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ISL6596
数据表
2005年11月2日
FN9240.0
同步整流MOSFET驱动器
该ISL6596是高频MOSFET驱动器优化
驱动两个N沟道功率MOSFET的同步
降压转换器拓扑结构。此驱动程序结合Intersil的
多相降压PWM控制器,形成一个完整的单
以高效率阶段核心电压稳压器
表现在高开关频率为先进
微处理器。
该IC是由一个单一的低电源电压(5V)施力,
高MOSFET栅极驱动器最大限度地降低开关损耗
电容和高开关频率的应用。
每个驱动器能够驱动一个3nF的负载小于
10ns的上升/下降时间。上部栅极驱动器的自举是
通过内部的低正向压降的二极管来实现,
降低实施成本,复杂性,并且使
使用更高的性能,成本效益的N通道
的MOSFET。自适应贯通保护集成
以防止这两个MOSFET同时导通。
该ISL6596拥有4A典型的灌电流低
栅极驱动器,增强了下MOSFET的栅极压紧
在第一阶段的节点能力的上升沿,防止权力
所造成的损失自导通的下MOSFET的因
交换节点的高dV / dt 。
该ISL6596还具有输入识别一个高
阻抗状态,与Intersil的多相一起工作
3.3V或5V PWM控制器,以防止负瞬变
在受控的输出电压时操作
暂停。这个特性消除了对肖特基
二极管可以在一个电力系统被用于保护
负载从负输出电压的损害。
特点
驱动两个N沟道MOSFET
自适应贯通保护
0.4Ω的导通电阻和4A灌电流能力
支持高开关频率
- 快速输出上升和下降时间
- 低三州拖延时间(为20ns )
支持3.3V和5V PWM输入
= LOW
电源电流
上电复位
可扩展的底部铜焊盘的热扩散
双列扁平无引线( DFN )封装
- 符合JEDEC PUB95 MO- 220 QFN-四方扁平
没有信息,产品外形
- 近晶片级封装足迹;提高印刷电路板
效率和稀释剂的个人资料
无铅加退火有(符合RoHS )
订购信息
部分
ISL6596CBZ
(注)
部分
记号
6596CBZ
温度
范围
(°C)
0到70
8 Ld的SOIC
PKG 。
DWG 。 #
M8.15
ISL6596CBZ -T 6596CBZ
(注)
ISL6596CRZ
(注)
596Z
8 Ld的SOIC卷带
0到70
10 Ld的3×3 DFN
L10.3x3
应用
核心电压供应为英特尔和AMD?
微处理器
高频薄型高效率DC / DC
转换器
大电流低电压DC / DC转换器
同步整流用于隔离型电源
ISL6596CRZ -T 596Z
(注)
ISL6596IBZ
(注)
ISL6596IBZ-T
(注)
ISL6596IRZ
(注)
ISL6596IRZ-T
(注)
96IZ
96IZ
10 Ld的DFN磁带和卷轴
-40到85
8 Ld的SOIC
8 Ld的SOIC卷带
-40到85
10 Ld的3×3 DFN
L10.3x3
10 Ld的DFN磁带和卷轴
M8.15
相关文献
技术简报TB389 “ PCB焊盘图案设计
表面贴装准则QFN ( MLFP )包“
技术简介TB363 “准则处理和
处理湿度敏感表面贴装器件
( SMD的) “
注: Intersil无铅加退火产品采用特殊的无铅
材料套;模塑料/晶片的附属材料和100 %
雾锡板终止完成,这是符合RoHS标准,
既锡铅和无铅焊接操作兼容。 Intersil公司
无铅产品分类MSL在无铅峰值回流
气温达到或超过的无铅要求
IPC / JEDEC J STD- 020 。
1
注意:这些器件对静电放电敏感;遵循正确的IC处理程序。
1-888- INTERSIL或1-888-468-3774 Intersil公司(设计)是Intersil美洲公司的注册商标。
版权所有 Intersil公司美洲2005.版权所有
英特尔是英特尔公司的注册商标。
AMD是Advanced Micro Devices ,Inc.的注册商标。
ISL6596
引脚
ISL6596 ( SOIC )
顶视图
UGATE
BOOT
PWM
GND
1
2
3
4
8
7
6
5
VCTRL
VCC
LGATE
1
2
3
4
5
ISL6596 ( DFN )
顶视图
10
9
8
7
6
UGATE
BOOT
N / C
PWM
GND
VCTRL
N / C
VCC
LGATE
框图
ISL6596
VCC
VCTRL
BOOT
UGATE
拍摄开启
通过
保护
控制
逻辑
7k
VCC
LGATE
GND
7k
PWM
VCTRL = VCC控制器
2
FN9240.0
2005年11月2日
ISL6596
典型应用 - 多相位转换器使用ISL6596栅驱动器
V
IN
+5V
+3.3V
+3.3V
VCC
VCTRL
PWM1
PWM2
PWM
调节器
(ISL69XX)
VID
(可选)
ISEN1
ISEN2
+5V
V
IN
+V
CORE
PWM
ISL6596
LGATE
BOOT
UGATE
R
UGPH
FB
VCC
VSEN
COMP
PGOOD
FS / EN
GND
VCC
VCTRL
PWM
ISL6596
BOOT
UGATE
R
UGPH
LGATE
R
UGPH
对于一些特殊的电源排序应用
(参见应用信息部分第8页)
3
FN9240.0
2005年11月2日
ISL6596
绝对最大额定值
电源电压( VCC , VCTRL ) 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 -0.3V至7V
输入电压(V
EN
, V
PWM
) 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 -0.3V到VCC + 0.3V
BOOT电压(V
BOOT- GND
) 。 。 。 -0.3V至25V ( DC )或36V ( <200ns )
引导到相电压(V
BOOT -PHASE
) 。 。 。 。 。 。 -0.3V至7V ( DC )
。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 -0.3V至9V ( <10ns )
相电压。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 GND - 0.3V至15V ( DC )
。 。 。 。 。 。 。 。 。 GND -8V ( <20ns脉冲宽度, 10μJ )至30V ( <100ns )
UGATE电压。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 V
- 0.3V ( DC )到V
BOOT
. . . . . . . . . . . V
- 5V ( <20ns脉宽, 10μJ )到V
BOOT
LGATE电压。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 GND - 0.3V ( DC )到VCC + 0.3V
。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 GND - 2.5V ( <20ns脉宽, 5μJ )至VCC + 0.3V
环境温度范围。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 - 40 ° C至125°C
HBM ESD额定值。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 .2kV
热信息
热阻(注1 , 2 , 3 & )
θ
JA
( ° C / W)
θ
JC
( ° C / W)
SOIC封装(注1 ) 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 110
不适用
DFN封装(注2 & 3 ) 。 。 。 。 。 。 。 。 。 48
7
最高结温。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 150℃
最大存储温度范围。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 -65 ℃150 ℃的
最大的铅温度(焊接10秒) 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 300℃
( SOIC - 只会提示)
推荐工作条件
环境温度范围。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 -40 ℃至100 ℃的
最大工作结温。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 125°C
电源电压VCC 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 5V
±10%
注意:如果运行条件超过上述“绝对最大额定值” ,可能对器件造成永久性损坏。这是一个应力只评级和操作
器件在这些或以上的本规范的业务部门所标明的任何其他条件不暗示。
注意事项:
1.
θ
JA
测定用安装在一个高的有效热导率测试板在自由空气中的分量。参见技术简介TB379了解详细信息。
2.
θ
JA
测量在自由空气与装在一个高有效热导率测试板用“直接连接”的功能的组件。
3.
θ
JC
, "case temperature"位置是在封装底部的裸露焊盘的中心。参见技术简介TB379了解详细信息。
电气规格
参数
VCC电源电流
偏置电源电流
POR上升
POR下降
迟滞
VCTRL输入
阈值上升
下降阈值
PWM输入
下沉阻抗
源阻抗
三州LowerThreshold
三态阈值上限
三州关机释抑时间
这些规范适用于
推荐的工作条件,
除非另有说明。
符号
I
VCC
测试条件
PWM引脚悬空,V
VCC
= 5V
-
-
2.2
-
-
2.4
R
PWM_SNK
R
PWM_SRC
V
VCTRL
= 3.3V ( -110mV滞后)
V
VCTRL
= 5V ( -250mV滞后)
V
VCTRL
= 3.3V ( +仅为110mV迟滞)
V
VCTRL
= 5V ( + 250mV的滞后性)
t
tSSHD
t
RU
t
RL
t
FU
t
FL
t
PDLU
t
PDLL
t
PDHU
t
PDHL
t
PT的
R
UG_SRC
R
UG_SNK
R
LG_SRC
R
LG_SNK
t
PDLU
或T
PDLL
+门下降时间
V
VCC
= 5V , 3nF的负载
V
VCC
= 5V , 3nF的负载
V
VCC
= 5V , 3nF的负载
V
VCC
= 5V , 3nF的负载
V
VCC
= 5V ,输出空载
V
VCC
= 5V ,输出空载
V
VCC
= 5V ,输出空载
V
VCC
= 5V ,输出空载
V
VCC
= 5V ,输出空载
250毫安源电流
250毫安灌电流
250毫安源电流
250毫安灌电流
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
典型值
190
3.4
3.0
400
2.75
2.65
3.5
3.5
1.1
1.5
1.9
3.25
20
8.0
8.0
8.0
4.0
20
15
19
18
30
1.0
1.0
1.0
0.4
最大
-
4.2
-
-
2.90
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
2.5
2.5
2.5
1.0
mV
V
V
k
k
V
V
V
V
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
单位
A
开关时间
(参见图1第5页)
UGATE上升时间(注4 )
LGATE上升时间(注4 )
UGATE下降时间(注4 )
LGATE下降时间(注4 )
UGATE关断传播延迟
LGATE关断传播延迟
UGATE导通传播延迟
LGATE导通传播延迟
三态,以UG / LG瑞星传输延迟
产量
(注4 )
上驱动源电阻
上驱动吸收电阻
降低驱动源电阻
降低驱动吸收电阻
注意:
4.通过特性保证。不是100 %生产测试。
4
FN9240.0
2005年11月2日
ISL6596
功能引脚说明
注:引脚数是指该SOIC封装。入住
图中相应的引脚DFN封装。
LGATE (引脚5 )
更低的栅极驱动器输出。连接到低压侧的栅极
N沟道功率MOSFET 。栅极电阻是永远
推荐该引脚上,因为它与操作干扰
击穿保护电路。
UGATE (引脚1 )
上栅极驱动输出。连接到高侧的门
N沟道功率MOSFET 。栅极电阻是永远
推荐该引脚上,因为它与操作干扰
击穿保护电路。
VCC (引脚6 )
该引脚连接到+ 5V偏置电源。与本地绕过
高品质的陶瓷电容器接地。
BOOT (引脚2 )
浮动自举电源引脚上的栅极驱动器。
连接该引脚和之间的自举电容
PHASE引脚。自举电容提供充电
用于打开上部MOSFET 。见
引导
注意事项
在选择用于引导部分
适当的电容值。
VCTRL (引脚7 )
该引脚设置PWM的逻辑阈值。将此引脚连接到
3.3V电源为3.3V PWM输入
并拉至5V源
5V PWM输入。
PHASE (引脚8 )
该引脚连接到上层MOSFET的源极。这
引脚提供用于上部的栅极驱动器的电流的返回路径。
PWM (引脚3 )
PWM信号是控制输入的驱动程序。该PWM
信号可以在操作过程中输入三个不同的国家,看到了
三态PWM输入
部分作进一步的详细信息。连接该引脚
到控制器的PWM输出。
散热焊盘(在DFN只)
IC的中心下方的金属垫是热
基材。 PCB的“热地”设计,这种暴露
模具垫应包括过孔掉落下来,连接到
一个或多个埋铜平面( S) 。这种组合
过孔的垂直散热逃生和掩埋面热
扩展允许DFN充分发挥其热
势。此焊盘应既接地或浮,
和它不应该被连接到其他节点。请参阅
TB389的设计指南。
GND (引脚4 )
接地引脚。所有的信号都参考这个节点。
时序图
VCC的50%的
PWM
t
PDHU
t
PDLU
t
RU
t
PT的
1V
UGATE
LGATE
1V
t
RL
t
tSSHD
t
PDLL
t
PDHL
t
FL
t
RU
t
tSSHD
t
FU
t
PT的
图1.时序图
5
FN9240.0
2005年11月2日
ISL6336 , ISL6336A
数据表
2008年3月3日
FN6504.0
6相PWM控制器,带有轻载
提高效率和电流
监测
该ISL6336 , ISL6336A控制微处理器核心电压
通过调节驱动多达6交错同步整流
降压通道并行。多相降压转换器
建筑采用交错的时间乘以通道纹波
次数减少的输入和输出的纹波电流。低
纹波产生更少的元件,降低了元件成本,
降低功耗,实现更小的面积。
微处理器的负载会产生负载瞬变
极快的边沿速率,并且需要高效率
全负载范围内。该ISL6336 , ISL6336A采用Intersil的
专有的主动脉冲定位( APP )和自适应
相位校准( APA)的调制方式和
专有的活跃期滴/添加和二极管
仿真方案,以实现极快的瞬态
响应用更少的输出电容和高效率
在轻载到满载。
该ISL6336 , ISL6336A是符合英特尔VR11.1
规范。其特点包括引脚( IMON )用于电流
监测和电源状态指示器( PSI # )输入引脚
启动一个专有的阶段下探和二极管仿真
由下降到1或计划,以在轻负载时的效率更高
可选的二极管仿真两相工作( ISL6336 )
以减少在变换器的开关损耗和铁心损耗。后
将PSI #信号被解除断言,被丢弃的相( S)的
加回以维持重负载瞬态和效率。
今天的微处理器需要一个严格监管的输出
电压位置与负载电流(下垂) 。该ISL6336 ,
ISL6336A检测输出电流连续通过利用
专利技术测量跨越的电压
专用的电流检测电阻器或输出的DCR
电感器。电流检测提供了所需要的信号
精密下垂,通道电流平衡和过流保护
保护。可编程集成温度
补偿功能被实现,以有效地
补偿的电流检测的温度变化
元素。电流限制功能提供过流
保护个人阶段。
一个单位增益差分放大器提供了远端电压
检测并消除之间的任何电势差
远程和本地的理由。这提高了监管和
保护精度。阈值敏感的使能输入是
可用来精确坐标ISL6336的开始时,
ISL6336A与任何其它电压轨。动态VID
技术允许无缝上的即时VID变化。偏移
引脚可以精确的电压偏置设置独立
的VID设置。
1
特点
英特尔VR11.1兼容
专有的主动脉冲定位和自适应脚
相位校准调制方案
专有有源相添加和删除二极管
仿真实现高效率在轻载
精确多相内核稳压
- 差分远端电压传感
- ± 0.5%的系统精度在生活中,负载,线路和
温度
- 双向可调基准电压偏移
精密电阻或DCR电流检测
- 精确的负载线规划
- 精确的通道电流平衡
- 精确的电流监测输出引脚( IMON )
微处理器电压识别输入
- 动态VID 技术
- 8位VID输入用VR11码
温度监控和保护OV与OVP输出
平均过流保护和通道电流限制
精确的过流保护在IMON引脚
集成的开放感线路保护
集成的可编程温度补偿
1到6相工作;耦合电感器兼容
可调开关频率高达1MHz的相
封装选项
- QFN封装符合JEDEC PUB95 MO- 220 QFN - 四
扁平无引脚 - 产品概述
无铅(符合RoHS )
注意事项:
这些器件对静电放电敏感;遵循正确的IC处理程序。
1-888- INTERSIL或1-888-468-3774
|
Intersil公司(和设计)是Intersil Americas Inc.公司的注册商标。
版权所有Intersil公司美洲2008.保留所有权利
提及的所有其他商标均为其各自所有者的财产。
ISL6336 , ISL6336A
订购信息
部分
ISL6336CRZ*
ISL6336IRZ*
ISL6336ACRZ*
ISL6336AIRZ *
部分
记号
ISL6336 CRZ
ISL6336 IRZ
ISL6336A CRZ
ISL6336A IRZ
TEMP 。 RANGE
(°C)
0至+70
-40至+85
0至+ 70
-40至+85
(无铅)
48 Ld的为7x7 QFN
48 Ld的为7x7 QFN
48 Ld的为7x7 QFN
48 Ld的为7x7 QFN
PKG 。
DWG 。 #
L48.7x7
L48.7x7
L48.7x7
L48.7x7
*添加“ -T”的磁带和卷轴。请参阅TB347对卷筒规格的详细信息。
注意:这些Intersil无铅产品采用塑料包装特殊的无铅材料制成,模塑料/晶片的附属材料和100 %
雾锡板加退火 - E3终止完成,这是符合RoHS标准,既锡铅和无铅焊接操作兼容。
Intersil无铅产品分类MSL在达到或超过IPC / JEDEC J无铅要求的无铅峰值回流温度
STD-020.
引脚
ISL6336 , ISL6336A
( 48 LD QFN )
顶视图
EN_PWR
VR_RDY
VR_HOT
VR_FAN
EN_VTT
ISEN6+
ISEN6-
38
TM
SS
48
VID7
VID6
VID5
VID4
VID3
VID2
VID1
VID0
PSI #
1
2
3
4
5
6
47
46
45
44
43
42
FS
41
40
39
37
36 PWM3
35 ISEN3-
34 ISEN3 +
33 ISEN1 +
32 ISEN1-
31 PWM1
GND
7
8
9
30 PWM4
29 ISEN4-
28 ISEN4 +
27 ISEN2 +
26 ISEN2-
25 PWM2
13
REF
14
APA
15
COMP
16
FB
17
VDIFF
18
RGND
19
VSEN
20
TCOMP
21
VCC
22
ISEN5+
23
ISEN5-
24
PWM5
OFS 10
IMON 11
DAC 12
2
PWM6
OVP
FN6504.0
2008年3月3日
ISL6336 , ISL6336A
控制器和驱动器推荐
调节器
ISL6336
ISL6336A
评论
当PSI #有效(低电平)时,控制器产生对活跃在PSI #模式相三电平PWM模式。该
在PSI #模式下工作相必须使用VR11.1司机, ISL6622 , ISL6620为二极管仿真。
当PSI #有效(低电平)时,PWM模式只有高电平和低电平状态,除了故障模式。可以使用控制器
任何Intersil的驱动程序,如ISL6612 , ISL6614 , ISL6609 , ISL6610 。 ISL6622 , ISL6620也可以使用。
栅极驱动器
电压
12V
#门
驱动器
双输出
(单相)
双输出
(单相)
双输出
(单相)
双输出
(单相)
四路输出
(二阶段)
四路输出
(二阶段)
二极管
仿真
( DE )
是的
栅极驱动器
优化中
N( GVOT )
是的
司机
ISL6622
评论
使用的是活跃在PSI #模式和阶段
再加通道耦合电感的应用程序。可以
也可以使用在所有通道上。
使用的是活跃在PSI #模式和阶段
再加通道耦合电感的应用程序。可以
也可以使用在所有通道上。
可以与在PSI #模式下不活动阶段使用
或与所有信道时使用ISL6336A
可以与在PSI #模式下不活动阶段使用
或与所有信道时使用ISL6336A
可以与在PSI #模式下不活动阶段使用
或与所有信道时使用ISL6336A
可以与在PSI #模式下不活动阶段使用
或与所有信道时使用ISL6336A
ISL6620
5V
是的
No
ISL6612 , ISL6612A
ISL6596
ISL6614 , ISL6614A
ISL6610
12V
5V
12V
5V
No
No
No
No
No
No
No
No
注: Intersil的5V和12V的驱动程序大多是引脚对引脚兼容,并允许双足迹布局优化MOSFET的选择和效率。双=一
同步信道;四=两个同步通道。
3
FN6504.0
2008年3月3日
ISL6336 , ISL6336A
ISL6336 , ISL6336A框图
VDIFF
VR_RDY
OVP
PSI #
APA
VCC
RGND
x1
VSEN
S
OVP
DRIVE
Q
OVP
三州
软启动
故障逻辑
时钟,
斜波发生器,
APA控制
R
0.875V
POWER- ON
复位( POR )
EN_VTT
0.875V
EN_PWR
FS
+175mV
SS
APP和APA
调制器
PWM1
OFS
OFFSET
APP和APA
调制器
PWM2
REF
DAC
APP和APA
调制器
PWM3
VID7
VID6
VID5
VID4
VID3
VID2
VID1
VID0
COMP
FB
1.12V
APP和APA
调制器
PWM4
动态
VID
DAC
E / A
APP和APA
调制器
PWM5
APP和APA
调制器
PWM6
通道电流
平衡和
电流限制
通道
检测
ISEN1+
ISEN1-
I_TRIP
OC2
OC1
1
N
ISEN2+
温度
赔偿金
通道
当前
SENSE
ISEN2-
ISEN3+
ISEN3-
ISEN4+
ISEN4-
ISEN5+
IMON
1.12V
I_TOT
监测
温度
赔偿金
收益
ISEN5-
ISEN6+
ISEN6-
GND
TM
VR_FAN
VR_HOT
TCOMP
4
FN6504.0
2008年3月3日
ISL6336 , ISL6336A
典型应用 - 5相降压转换器DCR检测和集成的TCOMP
+5V
VIN
ISL6620
VCC
BOOT
UGATE
LGATE
EN
PWM
+5V
GND
+5V
ISL6596
VCC
BOOT
UGATE
LGATE
VIN
FB
COMP APA REF
DAC
VCC
GND
+5V
EN
PWM
GND
VDIFF
VSEN
RGND
VTT
VR_RDY
VID7
VID6
VID5
VID4
VID3
VID2
VID1
VID0
PSI #
OVP
IMON
EN_VTT
ISL6596
ISL6336
PWM1
ISEN1-
ISEN1+
PWM4
ISEN4-
ISEN4+
PWM2
ISEN2-
ISEN2+
PWM5
ISEN5-
ISEN5+
PWM3
ISEN3-
ISEN3+
EN
PWM
GND
EN
PWM
GND
VCC
BOOT
UGATE
LGATE
VIN
+5V
ISL6596
VCC
BOOT
UGATE
LGATE
VIN
P
负载
VR_FAN
VR_HOT
TM
+5V
+5V
OFS
RT
PWM6
ISEN6-
ISEN6+
EN_PWR
SS
+5V
+5V
ISL6596
VCC
BOOT
UGATE
LGATE
VIN
TCOMP OFS FS
EN
SS
VIN
PWM
GND
NTC
5
FN6504.0
2008年3月3日
ISL6334 , ISL6334A
数据表
2008年2月26日
FN6482.0
VR11.1 , 4相PWM控制器
轻载效率的提高和
负载电流监控功能
该ISL6334 , ISL6334A控制微处理器核心电压
通过调节驱动多达4交错同步整流
降压通道并行。这种多相架构结果
在乘通道纹波频率,降低输入和
输出纹波电流。在较少的低纹波结果
部件,成本较低,降低了功耗,并
更小的执行区域。
微处理器的负载会产生负载瞬变
极快的边沿速率,需要高效率的光
负载。该ISL6334 , ISL6334A采用Intersil专有
主动脉冲定位( APP ) ,自适应相位校准
( APA)的调制方式,有源相添加和
滴来实现并保持极快的
用更少的输出电容器和高瞬态响应
效率从光到满负荷。
的ISL6334 , ISL6334A被设计成完全
符合英特尔VR11.1规范。它准确地
报告通过IMON引脚负载电流给微处理器,
它发送一个低电平有效的PSI #信号给控制器,在低
功率模式。然后控制器进入1-或2-相
操作二极管仿真选项,以减少磁
铁心损耗和开关损耗,得到高效率的光
负载。之后将PSI #信号被解除断言,则丢弃
相(多个)被添加回以维持重负载瞬态
响应和效率。
今天的微处理器需要一个严格监管的输出
电压位置与负载电流(下垂) 。该ISL6334 ,
ISL6334A检测输出电流连续通过利用
专利技术测量整个电压
专用的电流检测电阻器或输出的DCR
电感器。所感测的电流流出FB管脚的开发
在反馈电阻下垂精度的电压降
控制权。电流检测电路也提供所需的
通道电流平衡信号,平均过流保护
保护和单相电流限制。一个NTC
热敏电阻的温度通过TM引脚和内部感知
数字化进行温度监控和综合热
补偿电流检测元件。
一个单位增益差分放大器提供了远端电压
传感与完全消除任何潜在的差异
之间的远程和本地的理由。这提高了监管
保护和准确性。阈值敏感的使能输入是
可用来精确坐标的起动ISL6334的,
ISL6334A与任何其它电压轨。动态VID
技术允许无缝上的即时VID变化。该
偏置引脚可以实现精确的电压偏置设置,该设置
独立于VID设置。
1
特点
英特尔VR11.1兼容
专有的主动脉冲定位( APP )和自适应
相位校准( APA )调制方案
专有有源相添加和删除二极管
仿真方案对于高轻载效率
精确多相内核稳压
- 差分远端电压传感
- ± 0.5 %闭环系统的精度在整个负载,线路
和温度
- 双向,可调基准电压偏移
精密电阻或DCR差分电流检测
- 精确的负载线(下垂)编程
- 精确的通道电流平衡
- 通过IMON引脚精确的负载电流监控
微处理器电压识别输入
- 动态VID 技术VR11.1要求
- 8位VID ,兼容VR11
平均过流保护和通道电流限制
精确的过流保护在IMON引脚
热监控和过电压保护
集成的可编程温度补偿
集成的开放感线路保护
1至4相操作,耦合电感的兼容性
可调开关频率高达1MHz的相
封装选项
- QFN封装符合JEDEC PUB95 MO- 220 QFN - 四
扁平无引脚 - 产品概述
无铅(符合RoHS )
注意:这些器件对静电放电敏感;遵循正确的IC处理程序。
1-888- INTERSIL或1-888-468-3774
|
Intersil公司(和设计)是Intersil Americas Inc.公司的注册商标。
版权所有Intersil公司美洲2008.保留所有权利
提及的所有其他商标均为其各自所有者的财产。
ISL6334 , ISL6334A
订购信息
产品型号
(注)
ISL6334IRZ*
ISL6334AIRZ*
ISL6334CRZ*
ISL6334ACRZ*
部分
记号
ISL6334 IRZ
6334A IRZ
ISL6334 CRZ
6334A CRZ
TEMP 。 ( ° C)
-40至+85
-40至+85
0至+70
0至+70
(无铅)
40 Ld的的6x6 QFN
40 Ld的的6x6 QFN
40 Ld的的6x6 QFN
40 Ld的的6x6 QFN
PKG 。
DWG 。 #
L40.6x6
L40.6x6
L40.6x6
L40.6x6
*添加“ -T ”后缀磁带和卷轴。请参阅TB347对卷筒规格的详细信息。
注意:这些Intersil无铅产品采用塑料包装特殊的无铅材料制成,模塑料/晶片的附属材料和100 %
雾锡板加退火 - E3终止完成,这是符合RoHS标准,既锡铅和无铅焊接操作兼容。
Intersil无铅产品分类MSL在达到或超过IPC / JEDEC J无铅要求的无铅峰值回流温度
STD-020.
引脚
ISL6334 , ISL6334A
( 40 LD QFN )
顶视图
EN_PWR
32
VR_RDY
VR_HOT
VR_FAN
EN_VTT
PWM3
31
30
29
28
27
GND
26
25
24
23
22
21
11
DAC
12
REF
13
COMP
14
FB
15
VDIFF
16
RGND
17
VSEN
18
TCOMP
19
VCC
20
PWM2
ISEN3-
ISEN3+
ISEN1+
ISEN1-
PWM1
PWM4
ISEN4-
ISEN4+
ISEN2+
ISEN2-
VID7
TM
SS
35
40
VID6
VID5
VID4
VID3
VID2
VID1
VID0
PSI #
OFS
IMON
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
39
38
37
36
34
FS
33
2
FN6482.0
2008年2月26日
ISL6334 , ISL6334A
控制器和驱动器推荐
调节器
ISL6334
ISL6334A
评论
当PSI #为低电平时,保持信道发送一个特殊的PWM协议,它可以仅由专用识别
VR11.1司机ISL6622 / ISL6620的二极管仿真( DCM )运行。该下降通道保持三态。
当PSI #为低电平时,保持信道传输正常CCM PWM ,可以通过任何Intersil的驱动程序,如被认可
为ISL6612 / ISL6614 , ISL6596 , ISL6610和ISL6622甚至/ ISL6620 。该下降通道保持三态。
司机
ISL6622
ISL6622A,
ISL6622B
ISL6620 , ISL6620A
ISL6612 , ISL6612A
ISL6596
ISL6614 , ISL6614A
ISL6610 , ISL6610A
排名第
DRIVE
压变频器
12V
12V
5V
12V
5V
12V
5V
二极管
仿真
( DE )
是的
是的
是的
No
No
No
No
栅极驱动器
( GVOT )
是的
No
No
No
No
No
No
评论
对于PSI #槽钢和耦合电感的耦合道
应用程序或所有通道
对于PSI #槽钢和耦合电感的耦合道
应用程序或所有通道。
对于PSI #槽钢和耦合电感的耦合道
应用程序或所有通道
对于下降的阶段或所有通道ISL6634A
对于下降的阶段或所有通道ISL6634A
对于下降的阶段或所有通道ISL6634A
对于下降的阶段或所有通道ISL6634A
注:注: Intersil的5V和12V的驱动程序大多是引脚对引脚兼容,并允许双足迹布局优化MOSFET的选择和效率。
双路=一个同步信道;四=两个同步通道。
3
FN6482.0
2008年2月26日
ISL6334 , ISL6334A
ISL6334和ISL6334A框图
VDIFF VR_RDY
FS
PSI #
RGND
VSEN
-
X1
+
时钟和
斜坡发生器
N
POWER- ON
复位( POR )
-
+
0.875
EN_VTT
0.875
-
+
+
OVP
软启动
故障逻辑
EN_PWR
-
+175mV
APP和APA
调制器
PWM1
SS
VID7
VID6
VID5
VID4
VID3
VID2
VID1
VID0
DAC
动态
VID
D / A
APP和APA
调制器
PWM2
APP和APA
调制器
PWM3
APP和APA
调制器
OFFSET
PWM4
OFS
REF
FB
COMP
+
E / A
-
通道
当前
平衡
和峰
电流限制
通道
检测
N
1.11V
+
+
OCP
OCP
I_TRIP
ISEN1+
ISEN1-
ISEN2+
-
IMON
1.11V
-
1
N
Σ
温度
赔偿金
通道
当前
SENSE
ISEN2-
ISEN3+
ISEN3-
ISEN4+
ISEN4-
VR_HOT
MONITOR
VR_FAN
温度
赔偿金
增益调整
TM
TCOMP
GND
4
FN6482.0
2008年2月26日
ISL6334 , ISL6334A
典型应用: 4 - VR相集成了温度补偿, PSI # ( DE和GVOT )
+12V
BOOT
PVCC
+5V
VCC
UGATE
VIN
ISL6622
司机
LGATE
FB
COMP的Vcc
DAC
REF
VDIFF
VSEN
RGND
VTT
VR_RDY
VID7
VID6
VID5
VID4
VID3
VID2
VID1
VID0
PSI #
VR_FAN
VR_HOT
VIN
PWM3
ISEN3-
ISEN3+
VCC
UGATE
EN_PWR
+5V
GND
PWM4
IMON
TCOMP
TM
+5V
+5V
OFS
FS
ISEN4-
ISEN4+
SS
+12V
PVCC
VCC
UGATE
NTC
VIN
BOOT
+12V
PVCC
VIN
BOOT
P
负载
PWM2
ISEN2-
ISEN2+
PWM
EN_VTT
PWM1
ISEN1-
ISEN1+
VCC
UGATE
+12V
PVCC
VIN
BOOT
PWM
GND
ISL6334
ISL6334
ISL6612
司机
LGATE
GND
ISL6612
司机
LGATE
PWM
GND
ISL6612
司机
PWM
LGATE
GND
NTC : NTHS0805N02N6801 ,
6.8kΩ , VISHAY
5
FN6482.0
2008年2月26日
ISL6596
数据表
2010年1月22日
FN9240.1
同步整流MOSFET驱动器
该ISL6596是高频MOSFET驱动器优化
驱动两个N沟道功率MOSFET的同步
降压转换器拓扑结构。此驱动程序结合Intersil的
多相降压PWM控制器,形成一个完整的单
以高效率阶段核心电压稳压器
表现在高开关频率为先进
微处理器。
该IC是由一个单一的低电源电压(5V)施力,
高MOSFET栅极驱动器最大限度地降低开关损耗
电容和高开关频率的应用。
每个驱动器能够驱动一个3nF的负载小于
10ns的上升/下降时间。上部栅极驱动器的自举是
通过内部的低正向压降的二极管来实现,
降低实施成本,复杂性,并且使
使用更高的性能,成本效益的N通道
的MOSFET。自适应贯通保护集成
以防止这两个MOSFET同时导通。
该ISL6596拥有4A典型的灌电流低
栅极驱动器,增强了下MOSFET的栅极压紧
在第一阶段的节点能力的上升沿,防止权力
所造成的损失自导通的下MOSFET的因
交换节点的高dV / dt 。
该ISL6596还具有输入的识别
高阻抗状态,工作与Intersil的
多相3.3V或5V PWM控制器,以防止负
瞬变的受控的输出电压时操作
暂停。这个特性消除了对肖特基
二极管可以在一个电力系统被用于保护
负载从负输出电压的损害。
特点
驱动两个N沟道MOSFET
自适应贯通保护
0.4Ω的导通电阻和4A灌电流能力
支持高开关频率
快速输出上升时间和下降时间
低三州拖延时间(为20ns )
支持3.3V和5V PWM输入
低静态电流
上电复位
可扩展的底部铜焊盘的热扩散
双列扁平无引线( DFN )封装
- 符合JEDEC PUB95 MO- 220 QFN-四方扁平
没有信息,产品外形
- 近晶片级封装足迹;提高印刷电路板
效率和稀释剂的个人资料
无铅(符合RoHS )
订购信息
部分
(注)
ISL6596CBZ*
ISL6596CRZ*
ISL6596IBZ*
ISL6596IRZ*
部分
记号
6596 CBZ
596Z
6596 IBZ
96IZ
温度
范围
(°C)
PKG 。
DWG 。 #
M8.15
0至+70 8 Ld的SOIC
0至+70 10 Ld的3×3 DFN L10.3x3C
-40到+85 8 Ld的SOIC
M8.15
应用
核心电压供应为英特尔和AMD?
微处理器
高频薄型高效率DC / DC
转换器
大电流低电压DC / DC转换器
同步整流用于隔离型电源
-40到+85 10 Ld的3×3 DFN L10.3x3C
*添加“ -T ”后缀磁带和卷轴。请参阅TB347的细节
卷筒规格。
注意:这些Intersil无铅产品采用塑料包装
特殊的无铅材料套,模塑料/晶片的附属
材料和100 %雾锡板加退火( E3终止完成,
这是符合RoHS标准,既锡铅和无铅兼容
焊接操作) 。 Intersil无铅产品分类MSL在
达到或超过了无铅无铅峰值回流温度
IPC / JEDEC J STD- 020的要求。
相关文献
技术简报TB389 “ PCB焊盘图案设计
表面贴装准则QFN ( MLFP )包“
技术简介TB363 “准则处理和
处理湿度敏感表面贴装器件
( SMD的) “
1
注意:这些器件对静电放电敏感;遵循正确的IC处理程序。
1-888- INTERSIL或1-888-468-3774 Intersil公司(设计)是Intersil美洲公司的注册商标。
版权所有 Intersil公司美洲2005年, 2010年版权所有
英特尔是英特尔公司的注册商标。
AMD是Advanced Micro Devices ,Inc.的注册商标。
ISL6596
引脚
ISL6596
( 8 LD SOIC )
顶视图
UGATE
BOOT
PWM
GND
1
2
3
4
8
7
6
5
VCTRL
VCC
LGATE
ISL6596
( 10 LD DFN )
顶视图
UGATE
BOOT
N / C
PWM
GND
1
2
3
4
5
10
9
8
7
6
VCTRL
N / C
VCC
LGATE
框图
ISL6596
VCC
VCTRL
拍摄开启
通过
保护
控制
逻辑
7k
VCC
BOOT
UGATE
7k
PWM
LGATE
GND
VCTRL = VCC控制器
2
FN9240.1
2010年1月22日
ISL6596
典型应用 - 多相位转换器使用ISL6596栅驱动器
V
IN
+5V
+3.3V
+3.3V
VCC
FB
VCC
VSEN
PWM1
PGOOD
PWM2
PWM
调节器
(ISL69XX)
VID
(可选)
ISEN1
ISEN2
+5V
V
IN
+V
CORE
COMP
VCTRL
PWM
ISL6596
LGATE
UGATE
R
UGPH
BOOT
VCC
FS / EN
GND
VCTRL
PWM
ISL6596
BOOT
UGATE
R
UGPH
LGATE
R
UGPH
对于一些特殊的电源排序应用
(参见应用信息部分第8页)
3
FN9240.1
2010年1月22日
ISL6596
绝对最大额定值
电源电压( VCC , VCTRL ) 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 -0.3V至7V
输入电压(V
EN
, V
PWM
) 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 -0.3V到VCC + 0.3V
BOOT电压(V
BOOT- GND
) 。 。 。 -0.3V至25V ( DC )或36V ( <200ns )
引导到相电压(V
BOOT -PHASE
) 。 。 。 。 。 。 -0.3V至7V ( DC )
。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 -0.3V至9V ( <10ns )
相电压。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 GND - 0.3V至15V ( DC )
。 。 。 。 。 。 。 。 。 GND -8V ( <20ns脉冲宽度, 10μJ )至30V ( <100ns )
UGATE电压。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 V
- 0.3V ( DC )到V
BOOT
. . . . . . . . . . . V
- 5V ( <20ns脉宽, 10μJ )到V
BOOT
LGATE电压。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 GND - 0.3V ( DC )到VCC + 0.3V
。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 GND - 2.5V ( <20ns脉宽, 5μJ )至VCC + 0.3V
环境温度范围。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 - 40 ° C至+ 125°C
HBM ESD额定值。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 .2kV
热信息
热阻
θ
JA
( ° C / W)
θ
JC
( ° C / W)
SOIC封装(注1 ) 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 110
不适用
DFN封装(注2,注3 ) 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 48
7
最高结温。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 + 150°C
最大存储温度范围。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 - 65 ° C至+ 150°C
无铅回流焊温度曲线。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。下面。见链接
http://www.intersil.com/pbfree/Pb-FreeReflow.asp
推荐工作条件
环境温度范围。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 - 40 ° C至+ 100°C
最大工作结温。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 + 125°C
电源电压VCC 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 5V
±10%
注意:不要达到或接近上市较长时间的最高收视率运行。暴露于这样的条件可能不利地影响了产品的可靠性和
导致不在保修范围内的故障。
注意事项:
1.
θ
JA
测定用安装在一个高的有效热导率测试板在自由空气中的分量。参见技术简介TB379了解详细信息。
2.
θ
JA
测量在自由空气与装在一个高有效热导率测试板用“直接连接”的功能的组件。
3.
θ
JC
, "case temperature"位置是在封装底部的裸露焊盘的中心。参见技术简介TB379了解详细信息。
电气规格
这些规范适用于“推荐工作条件”第4页,除非另有
指出。
符号
测试条件
最大
(注5 )典型值(注5 )单位
参数
VCC电源电流
偏置电源电流
POR上升
POR下降
迟滞
VCTRL输入
阈值上升
下降阈值
PWM输入
下沉阻抗
源阻抗
三州LowerThreshold
I
VCC
PWM引脚悬空,V
VCC
= 5V
-
-
2.2
-
190
3.4
3.0
400
-
4.2
-
-
A
mV
-
2.4
2.75
2.65
2.90
-
V
V
R
PWM_SNK
R
PWM_SRC
V
VCTRL
= 3.3V ( -110mV滞后)
V
VCTRL
= 5V ( -250mV滞后)
-
-
-
-
-
-
-
3.5
3.5
1.1
1.5
1.9
3.25
20
-
-
-
-
-
-
-
V
V
V
V
ns
三态阈值上限
V
VCTRL
= 3.3V ( +仅为110mV迟滞)
V
VCTRL
= 5V ( + 250mV的滞后性)
三州关机释抑时间
开关时间
(参见图1 6页)
UGATE上升时间(注4 )
LGATE上升时间(注4 )
UGATE下降时间(注4 )
LGATE下降时间(注4 )
UGATE关断传播延迟
LGATE关断传播延迟
UGATE导通传播延迟
t
tSSHD
t
PDLU
或T
PDLL
+门下降时间
t
RU
t
RL
t
FU
t
FL
t
PDLU
t
PDLL
t
PDHU
V
VCC
= 5V , 3nF的负载
V
VCC
= 5V , 3nF的负载
V
VCC
= 5V , 3nF的负载
V
VCC
= 5V , 3nF的负载
V
VCC
= 5V ,输出空载
V
VCC
= 5V ,输出空载
V
VCC
= 5V ,输出空载
-
-
-
-
-
-
-
8.0
8.0
8.0
4.0
20
15
19
-
-
-
-
-
-
-
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
4
FN9240.1
2010年1月22日
ISL6596
电气规格
这些规范适用于“推荐工作条件”第4页,除非另有
指出。
(续)
符号
t
PDHL
t
PT的
测试条件
V
VCC
= 5V ,输出空载
V
VCC
= 5V ,输出空载
最大
(注5 )典型值(注5 )单位
-
-
18
30
-
-
ns
ns
参数
LGATE导通传播延迟
三态,以UG / LG瑞星传输延迟
产量
(注4 )
上驱动源电阻
上驱动吸收电阻
降低驱动源电阻
降低驱动吸收电阻
注意事项:
R
UG_SRC
R
UG_SNK
R
LG_SRC
R
LG_SNK
250毫安源电流
250毫安灌电流
250毫安源电流
250毫安灌电流
-
-
-
-
1.0
1.0
1.0
0.4
2.5
2.5
2.5
1.0
Ω
Ω
Ω
Ω
4.限制设立的特性,不生产测试。
5.参数与MIN和/或最大极限100%经过测试,在+ 25 ° C,除非另有规定。温度限制设立的表征
而不是生产测试。
5
FN9240.1
2010年1月22日
双四相+ 1相PWM控制器,用于VR12 / IMVP7
应用
ISL6364
该ISL6364是一款双PWM控制器;它的4相的PWM控制
微处理器内核或内存稳压器,而
其单相PWM控制所述外围电压调节器
图形,系统代理,或处理器的I / O 。
该ISL6364采用Intersil专有的增强主动脉冲
定位( EAPP )调制方案,实现了极为
用更少的输出电容实现快速瞬态响应。
该ISL6364被设计成合到英特尔VR12 / IMVP7
规格。它可以精确地控制通过负载电流
通过IOUT寄存器IMON引脚和报告该信息
的微处理器,它发送一个PSI #信号给控制器
在通过SVID总线低功耗模式。控制器进入或1
在低功耗模式( PSI1 )两相工作;在超低
功率模式( PSI2,3 ),它可以进一步降低相数
然后启用运行阶段的二极管仿真。
在低功耗模式下,磁芯和开关损耗是
显著降低,得到高的效率在轻负荷。后
将PSI #信号被解除断言,被丢弃的相(多个)被添加
备份,以维持高负载的瞬态响应和效率。
今天的微处理器需要一个严格监管的输出电压
位置与负载电流(下垂) 。该ISL6364感应
输出通过测量的电压电流连续
专用的电流检测电阻器或输出的DCR
电感器。所感测的电流流出FB管脚的开发
在反馈电阻下垂精度的电压降
控制权。电流检测电路,还提供所需的信号
通道电流平衡,平均过流保护和
各相电流限制。在TM和TMS引脚来
感觉NTC热敏电阻的温度,这是内部
数字化进行温度监控和综合热
相应的电流感应元件的补偿
调节器。
该ISL6364具有远程电压检测和彻底
消除了远程和本地之间的电势差
理由。这提高了监管和保护的准确性。该
阈值敏感的使能输入是可用的,以精确地
坐标的起动ISL6364与其它的电压值。
特点
英特尔VR12 / IMVP7标准
- SerialVID具有可编程IMAX , TMAX , BOOT ,
地址偏移寄存器
Intersil专有的增强主动脉冲定位
( EAPP )调制方案,获得专利
- 电压前馈和斜坡可调选项
- 高频和PSI补偿选项
- 变频控制负载瞬变期间,以
减少拍频振荡
- 线性控制与均匀分布的PWM脉冲
更好的相位电流平衡负载瞬变期间
双输出
- 输出1 ( VR0 ) : 14相,耦合电感
兼容性,核心或内存
- 输出2 ( VR1 ) :单相为图形,系统代理,
或处理器I / O
- 差分远端电压传感
- ± 0.5 %闭环系统的精度在整个负载,线路和
温度
- 相位倍增兼容性(不相滴)
专有有源相添加和删除二极管
仿真方案对于增强轻载效率
可编程摆快速动态VID为VR0率
动态VID补偿( DVS)的VR1在不下垂
下垂和二极管仿真选项
可编程1或2相运行PSI1 / 2/ 3模式
可编程标准或电感耦合操作
精密电阻或DCR差分电流检测
- 集成的可编程电流传感电阻器
- 集成温度补偿
- 精确的负载线(下垂)编程
- 精确的通道电流平衡
- 精确的电流监控
平均过流保护和通道电流限制
随着内部电流比较器
精密过电流保护的IMON & IMONS销
独立的振荡器,每相高达1MHz的,出于成本,
效率和性能优化
双热监测和温度补偿
启动进入预充电负载
无铅(符合RoHS )
2010年12月22日
FN6861.0
1
注意:这些器件对静电放电敏感;遵循正确的IC处理程序。
1-888- INTERSIL或1-888-468-3774
|
版权所有Intersil公司美洲2010.版权所有
Intersil公司(设计)是Intersil公司或其子公司所拥有的商标。
提及的所有其他商标均为其各自所有者的财产。
ISL6364
订购信息
产品型号
(注1 ,2,3 )
ISL6364CRZ
ISL6364IRZ
注意事项:
1.新增“ * -T ”后缀磁带和卷轴。请参阅TB347对卷筒规格的详细信息。
2.这些Intersil无铅产品采用塑料包装特殊的无铅材料套,模塑料/晶片的附属材料和100 %雾
锡板加退火( E3终止完成,这是符合RoHS标准,既锡铅和无铅焊接操作兼容) 。 Intersil的有铅
免费产品分类MSL在达到或超过IPC / JEDEC J STD- 020对无铅要求的无铅峰值回流温度。
3.潮湿敏感度等级(MSL ) ,请参阅设备信息页
ISL6364.
有关MSL更多信息,请参阅techbrief
TB363.
部分
记号
ISL6364 CRZ
ISL6364 IRZ
TEMP 。 RANGE
(°C)
0至+70
-40至+85
(无铅)
48 Ld的的6x6 QFN
48 Ld的的6x6 QFN
PKG 。
DWG 。 #
L48.6x6B
L48.6x6B
引脚配置
ISL6364
( 48 LD 6X6 QFN )
顶视图
EN_VTT
ISEN3+
ISEN1+
ISEN4+
ISEN2+
ISEN3-
ISEN1-
ISEN4-
ISEN2-
PWM3
PWM1
38
PWM4
37
36 PWM2
35的Vcc
34 FS_DRP
33 RSET
32 SICI
31 TM
GND
30 BTS_DES_TCOMPS
29 BT_FDVID_TCOMP
28 NPSI_DE_IMAX
27 ADDR_IMAXS_TMAX
26 PWMS
25 ISENS-
13
VR_RDY
14
IMONS
15
VR_HOT #
16
HFCOMPS / DVCS
17
VR_RDYS
18
COMPS
19
FBS
20
VSENS
21
RGNDS
22
FSS_DRPS
23
TMS
24
ISENS +
48
EN_PWR
RAMP_ADJ
RGND
VSEN
HFCOMP
PSICOMP
FB
COMP
IMON
SVDATA
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
47
46
45
44
43
42
41
40
39
SVALERT # 11
SVCLK
12
2
FN6861.0
2010年12月22日
ISL6364
控制器和驱动器推荐
司机
ISL6627
ISL6620
ISL6620A
电流(mA )
1.0
1.2
DRIVE
电压
5V
5V
排名第
DRIVERS
单身
单身
二极管仿真
( DE )
是的
是的
栅极驱动器
( GVOT )
No
No
评论
对于PSI #槽钢,并在其耦合道
耦合电感的应用程序或所有通道
对于PSI #槽钢,并在其耦合道
耦合电感的应用程序或所有通道。
进入时,较短的体二极管导通时间
PSI2模式在一个固定的电压。
对于下跌阶段或无德的所有通道
对于下跌阶段或无德的所有通道
相倍增集成驱动器,最高至12-
阶段。对于所有通道DE残疾人
PWM倍增为DrMOS的,高达12或24相。
对于所有通道DE残疾人
对于PSI #槽钢,并在其耦合道
耦合电感的应用程序或所有通道
对于PSI #槽钢,并在其耦合道
耦合电感的应用程序或所有通道。
进入时,较短的体二极管导通时间
PSI2模式在一个固定的电压。
对于PSI #槽钢,并在其耦合道
耦合电感的应用程序或所有通道。
进入时,较短的体二极管导通时间
PSI2模式在一个固定的电压。
对于下跌阶段或无德的所有通道
ISL6596
ISL6610
ISL6610A
ISL6611A
ISL6617
ISL6625
ISL6622
0.19
0.24
1.25
5.0
1.2
5.5
5V
5V
5V
不适用
12V
12V
单身
不适用
单身
单身
No
No
No
No
是的
是的
No
No
No
No
是的
是的
ISL6622A
ISL6622B
5.5
12V
单身
是的
No
ISL6625A
1.0
12V
单身
No
No
注: Intersil的5V和12V的驱动程序大多是引脚对引脚兼容,并允许双足迹布局实施优化MOSFET的选择和
效率。 5V驱动器更适合于高频率和高效率的应用程序。
3
FN6861.0
2010年12月22日
ISL6364
ISL6364内部框图
FSS_DRPS
VR_RDYS
的PWM
-
TCOMPS
VR1 :时钟和
斜坡发生器
THGS
温度
赔偿金
-
平均& PEAK
电流限制
IDROOPS
EAPP
调制器
1.15V
FS_DRP
RAMP_ADJ
DAC &
OFFSET
VR0 :时钟和
斜坡发生器
TMAX
VR1的REG
SVID总线
接口
VR0的REG
LATCH
POWER- ON
复位( POR )
-
+
N
RESET
-
+
0.85V
EN_PWR_OVP
OVP FOR
ISL6364A
TCOMP
PSI #
软启动
故障逻辑
EAPP
调制器
DAC &
OFFSET
VSEN
RGND
+
+
REF
+
OVP
-
0.85V
EN_VTT
VCC
OCP
+
IMONS
1.11V
E / A
ISENS-
+
1.11V
+
OCP
-
通道
当前
平衡
和峰
电流限制
+
通道
检测
N
通道
当前
SENSE
RSET
TMS
VSENS
HFCOMPS / DVCS
高频
赔偿金
IDROOPS
FBS
RGNDS
COMPS
VR_RDY
BTS_DES_TCOMPS
BT_FDVID_TCOMP
NPSI_DE_IMAX
ADDR_IMAXS_TMAX
SVCLK
SVALERT #
SVDATA
+
+
-
MONITOR
THGS
+
OVP
-
175mV
+
E / A
+
-
软启动
故障逻辑
TCOMPS
+
-
+
E / A
-
FB
PSICOMP
PSI #
HFCOMP
COMP
SICI
“ SICI ” FOR
ISL6364 :
“的iAUTO ” FOR
ISL6364A
AUTO PHASE
脱落
IDROOP
EAPP
调制器
175mV
EAPP
调制器
PWM2
高频
赔偿金
EAPP
调制器
IDROOP
OCP
-
IMON
I_TRIP
1.15V
GND
TMAX
VR_HOT #
TM
TCOMP
温度
赔偿金
增益调整
1
N
ISEN1+
ISEN1-
ISEN2+
ISEN2-
ISEN3+
ISEN3-
ISEN4+
ISEN4-
ISENS +
PWM1
PWM3
PWM4
Σ
温度
赔偿金
MONITOR
THG
4
FN6861.0
2010年12月22日
ISL6364
典型应用: 4相VR和1相VR的ISL6364
+5V
VIN
+12V
PVCC
BOOT
UGATE
VCC
ISL6625
司机
GND
LGATE
FB
COMP的Vcc
PWM1
ISEN1-
ISEN1+
PWM
PSICOMP
HFCOMP
VSEN
RGND
VTT
SVALERT #
SVDATA
SVCLK
VR_RDY
VR_RDYS
VR_HOT #
VIN
ISL6364
EN_VTT
+12V
VIN
PVCC
BOOT
UGATE
VCC
ISL6625
司机
GND
LGATE
PWM2
ISEN2-
ISEN2+
PWM
+12V
VIN
PVCC
BOOT
UGATE
VCC
VIN
EN_PWR_OVP
PWM3
ISEN3-
RAMP_ADJ
ISEN3+
+12V
PWM
ISL6625
司机
GND
LGATE
中央处理器
负载
VIN
IMON
IMONS
FS_DRP
+5V
+5V
+5V
BTS_DES_TCOMPS
BT_FDVID_TCOMP
+5V
FSS_DRPS
PWM4
ISEN4-
ISEN4+
PVCC
BOOT
UGATE
VCC
ISL6625
司机
GND
LGATE
PWM
VIN
+12V
PVCC
BOOT
UGATE
ADDR_IMAXS_TMAX
GND
NPSI_DE_IMAX
的PWM
ISENS-
ISENS +
VCC
ISL6625
司机
GND
LGATE
GPU
负载
PWM
+5V
+5V
NTC
TMS
RGNDS
TM
SICI
VSENS
HFCOMPS / DVCS
RSET
COMPS
FBS
NTC
NTC : BETA = 3477
5
FN6861.0
2010年12月22日
双6相+ 1相PWM控制器,用于VR12 / IMVP7
应用
ISL6366
该ISL6366是一款双PWM控制器;其6相的PWM控制
微处理器核心或内存电压调节器,而其
单相PWM控制对所述外围电压调节器
图形系统代理,或处理器的I / O 。
该ISL6366采用Intersil专有的增强主动脉冲
定位( EAPP )调制方案,实现了极为
用更少的输出电容实现快速瞬态响应。
该ISL6366被设计成合到英特尔VR12 / IMVP7
规格。它可以精确地控制通过负载电流
通过IOUT寄存器IMON引脚和报告该信息
的微处理器,它发送一个PSI #信号给控制器
在通过SVID总线低功耗模式。控制器进入或1
在低功耗模式( PSI1 )两相工作;在超低
功率模式( PSI2,3 ),它可以进一步降低相数
并启用运行阶段的二极管仿真。低
电源模式中,磁芯损耗和开关损耗是
显著降低,得到高的效率在轻负荷。后
将PSI #信号被解除断言,被丢弃的相(多个)被添加
备份,以维持高负载的瞬态响应和效率。
今天的微处理器需要一个严格监管的输出电压
位置与负载电流(下垂) 。该ISL6366感应
输出通过测量的电压电流连续
专用的电流检测电阻器或输出的DCR
电感器。所感测的电流流出FB管脚的开发
在反馈电阻下垂精度的电压降
控制权。电流检测电路,还提供所需的信号
通道电流平衡,平均过流保护和
各相电流限制。在TM和TMS引脚来
感觉NTC热敏电阻的温度,这是内部
数字化进行温度监控和综合热
相应的电流感应元件的补偿
调节器。
该ISL6366具有远程电压检测和彻底
消除了远程和本地之间的电势差
理由。这提高了监管和保护的准确性。该
阈值敏感的使能输入是可用的,以精确地
坐标的起动ISL6366与其它的电压值。
特点
英特尔VR12 / IMVP7标准
- SerialVID具有可编程IMAX , TMAX , BOOT ,
地址偏移寄存器
Intersil专有的增强主动脉冲定位
( EAPP )调制方案,获得专利
- 电压前馈和斜坡可调选项
- 高频和PSI补偿选项
- 变频控制负载瞬变期间,以
减少拍频振荡
- 线性控制与均匀分布的PWM脉冲
更好的相位电流平衡负载瞬变期间
双输出
- 输出1 ( VR0 ) : 16相,耦合电感
兼容性,核心或内存
- 输出2 ( VR1 ) :单相为图形,系统代理,
或处理器I / O
- 差分远端电压传感
- ± 0.5 %闭环系统的精度在整个负载,线路和
温度
- 相位倍增兼容性(不相滴)
专有有源相添加和删除二极管
仿真方案对于增强轻载效率
可编程摆快速动态VID与房价
动态VID补偿( DVC )的VR0
动态VID补偿( DVS)的VR1在不下垂
下垂和二极管仿真选项
可编程1或2相运行PSI1 / 2/ 3模式
可编程标准或电感耦合操作
精密电阻或DCR差分电流检测
- 集成的可编程电流传感电阻器
- 集成温度补偿
- 精确的负载线(下垂)编程
- 精确的通道电流平衡
- 精确的电流监控
平均过流保护和通道电流限制
随着内部电流比较器
精密过电流保护的IMON & IMONS销
独立的振荡器,每相高达1MHz的,出于成本,
效率和性能优化
双热监测和温度补偿
启动进入预充电负载
无铅(符合RoHS )
2011年1月3日
FN6964.0
1
注意:这些器件对静电放电敏感;遵循正确的IC处理程序。
1-888- INTERSIL或1-888-468-3774
|
版权所有Intersil公司美洲2011.保留所有权利
Intersil公司(设计)是Intersil公司或其子公司所拥有的商标。
提及的所有其他商标均为其各自所有者的财产。
ISL6366
订购信息
产品型号
(注1,2, 3)
ISL6366CRZ
ISL6366IRZ
注意事项:
1.新增“ * -T ”后缀磁带和卷轴。请参阅TB347对卷筒规格的详细信息。
2.这些Intersil无铅产品采用塑料包装特殊的无铅材料套,模塑料/晶片的附属材料和100 %雾
锡板加退火( E3终止完成,这是符合RoHS标准,既锡铅和无铅焊接操作兼容) 。 Intersil的有铅
免费产品分类MSL在达到或超过IPC / JEDEC J STD- 020对无铅要求的无铅峰值回流温度。
3.潮湿敏感度等级(MSL ) ,请参阅设备信息页
ISL6366.
有关MSL更多信息,请参阅techbrief
TB363.
部分
记号
ISL6366 CRZ
ISL6366 IRZ
TEMP 。 RANGE
(°C)
0至+70
-40至+85
(无铅)
60 Ld的为7x7 QFN
60 Ld的为7x7 QFN
PKG 。
DWG 。 #
L60.7x7
L60.7x7
引脚配置
ISL6366
( 60 LD 7X7 QFN )
顶视图
EN_VTT
ISEN6+
ISEN3+
ISEN1+
ISEN4+
ISEN2+
ISEN5+
ISEN6-
ISEN3-
ISEN1-
ISEN4-
ISEN2-
ISEN5-
PWM6
PWM3
45 PWM1
44 PWM4
43 PWM2
42 PWM5
41 VCC
40 FS_DRP
39 RSET
GND
38 SICI
37 TM
36 BTS_DES_TCOMPS
35 BT_FDVID_TCOMP
34 NPSI_DE_IMAX
33 ADDR_IMAXS_TMAX
32 PWMS
31 ISENS-
16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 27 28 29 30
HFCOMPS / DVCS
VR_HOT #
NC2
VR_RDY
COMPS
FSS_DRPS
TMS
NC1
NC3
VR_RDYS
VSENS
IMONS
FBS
RGNDS
ISENS +
60 59 58 57 56 55 54 53 52 51 50 49 48 47 46
NC4 1
NC5 2
EN_PWR 3
RAMP_ADJ 4
RGND 5
VSEN 6
HFCOMP 7
PSICOMP 8
FB 9
COMP 10
DVC 11
IMON
12
SVDATA 13
SVALERT # 14
SVCLK 15
2
FN6964.0
2011年1月3日
ISL6366
司机建议
司机
ISL6627
ISL6620
ISL6620A
电流(mA )
1.0
1.2
DRIVE
电压
5V
5V
排名第
DRIVERS
单身
单身
二极管仿真
( DE )
是的
是的
栅极驱动器
( GVOT )
No
No
评论
对于PSI #槽钢,并在其耦合道
耦合电感的应用程序或所有通道
对于PSI #槽钢,并在其耦合道
耦合电感的应用程序或所有通道。
进入时,较短的体二极管导通时间
PSI2模式在一个固定的电压。
对于下跌阶段或无德的所有通道
对于下跌阶段或无德的所有通道
相倍增集成驱动器,最高至12-
阶段。对于所有通道DE残疾人
PWM倍增为DrMOS的,高达12或24相。
对于所有通道DE残疾人
对于PSI #槽钢,并在其耦合道
耦合电感的应用程序或所有通道
对于PSI #槽钢,并在其耦合道
耦合电感的应用程序或所有通道。
进入时,较短的体二极管导通时间
PSI2模式在一个固定的电压。
对于PSI #槽钢,并在其耦合道
耦合电感的应用程序或所有通道。
进入时,较短的体二极管导通时间
PSI2模式在一个固定的电压。
对于下跌阶段或无德的所有通道
ISL6596
ISL6610
ISL6610A
ISL6611A
ISL6617
ISL6625
ISL6622
0.19
0.24
1.25
5.0
1.2
5.5
5V
5V
5V
不适用
12V
12V
单身
不适用
单身
单身
No
No
No
No
是的
是的
No
No
No
No
是的
是的
ISL6622A
ISL6622B
5.5
12V
单身
是的
No
ISL6625A
1.0
12V
单身
No
No
注: Intersil的5V和12V的驱动程序大多是引脚对引脚兼容,并允许双足迹布局实施优化MOSFET的选择和
效率。 5V驱动器更适合于高频率和高效率的应用程序。
3
FN6964.0
2011年1月3日
ISL6366
ISL6366内部框图
FSS_DRPS
ISL6366A
& ISL6367
只;
ISL6366
= NC4-5
输入
当前
MONITOR
MONITOR
VR_RDYS
的PWM
-
TCOMPS
VR1 :时钟和
斜坡发生器
THGS
温度
赔偿金
-
平均& PEAK
电流限制
IDROOPS
EAPP
调制器
1.15V
FS_DRP
RAMP_ADJ
DAC &
OFFSET
VR0 :时钟和
斜坡发生器
TMAX
VR1的REG
SVID总线
接口
VR0的REG
LATCH
POWER- ON
复位( POR )
-
+
N
RESET
-
+
0.85V
EN_PWR_CFP
CFP供
ISL6367 &
ISL6366A
0.85V
EN_VTT
VCC
OCP
+
IMONS
1.11V
E / A
ISENS-
+
1.11V
+
OCP
-
通道
当前
平衡
和峰
电流限制
+
通道
检测
N
ISEN1+
ISEN1-
ISEN2+
I_TRIP
1.15V
GND
TMAX
VR_HOT #
TM
TCOMP
温度
赔偿金
增益调整
Σ
温度
赔偿金
1
N
ISEN2-
ISEN3+
通道
当前
SENSE
ISEN3-
ISEN4+
ISEN4-
ISEN5+
MONITOR
THG
ISEN5-
ISEN6+
ISEN6-
RSET
软启动
故障逻辑
软启动
故障逻辑
EAPP
调制器
DAC &
OFFSET
+
OVP
-
175mV
+
E / A
-
EAPP
调制器
PWM2
EAPP
调制器
PSI #
HFCOMP
COMP
“ SICI ” FOR
ISL6366 :
“的iAUTO ” FOR
ISL6366A &
ISL6367
SICI
AUTO PHASE
脱落
IDROOP
EAPP
调制器
OCP
-
ISENIN +
ISENIN-
TMS
VSENS
HFCOMPS / DVCS
高频
赔偿金
IDROOPS
FBS
RGNDS
COMPS
VR_RDY
BTS_DES_TCOMPS
BT_FDVID_TCOMP
NPSI_DE_IMAX
ADDR_IMAXS_TMAX
SVCLK
SVALERT #
SVDATA
TCOMP
ISL6367
I2CLK
只;
ISL6366 & PMALERT #
ISL6366A
I2DATA
= NC1-3
PSI #
+
+
-
IIN
-
OCP
+
ISENS +
I_TRIP
THGS
+
OVP
-
175mV
+
E / A
-
+
TCOMPS
I
2
C / PMBUS
接口
PWM1
THGS
THG
IIN
VSEN
RGND
DVC
FB
PSICOMP
X4/3
+
-
+
+
REF
PWM5
高频
赔偿金
PWM6
IMON
4
IDROOP
FN6964.0
2011年1月3日
ISL6366
典型应用: 6相的标准电感VR和1相VR
+5V
VINF
+5V
BOOT
UGATE
VCC
ISL6627
司机
DVC FB
PSICOMP
HFCOMP
VSEN
VTT
SVDATA
SVALERT #
SVCLK
VR_RDY
VR_RDYS
VR_HOT #
PWM3-5
VINF
ISL6366
ISEN3-5-
ISEN2-5+
VINF
VINF
CFP
RAMP_ADJ
PWM6
IMON
IMONS
FS_DRP
FSS_DRPS
+5V
+5V
+5V
BTS_DES_TCOMPS
BT_FDVID_TCOMP
+5V
ADDR_IMAXS_TMAX
的PWM
+5V
NPSI_DE_IMAX
ISENS-
PWM
GND
ISEN6-
ISEN6+
使用ISL6366A / 67
R
ISENIN2
R
ISENIN1
VIN
R
SENIN
VINF
PWM
EN_PWR
+5V
BOOT
UGATE
VCC
ISL6596
司机
GND
LGATE
中央处理器
负载
PWM2
ISEN2-
ISEN2+
PWM
RGND
EN_VTT
COMP
VCC PWM1
ISEN1-
ISEN1+
+5V
BOOT
UGATE
VCC
ISL6627
司机
GND
LGATE
VINF
PWM
GND
LGATE
ISENIN-
ISENIN +
+5V
BOOT
UGATE
VCC
ISL6627
司机
GND
LGATE
GPU
负载
ISENS +
+5V
NTC
TM
SICI
RSET
TMS
RGNDS
VSENS
NTC
HFCOMPS / DVCS
COMPS
FBS
NTC : BETA = 3477
5
FN6964.0
2011年1月3日
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    电话:0755-82780082
    联系人:杨小姐
    地址:深圳市福田区振兴路156号上步工业区405栋3层

    ISL6596
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    -
    -
    -
    终端采购配单精选

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电话:13910052844(微信同步)
联系人:刘先生
地址:海淀区增光路27号院增光佳苑2号楼1单元1102室
ISL6596
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