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位置：首页 > IC型号导航 > 首字符I型号页 > 首字符I的型号第74页 > ISL6539CA
ISL6539
数据表
2005年6月6日
FN9144.4
宽输入范围双PWM控制器
与DDR选项
该ISL6539双PWM控制器提供高效率，
从两个电压精确调节调节同步降压
直流/直流转换器。它是专为DDR DRAM ，
在SDRAM中，图形芯片集的应用程序，以及系统调节
高性能的应用。
电压前馈斜坡调制，电流模式
控制和内部反馈补偿提供快捷
响应于输入电压和输出负载瞬变。输入
纹波电流通过通道到通道PWM最小化
为0°的相移，90°，或180 °（由输入电压决定
与DDR引脚的状态）。
该ISL6539可以控制两个独立的输出电压
调整范围为0.9V至5.5V ，或通过激活DDR脚，
变身成一个完整的DDR显存供电
的解决方案。在DDR模式， CH2输出电压VTT跟踪CH1
输出电压VDDQ 。 CH2输出能源和汇
目前，对于DDR内存的基本电源功能。
通过DDR内存所需要的参考电压VREF
生成。
在双电源应用的ISL6539监控
CH1和CH2的输出电压。独立
PGOOD （电源好）信号被确认为每个信道
软启动序列已完成，并输出后
电压范围内的PGOOD窗口。在DDR模式CH1
生成唯一的PGOOD信号。
内置过压保护防止输出从去
高于设定值由持有较低的MOSFET 115 ％
和上部MOSFET关断。当输出电压衰减
下面的过电压阈值，在正常操作
自动恢复。一旦软启动序列具有
完成后，欠压保护锁存违规
通道关闭，如果输出低于其设定值的75％
为双切换。可调式过电流保护（ OCP ）
监视横跨第r上的电压降
DS （ ON）
的下
MOSFET。如果更精确的电流检测是必需的，一个
外部电流检测电阻器可以被使用。
特点
提供稳定的输出电压范围为0.9V - 5.5V
与VTT曲目完整的DDR存储器电源解决方案
VDDQ / 2和VDDQ / 2缓冲基准输出
同时支持DDR -I和DDR2内存
无损
DS （ ON）
电流检测传感
具有电压前馈和出色的动态响应
电流模式控制包容广泛的LC滤波器
SELECTIONS
双模式操作，直接操作从5.0-15V
输入或3.3V / 5V轨系统
VCC引脚上的欠压锁定
电源良好，过流，过压，欠压
保护两个通道
在PWM模式下同步的300kHz PWM操作
无铅加退火有（符合RoHS ）
应用
单通道和双通道DDR内存电源系统
显卡 - GPU和显存供应
耗材的服务器，主板， FPGA的
ASIC电源
嵌入式处理器和I / O电源
DSP用品
1
注意：这些器件对静电放电敏感;遵循正确的IC处理程序。
1-888- INTERSIL或1-888-468-3774
|
Intersil公司（和设计）是Intersil Americas Inc.公司的注册商标。
版权所有Intersil公司美洲2004年， 2005年版权所有
提及的所有其他商标均为其各自所有者的财产。
ISL6539
订购信息
产品型号
ISL6539CA
ISL6539CA-T
ISL6539CAZ （注）
ISL6539CAZ-T
（注）
ISL6539IA
ISL6539IA-T
ISL6539IAZ （注）
ISL6539IAZ-T
（注）
温度。
范围（° C）
0到70
包
28 Ld的SSOP
PKG 。
DWG 。 ＃
M28.15
GND
LGATE1
PGND1
PHASE1
UGATE1
BOOT1
1
2
3
4
5
6
7
8
9
引脚
ISL6539 （ SSOP ）
顶视图
28 VCC
27 LGATE2
26 PGND2
25 PHASE2
24 UGATE2
23 BOOT2
22 ISEN2
21 EN2
20 GND
19 VSEN2
18 OCSET2
17 SOFT2
16 PG2 / REF
15 PG1
28 Ld的SSOP磁带和卷轴
0到70
28 Ld的SSOP （无铅） M28.15
28 Ld的SSOP磁带和卷轴（无铅）
-40到85
28 Ld的SSOP
M28.15
ISEN1
EN1
GND
28 Ld的SSOP磁带和卷轴
-40到85
28 Ld的SSOP （无铅） M28.15
VSEN1 10
OCSET1 11
SOFT1 12
DDR 13
VIN 14
28 Ld的SSOP磁带和卷轴（无铅）
注： Intersil无铅加退火产品采用特殊的无铅
材料套;模塑料/晶片的附属材料和100 ％
雾锡板终止完成，这是符合RoHS标准，
既锡铅和无铅焊接操作兼容。 Intersil公司
无铅产品分类MSL在无铅峰值回流
气温达到或超过的无铅要求
IPC / JEDEC J STD- 020 。
2
FN9144.4
2005年6月6日
ISL6539
通用应用电路
V
IN
3.3V或
5.0V至15V
OCSET1
Q1
L1
V
OUT1
PWM1
Q2
EN1
EN2
5V
VCC
DDR
OCSET2
Q4
C2
PWM2
+
Q3
L2
C1
+
V
OUT2
ISL6539应用电路双通道电源
V
IN
3.3V或
5.0V至15V
OCSET1
Q1
L1
VDDQ
+
PWM1
Q2
EN1
EN2
5V
VREF
VCC
DDR
PG2/VREF
PWM2
C1
Q3
L2
VTT
OCSET2
Q4
C2
+
ISL6539应用电路图完整的DDR显存供电
3
FN9144.4
2005年6月6日
ISL6539
绝对最大额定值
偏置电压，V
CC
. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . +6.5V
输入电压V
IN
. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . +18.0V
相， UGATE 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 .GND - 5V （注1） + 24.0V
BOOT ， ISEN 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 GND - 0.3V至+ 24.0V
BOOT的针对相位。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 + 6.5V
所有其他引脚。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 GND -0.3V到V
CC
+ 0.3V
ESD分类科幻阳离子。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 2级
BOOT
热信息
热电阻（典型，注2 ）
θ
JA
（ ° C / W）
SSOP封装。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。
80
最高结温（塑料封装） 。 。 。 。 。 。 。 。 。 150℃
最大存储温度范围。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 -65 ℃150 ℃的
最大的铅温度（焊接10秒） 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 300℃
（ SSOP - 只会提示）
推荐工作条件
偏置电压，V
CC
. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . +5.0V
±
5%
输入电压V
IN
。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 + 3.3V或5.0V至+ 18.0V
环境温度范围，商业。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 0 ° C至70℃
结温范围内，商业。 。 。 。 。 。 。 。 。 0 ° C至125°C
环境温度范围，工业。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 - 40 ° C至85°C
结温范围，工业。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 - 40 ° C至125°C
注意：如果运行条件超过上述“绝对最大额定值” ，可能对器件造成永久性损坏。这是一个应力只评级和操作
器件在这些或以上的本规范的业务部门所标明的任何其他条件不暗示。
注意事项：
1. 250ns的瞬间。见围负相节点电压摆幅的应用信息部分。
2.
θ
JA
测定用安装在一个高的有效热导率测试板在自由空气中的分量。参见技术简介TB379了解详细信息。
电气规格
参数
VCC电源
偏置电流
关断电流
VCC UVLO
VCC上升阈值
VCC下降阈值
VIN
输入电压引脚电流（漏）
关断电流
振荡器
振荡器频率
斜坡幅度，峰峰值
斜坡幅度，峰峰值
斜坡补偿
斜坡/ V
IN
收益
斜坡/ V
IN
收益
参考和软启动
内部参考电压
基准电压准确度
软启动电流在启动过程
软启动阈值完成
推荐工作条件，除非另有说明。
符号
测试条件
民
典型值
最大
单位
I
CC
I
CCSn
LGATEx ， UGATEx开放， VSENx上述的强制
调节点， DDR = 0 ， VIN > 5V
-
-
1.8
-
3.0
1
mA
A
V
CCU
V
CCD
4.30
4.00
4.45
4.14
4.50
4.34
V
V
I
VIN
I
VINS
-
-
-
-
35
1
A
A
f
OSC
V
R1
V
R2
V
ROFF
G
RB1
G
RB2
VIN引脚电压= 16V ，设计
VIN引脚电压为5V ，通过设计
通过设计
VIN引脚电压> 4.2V ，设计
VIN引脚电压
≤
4.1V ，设计
255
-
-
-
-
-
300
2
0.625
1
125
250
345
-
-
-
-
-
千赫
V
V
V
mV / V的
mV / V的
V
REF
-
-1.0
0.9
-
4.5
1.5
-
+1.0
-
-
V
%
A
V
I
软
V
ST
通过设计
-
-
4
FN9144.4
2005年6月6日
ISL6539
电气规格
参数
PWM变换器
负载调整率
VSEN引脚偏置电流
最小占空比
最大占空比
欠压关机开机级
过压保护
栅极驱动器
驱动器上拉电阻
上驱动下拉电阻
较低的驱动器上拉电阻
较低的驱动器下拉电阻
R
2UGPUP
R
2UGPDN
R
2LGPUP
R
2LGPDN
V
CC
= 5V
V
CC
= 5V
V
CC
= 5V
V
CC
= 5V
-
-
-
-
4
2.3
4
1.1
8
4
8
3
I
VSEN
D
民
D
最大
V
UVL
V
OVP1
设定点的分数; 2ms的噪声滤波器
设定点的分数; 2ms的噪声滤波器
0.0毫安<我
VOUT1
< 5.0A ; 5.0V < V
IN
< 15.0V
通过设计
-2.0
-
-
-
70
110
-
80
4
87
75
115
+2.0
-
-
-
80
-
%
nA
%
%
%
%
推荐工作条件，除非另有说明。
（续）
符号
测试条件
民
典型值
最大
单位
POWER GOOD和控制功能
电源良好门槛较低
电源良好门槛较高
PGOODx漏电流
PGOODx电压低
ISEN源电流
OCSET输出电流范围
EN - 低（关）
EN - 高（上）
DDR - 低（关）
DDR - 高（上）
DDR REF输出电压
DDR REF输出电流
V
DDREF
I
DDREF
DDR = 1 ，我
REF
= 0 ... 10毫安
DDR = 1，保证所设计的。
V
PG-
V
PG +
I
PGLKG
V
PGOOD
设定点的分数; 3ms的噪声滤波器
设定点的分数; 3ms的噪声滤波器。
V
上拉
= 5.5V
I
PGOOD
= -4mA
通过设计
84
110
-
-
-
2
-
2.0
-
3
0.99*
V
OC2
-
89
115
-
0.5
-
-
-
-
-
-
V
OC2
10
92
120
1
1
260
20
0.8
-
0.8
-
1.01*
V
OC2
12
%
%
A
V
A
A
V
V
V
V
V
mA
功能引脚说明
GND （引脚1 ， 9 ， 20 ）
信号地为IC 。所有这三个接地引脚必须
连接到地正确IC操作。连接到
通过低电感的路径接地平面
可能。
PHASE1 ， PHASE2 （引脚4 ， 25 ）
相位缓冲和PHASE2点的结点
上部MOSFET的源，输出滤波器电感器和
较低的MOSFET漏极。这些引脚连接到各自的
转换器的上部MOSFET的源极。
LGATE1 ， LGATE2 （引脚2 ， 27 ）
这些引脚连接到相应较低的门
的MOSFET。这些引脚提供了PWM控制门
驱动为低的MOSFET。
UGATE1 ， UGATE2 （引脚5 ， 24 ）
这些引脚连接到相应的上层之门
的MOSFET。这些引脚提供了PWM控制门
驱动为上层的MOSFET。
PGND1 ， PGND2 （引脚3 ， 26 ）
这些引脚为低闸返回连接
驱动器，并且被连接到下部源
其各自的转换器的MOSFET。这些引脚必须
可以通过一个路径连接到接地平面作为低中
电感越好。
5
BOOT1 ， BOOT2 （6脚， 23 ）
这些引脚供电PWM的上MOSFET驱动器
转换器。这些引脚连接至自举的结
电容器的自举二极管的阴极。阳极
自举二极管中的一个连接到VCC的电压。
FN9144.4
2005年6月6日
ISL6539
数据表
2005年6月6日
FN9144.4
宽输入范围双PWM控制器
与DDR选项
该ISL6539双PWM控制器提供高效率，
从两个电压精确调节调节同步降压
直流/直流转换器。它是专为DDR DRAM ，
在SDRAM中，图形芯片集的应用程序，以及系统调节
高性能的应用。
电压前馈斜坡调制，电流模式
控制和内部反馈补偿提供快捷
响应于输入电压和输出负载瞬变。输入
纹波电流通过通道到通道PWM最小化
为0°的相移，90°，或180 °（由输入电压决定
与DDR引脚的状态）。
该ISL6539可以控制两个独立的输出电压
调整范围为0.9V至5.5V ，或通过激活DDR脚，
变身成一个完整的DDR显存供电
的解决方案。在DDR模式， CH2输出电压VTT跟踪CH1
输出电压VDDQ 。 CH2输出能源和汇
目前，对于DDR内存的基本电源功能。
通过DDR内存所需要的参考电压VREF
生成。
在双电源应用的ISL6539监控
CH1和CH2的输出电压。独立
PGOOD （电源好）信号被确认为每个信道
软启动序列已完成，并输出后
电压范围内的PGOOD窗口。在DDR模式CH1
生成唯一的PGOOD信号。
内置过压保护防止输出从去
高于设定值由持有较低的MOSFET 115 ％
和上部MOSFET关断。当输出电压衰减
下面的过电压阈值，在正常操作
自动恢复。一旦软启动序列具有
完成后，欠压保护锁存违规
通道关闭，如果输出低于其设定值的75％
为双切换。可调式过电流保护（ OCP ）
监视横跨第r上的电压降
DS （ ON）
的下
MOSFET。如果更精确的电流检测是必需的，一个
外部电流检测电阻器可以被使用。
特点
提供稳定的输出电压范围为0.9V - 5.5V
与VTT曲目完整的DDR存储器电源解决方案
VDDQ / 2和VDDQ / 2缓冲基准输出
同时支持DDR -I和DDR2内存
无损
DS （ ON）
电流检测传感
具有电压前馈和出色的动态响应
电流模式控制包容广泛的LC滤波器
SELECTIONS
双模式操作，直接操作从5.0-15V
输入或3.3V / 5V轨系统
VCC引脚上的欠压锁定
电源良好，过流，过压，欠压
保护两个通道
在PWM模式下同步的300kHz PWM操作
无铅加退火有（符合RoHS ）
应用
单通道和双通道DDR内存电源系统
显卡 - GPU和显存供应
耗材的服务器，主板， FPGA的
ASIC电源
嵌入式处理器和I / O电源
DSP用品
1
注意：这些器件对静电放电敏感;遵循正确的IC处理程序。
1-888- INTERSIL或1-888-468-3774
|
Intersil公司（和设计）是Intersil Americas Inc.公司的注册商标。
版权所有Intersil公司美洲2004年， 2005年版权所有
提及的所有其他商标均为其各自所有者的财产。
ISL6539
订购信息
产品型号
ISL6539CA
ISL6539CA-T
ISL6539CAZ （注）
ISL6539CAZ-T
（注）
ISL6539IA
ISL6539IA-T
ISL6539IAZ （注）
ISL6539IAZ-T
（注）
温度。
范围（° C）
0到70
包
28 Ld的SSOP
PKG 。
DWG 。 ＃
M28.15
GND
LGATE1
PGND1
PHASE1
UGATE1
BOOT1
1
2
3
4
5
6
7
8
9
引脚
ISL6539 （ SSOP ）
顶视图
28 VCC
27 LGATE2
26 PGND2
25 PHASE2
24 UGATE2
23 BOOT2
22 ISEN2
21 EN2
20 GND
19 VSEN2
18 OCSET2
17 SOFT2
16 PG2 / REF
15 PG1
28 Ld的SSOP磁带和卷轴
0到70
28 Ld的SSOP （无铅） M28.15
28 Ld的SSOP磁带和卷轴（无铅）
-40到85
28 Ld的SSOP
M28.15
ISEN1
EN1
GND
28 Ld的SSOP磁带和卷轴
-40到85
28 Ld的SSOP （无铅） M28.15
VSEN1 10
OCSET1 11
SOFT1 12
DDR 13
VIN 14
28 Ld的SSOP磁带和卷轴（无铅）
注： Intersil无铅加退火产品采用特殊的无铅
材料套;模塑料/晶片的附属材料和100 ％
雾锡板终止完成，这是符合RoHS标准，
既锡铅和无铅焊接操作兼容。 Intersil公司
无铅产品分类MSL在无铅峰值回流
气温达到或超过的无铅要求
IPC / JEDEC J STD- 020 。
2
FN9144.4
2005年6月6日
ISL6539
通用应用电路
V
IN
3.3V或
5.0V至15V
OCSET1
Q1
L1
V
OUT1
PWM1
Q2
EN1
EN2
5V
VCC
DDR
OCSET2
Q4
C2
PWM2
+
Q3
L2
C1
+
V
OUT2
ISL6539应用电路双通道电源
V
IN
3.3V或
5.0V至15V
OCSET1
Q1
L1
VDDQ
+
PWM1
Q2
EN1
EN2
5V
VREF
VCC
DDR
PG2/VREF
PWM2
C1
Q3
L2
VTT
OCSET2
Q4
C2
+
ISL6539应用电路图完整的DDR显存供电
3
FN9144.4
2005年6月6日
ISL6539
绝对最大额定值
偏置电压，V
CC
. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . +6.5V
输入电压V
IN
. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . +18.0V
相， UGATE 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 .GND - 5V （注1） + 24.0V
BOOT ， ISEN 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 GND - 0.3V至+ 24.0V
BOOT的针对相位。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 + 6.5V
所有其他引脚。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 GND -0.3V到V
CC
+ 0.3V
ESD分类科幻阳离子。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 2级
BOOT
热信息
热电阻（典型，注2 ）
θ
JA
（ ° C / W）
SSOP封装。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。
80
最高结温（塑料封装） 。 。 。 。 。 。 。 。 。 150℃
最大存储温度范围。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 -65 ℃150 ℃的
最大的铅温度（焊接10秒） 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 300℃
（ SSOP - 只会提示）
推荐工作条件
偏置电压，V
CC
. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . +5.0V
±
5%
输入电压V
IN
。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 + 3.3V或5.0V至+ 18.0V
环境温度范围，商业。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 0 ° C至70℃
结温范围内，商业。 。 。 。 。 。 。 。 。 0 ° C至125°C
环境温度范围，工业。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 - 40 ° C至85°C
结温范围，工业。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 - 40 ° C至125°C
注意：如果运行条件超过上述“绝对最大额定值” ，可能对器件造成永久性损坏。这是一个应力只评级和操作
器件在这些或以上的本规范的业务部门所标明的任何其他条件不暗示。
注意事项：
1. 250ns的瞬间。见围负相节点电压摆幅的应用信息部分。
2.
θ
JA
测定用安装在一个高的有效热导率测试板在自由空气中的分量。参见技术简介TB379了解详细信息。
电气规格
参数
VCC电源
偏置电流
关断电流
VCC UVLO
VCC上升阈值
VCC下降阈值
VIN
输入电压引脚电流（漏）
关断电流
振荡器
振荡器频率
斜坡幅度，峰峰值
斜坡幅度，峰峰值
斜坡补偿
斜坡/ V
IN
收益
斜坡/ V
IN
收益
参考和软启动
内部参考电压
基准电压准确度
软启动电流在启动过程
软启动阈值完成
推荐工作条件，除非另有说明。
符号
测试条件
民
典型值
最大
单位
I
CC
I
CCSn
LGATEx ， UGATEx开放， VSENx上述的强制
调节点， DDR = 0 ， VIN > 5V
-
-
1.8
-
3.0
1
mA
A
V
CCU
V
CCD
4.30
4.00
4.45
4.14
4.50
4.34
V
V
I
VIN
I
VINS
-
-
-
-
35
1
A
A
f
OSC
V
R1
V
R2
V
ROFF
G
RB1
G
RB2
VIN引脚电压= 16V ，设计
VIN引脚电压为5V ，通过设计
通过设计
VIN引脚电压> 4.2V ，设计
VIN引脚电压
≤
4.1V ，设计
255
-
-
-
-
-
300
2
0.625
1
125
250
345
-
-
-
-
-
千赫
V
V
V
mV / V的
mV / V的
V
REF
-
-1.0
0.9
-
4.5
1.5
-
+1.0
-
-
V
%
A
V
I
软
V
ST
通过设计
-
-
4
FN9144.4
2005年6月6日
ISL6539
电气规格
参数
PWM变换器
负载调整率
VSEN引脚偏置电流
最小占空比
最大占空比
欠压关机开机级
过压保护
栅极驱动器
驱动器上拉电阻
上驱动下拉电阻
较低的驱动器上拉电阻
较低的驱动器下拉电阻
R
2UGPUP
R
2UGPDN
R
2LGPUP
R
2LGPDN
V
CC
= 5V
V
CC
= 5V
V
CC
= 5V
V
CC
= 5V
-
-
-
-
4
2.3
4
1.1
8
4
8
3
I
VSEN
D
民
D
最大
V
UVL
V
OVP1
设定点的分数; 2ms的噪声滤波器
设定点的分数; 2ms的噪声滤波器
0.0毫安<我
VOUT1
< 5.0A ; 5.0V < V
IN
< 15.0V
通过设计
-2.0
-
-
-
70
110
-
80
4
87
75
115
+2.0
-
-
-
80
-
%
nA
%
%
%
%
推荐工作条件，除非另有说明。
（续）
符号
测试条件
民
典型值
最大
单位
POWER GOOD和控制功能
电源良好门槛较低
电源良好门槛较高
PGOODx漏电流
PGOODx电压低
ISEN源电流
OCSET输出电流范围
EN - 低（关）
EN - 高（上）
DDR - 低（关）
DDR - 高（上）
DDR REF输出电压
DDR REF输出电流
V
DDREF
I
DDREF
DDR = 1 ，我
REF
= 0 ... 10毫安
DDR = 1，保证所设计的。
V
PG-
V
PG +
I
PGLKG
V
PGOOD
设定点的分数; 3ms的噪声滤波器
设定点的分数; 3ms的噪声滤波器。
V
上拉
= 5.5V
I
PGOOD
= -4mA
通过设计
84
110
-
-
-
2
-
2.0
-
3
0.99*
V
OC2
-
89
115
-
0.5
-
-
-
-
-
-
V
OC2
10
92
120
1
1
260
20
0.8
-
0.8
-
1.01*
V
OC2
12
%
%
A
V
A
A
V
V
V
V
V
mA
功能引脚说明
GND （引脚1 ， 9 ， 20 ）
信号地为IC 。所有这三个接地引脚必须
连接到地正确IC操作。连接到
通过低电感的路径接地平面
可能。
PHASE1 ， PHASE2 （引脚4 ， 25 ）
相位缓冲和PHASE2点的结点
上部MOSFET的源，输出滤波器电感器和
较低的MOSFET漏极。这些引脚连接到各自的
转换器的上部MOSFET的源极。
LGATE1 ， LGATE2 （引脚2 ， 27 ）
这些引脚连接到相应较低的门
的MOSFET。这些引脚提供了PWM控制门
驱动为低的MOSFET。
UGATE1 ， UGATE2 （引脚5 ， 24 ）
这些引脚连接到相应的上层之门
的MOSFET。这些引脚提供了PWM控制门
驱动为上层的MOSFET。
PGND1 ， PGND2 （引脚3 ， 26 ）
这些引脚为低闸返回连接
驱动器，并且被连接到下部源
其各自的转换器的MOSFET。这些引脚必须
可以通过一个路径连接到接地平面作为低中
电感越好。
5
BOOT1 ， BOOT2 （6脚， 23 ）
这些引脚供电PWM的上MOSFET驱动器
转换器。这些引脚连接至自举的结
电容器的自举二极管的阴极。阳极
自举二极管中的一个连接到VCC的电压。
FN9144.4
2005年6月6日
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推荐型号
IRKVF131-08CL
IDT70V7339S
IRKT26/12AS90
IRLL110TR
IN74ACT138D
ISPGAL22LV10-5LJ
IDT72T36105L7BBI
IDT74FCT2646ATPB
IDT72T1875L5BBI
ISL6522CR-T
IDT7M1002S65G
IDT54FCT533CE
IDT71V421S55PFI
IDT71256S120D
IRFB4615PBF
IDT7M624S55C
IPB65R600C6
IRM-26XXAF4
IRLU3915
IRKKF71-10DK
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