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ISL6548
数据表
2006年1月3日
FN9188.2
ACPI稳压器/控制器
双通道DDR内存系统
该ISL6548提供了一个完整的符合ACPI电源
多达4个DIMM双通道DDR / DDR2内存解决方案
系统。包括均为同步降压控制器
电源V
DDQ
在S0 / S1和S3的状态。在S0 / S1
国家,一个完全集成的片源稳压器产生的
准确的(V
DDQ
/ 2 )大电流V
TT
电压不
需要负电源。两个LDO控制器也
集成了GMCH核心电压调节和对
GMCH / CPU V
TT
终止电压调节。
开关模式PWM控制器驱动两个N沟道
在同步整流降压转换器的MOSFET
拓扑结构。在同步降压转换器采用电压 -
模式控制,具有快速的瞬态响应。开关
稳压器提供的最大静态监管宽容
±
线路,负载和温度范围内的2%。的输出是
用户可调节的以外部电阻下降到0.8V的手段。
一个集成的软启动功能将所有的输出入
当返回到S0 / S1的调节以控制的方式
国家从任何睡眠状态。在S0的VIDPGD信号
表示该GMCH / CPU V
TT
终止电压为
在规范和操作。
每个输出进行监控欠压事件。该
开关调节器还具有过电压和过电流
保护。热关断集成。
特点
生成4稳压电压
- 同步降压PWM控制器,用于DDR V
DDQ
- 3A集成的吸入/源线性稳压
准确的VDDQ / 2分频参考DDR V
TT
- LDO稳压器为核心GMCH
- 灌/ LDO稳压器,用于CPU / GMCH V
TT
终止
符合ACPI休眠状态控制
无干扰视线在状态变化
PWM控制器驱动低成本N沟道MOSFET
在250kHz恒定频率工作
严格的输出电压调节
- 所有输出:
±
2 %过温
完全可调节的输出具有宽电压范围:羽绒服
到0.8V支持DDR和DDR2规格
简单的单回路电压模式PWM控制设计
快速PWM转换器的瞬态响应
在和所有输出过压监视
OCP上的开关稳压器
集成的热关断保护
无铅加退火有(符合RoHS )
应用
单通道和双通道DDR内存电源系统中
ACPI兼容电脑
显卡 - GPU和显存供应
ASIC电源
嵌入式处理器和I / O电源
DSP用品
引脚
ISL6548 ( 6×6 QFN )
顶视图
OCSET
22
21 DRIVE4
20 REFADJ4
19 DRIVE3
GND
29
18 FB3
17 FB4
16 COMP
15 FB
8
VDDQ
9
DDR_VTTSNS
10
DRIVE2_U
11
FB2
12
VIDPGD
13
DRIVE2_L
14
VREF_IN
24
UGATE
LGATE
BOOT
GND
S5#
23
28
5VSBY
S3#
P12V
GND
DDR_VTT
DDR_VTT
VDDQ
1
2
3
4
5
6
7
27
26
25
订购信息
部分
部件号标记
ISL6548CRZA
(注)
ISL6548CRZ
温度。
范围
(°C)
0到70
0到70
PKG 。
DWG 。 #
28 Ld的的6x6 QFN L28.6x6
(无铅)
28 Ld的的6x6 QFN L28.6x6
磁带和卷轴
(无铅)
ISL6548CRZA -T ISL6548CRZ
(注)
注: Intersil无铅加退火产品采用特殊的无铅
材料套;模塑料/晶片的附属材料和100 %雾
锡板终止完成,这是符合RoHS标准,兼容
既锡铅和无铅焊接操作。 Intersil无铅
产品分类MSL在无铅峰值回流温度下
达到或超过IPC / JEDEC J STD- 020对无铅要求。
1
注意:这些器件对静电放电敏感;遵循正确的IC处理程序。
1-888- INTERSIL或1-888-468-3774
|
Intersil公司(和设计)是Intersil Americas Inc.公司的注册商标。
版权所有 Intersil公司美洲2005年, 2006年版权所有
提及的所有其他商标均为其各自所有者的财产。
框图
5VSBY
VDDQ
P12V
S3#
S5#
FB
COMP
P12V
R
GU
EA4
DRIVE4
R
GL
BOOT
EA1
GMCH双路LDO
POR
PWM
5VSBY
UGATE
2
FB4
REFADJ4
P12V
EA3
DRIVE3
FB3
P12V
EA2
DRIVE2_U
FB2
P12V
DRIVE2_L
FN9188.2
2006年1月3日
监视和控制
故障
250kHz
振荡器
LGATE
软启动&启用
软启动&允许B
软启动& ENABLE
ENABLE VIDPGD
ENABLE DDR_VTT
OC
COMP
电压
参考
0.800V
0.680V (-15%)
0.920V (+15%)
VTT
REG
UV / OV
R
U
UV / OV
R
L
S3
20A
ISL6548
OCSET
VTTSNS
VDDQ(2)
VTT(2)
UV
VREF_IN
UV
VIDPGD
GND焊盘
GND(2)
ISL6548
简化的电源系统图
5VSBY
12V
5VDUAL
V
DDQ
SLP_S3
SLP_S5
睡觉
状态
逻辑
PWM
调节器
Q1
V
DDQ
Q2
+
Q3
Q4
V
GMCH
+
二阶段
线性
调节器
ISL6548
V
REF
Q5
V
TT_GMCH / CPU
+
Q6
线性
调节器
VTT
调节器
+
V
TT
典型用途
5VSBY
12V
5VDUAL
5VSBY
P12V
D
BOOT
BOOT
R
OCSET
OCSET
C
BOOT
UGATE
Q1
V
DDQ_DDR
+
LGATE
Q2
VIDPGD
V
DDQ_DDR
SLP_S5
SLP_S3
Q3
S5#
S3#
DRIVE4
FB4
REFADJ4
Q4
V
GMCH
R5
FB3
R6
DRIVE3
ISL6548
DDR_VDDQ(x2)
COMP
R2
C1
C2
R3
C3
FB
Q5
V
TT_GMCH / CPU
R7
FB2
R8
DDR_VTT(x2)
Q6
DRIVE2_L
GND
DDR_VTTSNS
DRIVE2_U
R4
R1
VREF_IN
V
TT_DDR
3
FN9188.2
2006年1月3日
ISL6548
绝对最大额定值
5VSBY 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 GND - 0.3V至+ 7V
P12V变极。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 GND - 0.3V至+ 14V
绝对的启动电压,V
BOOT
. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . +15.0V
上部驱动器电源电压,V
BOOT
- V
. . . . . . . . . . . +6.0V
所有其他引脚。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 GND - 0.3V至5VCC + 0.3V
ESD分类科幻阳离子。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 2级
热信息
热阻
θ
JA
( ° C / W)
θ
JC
( ° C / W)
QFN封装(注1 , 2 ) 。 。 。 。 。 。 。 。 。
32
4
最高结温(塑料封装) 。 。 。 。 。 。 。 150℃
最大存储温度范围。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 -65 ℃150 ℃的
最大的铅温度(焊接10秒) 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 300℃
推荐工作条件
电源电压上5VSBY 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 + 5V ± 10 %
电源电压上P12V变极。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 + 12V ±10 %
环境温度范围。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 0 ° C至70℃
结温范围。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 0 ° C至125°C
注意:如果运行条件超过上述“绝对最大额定值” ,可能对器件造成永久性损坏。这是一个应力只评级和操作
器件在这些或以上的本规范的业务部门所标明的任何其他条件不暗示。
注意事项:
1.
θ
JA
测量在自由空气与装在一个高有效热导率测试板用“直接连接”的功能的组件。看
技术简介TB379 。
2.
θ
JC
的“外壳温度”的位置是在封装底部的裸露金属焊盘的中心。
电气规格
参数
5VSBY电源电流
额定电源电流
推荐工作条件,除非另有说明。请参阅座和简化的电源系统
图和典型应用原理图
符号
测试条件
典型值
最大
单位
I
CC_S0
I
CC_S5
S3 # & # S5高, UGATE / LGATE开放
S5 #低, S3 #无所谓, UGATE / LGATE开放
5.50
-
7.00
700
8.00
850
mA
A
上电复位
瑞星5VSBY POR阈值
落5VSBY POR阈值
瑞星P12V变极POR阈值
落P12V变极POR阈值
振荡器和软启动
PWM频率
斜坡幅度
软启动间隔
参考电压
参考电压
系统精度
V
DDQ
PWM控制器误差放大器
DC增益
增益带宽积
压摆率
控制I / O( # S3和S5 # )
低电平输入阈值
高电平输入阈值
0.75
-
-
-
-
2.2
V
V
增益带宽积
SR
通过设计保证
-
15
-
80
-
6
-
-
-
dB
兆赫
V / μs的
V
REF
-
-2.0
0.800
-
-
+2.0
V
%
f
OSC
V
OSC
t
SS
220
-
6.5
250
1.5
8.2
280
-
9.5
千赫
V
ms
4.10
3.60
10.0
8.80
-
-
-
-
4.45
3.95
10.5
9.75
V
V
V
V
4
FN9188.2
2006年1月3日
ISL6548
电气规格
参数
PWM控制器栅极驱动
UGATE和LGATE源
UGATE和LGATE库
VTT稳压器
上部分阻抗
低阻抗分频器
最大V
TT
负载电流
R
U
R
L
I
VTT_MAX
周期性负载施加有30 %的占空比和
使用ISL6548_6506EVAL1 10ms的周期
评估板(参见应用笔记AN1123 )
-
-
-3
2.5
2.5
-
-
-
3
k
k
A
I
I
-
-
-0.8
0.8
-
-
A
A
推荐工作条件,除非另有说明。请参阅座和简化的电源系统
图和典型应用原理图
(续)
符号
测试条件
典型值
最大
单位
线性稳压器
DC增益
增益带宽积
压摆率
驱动高输出电压
驱动为低电平输出电压
驱动高输出源电流
驱动为低电平输出灌电流
VIDPGD
V
TT_GMCH / CPU
阈值上升
V
TT_GMCH / CPU
下降阈值
保护
OCSET电流源
V
TT_DDR
电流限制
V
DDQ
OV水平
V
DDQ
紫外线等级
V
TT_DDR
OV水平
V
TT_DDR
紫外线等级
V
GMCH
紫外线等级
V
TT_GMCH / CPU
紫外线等级
热关断限制
V
FB
/V
REF
V
FB
/V
REF
V
TT
/V
VREF_IN
V
TT
/V
VREF_IN
V
FB4
/V
REF
V
FB2
/V
REF
T
SD
I
OCSET
通过设计
S0/S3
S0/S3
S0
S0
S0
S0
通过设计
18
-3.3
-
-
-
-
-
-
-
20
-
115
85
115
85
85
85
140
22
3.3
-
-
-
-
-
-
-
A
A
%
%
%
%
%
%
°C
S0
S0
0.725
-
0.74
0.70
-
0.715
V
V
V
FB
= 770mV ; V
驱动的
= 0V
V
FB
= 830mV ; V
驱动的
= 10V
增益带宽积
SR
空载驱动
通过设计保证
-
15
-
9.75
-
-
-
80
-
6
10.0
0.16
1.7
1.2
-
-
-
-
0.50
-
-
dB
兆赫
V / μs的
V
V
mA
mA
5
FN9188.2
2006年1月3日
ISL6548
数据表
2005年2月9日
FN9188.1
ACPI稳压器/控制器
双通道DDR内存系统
该ISL6548提供了一个完整的符合ACPI电源
多达4个DIMM双通道DDR / DDR2内存解决方案
系统。包括均为同步降压控制器
电源V
DDQ
在S0 / S1和S3的状态。在S0 / S1
国家,一个完全集成的片源稳压器产生的
准确的(V
DDQ
/ 2 )大电流V
TT
电压不
需要负电源。两个LDO控制器也
集成了GMCH核心电压调节和对
GMCH / CPU V
TT
终止电压调节。
开关模式PWM控制器驱动两个N沟道
在同步整流降压转换器的MOSFET
拓扑结构。在同步降压转换器采用电压 -
模式控制,具有快速的瞬态响应。开关
稳压器提供的最大静态监管宽容
±
线路,负载和温度范围内的2%。的输出是
用户可调节的以外部电阻下降到0.8V的手段。
一个集成的软启动功能将所有的输出入
当返回到S0 / S1的调节以控制的方式
国家从任何睡眠状态。在S0的VIDPGD信号
表示该GMCH / CPU V
TT
终止电压为
在规范和操作。
每个输出进行监控欠压事件。该
开关调节器还具有过电压和过电流
保护。热关断集成。
特点
生成4稳压电压
- 同步降压PWM控制器,用于DDR V
DDQ
- 3A集成的吸入/源线性稳压
准确的VDDQ / 2分频参考DDR V
TT
- LDO稳压器为核心GMCH
- 灌/ LDO稳压器,用于CPU / GMCH V
TT
终止
符合ACPI休眠状态控制
无干扰视线在状态变化
PWM控制器驱动低成本N沟道MOSFET
在250kHz恒定频率工作
严格的输出电压调节
- 所有输出:
±
2 %过温
完全可调节的输出具有宽电压范围:羽绒服
到0.8V支持DDR和DDR2规格
简单的单回路电压模式PWM控制设计
快速PWM转换器的瞬态响应
在和所有输出过压监视
OCP上的开关稳压器
集成的热关断保护
无铅可(符合RoHS )
应用
单通道和双通道DDR内存电源系统中
ACPI兼容电脑
显卡 - GPU和显存供应
ASIC电源
嵌入式处理器和I / O电源
DSP用品
引脚
ISL6548 ( 6×6 QFN )
顶视图
OCSET
22
21 DRIVE4
20 REFADJ4
19 DRIVE3
GND
29
18 FB3
17 FB4
16 COMP
15 FB
8
VDDQ
9
DDR_VTTSNS
10
DRIVE2_U
11
FB2
12
VIDPGD
13
DRIVE2_L
14
VREF_IN
24
UGATE
LGATE
BOOT
GND
S5#
23
28
5VSBY
S3#
P12V
GND
DDR_VTT
DDR_VTT
VDDQ
1
2
3
4
5
6
7
27
26
25
订购信息
温度。
PART数的范围( ℃)
ISL6548CRZ
(注)
ISL6548CRZ-T
(注)
ISL6548CRZ一
(注)
ISL6548CRZA-T
(注)
0到70
0到70
0到70
0到70
PKG 。
DWG 。 #
28 Ld的的6x6 QFN (无铅) L28.6x6
28 Ld的的6x6 QFN
L28.6x6
磁带和卷轴(无铅)
28 Ld的的6x6 QFN (无铅) L28.6x6
28 Ld的的6x6 QFN
L28.6x6
磁带和卷轴(无铅)
注: Intersil无铅产品采用特殊的无铅材料制成,造型
塑料/晶片的附属材料和100 %雾锡板终止完成,这是
符合RoHS标准,既锡铅和无铅焊接操作兼容。
Intersil无铅产品分类MSL在无铅峰值回流温度下
达到或超过IPC / JEDEC J STD- 020对无铅要求。
1
注意:这些器件对静电放电敏感;遵循正确的IC处理程序。
1-888- INTERSIL或321-724-7143
|
Intersil公司(和设计)是Intersil Americas Inc.公司的注册商标。
版权所有 Intersil公司美洲2005.版权所有
提及的所有其他商标均为其各自所有者的财产。
框图
5VSBY
VDDQ
P12V
S3#
S5#
FB
COMP
P12V
R
GU
EA4
DRIVE4
R
GL
BOOT
EA1
GMCH双路LDO
POR
PWM
5VSBY
UGATE
2
FB4
REFADJ4
P12V
EA3
DRIVE3
FB3
P12V
EA2
DRIVE2_U
FB2
P12V
DRIVE2_L
FN9188.1
2005年2月9日
监视和控制
故障
250kHz
振荡器
LGATE
软启动&启用
软启动&允许B
软启动& ENABLE
ENABLE VIDPGD
ENABLE DDR_VTT
OC
COMP
电压
参考
0.800V
0.680V (-15%)
0.920V (+15%)
VTT
REG
UV / OV
R
U
UV / OV
R
L
S3
20A
ISL6548
OCSET
VTTSNS
VDDQ(2)
VTT(2)
UV
VREF_IN
UV
VIDPGD
GND焊盘
GND(2)
ISL6548
简化的电源系统图
5VSBY
12V
5VDUAL
V
DDQ
SLP_S3
SLP_S5
睡觉
状态
逻辑
PWM
调节器
Q1
V
DDQ
Q2
+
Q3
Q4
V
GMCH
+
二阶段
线性
调节器
ISL6548
V
REF
Q5
V
TT_GMCH / CPU
+
Q6
线性
调节器
VTT
调节器
+
V
TT
典型用途
5VSBY
12V
5VDUAL
5VSBY
P12V
D
BOOT
BOOT
R
OCSET
OCSET
C
BOOT
UGATE
Q1
V
DDQ_DDR
+
LGATE
Q2
VIDPGD
V
DDQ_DDR
SLP_S5
SLP_S3
Q3
S5#
S3#
DRIVE4
FB4
REFADJ4
Q4
V
GMCH
R5
FB3
R6
DRIVE3
ISL6548
DDR_VDDQ(x2)
COMP
R2
C1
C2
R3
C3
FB
Q5
V
TT_GMCH / CPU
R7
FB2
R8
DDR_VTT(x2)
Q6
DRIVE2_L
GND
DDR_VTTSNS
DRIVE2_U
R4
R1
VREF_IN
V
TT_DDR
3
FN9188.1
2005年2月9日
ISL6548
绝对最大额定值
5VSBY 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 GND - 0.3V至+ 7V
P12V变极。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 GND - 0.3V至+ 14V
绝对的启动电压,V
BOOT
. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . +15.0V
上部驱动器电源电压,V
BOOT
- V
. . . . . . . . . . . +6.0V
所有其他引脚。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 GND - 0.3V至5VCC + 0.3V
ESD分类科幻阳离子。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 TBD
热信息
热阻
θ
JA
( ° C / W)
θ
JC
( ° C / W)
QFN封装(注1 , 2 ) 。 。 。 。 。 。 。 。 。
32
4
最高结温(塑料封装) 。 。 。 。 。 。 。 150℃
最大存储温度范围。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 -65 ℃150 ℃的
最大的铅温度(焊接10秒) 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 300℃
推荐工作条件
电源电压上5VSBY 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 + 5V ± 10 %
电源电压上P12V变极。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 + 12V ±10 %
环境温度范围。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 0 ° C至70℃
结温范围。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 0 ° C至125°C
注意:如果运行条件超过上述“绝对最大额定值” ,可能对器件造成永久性损坏。这是一个应力只评级和操作
器件在这些或以上的本规范的业务部门所标明的任何其他条件不暗示。
注意事项:
1.
θ
JA
测量在自由空气与装在一个高有效热导率测试板用“直接连接”的功能的组件。看
技术简介TB379 。
2.
θ
JC
的“外壳温度”的位置是在封装底部的裸露金属焊盘的中心。
电气规格
参数
5VSBY电源电流
额定电源电流
推荐工作条件,除非另有说明。请参阅座和简化的电源系统
图和典型应用原理图
符号
测试条件
典型值
最大
单位
I
CC_S0
I
CC_S5
S3 # & # S5高, UGATE / LGATE开放
S5 #低, S3 #无所谓, UGATE / LGATE开放
5.50
-
7.00
700
8.00
850
mA
A
上电复位
瑞星5VSBY POR阈值
落5VSBY POR阈值
瑞星P12V变极POR阈值
落P12V变极POR阈值
振荡器和软启动
PWM频率
斜坡幅度
软启动间隔
参考电压
参考电压
系统精度
V
DDQ
PWM控制器误差放大器
DC增益
增益带宽积
压摆率
控制I / O( # S3和S5 # )
低电平输入阈值
高电平输入阈值
0.75
-
-
-
-
2.2
V
V
增益带宽积
SR
通过设计保证
-
15
-
80
-
6
-
-
-
dB
兆赫
V / μs的
V
REF
-
-2.0
0.800
-
-
+2.0
V
%
f
OSC
V
OSC
t
SS
220
-
6.5
250
1.5
8.2
280
-
9.5
千赫
V
ms
4.10
3.60
10.0
8.80
-
-
-
-
4.45
3.95
10.5
9.75
V
V
V
V
4
FN9188.1
2005年2月9日
ISL6548
电气规格
参数
PWM控制器栅极驱动
UGATE和LGATE源
UGATE和LGATE库
VTT稳压器
上部分阻抗
低阻抗分频器
最大V
TT
负载电流
R
U
R
L
I
VTT_MAX
周期性负载施加有30 %的占空比和
使用ISL6548_6506EVAL1 10ms的周期
评估板(参见应用笔记AN1123 )
-
-
-3
2.5
2.5
-
-
-
3
k
k
A
I
I
-
-
-0.8
0.8
-
-
A
A
推荐工作条件,除非另有说明。请参阅座和简化的电源系统
图和典型应用原理图
(续)
符号
测试条件
典型值
最大
单位
线性稳压器
DC增益
增益带宽积
压摆率
驱动高输出电压
驱动为低电平输出电压
驱动高输出源电流
驱动为低电平输出灌电流
VIDPGD
V
TT_GMCH / CPU
阈值上升
V
TT_GMCH / CPU
下降阈值
保护
OCSET电流源
V
TT_DDR
电流限制
V
DDQ
OV水平
V
DDQ
紫外线等级
V
TT_DDR
OV水平
V
TT_DDR
紫外线等级
V
GMCH
紫外线等级
V
TT_GMCH / CPU
紫外线等级
热关断限制
V
FB
/V
REF
V
FB
/V
REF
V
TT
/V
VREF_IN
V
TT
/V
VREF_IN
V
FB4
/V
REF
V
FB2
/V
REF
T
SD
I
OCSET
通过设计
S0/S3
S0/S3
S0
S0
S0
S0
通过设计
18
-3.3
-
-
-
-
-
-
-
20
-
115
85
115
85
85
85
140
22
3.3
-
-
-
-
-
-
-
A
A
%
%
%
%
%
%
°C
S0
S0
0.725
-
0.74
0.70
-
0.715
V
V
V
FB
= 770mV ; V
驱动的
= 0V
V
FB
= 830mV ; V
驱动的
= 10V
增益带宽积
SR
空载驱动
通过设计保证
-
15
-
9.75
-
-
-
80
-
6
10.0
0.16
1.7
1.2
-
-
-
-
0.50
2.6
1.75
dB
兆赫
V / μs的
V
V
mA
mA
5
FN9188.1
2005年2月9日
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