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ISL6563
数据表
2005年4月13日
FN9126.6
两相多相降压PWM
控制器集成MOSFET驱动器
该ISL6563两相PWM控制IC提供
先进的精密调压系统
微处理器。多相电源转换为标
从单相转换器的配置出发
采用以满足日益增加的电流需求
现代的微处理器和其它电子电路。通过
分配功率和负载电流,实现
多相转换器采用体积更小,成本更低
晶体管更少的输入和输出电容器。这些
减少从更高的有效转化累积
频与较高频率的纹波电流,由于
此拓扑的相位交错处理。
该控制器IC包括突出特点
可编程VID代码与英特尔VRM9兼容,
VRM10 ,以及AMD的微处理器锤,沿
有一个系统的调节精度
±1%.
下垂
特性,用于减小的过冲或下冲
输出电压,易于编程,用单个电阻。
该控制器IC的重要特征包括一组
复杂的过电压和过电流保护。
在转换器转动下的过压的结果
ON的MOSFET钳位输出电压的升高和保护
微处理器。像其他Intersil的多相
控制器, ISL6563使用成本和节省空间
r
DS ( ON)
传感通道电流平衡,动态
电压定位和过流保护。通道
目前的平衡是自动的,准确的
内置电流平衡控制系统。过电流
保护可以根据任何应用,而不需要
附加部分。这些功能提供了先进的保护
用于微处理器和电源系统。
特点
集成的两相电源转换
5V和12V的转换
精确的通道电流共享
- 亏损较少的电流采样 - 使用
DS ( ON)
精确的输出稳压
-
±1%
系统温度测量的精确性(商业)
微处理器电压识别输入
- 最多6位DAC
- 可选择英特尔VRM9 , VRM10之间,或者AMD的
锤DAC码
- 电阻可编程电压下垂
快速瞬态恢复时间
过流保护
改进的,多层次的过压保护
能够启动进入预充电输出
QFN封装:
- 符合JEDEC PUB95 MO- 220
QFN - 方形扁平无引线 - 封装外形
- 靠近芯片级封装尺寸,从而提高
PCB的效率,并具有更薄的外形
无铅可(符合RoHS )
引脚
ISL6563 ( QFN )
顶视图
UGATE1
19
18 PHASE1
17 LGATE1
25
GND
16 PVCC
15 LGATE2
14 PGND
13 PHASE2
7
艾辛河
8
VCC
9
OFS
10
SSEND
11
BOOT2
12
UGATE2
BOOT1
20
订购信息
产品型号
ISL6563CR
温度。
(°C)
PKG 。
DWG 。 #
L24.4x4B
VID1
VID0
DACSEL/VID5
VRM10
COMP
FB
1
2
3
4
5
6
24
23
22
21
0 70 24 Ld的4×4 QFN
ISL6563CRZ (注1)0 70 24 Ld的4×4的QFN (无铅) L24.4x4B
ISL6563IR
0 70 24 Ld的4×4 QFN
L24.4x4B
ISL6563IRZ (注1)0 70 24 Ld的4×4的QFN (无铅) L24.4x4B
ISL6563EVAL1
注意事项:
1. Intersil无铅产品采用特殊的无铅材料制成,
模塑料/晶片的附属材料和100 %雾锡
板终止完成,这是符合RoHS标准,
既锡铅和无铅焊接操作兼容。
Intersil无铅产品分类MSL在无铅峰值
达到或超过了无铅回流焊的温度
IPC / JEDEC J STD- 020的要求。
2.添加“ -T ”后缀磁带和卷轴。
评估平台
1
注意:这些器件对静电放电敏感;遵循正确的IC处理程序。
1-888- INTERSIL或321-724-7143
|
Intersil公司(和设计)是Intersil Americas Inc.公司的注册商标。
版权所有 Intersil公司美洲2003年至2005年。版权所有
提及的所有其他商标均为其各自所有者的财产。
ENLL
VID2
VID3
VID4
框图
SSEND
OVP WHILE
1.65V/1.95V +
-
UGATE1
ENLL
VCC
PVCC
BOOT1
POWER- ON
OVP
振荡器
复位( POR )
控制
2
200mV
COMP
+
-
VID0
VID1
VID2
VID3
VID4
DACSEL/VID5
VRM10
+
-
OC
TTL D / A
变流器
( VID DAC )
EA
软启动
故障逻辑
PHASE1
LGATE1
PWM1
保护地
ISL6563
控制
逻辑
BOOT2
Σ
Σ
PWM2
UGATE2
FB
控制
PHASE2
Σ
来源
GND
OFFSET
来源
当前
更正
LGATE2
Σ
2
OFS
艾辛河
FN9126.6
2005年4月13日
ISL6563
简化的电源系统图
+5V
IN
Q1
CHANNEL1
Q2
VID
5-6
DAC
V
OUT
Q3
CHANNEL2
ISL6563
Q4
典型用途
+12V
IN
+5V
IN
C
F2
C
F1
VCC
DACSEL/VID12
VID4
VID3
VID2
VID1
VID0
VRM10
R
艾辛河
LGATE1
艾辛河
BOOT2
R’
OFS
SSEND
ENLL
OFS
R
OFS
UGATE2
V
OUT
C
BOOT2
C
HFIN2
Q3
C
BIN2
C
HFOUT
C
布特
Q2
PHASE1
L
OUT1
UGATE1
PVCC
BOOT1
C
BOOT1
Q1
L
IN
C
HFIN1
C
BIN1
ISL6563
C
2
R
2
COMP
C
1
PHASE2
L
OUT2
LGATE2
保护地
Q4
FB
R
1
GND
3
FN9126.6
2005年4月13日
ISL6563
绝对最大额定值
电源电压VCC 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 -0.3V至+ 7V
绝对的启动电压,V
BOOT
。 。 。 。 。 PGND - 0.3V至PGND + 27V
相电压,V
. . . . . . . . . . V
BOOT
- 7V至V
BOOT
+ 0.3V
上层栅极电压,V
UGATE
. . . . V
- 0.3V至V
BOOT
+ 0.3V
更低的栅极电压,V
LGATE
。 。 。 。 。 。 。 。 PGND - 0.3V至VCC + 0.3V
输入,输出或I / O电压。 。 。 。 。 。 。 。 。 GND - 0.3V至VCC + 0.3V
ESD分类。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 HBM等级1 JEDEC STD
热信息
热阻
θ
JA
( ° C / W)
θ
JC
( ° C / W)
QFN封装(注3,4) 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。
43
7
最高结温。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 150℃
最大存储温度范围。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 -65 ℃150 ℃的
最大的铅温度(焊接10秒) 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 300℃
推荐工作条件
电源电压。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 + 5V
±5%
环境温度。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 0 ° C至70℃
注意:压力超过上述“绝对最大额定值” ,可能对器件造成永久性损坏。这是一个应力只评级和操作
器件在这些或以上的本规范的操作章节中所示的任何其他条件不暗示。
注意事项:
3.
θ
JA
测量在自由空气与装在一个高有效热导率测试板用“直接连接”的功能的组件。看
技术简介TB379 。
4.对于
θ
JC
的“外壳温度”的位置是在封装底部的裸露金属焊盘的中心。
电气规格
参数
测试条件: V
CC
= 5V ,T
J
= 0 ° C至85°C ,除非另有说明
测试条件
典型值
最大
单位
偏置电源和内部振荡器
输入偏置电源电流
VCC POR (上电复位)阈值
I
VCC
; ENLL =高
VCC上升
VCC下降
PVCC POR (上电复位)阈值
PVCC崛起
PVCC降
开关频率(每通道)
(注5 )
振荡器斜坡幅度(注6 )
最大占空比(注6 )
管制尺度
ENLL上升阈值
ENLL滞后(注6 )
COMP关断阈值
COMP关机最大下拉阻抗
参考和DAC
系统精度
T
J
= -40 ° C至85°C
DAC输入低电压
DAC输入高电压
DAC输入上拉电流
误差放大器器
直流增益(注5)
增益带宽积(注6 )
压摆率(注6 )
最大输出电压
最小输出电压
R
L
= 10K到地
C
L
= 100pF电容,R
L
= 10K到地
C
L
= 100pF电容,负载=
±400A
负载= 1毫安
负载= -1mA
-
-
-
3.90
-
96
20
8
4.20
0.80
-
-
-
-
0.90
dB
兆赫
V / μs的
V
V
VIDx = 0V
-1
-1.5
-
0.8
-
-
-
-
-
45
1
1.5
0.4
-
-
%
%
V
V
A
-
-
0.23
-
0.61
60
0.36
-
-
-
0.49
15
V
mV
V
T
J
- 25 ° C至85°C
T
J
= -40°C
V
PP
-
4.2
3.7
-
-
189
166
-
-
4
4.4
3.9
4.2
3.3
222
205
1.33
66
6
4.6
4.1
-
-
255
241
-
-
mA
V
V
V
V
千赫
千赫
V
%
4
FN9126.6
2005年4月13日
ISL6563
电气规格
参数
过电流保护
过电流跳闸水平
保护
过电压阈值,而IC残疾人
VRM9.0配置
锤子和VRM10.0配置
过电压阈值
过电压滞后
开关时间
UGATE上升时间(注6 )
LGATE上升时间(注6 )
UGATE下降时间(注6 )
LGATE下降时间(注6 )
UGATE开启非重叠(注6 )
LGATE开启非重叠(注6 )
产量
上驱动源电阻
上驱动吸收电阻
降低驱动源电阻
降低驱动吸收电阻
注意事项:
在T 5.参数幅度
J
= -40 ° C到特征决定的。
6.参数幅度由设计保证。
百毫安源电流
百毫安灌电流
百毫安源电流
百毫安灌电流
-
-
-
-
0.5
0.4
0.5
0.3
1.3
1.0
1.3
1.0
t
的Rugate ;
V
VCC
= 5V , 3nF的负载
t
RLGATE ;
V
VCC
= 5V , 3nF的负载
t
富盖特;
V
VCC
= 5V , 3nF的负载
t
FLGATE ;
V
VCC
= 5V , 3nF的负载
t
PDHUGATE
; V
VCC
= 5V , 3nF的负载
t
PDHLGATE
; V
VCC
= 5V , 3nF的负载
-
-
-
-
-
-
8
8
8
4
8
8
-
-
-
-
-
-
ns
ns
ns
ns
ns
ns
FB上升
1.90
1.60
-
-
1.95
1.65
VID
+200mV
100
2.00
1.70
-
-
V
V
V
mV
-
95
-
A
测试条件: V
CC
= 5V ,T
J
= 0 ° C至85°C ,除非另有说明
(续)
测试条件
典型值
最大
单位
时序图
t
PDHUGATE
t
的Rugate
t
富盖特
UGATE
LGATE
t
FLGATE
t
PDHLGATE
t
RLGATE
功能引脚说明
VCC (引脚8 )
偏置电源IC的小信号的电路。这个连接
引脚为5V电源和退耦本地使用0.1μF的质量
陶瓷电容器。
GND和PGND (引脚25和14)
用最短这些引脚连接至电路接地
可能路径。所有内部小信号电路是
引用到GND引脚。 LGATE驱动的参考从所述
PGND引脚。
PVCC (引脚16 )
电源引脚的MOSFET驱动器。将此引脚连接到
5V电源和本地去耦使用1μF的质量
陶瓷电容器。
5
VID0-4 (引脚2 , 1 , 24-22 )
电压识别输入的微处理器。这些引脚
回应TTL逻辑阈值。该ISL6563解码
VID输入以建立输出电压;看到VID桌
DAC码和输出电压之间的对应关系
FN9126.6
2005年4月13日
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    联系人:杨小姐
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    ISL6563CR-T
    -
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    -
    -
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ISL6563CR-T
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电话:0755-89697985
联系人:李
地址:深圳市龙岗区平湖街道平湖社区平安大道3号铁东物流区11栋1822
ISL6563CR-T
Intersil
24+
10000
24-QFN(4x4)
原厂一级代理,原装现货
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电话:0755-89697985
联系人:李
地址:深圳市龙岗区平湖街道平湖社区平安大道3号铁东物流区11栋1822
ISL6563CR-T
Renesas Electronics Corporation
24+
10000
24-QFN(4x4)
原厂一级代理,原装现货
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电话:0755-88291559
联系人:陈泽强
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ISL6563CR-T
INTERSIL
2443+
23000
QFN
一级代理专营,原装现货,价格优势
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电话:0755-83223003
联系人:朱
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ISL6563CR-T
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ISL6563CR-T
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