ISL6553
TM
数据表
2000年11月
网络文件编号
4931
微处理器核心电压调节器
多相降压PWM控制器
该ISL6553多相PWM控制IC连同其
同伴栅极驱动器，该HIP6601 ， HIP6602或HIP6603
和Intersil公司的MOSFET提供了精确的电压
调节系统的先进微处理器。多
三相电源转换是从早期的明显背离
单相转换器CON连接gurations以前使用
为了满足现代日益增加的电流需求
微处理器。多相转换器，通过分配
功率和负载电流导致更小，成本更低的
晶体管更少的输入和输出电容器。这些
减少从更高的有效转化累积
频与较高频率的纹波电流，由于
此拓扑的相位交错处理。例如，一
两相转换器在在350kHz操作会产生波纹
频率700kHz的了。此外，更高的转换器
这种设计会导致更快的响应带宽来加载
瞬变。
该控制器IC包括突出特点
来自微处理器的可编程VID代码那
范围从1.05V至1.825V用的系统精度
±1%.
拉起电流对这些VID针脚省去了
外部上拉电阻。除了“下垂”的赔偿，
用于降低芯的过冲或下冲
电压，容易编程，用单个电阻。
此控制IC的另一个特征是所述的PGOOD显示器
电路保持低电平，直到核心电压增加，
在其软启动序列内的10 ％
编程电压。过电压， 15 ％以上的编程
核心电压，导致转炉关停和
翻下MOSFET管接通夹紧和保护
微处理器。下的电压也被检测和结果
在PGOOD低，如果核心电压下降到低于10％的
编程水平。过电流保护降低了
调节器的RMS输出电流的编程41％
过电流脱扣值。这些功能提供监控
和保护用于微处理器和电源系统。
特点
多相电源转换
精确的通道电流共享
- 亏损较少的电流采样 - 使用
DS （ ON）
精密核心电压调节
-
±1%
系统温度测量的精确性
微处理器电压Identi网络阳离子输入
- 5位VID输入
- 1.05V至1.825V以25mV步
- 可编程的“下垂”电压
快速瞬态恢复时间
④过电流保护
高纹波频率（频道频率）时代
通道数。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。在100kHz至3MHz
相关文献
技术简介TB363 “准则处理和
处理湿度敏感表面贴装器件
（ SMD的） “
订购信息
产品型号
ISL6553CB
ISL6553CB-T
ISL6553EVAL1
TEMP 。 （
o
C)
0到70
包
16 Ld的SOIC
PKG 。号
M16.15
16 Ld的SOIC卷带
评估平台
引脚
ISL6553 （ SOIC ）
顶视图
VID3 1
VID2 2
VID1 3
VID0 4
VID25mV 5
COMP 6
7 FB
FS / DIS 8
16 VCC
15 PGOOD
14 ISEN1
13 PWM1
12 PWM2
11 ISEN2
10 VSEN
9 GND
1
注意：这些器件对静电放电敏感;遵循正确的IC处理程序。
1-888- INTERSIL或321-724-7143
|
Intersil的设计是Intersil Corporation的注册商标。
|
版权所有 Intersil公司2000
ISL6553
功能引脚说明
VID3 1
VID2 2
VID1 3
VID0 4
VID25mV 5
COMP 6
7 FB
FS / DIS 8
16 VCC
15 PGOOD
14 ISEN1
13 PWM1
12 PWM2
11 ISEN2
10 VSEN
9 GND
信道频率，女
SW
选择并禁用。从A电阻
此引脚与地设置的开关频率
转换器。要将这个引脚到地禁用该转换器
三态PWM输出。参见图10 。
GND （引脚9 ）
偏置和参考地。所有的信号都参考这个
引脚。
VSEN （引脚10 ）
电源良好监视器的输入。连接到微处理器
核心电压。
ISEN2 （引脚11）和ISEN1 （引脚14 ）
VID3 （引脚1 ） ， VID2 （ 2脚） ， VID1 （ 3脚） ， VID0 （引脚4 ）
和VID25mV （引脚5 ）
电压识别输入的微处理器。这些引脚
回应TTL和3.3V逻辑信号。该ISL6553解码
VID位建立的输出电压。见表1 。
从个人转换器通道的电流感应输入
相节点。
PWM2 （引脚12）和PWM1 （引脚13 ）
PWM输出，用于正在使用的每个驱动通道。连接这些
销至HIP6601 / 2/3的驱动PWM输入。
COMP （引脚6 ）
输出内部误差放大器洱。该引脚连接到
外部反馈和补偿网络。
PGOOD （引脚15 ）
电源良好。该引脚提供一个逻辑高电平信号时，
微处理器核心电压（ VSEN引脚）是在特定网络版
限制和软启动超时。
FB （引脚7 ）
反相内部误差放大器连接器的输入。
VCC （引脚16 ）
偏置电源。该引脚连接到5V电源。
FS / DIS （引脚8 ）
典型应用 - 两相转换器使用HIP6601栅极驱动器
+12V
BOOT
UGATE
VCC
+5V
相
V
IN
= +5V
PVCC
PWM
司机
HIP6601
LGATE
GND
+V
CORE
FB
VSEN
PGOOD
VID3
COMP
VCC
PWM2
+12V
BOOT
PVCC
V
IN
= +5V
ISEN2
VID2
VID1
VID0
VID25mV
FS / DIS
GND
ISEN1
UGATE
VCC
相
主
控制
ISL6553
PWM1
PWM
司机
HIP6601
LGATE
GND
3
ISL6553
典型应用 - 两相转换器使用HIP6602栅极驱动器
+5V
+12V
BOOT1
V
IN
= +12V
FB
VSEN
COMP
VCC
VCC
ISEN1
UGATE1
PHASE1
L
01
PGOOD
VID3
VID2
VID1
VID0
VID25mV
PWM1
PWM1
LGATE1
主
控制
ISL6553
双
司机
HIP6602
PVCC
+V
CORE
+5V
V
IN
+12V
BOOT2
PWM2
ISEN2
PWM2
UGATE2
PHASE2
L
02
FS / DIS
GND
GND
LGATE2
4
ISL6553
绝对最大额定值
电源电压VCC 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 + 7V
输入，输出或I / O电压。 。 。 。 。 。 。 。 。 GND -0.3V到V
VCC
+ 0.3V
ESD分类科幻阳离子。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。类TBD
热信息
热电阻（典型值，注1 ）
θ
JA
(
o
C / W ）
SOIC封装。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。
106
最高结温。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 .150
o
C
最大存储温度范围。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 -65
o
C至150
o
C
最大的铅温度（焊接10秒） 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 .300
o
C
（ SOIC - 只会提示）
推荐工作条件
电源电压。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 + 5V
±5%
环境温度。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 0
o
C至70
o
C
注意：如果运行条件超过上述“绝对最大额定值” ，可能对器件造成永久性损坏。这是一个应力只评级和操作
器件在这些或以上的本规范的业务部门所标明的任何其他条件不暗示。
注意：
1.
θ
JA
测定用安装在一个低的有效热导率测试板在自由空气中的分量。参见技术简介TB379了解详细信息。
电气连接特定的阳离子
参数
输入电源电源
输入电源电流
POR （上电复位）阈值
工作条件： VCC = 5V ，T
A
= 0
o
C至70
o
C，除非另有规定编
测试条件
民
典型值
最大
单位
R
T
= 100kΩ的，主动和残疾人最大限制
VCC上升
VCC下降
-
4.25
3.75
10
4.38
3.88
15
4.5
4.00
mA
V
V
参考和DAC
DAC电压精度
DAC引脚输入低电压阈值
DAC引脚输入高电压阈值
VID拉
振荡器
频率f
SW
调整范围
关闭电压
误差放大器器
DC增益
增益带宽积
压摆率
最大输出电压
最小输出电压
艾辛河
满量程输入电流
过电流保护级别
电源好班长
欠压阈值
欠压阈值
PGOOD低输出电压
保护
过压阈值
％的过电压迟滞
VSEN上升
之后过电压VSEN下降
1.12
-
1.15
2
1.2
-
V
DAC
%
VSEN上升
VSEN下降
I
PGOOD
= 4毫安
-
-
-
0.92
0.90
0.18
-
-
0.4
V
DAC
V
DAC
V
-
-
50
82.5
-
-
A
A
R
L
= 10K到GND
C
L
= 100pF电容，R
L
= 10K到GND
C
L
= 100pF电容，负载=
±400A
R
L
= 10K至GND ，负载= 400μA
R
L
= 10K至GND ，负载= -400μA
-
-
-
3.6
-
72
18
5.3
4.1
0.16
-
-
-
-
0.5
dB
兆赫
V / μs的
V
V
R
T
= 100k,
±1%
见图10
在FS / DIS最大电压来禁用控制器。我
FS / DIS
= 1毫安
245
0.05
-
275
-
-
305
1.5
1.0
千赫
兆赫
V
VIDx = 0V或VIDx = 3V
-1
-
2.0
10
-
-
-
20
1
0.8
-
40
%
V
V
A
5
ISL6553
数据表
2004年8月
FN4931.1
微处理器核心电压调节器
多相降压PWM控制器
[ /标题
(ISL65
53)
/ Subjec
t
（微
过程
or
CORE
voltag
e
雷古拉
器
多
相
巴克
PWM
CONTRO
米勒）
/ Autho
r ()
/ KEYW
ords
（ Intersi
l
CORPOR
ATION ，
矽
nducto
R， ACPI ，
动力
MANAG
键相，
instantl
y
AVAILAB
LE ，
有线
该ISL6553多相PWM控制IC连同其
同伴栅极驱动器，该HIP6601 ， HIP6602或HIP6603
提供了先进的精密调压系统
微处理器。多相电源变换为标记
从早期的单相转换器CON连接gurations出发
以前采用，以满足日益增加的电流
现代微处理器的需求。多相
器，通过分配权力和负载电流的结果
在具有较少的输入和体积更小，成本更低的晶体管
输出电容器。这些减少的累积较高
有效的转换频率更高的频率纹波
到这个相位交错处理当前因
拓扑结构。例如，两相转换器，在操作
在350kHz将具有700kHz的的脉动频率。此外，
这种设计的更大的转换器带宽，在结果更快
负载瞬态响应。
该控制器IC包括突出特点
来自微处理器的可编程VID代码那
范围从1.05V至1.825V用的系统精度
±1%.
拉起电流对这些VID针脚省去了
外部上拉电阻。除了“下垂”的赔偿，
用于降低芯的过冲或下冲
电压，容易编程，用单个电阻。
此控制IC的另一个特征是所述的PGOOD显示器
电路保持低电平，直到核心电压增加，
在其软启动序列内的10 ％
编程电压。过电压， 15 ％以上的编程
核心电压，导致转炉关停和
翻下MOSFET管接通夹紧和保护
微处理器。下的电压也被检测和结果
在PGOOD低，如果核心电压下降到低于10％的
编程水平。过电流保护降低了
调节器的RMS输出电流的编程41％
过电流脱扣值。这些功能提供监控
和保护用于微处理器和电源系统。
特点
多相电源转换
精确的通道电流共享
- 亏损较少的电流采样 - 使用
DS （ ON）
精密核心电压调节
-
±1%
系统温度测量的精确性
微处理器电压识别输入
- 5位VID输入
- 1.05V至1.825V以25mV步
- 可编程的“下垂”电压
快速瞬态恢复时间
④过电流保护
高纹波频率（频道频率）时代
通道数。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 .100kHz至3MHz
无铅可用
相关文献
技术简介TB363 “准则处理和
处理湿度敏感表面贴装器件
（ SMD的） “
订购信息
产品型号
ISL6553CB
ISL6553CBZ （注）
ISL6553EVAL1
TEMP 。 （
o
C)
0到70
0到70
包
16 Ld的SOIC
16 Ld的SOIC
（无铅）
PKG 。 DWG 。
#
M16.15
M16.15
评估平台
*添加“ -T ”后缀部分号码磁带和卷轴包装。
注： Intersil无铅产品采用特殊的无铅材料制成，造型
塑料/晶片的附属材料和100 ％雾锡板终止完成，这
是既锡铅和无铅焊接操作兼容。 Intersil无铅
产品分类MSL在达到或无铅峰值回流温度
超过IPC / JEDEC J STD- 020B标准的无铅要求。
引脚
ISL6553 （ SOIC ）
顶视图
VID3 1
VID2 2
VID1 3
VID0 4
VID25mV 5
COMP 6
7 FB
FS / DIS 8
16 VCC
15 PGOOD
14 ISEN1
13 PWM1
12 PWM2
11 ISEN2
10 VSEN
9 GND
1
注意：这些器件对静电放电敏感;遵循正确的IC处理程序。
1-888- INTERSIL或321-724-7143
|
Intersil公司（和设计）是Intersil Americas Inc.公司的注册商标。
版权所有 Intersil公司美洲2000年， 2004年版权所有
提及的所有其他商标均为其各自所有者的财产。
ISL6553
功能引脚说明
VID3 1
VID2 2
VID1 3
VID0 4
VID25mV 5
COMP 6
7 FB
FS / DIS 8
16 VCC
15 PGOOD
14 ISEN1
13 PWM1
12 PWM2
11 ISEN2
10 VSEN
9 GND
信道频率，女
SW
选择并禁用。从A电阻
此引脚与地设置的开关频率
转换器。要将这个引脚到地禁用该转换器
三态PWM输出。参见图10 。
GND （引脚9 ）
偏置和参考地。所有的信号都参考这个
引脚。
VSEN （引脚10 ）
电源良好监视器的输入。连接到微处理器
核心电压。
ISEN2 （引脚11）和ISEN1 （引脚14 ）
VID3 （引脚1 ） ， VID2 （ 2脚） ， VID1 （ 3脚） ， VID0 （引脚4 ）
和VID25mV （引脚5 ）
电压识别输入的微处理器。这些引脚
回应TTL和3.3V逻辑信号。该ISL6553解码
VID位建立的输出电压。见表1 。
从个人转换器通道的电流感应输入
相节点。
PWM2 （引脚12）和PWM1 （引脚13 ）
PWM输出，用于正在使用的每个驱动通道。连接这些
销至HIP6601 / 2/3的驱动PWM输入。
COMP （引脚6 ）
输出内部误差放大器洱。该引脚连接到
外部反馈和补偿网络。
PGOOD （引脚15 ）
电源良好。该引脚提供一个逻辑高电平信号时，
微处理器核心电压（ VSEN引脚）是在特定网络版
限制和软启动超时。
FB （引脚7 ）
反相内部误差放大器连接器的输入。
VCC （引脚16 ）
偏置电源。该引脚连接到5V电源。
FS / DIS （引脚8 ）
典型应用 - 两相转换器使用HIP6601栅极驱动器
+12V
BOOT
UGATE
VCC
+5V
相
V
IN
= +5V
PVCC
PWM
司机
HIP6601
LGATE
GND
+V
CORE
FB
VSEN
PGOOD
VID3
COMP
VCC
PWM2
+12V
BOOT
PVCC
V
IN
= +5V
ISEN2
VID2
VID1
VID0
VID25mV
FS / DIS
GND
ISEN1
UGATE
VCC
相
主
控制
ISL6553
PWM1
PWM
司机
HIP6601
LGATE
GND
3
ISL6553
典型应用 - 两相转换器使用HIP6602栅极驱动器
+5V
+12V
BOOT1
V
IN
= +12V
FB
VSEN
COMP
VCC
VCC
ISEN1
UGATE1
PHASE1
L
01
PGOOD
VID3
VID2
VID1
VID0
VID25mV
PWM1
PWM1
LGATE1
主
控制
ISL6553
双
司机
HIP6602
PVCC
+V
CORE
+5V
V
IN
+12V
BOOT2
PWM2
ISEN2
PWM2
UGATE2
PHASE2
L
02
FS / DIS
GND
GND
LGATE2
4
ISL6553
绝对最大额定值
电源电压VCC 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 + 7V
输入，输出或I / O电压。 。 。 。 。 。 。 。 。 GND -0.3V到V
VCC
+ 0.3V
ESD分类科幻阳离子。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。类TBD
热信息
热电阻（典型值，注1 ）
θ
JA
(
o
C / W ）
SOIC封装。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。
106
最高结温。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 .150
o
C
最大存储温度范围。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 -65
o
C至150
o
C
最大的铅温度（焊接10秒） 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 .300
o
C
（ SOIC - 只会提示）
推荐工作条件
电源电压。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 + 5V
±5%
环境温度。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 0
o
C至70
o
C
注意：如果运行条件超过上述“绝对最大额定值” ，可能对器件造成永久性损坏。这是一个应力只评级和操作
器件在这些或以上的本规范的业务部门所标明的任何其他条件不暗示。
注意：
1.
θ
JA
测定用安装在一个低的有效热导率测试板在自由空气中的分量。参见技术简介TB379了解详细信息。
电气规格
参数
输入电源电源
输入电源电流
POR （上电复位）阈值
工作条件： VCC = 5V ，T
A
= 0
o
C至70
o
C，除非另有规定编
测试条件
民
典型值
最大
单位
R
T
= 100kΩ的，主动和残疾人最大限制
VCC上升
VCC下降
-
4.25
3.75
10
4.38
3.88
15
4.5
4.00
mA
V
V
参考和DAC
DAC电压精度
DAC引脚输入低电压阈值
DAC引脚输入高电压阈值
VID拉
振荡器
频率f
SW
调整范围
关闭电压
误差放大器器
DC增益
增益带宽积
压摆率
最大输出电压
最小输出电压
艾辛河
满量程输入电流
过电流保护级别
电源好班长
欠压阈值
欠压阈值
PGOOD低输出电压
保护
过压阈值
％的过电压迟滞
VSEN上升
之后过电压VSEN下降
1.12
-
1.15
2
1.2
-
V
DAC
%
VSEN上升
VSEN下降
I
PGOOD
= 4毫安
-
-
-
0.92
0.90
0.18
-
-
0.4
V
DAC
V
DAC
V
-
-
50
82.5
-
-
A
A
R
L
= 10K到GND
C
L
= 100pF电容，R
L
= 10K到GND
C
L
= 100pF电容，负载=
±400A
R
L
= 10K至GND ，负载= 400μA
R
L
= 10K至GND ，负载= -400μA
-
-
-
3.6
-
72
18
5.3
4.1
0.16
-
-
-
-
0.5
dB
兆赫
V / μs的
V
V
R
T
= 100k,
±1%
见图10
在FS / DIS最大电压来禁用控制器。我
FS / DIS
= 1毫安
245
0.05
-
275
-
-
305
1.5
1.0
千赫
兆赫
V
VIDx = 0V或VIDx = 3V
-1
-
2.0
10
-
-
-
20
1
0.8
-
40
%
V
V
A
5
QQ：2881677436 复制
