ISL6571
数据表
2005年4月18日
FN9082.4
互补MOSFET驱动器和
同步半桥开关
Intersil的ISL6571提供了一种新的方法
实现同步整流降压转换
调节器。该ISL6571取代两个功率MOSFET ，一个
肖特基二极管，两个栅极驱动器和同步控制
电路。它的主要应用解决高密度电源
转换电路，包括多相拓扑电脑
微处理器内核电源稳压器， ASIC和存储器
阵列监管，对ISL6571的等另一个有用的功能
与三态输入控制的兼容性：左开，
PWM输入会关闭输出驱动器。该ISL6571
工作在连续导通模式降低了EMI
限制和实现高带宽操作。
特点
在传统的同步性能改进
用分立元件降压转换器
最佳死区时间由自适应贯通提供
开关频率高达1MHz
- 高带宽，快速瞬态响应
- 小型，薄型转换器
离散之间的连接减少寄生效应
组件
- 低电磁辐射
薄型，低热阻封装
- 高功率密度应用
QFN封装：
- 符合JEDEC PUB95 MO- 220
QFN - 方形扁平无引线 - 封装外形
- 靠近芯片级封装尺寸，从而提高
PCB的效率，并具有更薄的外形
无铅可（符合RoHS ）
订购信息
产品型号
ISL6571CR*
ISL6571CRZ*
（见注）
ISL6571EVAL1
温度。
范围（° C）
0到70
0到70
包
PKG 。
DWG 。 ＃
68 Ld的10×10 QFN L68.10x10A
68 Ld的10×10 QFN L68.10x10A
（无铅）
应用
多相电源稳压器
低电压开关模式电源转换
高密度电源转换器
评估板
*添加“ -T ”后缀磁带和卷轴。
注： Intersil无铅产品采用特殊的无铅材料
套;模塑料/晶片的附属材料和100 ％雾锡
板终止完成，这是符合RoHS标准，兼容
既锡铅和无铅焊接操作。 Intersil无铅
产品分类MSL在无铅峰值回流温度下
达到或超过IPC / JEDEC J STD- 020对无铅要求。
1
注意：这些器件对静电放电敏感;遵循正确的IC处理程序。
1-888- INTERSIL或1-888-352-6832
|
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版权所有Intersil公司美洲2003-2005 。版权所有
提及的所有其他商标均为其各自所有者的财产。
ISL6571
绝对最大额定值
偏置电源电压VCC 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 + 15V
驱动器电源， PVCC 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 + 10.5V
转换电压VIN 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 VCC + 0.3V
DRIVE1电压，V
BOOT
- V
相
. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .+15V
输入电压， PWM 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 GND -0.3V至7V
ESD分类科幻阳离子。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 2级
热信息
热电阻（典型值，注1 ）
θ
JC
（ ° C / W）
推荐工作条件
控制和转换电压， VCC ， VIN 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 + 12V
±10%
MOSFET偏置电源， PVCC 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 + 5V至+ 10V
环境温度范围。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 0 ° C至70℃
结温范围。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 0 ° C至125°C
垫69 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。
1.3
垫70 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。
4.0
垫71 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。
6.0
最高结温。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 125°C
最大存储温度范围。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 -40 ° C至125°C
最大的铅温度（焊接10秒） 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 300℃
注意：如果运行条件超过上述“绝对最大额定值” ，可能对器件造成永久性损坏。这是一个应力只评级和操作
器件在这些或以上的本规范的业务部门所标明的任何其他条件不暗示。
注意：
1.
θ
JC
测定用安装在一个典型的应用中的PCB的组件。单独
θ
JC
被设置为三个暴露的芯片的值
垫（ ＃ 69 ， 70 ， 71 ） 。每个值应结合使用仅安装在该垫的单独管芯耗散的功率。
电气规格
参数
电源电流
额定偏置电源电流
上电复位
VCC上升阈值
VCC阈值迟滞
MOSFET驱动器
输入阻抗
PWM上升阈值
PWM下降阈值
推荐工作条件，除非另有说明。参阅图1，图2和图3
符号
测试条件
民
典型值
最大
单位
I
VCC
PWM开放
-
2.5
3.6
mA
9.70
-
9.95
2.40
10.40
-
V
V
Z
IN
-
-
1.30
5
-
-
80
56
-
230
-
3.80
-
-
-
3.40
-
k
V
V
ns
ns
V
ns
PWM - 相由低到高传播
延迟
PWM - 相高到低传播
延迟
关闭窗口
关闭释抑时间
上MOSFET （ UFET ）
漏极 - 源极导通电阻
t
PLH
t
PHL
-
-
1.60
t
SH
-
r
DS （ ON）
V
BOOT
- V
相
= 5V
V
BOOT
- V
相
= 10V
12.8
7.70
25
13.5
9.20
-
18.2
12.7
-
m
m
A
通态漏电流
低端MOSFET （ LFET ）
漏极 - 源极导通电阻
r
DS （ ON）
V
BOOT
- V
相
= 5V
V
PVCC
= 5V
V
PVCC
= 10V
4.10
3.40
25
4.80
4.05
-
5.55
4.70
-
m
m
A
通态漏电流
V
PVCC
= 5V
5
FN9082.4
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