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位置：首页 > IC型号导航 > 首字符I型号页 > 首字符I的型号第657页 > ISL6537ACR
ISL6537A
数据表
2007年7月18日
FN9143.5
ACPI稳压器/控制器
双通道DDR内存系统
该ISL6537A提供了一个完整的符合ACPI电源
多达4个DIMM双通道DDR / DDR2内存解决方案
系统。包括均为同步降压控制器
电源V
DDQ
在S0 / S1和S3的状态。在S0 / S1状态时，
完全集成的源库调节器产生一个精确的
(V
DDQ
/ 2 ）大电流V
TT
电压，而不需要一
负电源。在V的缓冲版本
DDQ
/ 2参考
作为V
REF
。第二个PWM控制器，这需要
外部MOSFET驱动器，可用于调控
GMCH核心电压。一个LDO控制器还集成了
CPU的V
TT
终止电压调节和DAC 。
开关模式PWM控制器驱动两个N沟道
在同步整流降压转换器的MOSFET
拓扑结构。在同步降压转换器采用电压 -
模式控制，具有快速的瞬态响应。开关
稳压器提供的最大静态监管宽容
±
线路，负载和温度范围内的2％。的输出是
用户可调节的以外部电阻下降到0.8V的手段。
一个集成的软启动功能将所有的输出入
当返回到S0 / S1的调节以控制的方式
国家从任何睡眠状态。在S0的VIDPGD信号
表示该GMCH和CPU V
TT
终止电压
是在规范和操作。
所有输出，除了VDAC ，具有欠压保护。
开关调节器还具有过电压和
过电流保护。热关断集成。
特点
生成5稳压电压
- 同步降压PWM控制器，用于DDR V
DDQ
- 3A集成的吸入/源线性稳压
准确的VDDQ / 2分频参考DDR V
TT
- PWM调节器GMCH核心
- LDO稳压器为CPU / GMCH V
TT
终止
- LDO稳压器的DAC
符合ACPI休眠状态控制
无干扰视线在状态变化
集成的V
REF
卜FF器
V
DDQ
PWM控制器驱动低成本N沟道
MOSFET的
在250kHz恒定频率工作
- 两个PWM控制器移相180 °
严格的输出电压调节
- 所有输出：
±
2 ％过温
完全可调节的输出具有宽电压范围：羽绒服
到0.8V支持DDR和DDR2规格
简单的单回路电压模式PWM控制设计
快速PWM转换器的瞬态响应
在和过压监视
OCP在V
DDQ
开关稳压器
集成的热关断保护
引脚
LGATE
ISL6537A （ 6X6 QFN ）
顶视图
相
OCSET
UGATE
BOOT
GND
S5#
无铅加退火有（符合RoHS ）
应用
单通道和双通道DDR内存电源系统中
ACPI兼容电脑
21
20
19
DRIVE3
FB3
PWM4
FB4
COMP4
COMP
FB
28
5VSBY
S3#
P12V
GND
DDR_VTT
DDR_VTT
VDDQ
1
2
3
4
5
6
7
8
VDDQ
27
26
25
24
23
22
显卡 - GPU和显存供应
ASIC电源
嵌入式处理器和I / O电源
DSP用品
GND
29
18
17
16
15
9
DDR_VTTSNS
10
DRIVE2
11
FB2
12
VIDPGD
13
VREF_OUT
14
VREF_IN
1
注意：这些器件对静电放电敏感;遵循正确的IC处理程序。
1-888- INTERSIL或1-888-468-3774
|
Intersil公司（和设计）是Intersil Americas Inc.公司的注册商标。
版权所有 Intersil公司美洲2004年， 2005年， 2007年版权所有
提及的所有其他商标均为其各自所有者的财产。
ISL6537A
订购信息
产品型号
ISL6537ACR
ISL6537ACRZ （注）
ISL6537ACRZA （注）
最热
ISL6537ACR
ISL6537ACRZ
ISL6537ACRZ
温度
范围（° C）
0至+70
0至+70
0至+70
包
28 Ld的的6x6 QFN
28 Ld的的6x6 QFN （无铅）
28 Ld的的6x6 QFN （无铅）
PKG 。
DWG 。 ＃
L28.6x6
L28.6x6
L28.6x6
*添加“ -T ”后缀部分号码磁带和卷轴包装。
注： Intersil无铅加退火产品采用特殊的无铅材料制成，模塑料/晶片的附属材料和100 ％雾锡板
终止完成，这是符合RoHS标准，既锡铅和无铅焊接操作兼容。 Intersil无铅产品MSL
分类，可达到或超过IPC / JEDEC J STD- 020对无铅要求的无铅峰值回流温度。
2
FN9143.5
框图
5VSBY
P12V
S3#
S5#
FB
COMP
PWM4
180°
相
移
POR
250kHz
振荡器
EA1
BOOT
UGATE
PWM
3
COMP4
EA4
FB4
P12V
EA2
DRIVE2
FB2
UV
0.800V
P12V
EA3
DRIVE3
FB3
UV
FN9143.5
EA1 ACTIVE
在S3中
监视和控制
软启动&启用
软启动&允许B
软启动& ENABLE
ENABLE DDR_VTT
ENABLE VIDPGD
5VSBY
LGATE
ISL6537A
故障
OC
COMP
相
OCSET
20A
电压
参考
0.680V (-15%)
0.920V (+15%)
S3
VTTSNS
VDDQ(2)
VTT(2)
R
U
VTT
REG
UV / OV
UV / OV
VREF_IN
R
L
VREF_OUT
VIDPGD
GND焊盘
GND(2)
ISL6537A
简化的电源系统图
5VSBY
12V
5VDUAL
3V3ATX
SLP_S3
SLP_S5
睡觉
状态
逻辑
ISL6537A
Q1
PWM
调节器
V
DDQ
+
Q2
V
GMCH
+
Q3
Intersil公司
FET驱动器
PWM
调节器
Q4
V
REF
VTT
调节器
3V3ATX
Q5
V
TT_GMCH / CPU
+
线性
调节器
线性
调节器
+
Q6
V
DAC
+
V
TT
典型用途
5VSBY
3VDUAL
5VDUAL
12V
D
BOOT
5VSBY
VIDPGD
ATX3V3
SLP_S5
SLP_S3
Intersil公司
FET驱动器
S5#
S3#
P12V
BOOT
R
OCSET
OCSET
C
BOOT
Q3
V
GMCH
ISL6537A
PWM4
UGATE
相
Q1
V
DDQ_DDR
+
Q4
LGATE
COMP4
R6
FB4
DDR_VDDQ(x2)
COMP
R2
FB
R1
R4
DRIVE2
C1
C2
Q2
C5
C6
R5
R8
C7
Q5
R7
R3
C3
V
TT_GMCH / CPU
V
REF
FB2
ATX3V3
R9
R10
VREF_OUT
VREF_IN
V
TT_DDR
Q6
V
DAC
FB3
R11
R12
DRIVE3
GND
DDR_VTT(x2)
DDR_VTTSNS
4
FN9143.5
ISL6537A
绝对最大额定值
5VSBY 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 GND - 0.3V至+ 7V
P12V变极。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 GND - 0.3V至+ 14V
绝对的启动电压，V
BOOT
. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . +15.0V
上部驱动器电源电压，V
BOOT
- V
相
。 。 。 。 。 。 。 。 7.0V （DC）的
8.0V （ <10ns脉冲宽度， 10μJ ）
所有其他引脚。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 GND - 0.3V至5VCC + 0.3V
ESD分类科幻阳离子。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 2级
热信息
热电阻（典型，注意事项1， 2 ）
θ
JA
（ ° C / W）
θ
JC
（ ° C / W）
QFN封装。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。
32
5
最高结温（塑料封装） 。 。 。 。 。 。 + 150°C
最大存储温度范围。 。 。 。 。 。 。 。 。 -65 ° C至+ 150°C
无铅回流焊曲线。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。下面。见链接
http://www.intersil.com/pbfree/Pb-FreeReflow.asp
推荐工作条件
电源电压上5VSBY 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 + 5V ± 10 ％
电源电压上P12V变极。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 + 12V ±10 ％
环境温度范围。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 0 ° C至+ 70°C
结温范围。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 0 ° C至+ 125°C
注意：不要达到或接近上市较长时间的最高收视率运行。暴露于这样的条件可能不利地影响了产品的可靠性和
导致不在保修范围内的故障。
注意事项：
1.
θ
JA
测量在自由空气与装在一个高有效热导率测试板用“直接连接”的功能的组件。看
技术简介TB379 。
2.
为
θ
JC
的“外壳温度”的位置是在封装底部的裸露金属焊盘的中心。
电气规格
参数
5VSBY电源电流
额定电源电流
推荐工作条件，除非另有说明。请参阅座和简化的电源系统
图和典型应用原理图
符号
测试条件
民
典型值
最大
单位
I
CC_S0
I
CC_S5
＃ S3和S5 ＃ HIGH ， UGATE / LGATE开放
S5 ＃低， S3 ＃无所谓， UGATE / LGATE开放
5.5
-
7.0
700
8.0
850
mA
μA
上电复位
瑞星5VSBY POR阈值
落5VSBY POR阈值
瑞星P12V变极POR阈值
落P12V变极POR阈值
振荡器和软启动
PWM频率
斜坡幅度
软启动间隔
参考电压
参考电压
系统精度
V
DDQ
和V
GMCH
PWM控制器错误放大器器
DC增益
增益带宽积
压摆率
控制I / O（ ＃ S3 ，S5 ＃ ）
低电平输入阈值
高电平输入阈值
0.75
-
-
-
-
2.2
V
V
增益带宽积
SR
（注3）
（注3）
（注3）
-
15
-
80
-
6
-
-
-
dB
兆赫
V / μs的
V
REF
-
-2.0
0.800
-
-
+2.0
V
%
f
OSC
ΔV
OSC
t
SS
220
-
6.5
250
1.5
8.2
280
-
9.5
千赫
V
ms
4.10
3.60
10.0
8.80
-
-
-
-
4.45
3.95
10.5
9.75
V
V
V
V
5
FN9143.5
ISL6537A
数据表
2005年2月9日
FN9143.3
ACPI稳压器/控制器
双通道DDR内存系统
该ISL6537A提供了一个完整的符合ACPI电源
多达4个DIMM双通道DDR / DDR2内存解决方案
系统。包括均为同步降压控制器
电源V
DDQ
在S0 / S1和S3的状态。在S0 / S1状态时，
完全集成的源库调节器产生一个精确的
(V
DDQ
/ 2 ）大电流V
TT
电压，而不需要一
负电源。在V的缓冲版本
DDQ
/ 2参考
作为V
REF
。第二个PWM控制器，这需要
外部MOSFET驱动器，可用于调控
GMCH核心电压。一个LDO控制器还集成了
CPU的V
TT
终止电压调节和DAC 。
开关模式PWM控制器驱动两个N沟道
在同步整流降压转换器的MOSFET
拓扑结构。在同步降压转换器采用电压 -
模式控制，具有快速的瞬态响应。开关
稳压器提供的最大静态监管宽容
±
线路，负载和温度范围内的2％。的输出是
用户可调节的以外部电阻下降到0.8V的手段。
一个集成的软启动功能将所有的输出入
当返回到S0 / S1的调节以控制的方式
国家从任何睡眠状态。在S0的VIDPGD信号
表示该GMCH和CPU V
TT
终止电压
是在规范和操作。
所有输出，除了VDAC ，具有欠压保护。
开关调节器还具有过电压和
过电流保护。热关断集成。
特点
生成5稳压电压
- 同步降压PWM控制器，用于DDR V
DDQ
- 3A集成的吸入/源线性稳压
准确的VDDQ / 2分频参考DDR V
TT
- PWM调节器GMCH核心
- LDO稳压器为CPU / GMCH V
TT
终止
- LDO稳压器的DAC
符合ACPI休眠状态控制
无干扰视线在状态变化
集成的V
REF
卜FF器
V
DDQ
PWM控制器驱动低成本N沟道
MOSFET的
在250kHz恒定频率工作
- 两个PWM控制器移相180 °
严格的输出电压调节
- 所有输出：
±
2 ％过温
完全可调节的输出具有宽电压范围：羽绒服
到0.8V支持DDR和DDR2规格
简单的单回路电压模式PWM控制设计
快速PWM转换器的瞬态响应
在和过压监视
OCP在V
DDQ
开关稳压器
集成的热关断保护
无铅可（符合RoHS ）
引脚
LGATE
ISL6537A （ QFN ）
顶视图
相
OCSET
UGATE
BOOT
GND
S5#
应用
单通道和双通道DDR内存电源系统中
ACPI兼容电脑
显卡 - GPU和显存供应
21
20
19
DRIVE3
FB3
PWM4
FB4
COMP4
COMP
FB
28
5VSBY
S3#
P12V
GND
DDR_VTT
DDR_VTT
VDDQ
1
2
3
4
5
6
7
8
VDDQ
27
26
25
24
23
22
ASIC电源
嵌入式处理器和I / O电源
DSP用品
GND
29
18
17
16
15
订购信息
产品型号
ISL6537ACR
ISL6537ACRZ
（见注）
TEMP 。 RANGE
(°C)
0到70
0到70
包
28 Ld的的6x6 QFN
28 Ld的的6x6 QFN
（无铅）
PKG 。 DWG 。
#
L28.6x6
L28.6x6
9
DDR_VTTSNS
10
DRIVE2
11
FB2
12
VIDPGD
13
VREF_OUT
14
VREF_IN
*添加“ -T ”后缀部分号码磁带和卷轴包装。
注： Intersil无铅产品采用特殊的无铅材料制成，造型
塑料/晶片的附属材料和100 ％雾锡板终止完成，这是
符合RoHS标准，既锡铅和无铅焊接操作兼容。
Intersil无铅产品分类MSL在无铅峰值回流温度下
达到或超过IPC / JEDEC J STD- 020对无铅要求。
注意：这些器件对静电放电敏感;遵循正确的IC处理程序。
1-888- INTERSIL或321-724-7143
|
Intersil公司（和设计）是Intersil Americas Inc.公司的注册商标。
版权所有 Intersil公司美洲2004年， 2005年版权所有
提及的所有其他商标均为其各自所有者的财产。
1
框图
5VSBY
P12V
S3#
S5#
FB
COMP
PWM4
180°
相
移
POR
250kHz
振荡器
EA1
BOOT
UGATE
PWM
EA1 ACTIVE
在S3中
5VSBY
2
COMP4
EA4
FB4
P12V
EA2
DRIVE2
FB2
UV
0.800V
P12V
EA3
DRIVE3
FB3
UV
FN9143.3
监视和控制
软启动&启用
软启动&允许B
软启动& ENABLE
ENABLE DDR_VTT
ENABLE VIDPGD
电压
参考
0.680V (-15%)
0.920V (+15%)
S3
VTT
REG
LGATE
ISL6537A
故障
OC
COMP
相
OCSET
20A
VTTSNS
VDDQ(2)
VTT(2)
R
U
UV / OV
UV / OV
VREF_IN
R
L
VREF_OUT
VIDPGD
GND焊盘
GND(2)
ISL6537A
简化的电源系统图
5VSBY
12V
5VDUAL
3V3ATX
SLP_S3
SLP_S5
Intersil公司
FET驱动器
睡觉
状态
逻辑
ISL6537A
Q1
PWM
调节器
V
DDQ
Q2
+
V
GMCH
+
Q3
PWM
调节器
Q4
V
REF
VTT
调节器
3V3ATX
Q5
V
TT_GMCH / CPU
+
线性
调节器
线性
调节器
+
Q6
V
DAC
+
V
TT
典型用途
5VSBY
3VDUAL
5VDUAL
12V
D
BOOT
5VSBY
VIDPGD
ATX3V3
SLP_S5
SLP_S3
Intersil公司
FET驱动器
S5#
S3#
P12V
BOOT
R
OCSET
OCSET
C
BOOT
V
GMCH
Q3
ISL6537A
PWM4
UGATE
相
Q1
V
DDQ_DDR
+
Q4
C5
C6
R5
LGATE
R6
COMP4
DDR_VDDQ(x2)
COMP
FB4
R2
FB
DRIVE2
FB2
VREF_OUT
VREF_IN
R4
C1
C2
Q2
R3
C3
R8
C7
V
TT_GMCH / CPU
Q5
R7
R1
V
REF
ATX3V3
R9
R10
Q6
V
DAC
DRIVE3
GND
FB3
R11
R12
DDR_VTT(x2)
DDR_VTTSNS
V
TT_DDR
3
FN9143.3
ISL6537A
绝对最大额定值
5VSBY 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 GND - 0.3V至+ 7V
P12V变极。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 GND - 0.3V至+ 14V
绝对的启动电压，V
BOOT
. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . +15.0V
上部驱动器电源电压，V
BOOT
- V
相
. . . . . . . . . . . +6.0V
所有其他引脚。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 GND - 0.3V至5VCC + 0.3V
ESD分类科幻阳离子。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 TBD
热信息
热电阻（典型，注意事项1， 2 ）
θ
JA
（ ° C / W）
θ
JC
（ ° C / W）
QFN封装。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。
32
5
最高结温（塑料封装） 。 。 。 。 。 。 。 150℃
最大存储温度范围。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 -65 ℃150 ℃的
最大的铅温度（焊接10秒） 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 300℃
推荐工作条件
电源电压上5VSBY 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 + 5V ± 10 ％
电源电压上P12V变极。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 + 12V ±10 ％
环境温度范围。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 0 ° C至70℃
结温范围。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 0 ° C至125°C
注意：如果运行条件超过上述“绝对最大额定值” ，可能对器件造成永久性损坏。这是一个应力只评级和操作
器件在这些或以上的本规范的业务部门所标明的任何其他条件不暗示。
注意：
1.
θ
JA
测量在自由空气与装在一个高有效热导率测试板用“直接连接”的功能的组件。看
技术简介TB379 。
2.
为
θ
JC
的“外壳温度”的位置是在封装底部的裸露金属焊盘的中心。
电气规格
参数
5VSBY电源电流
额定电源电流
推荐工作条件，除非另有说明。请参阅座和简化的电源系统
图和典型应用原理图
符号
测试条件
民
典型值
最大
单位
I
CC_S0
I
CC_S5
S3 ＃ & ＃ S5高， UGATE / LGATE开放
S5 ＃低， S3 ＃无所谓， UGATE / LGATE开放
5.5
-
7.0
700
8.0
850
mA
A
上电复位
瑞星5VSBY POR阈值
落5VSBY POR阈值
瑞星P12V变极POR阈值
落P12V变极POR阈值
振荡器和软启动
PWM频率
斜坡幅度
软启动间隔
参考电压
参考电压
系统精度
V
DDQ
和V
GMCH
PWM控制器错误放大器器
DC增益
增益带宽积
压摆率
控制I / O（ ＃ S3 ，S5 ＃ ）
低电平输入阈值
高电平输入阈值
PWM控制器栅极驱动
UGATE和LGATE源
UGATE和LGATE库
I
门
I
门
-
-
-0.8
0.8
-
-
A
A
0.75
-
-
-
-
2.2
V
V
增益带宽积
SR
通过设计保证
-
15
-
80
-
6
-
-
-
dB
兆赫
V / μs的
V
REF
-
-2.0
0.800
-
-
+2.0
V
%
f
OSC
V
OSC
t
SS
220
-
6.5
250
1.5
8.2
280
-
9.5
千赫
V
ms
4.10
3.60
10.0
8.80
-
-
-
-
4.45
3.95
10.5
9.75
V
V
V
V
4
FN9143.3
ISL6537A
电气规格
参数
VTT稳压器
上部分阻抗
低阻抗分频器
VREF_OUT缓冲源电流
最大V
TT
负载电流
R
U
R
L
I
VREF_OUT
I
VTT_MAX
周期性负载施加有30 ％的占空比和
使用ISL6537A_6506EVAL1 10ms的周期
评估板（参见应用笔记AN1124 ）
-
-
-
-3
2.5
2.5
-
-
-
-
2
3
k
k
mA
A
推荐工作条件，除非另有说明。请参阅座和简化的电源系统
图和典型应用原理图
（续）
符号
测试条件
民
典型值
最大
单位
线性稳压器
DC增益
增益带宽积
压摆率
驱动高输出电压
驱动为低电平输出电压
驱动高输出源电流
驱动为低电平输出灌电流
VIDPGD
V
TT_GMCH / CPU
阈值上升
V
TT_GMCH / CPU
下降阈值
保护
OCSET电流源
V
TT_DDR
电流限制
V
DDQ
OV水平
V
DDQ
紫外线等级
V
TT_DDR
OV水平
V
TT_DDR
紫外线等级
V
GMCH
紫外线等级
V
TT_GMCH / CPU
紫外线等级
热关断限制
V
FB
/V
REF
V
FB
/V
REF
I
OCSET
通过设计
S0/S3
S0/S3
18
-3.3
-
-
-
-
-
-
-
20
-
115
75
115
85
75
75
140
22
3.3
-
-
-
-
-
-
-
A
A
%
%
%
%
%
%
°C
S0
S0
.725
-
.740
-
V
V
V
FB
= 770mV ，V
驱动的
= 0V
V
FB
= 830mV ，V
驱动的
= 10V
增益带宽积
SR
空载驱动
通过设计保证
-
15
-
9.75
-
-
-
80
-
6
10.0
0.16
1.7
1.20
-
-
-
-
0.50
2.6
2.00
dB
兆赫
V / μs的
V
V
mA
mA
0.700 0.715
V
TT
/V
VREF_IN
S0
V
TT
/V
VREF_IN
S0
V
FB4
/V
REF
V
FB2
/V
REF
T
SD
S0
S0
通过设计
功能引脚说明
5VSBY （引脚1 ）
5VSBY是偏置电源的ISL6537A的。它通常是
连接到一个ATX电源的5V待机轨道。
在S4 / S5休眠状态的ISL6537A进入减
电源模式，并绘制小于1mA （我
CC_S5
）从
5VSBY供应。该供应5VSBY应该在本地
绕过使用一个0.1μF的电容。
GND （引脚4 ， 27 ， 29 ）
该ISL6537A的GND端子提供返回路径
对于V
TT
LDO和开关MOSFET栅极驱动器。高
接地电流直接通过曝光进行
QFN封装的焊盘必须是电
通过一个路径作为低中连接到接地平面
电感越好。
UGATE （引脚26 ）
将此引脚连接到上层MOSFET的栅极。该引脚
为上层的PWM控制栅极驱动器
MOSFET。该引脚也可以通过自适应拍摄开启监控
通过保护电路，以确定何时在上
MOSFET已关闭。不要插入之间的任何电路
这个引脚和上MOSFET的栅极，因为它可能
干扰内部自适应贯通保护
电路，并使其无效。
FN9143.3
P12V变极（引脚3 ）
在V
TT
调节电路和线性驱动器是
搭载P12V变极。在S3 / S4 / S5不需要P12V变极
操作。 P12V变极通常连接到一个在+ 12V电源轨
ATX电源供应器。
5
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