld的EPSOIC磁带和卷轴
-40至+85
8 Ld的EPSOIC (无铅)
8 Ld的EPSOIC
M8.15B
M8.15B
M8.15
M8.15
8 Ld的EPSOIC磁带和卷轴(无铅)
-40至+85
8 Ld的SOIC卷带
-40至+85
8 Ld的SOIC (无铅)
8 Ld的SOIC
M8.15
M8.15
L10.3x3
L10.3x3
L10.3x3
L10.3x3
M8.15
M8.15
8 Ld的SOIC卷带式封装(无铅)
-40至+85
10 Ld的3×3 DFN
10 Ld的3×3 DFN磁带和卷轴
-40至+85
10 Ld的3×3 DFN (无铅)
10 Ld的3×3 DFN磁带和卷轴(无铅)
0到85
8 Ld的SOIC卷带
0到85
8 Ld的SOIC (无铅)
8 Ld的SOIC
M8.15
M8.15
L10.3x3
L10.3x3
L10.3x3
L10.3x3
M8.15B
M8.15B
8 Ld的SOIC卷带式封装(无铅)
0到85
10 Ld的3×3 DFN
10 Ld的3×3 DFN磁带和卷轴
0到85
10 Ld的3×3 DFN (无铅)
10 Ld的3×3 DFN磁带和卷轴(无铅)
0到85
8 Ld的EPSOIC磁带和卷轴
0到85
8 Ld的EPSOIC (无铅)
8 Ld的EPSOIC
M8.15B
M8.15B
M8.15B
M8.15B
8 Ld的EPSOIC磁带和卷轴(无铅)
-40至+85
8 Ld的EPSOIC磁带和卷轴
8 Ld的EPSOIC
2
FN9159.6
2006年7月27日
ISL6612A , ISL6613A
订购信息
(续)
产品型号
ISL6613AEIBZ (注)
ISL6613AEIBZ -T (注)
ISL6613AIB
ISL6613AIB-T
ISL6613AIBZ (注)
ISL6613AIBZ -T (注)
ISL6613AIR
ISL6613AIR-T
ISL6613AIRZ (注)
ISL6613AIRZ -T (注)
最热
6613AEIBZ
6613AEIBZ
ISL6613AIB
ISL6613AIB
6613AIBZ
6613AIBZ
13AI
13AI
3AIZ
3AIZ
温度。
范围(° C)
-40至+85
8 Ld的EPSOIC (无铅)
PKG 。
DWG 。 #
M8.15B
M8.15B
M8.15
M8.15
8 Ld的EPSOIC磁带和卷轴(无铅)
-40至+85
8 Ld的SOIC卷带
-40至+85
8 Ld的SOIC (无铅)
8 Ld的SOIC
M8.15
M8.15
L10.3x3
L10.3x3
L10.3x3
L10.3x3
8 Ld的SOIC卷带式封装(无铅)
-40至+85
10 Ld的3×3 DFN
10 Ld的3×3 DFN磁带和卷轴
-40至+85
10 Ld的3×3 DFN (无铅)
10 Ld的3×3 DFN磁带和卷轴(无铅)
注: Intersil无铅加退火产品采用特殊的无铅材料制成,模塑料/晶片的附属材料和100 %雾锡板
终止完成,这是符合RoHS标准,既锡铅和无铅焊接操作兼容。 Intersil无铅产品MSL
分类,可达到或超过IPC / JEDEC J STD- 020对无铅要求的无铅峰值回流温度。
检查网站的可用性。
引脚配置
ISL6612ACB , ISL6612AIB , ISL6613ACB , ISL6613AIB ( SOIC )
ISL6612AECB , ISL6612AEIB , ISL6613AECB , ISL6613AEIB
( EPSOIC )
顶视图
UGATE
BOOT
PWM
GND
1
2
3
4
GND
8
7
6
5
PVCC
VCC
LGATE
ISL6612ACR , ISL6612AIR , ISL6613ACR , ISL6613AIR
( 10 LD的3x3 DFN )
顶视图
UGATE
BOOT
N / C
PWM
GND
1
2
3
4
5
GND
10相
9 PVCC
8
7
N / C
VCC
6 LGATE
框图
ISL6612A和ISL6613A
UVCC
VCC
+5V
10K
PWM
POR /
控制
8K
逻辑
PRE- POR过压保护
特点
BOOT
UGATE
( LVCC )
PVCC
UVCC = VCC时ISL6612A
UVCC = PVCC FOR ISL6613A
LGATE
拍摄开启
通过
保护
GND
PAD
FOR DFN和EPSOIC -设备,对底部的垫
该程序包必须焊接到电路的地。
3
FN9159.6
2006年7月27日
ISL6612A , ISL6613A
典型应用 - 3通道转换器使用ISL65xx和ISL6612A栅极驱动器
+ 5V至12V
+12V
VCC
PVCC
BOOT
UGATE
PWM
ISL6612A
LGATE
GND
+ 5V至12V
+12V
+5V
VCC
VFB
VSEN
PGOOD
VCC
COMP
PVCC
PWM1
PWM2
PWM3
LGATE
控制
ISL65xx
GND
PWM
ISL6612A
UGATE
BOOT
+V
CORE
VID
ISEN1
ISEN2
FS
ISEN3
GND
+ 5V至12V
+12V
VCC
PVCC
BOOT
UGATE
ISL6612A
PWM
LGATE
GND
4
FN9159.6
2006年7月27日
ISL6612A , ISL6613A
绝对最大额定值
电源电压( VCC) 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 15V
电源电压( PVCC ) 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 VCC + 0.3V
BOOT电压(V
BOOT- GND
) . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 36V
输入电压(V
PWM
) 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 .GND - 0.3V至7V
UGATE 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 V
- 0.3V
DC
到V
BOOT
+ 0.3V
V
- 3.5V ( <100ns脉宽, 2μJ )到V
BOOT
+ 0.3V
LGATE 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 GND - 0.3V
DC
到V
PVCC
+ 0.3V
GND - 5V ( <100ns脉宽, 2μJ )到V
PVCC
+ 0.3V
相。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 GND - 0.3V
DC
至15V
DC
GND - 8V ( <400ns , 20μJ )至30V ( <200ns ,V
BOOT- GND
<36V)
ESD额定值
人体模型。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。我的.class JEDEC STD
热信息
热阻
θ
JA
( ° C / W)
θ
JC
( ° C / W)
SOIC封装(注1 ) 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。
100
不适用
EPSOIC套餐(注2,注3 ) 。 。 。 。 。 。
50
7
DFN封装(注2,注3 ) 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。
48
7
最高结温(塑料封装) 。 。 。 。 。 。 。 。 150℃
最大存储温度范围。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 -65 ℃150 ℃的
最大的铅温度(焊接10秒) 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 300℃
( SOIC - 只会提示)
推荐工作条件
环境温度范围。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 -40 ° C至85°C
最大工作结温。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 125°C
电源电压VCC 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 12V
±10%
电源电压范围, PVCC 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。为4.5V至12V
±10%
注意:如果运行条件超过上述“绝对最大额定值” ,可能对器件造成永久性损坏。这是一个应力只评级和操作
器件在这些或以上的本规范的业务部门所标明的任何其他条件不暗示。
注意事项:
1.
θ
JA
测定用安装在一个高的有效热导率测试板在自由空气中的分量。
2.
θ
JA
测量在自由空气与装在一个高有效热导率测试板用“直接连接”的功能的组件。见技术
简介TB379 。
3.
θ
JC
的“外壳温度”的位置是在封装底部的裸露金属焊盘的中心。
电气规格
参数
VCC电源电流
偏置电源电流
推荐工作条件,除非另有说明。
符号
测试条件
典型值
最大
单位
I
VCC
ISL6612A ,女
PWM
= 300kHz的,V
VCC
=12V
ISL6613A ,女
PWM
= 300kHz的,V
VCC
=12V
-
-
-
-
-
-
-
-
7.2
4.5
11
5
2.5
5.2
7
13
-
-
-
-
-
-
-
-
mA
mA
mA
mA
mA
mA
mA
mA
I
VCC
ISL6612A ,女
PWM
= 1MHz时, V
VCC
= 12V
ISL6613A ,女
PWM
= 1MHz时, V
VCC
= 12V
门驱动偏置电流
I
PVCC
ISL6612A ,女
PWM
= 300kHz的,V
PVCC
= 12V
ISL6613A ,女
PWM
= 300kHz的,V
PVCC
= 12V
I
PVCC
ISL6612A ,女
PWM
= 1MHz时, V
PVCC
= 12V
ISL6613A ,女
PWM
= 1MHz时, V
PVCC
= 12V
上电复位和启用
VCC上升阈值
VCC上升阈值
VCC下降阈值
VCC下降阈值
PWM输入(参见第7页时序图)
输入电流
I
PWM
V
PWM
= 5V
V
PWM
= 0V
PWM上升阈值
PWM下降阈值
典型的三态关闭窗口
三态门下限阈值下降
三态下闸上升阈值
VCC = 12V
VCC = 12V
VCC = 12V
VCC = 12V
VCC = 12V
-
-
-
-
1.80
-
-
450
-400
3.00
2.00
-
1.50
1.00
-
-
-
-
2.40
-
-
A
A
V
V
V
V
V
T
A
= 0 ° C至85°C
T
A
= -40 ° C至85°C
T
A
= 0 ° C至85°C
T
A
= -40 ° C至85°C
9.35
8.35
7.35
6.35
9.80
9.80
7.60
7.60
10.00
10.00
8.00
8.00
V
V
V
V
5
FN9159.6
2006年7月27日
ISL6612A , ISL6613A
数据表
2005年7月25日
FN9159.4
先进的同步整流降压
与预POR过压保护MOSFET驱动器
该ISL6612A和ISL6613A是高频MOSFET
司机专门设计用于驱动上下功率
N沟道MOSFET的同步整流降压
转换器拓扑结构。这些驱动程序再加上HIP63xx或
ISL65xx多相降压PWM控制器和N沟道
的MOSFET构成了完整的核心电压稳压器解决方案
先进的微处理器。
该ISL6612A驱动上部栅极至12V,而下
门可以独立驱动的范围内从5V到
12V 。该ISL6613A驱动上下两个门上
范围为5V至12V 。这种驱动电压提供
必要的灵活性,以优化涉及与贸易应用
栅极电荷和导通损耗之间的平衡。
一种先进的自适应零贯通保护
整合,以防止上部和下部的MOSFET
同时导通,并尽量减少死
时间。这些产品中添加了过电压保护功能
操作前, VCC超过其导通阈值,在
该相节点被连接到的低栅
侧MOSFET ( LGATE ) 。该转换器的输出电压
然后,通过低侧MOSFET的阈值的限制,
它提供了一些保护,微处理器,如果
上MOSFET ( S)初始启动过程中短路。
这些驱动程序还具有三态PWM输入其中,
与Intersil的多相PWM控制器一起工作,
防止了不利的瞬间对输出电压时的
输出被关闭。这个特性消除了肖特基
二极管,用于在一些系统中,用于保护负载
从相反的输出电压事件。
特点
引脚对引脚兼容HIP6601 SOIC家庭
双MOSFET驱动器的同步整流桥
先进的自适应零贯通保护
- 体二极管检测
- 自动调零为r
DS ( ON)
传导失调的影响
可调节栅极电压( 5V至12V ),以实现最佳效率
36V内部自举肖特基二极管
自举电容防过度充电
支持高开关频率(高达2MHz )
- 沉3A电流能力
- 快速的上升/下降时间和低传输延迟
三态PWM输入输出级关闭
三态PWM输入滞后的应用随着
电源排序要求
预POR过压保护
VCC欠压保护
可扩展底层的铜箔板以增强散热
下沉
双列扁平无引线( DFN )封装
- 近晶片级封装足迹;提高印刷电路板
效率和稀释剂的个人资料
无铅加退火有(符合RoHS )
应用
核心稳压器和英特尔微处理器AMD
高电流DC -DC转换器
高频和高效率VRM和VRD
相关文献
技术简介TB363 “准则处理和
处理湿度敏感表面贴装器件
( SMD的) “
技术简介TB400和TB417的动力传动系
设计,布局指南,回馈补偿
设计
1
注意:这些器件对静电放电敏感;遵循正确的IC处理程序。
1-888- INTERSIL或1-888-468-3774
|
Intersil公司(和设计)是Intersil Americas Inc.公司的注册商标。
版权所有 Intersil公司美洲2005.版权所有
提及的所有其他商标均为其各自所有者的财产。
ISL6612A , ISL6613A
订购信息
温度。
零件号**范围( ℃)
ISL6612ACB
ISL6612ACB-T
ISL6612ACBZ*
ISL6612ACBZ-T*
ISL6612ACBZA*
0到85
8 Ld的SOIC
PKG 。
DWG 。 #
M8.15
M8.15
M8.15
M8.15
M8.15
M8.15
L10.3x3
L10.3x3
L10.3x3
订购信息
(续)
温度。
零件号**范围( ℃)
ISL6613ACBZ*
ISL6613ACBZ-T*
ISL6613AECB
ISL6613AECB-T
ISL6613AECBZ*
0到85
8 Ld的SOIC (无铅)
PKG 。
DWG 。 #
M8.15
M8.15
M8.15B
M8.15B
M8.15B
8 Ld的SOIC卷带
0到85
8 Ld的SOIC (无铅)
8 Ld的SOIC卷带式封装(无铅)
0到85
8 Ld的EPSOIC
8 Ld的SOIC卷带式封装(无铅)
0到85
8 Ld的SOIC (无铅)
8 Ld的EPSOIC磁带和卷轴
0到85
8 Ld的EPSOIC (无铅)
ISL6612ACBZA - T * 8 Ld的SOIC卷带式封装(无铅)
ISL6612ACR
ISL6612ACR-T
ISL6612ACRZ*
0到85
10 Ld的3×3 DFN
ISL6613AECBZ - T * 8 Ld的EPSOIC磁带和卷轴(无铅)
M8.15B
ISL6613AEIB
ISL6613AEIB-T
ISL6613AEIBZ*
-40到+85 8 Ld的EPSOIC
8 Ld的EPSOIC磁带和卷轴
-40到+85 8 Ld的EPSOIC (无铅)
M8.15B
M8.15B
M8.15B
10 Ld的3×3 DFN磁带和卷轴
0到85
10 Ld的3×3 DFN (无铅)
ISL6612ACRZ -T * 10 Ld的3×3 DFN磁带和卷轴(无铅)
L10.3x3
ISL6612AECB
ISL6612AECB-T
ISL6612AECBZ*
0到85
8 Ld的EPSOIC
M8.15B
M8.15B
M8.15B
ISL6613AEIBZ - T * 8 Ld的EPSOIC磁带和卷轴(无铅)
M8.15B
ISL6613ACR
ISL6613ACR-T
ISL6613ACRZ*
ISL6613ACRZ-T*
ISL6613AIB
ISL6613AIB-T
ISL6613AIBZ*
ISL6613AIBZ*-T
ISL6613AIR
ISL6613AIR-T
ISL6613AIRZ*
ISL6613AIRZ-T*
0到85
10 Ld的3×3 DFN
L10.3x3
L10.3x3
L10.3x3
8 Ld的EPSOIC磁带和卷轴
0到85
8 Ld的EPSOIC (无铅)
10 Ld的3×3 DFN磁带和卷轴
0到85
10 Ld的3×3 DFN (无铅)
ISL6612AECBZ - T * 8 Ld的EPSOIC磁带和卷轴(无铅)
M8.15B
ISL6612AEIB
ISL6612AEIB-T
ISL6612AEIBZ*
-40到+85 8 Ld的EPSOIC
8 Ld的EPSOIC磁带和卷轴
-40到+85 8 Ld的EPSOIC (无铅)
M8.15B
M8.15B
M8.15B
10 Ld的3×3 DFN磁带和卷轴(无铅)
L10.3x3
-40到+85 8 Ld的SOIC
8 Ld的SOIC卷带
-40到+85 8 Ld的SOIC (无铅)
8 Ld的SOIC卷带式封装(无铅)
-40到+85 10 Ld的3×3 DFN
10 Ld的3×3 DFN磁带和卷轴
-40到+85 10 Ld的3×3 DFN (无铅)
M8.15
M8.15
M8.15
M8.15
L10.3x3
L10.3x3
L10.3x3
ISL6612AEIBZ - T * 8 Ld的EPSOIC磁带和卷轴(无铅)
M8.15B
ISL6612AIB
ISL6612AIB-T
ISL6612AIBZ*
ISL6612AIBZ*-T
ISL6612AIR
ISL6612AIR-T
ISL6612AIRZ*
ISL6612AIRZ-T*
ISL6613ACB
ISL6613ACB-T
-40到+85 8 Ld的SOIC
8 Ld的SOIC卷带
-40到+85 8 Ld的SOIC (无铅)
8 Ld的SOIC卷带式封装(无铅)
-40到+85 10 Ld的3×3 DFN
10 Ld的3×3 DFN磁带和卷轴
-40到+85 10 Ld的3×3 DFN (无铅)
M8.15
M8.15
M8.15
M8.15
L10.3x3
L10.3x3
L10.3x3
10 Ld的3×3 DFN磁带和卷轴(无铅)
L10.3x3
10 Ld的3×3 DFN磁带和卷轴(无铅)
L10.3x3
0到85
8 Ld的SOIC
M8.15
M8.15
* Intersil无铅加退火产品采用特殊的无铅材料
套;模塑料/晶片的附属材料和100 %雾锡
板终止完成,这是符合RoHS标准,兼容
既锡铅和无铅焊接操作。 Intersil无铅
产品分类MSL在无铅峰值回流温度下
达到或超过IPC / JEDEC J STD- 020对无铅要求。
检查网站的可用性。
8 Ld的SOIC卷带
引脚配置
ISL6612ACB , ISL6612AIB , ISL6613ACB , ISL6613AIB ( SOIC )
ISL6612AECB , ISL6612AEIB , ISL6613AECB , ISL6613AEIB
( EPSOIC )
顶视图
UGATE
BOOT
PWM
GND
1
2
3
4
GND
8
7
6
5
PVCC
VCC
LGATE
ISL6612ACR , ISL6612AIR , ISL6613ACR , ISL6613AIR
( 10L 3X3 DFN )
顶视图
UGATE
BOOT
N / C
PWM
GND
1
2
3
4
5
GND
10相
9 PVCC
8
7
N / C
VCC
6 LGATE
2
FN9159.4
2005年7月25日
ISL6612A , ISL6613A
框图
UVCC
VCC
+5V
10K
PWM
POR /
控制
8K
逻辑
LGATE
OTP和
PRE- POR过压保护
特点
ISL6612A和ISL6613A
BOOT
UGATE
( LVCC )
PVCC
拍摄开启
通过
保护
UVCC = VCC时ISL6612A
UVCC = PVCC FOR ISL6613A
GND
PAD
FOR DFN和EPSOIC -设备,对底部的垫
该程序包必须焊接到电路的地。
3
FN9159.4
2005年7月25日
ISL6612A , ISL6613A
典型应用 - 3通道转换器使用ISL65xx和ISL6612A栅极驱动器
+ 5V至12V
+12V
VCC
PVCC
PWM
BOOT
UGATE
ISL6612A
LGATE
GND
+ 5V至12V
+12V
+5V
VCC
VFB
VSEN
PGOOD
VCC
COMP
PVCC
PWM1
PWM2
PWM3
LGATE
控制
ISL65xx
GND
PWM
ISL6612A
BOOT
UGATE
+V
CORE
VID
ISEN1
ISEN2
FS
ISEN3
GND
+ 5V至12V
+12V
VCC
PVCC
PWM
BOOT
UGATE
ISL6612A
LGATE
GND
4
FN9159.4
2005年7月25日
ISL6612A , ISL6613A
绝对最大额定值
电源电压( VCC) 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 15V
电源电压( PVCC ) 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 VCC + 0.3V
BOOT电压(V
BOOT- GND
) . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 36V
输入电压(V
PWM
) 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 .GND - 0.3V至7V
UGATE 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 V
- 0.3V
DC
到V
BOOT
+ 0.3V
V
- 3.5V ( <100ns脉宽, 2μJ )到V
BOOT
+ 0.3V
LGATE 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 GND - 0.3V
DC
到V
PVCC
+ 0.3V
GND - 5V ( <100ns脉宽, 2μJ )到V
PVCC
+ 0.3V
相。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 GND - 0.3V
DC
至15V
DC
GND - 8V ( <400ns , 20μJ )至30V ( <200ns ,V
BOOT- GND
<36V)
ESD额定值
人体模型。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。我的.class JEDEC STD
热信息
热阻
θ
JA
( ° C / W)
θ
JC
( ° C / W)
SOIC封装(注1 ) 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。
100
不适用
EPSOIC套餐(注2,注3 ) 。 。 。 。 。 。
50
7
DFN封装(注2,注3 ) 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。
48
7
最高结温(塑料封装) 。 。 。 。 。 。 。 。 150℃
最大存储温度范围。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 -65 ℃150 ℃的
最大的铅温度(焊接10秒) 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 300℃
( SOIC - 只会提示)
推荐工作条件
环境温度范围。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 -40 ° C至85°C
最大工作结温。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 125°C
电源电压VCC 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 12V
±10%
电源电压范围, PVCC 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。为4.5V至12V
±10%
注意:如果运行条件超过上述“绝对最大额定值” ,可能对器件造成永久性损坏。这是一个应力只评级和操作
器件在这些或以上的本规范的业务部门所标明的任何其他条件不暗示。
注意事项:
1.
θ
JA
测定用安装在一个高的有效热导率测试板在自由空气中的分量。
2.
θ
JA
测量在自由空气与装在一个高有效热导率测试板用“直接连接”的功能的组件。见技术
简介TB379 。
3.
θ
JC
的“外壳温度”的位置是在封装底部的裸露金属焊盘的中心。
电气规格
参数
VCC电源电流
偏置电源电流
推荐工作条件,除非另有说明。
符号
测试条件
典型值
最大
单位
I
VCC
I
VCC
ISL6612A ,女
PWM
= 300kHz的,V
VCC
=12V
ISL6613A ,女
PWM
= 300kHz的,V
VCC
=12V
ISL6612A ,女
PWM
= 1MHz时, V
VCC
= 12V
ISL6613A ,女
PWM
= 1MHz时, V
VCC
= 12V
ISL6612A ,女
PWM
= 300kHz的,V
PVCC
= 12V
ISL6613A ,女
PWM
= 300kHz的,V
PVCC
= 12V
ISL6612A ,女
PWM
= 1MHz时, V
PVCC
= 12V
ISL6613A ,女
PWM
= 1MHz时, V
PVCC
= 12V
-
-
-
-
-
-
-
-
7.2
4.5
11
5
2.5
5.2
7
13
-
-
-
-
-
-
-
-
mA
mA
mA
mA
mA
mA
mA
mA
门驱动偏置电流
I
PVCC
I
PVCC
上电复位和启用
VCC上升阈值
VCC上升阈值
VCC下降阈值
VCC下降阈值
PWM输入(参见第7页时序图)
输入电流
I
PWM
V
PWM
= 5V
V
PWM
= 0V
PWM上升阈值
PWM下降阈值
典型的三态关闭窗口
三态门下限阈值下降
三态下闸上升阈值
VCC = 12V
VCC = 12V
VCC = 12V
VCC = 12V
VCC = 12V
-
-
-
-
1.80
-
-
450
-400
3.00
2.00
-
1.50
1.00
-
-
-
-
2.40
-
-
A
A
V
V
V
V
V
T
A
= 0 ° C至85°C
T
A
= -40 ° C至85°C
T
A
= 0 ° C至85°C
T
A
= -40 ° C至85°C
9.35
8.35
7.35
6.35
9.80
9.80
7.60
7.60
10.00
10.00
8.00
8.00
V
V
V
V
5
FN9159.4
2005年7月25日
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